JPH01234567A - ガス検知システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は気相成長装置、特に危険有害ガスを使用する半
導体製造装置の試料出し入れ用開閉部におけるガス洩れ
検知システムに関するものである。

〔従来の技術〕

従来、この種の気相成長装置のガス洩れ検知システムは
ガスの特性に合わせて、一般に空気より軽いガスの場合
には第３図に示すようにベルジャ１の試料出し入れ用開
閉部上部、例えは装置天井にガス検知センサ１６を取り
付けたり、第４図に示すように最近ではシール部を２重
Ｏリング８．９として、開閉部を閉じた状態で外部・内
部Ｏリング８，９間を真空ポンプ１１により真空引きし
て、到達真空度の変化を圧力計１７にて監視し、気相成
長装置から危険有害ガスか洩れているかどうか判断して
いた。第４図において、１，１′はベルジャ、２はサセ
プタ、３は高周波コイル、４は半導体基板、５は原料ガ
ス吹き出しノズル、６は排気管、７はベースプレート、
１８はモータである。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の第３図に示ずガス洩れ検知方法は、気相
成長装置の試料出し入れ用開閉部から何らかの原因で有
害な原料ガスが洩れた場合、開閉部−Ｆ部の装置天井等
にガス検知センサ１６を設けているため、検知するまで
時間がかがり、その間、有害ガスは作業室内に拡散して
おり、検知以前に作業者等に何らかの悪影響を与えてし
まう可能性もあり、安全上問題かある。また、第４図に
示す２重０リングシール方式により真空ポンプ１１を使
用して到達真空度の低下によるガス洩れ検知は実際外部
０リンク８のシール性不良によるものも多く、内部Ｏリ
ング９からの有害ガスの洩れからの到達真空度の低下で
ない場合かあり、正確なガス洩れ検知か実施できていな
いのが現状である。いずれにしても、従来の気相成長装
置においてプロセス実行中における危険有害ガス洩れ検
知方法は安全」二問題かあり、迅速・正確な検知方法と
はいえない。

本発明の目的は前記課題を解消したガス検知システムを
提供することにある。

〔発明の従来技術に対する相違点〕

上述した従来のガス洩れ検知方法に対し、本発明は気密
容器の開閉部を２重Ｏリングシールとして、２重Ｏリン
グ間を不活性ガス（特にＮ２ガス等）によりパージ及び
真空ポンプで吸引しガス検知器に接続することにより迅
速かつ正確に、また２重Ｏリングシールのため内部Ｏリ
ング部からの洩れのみで検知可能ななめ、外部０リング
から洩れる以前つまり危険または災害を及ぼす前にガス
洩れ検知を行うことか可能で安全上効果的な相違点を有
する。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明のガス検知システムに
おいては、気密容器の搬出入口を閉塞する蓋部と該気密
容器との間を気密にシールする内外２重のＯリングと、
前記蓋部を閉じた状態で前記内外２重のＯリング間を不
活性ガスにてパージする配管系と、該配管系により導ひ
かれたガス中に気密容器内の原料ガスが含まれているか
どうかを検知するガス検知器とを含むものである。

〔実施例〕

以下、本発明について図面を用いて説明する。

（実施例１） 第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図である。

図において、ベースプレー１〜７上に半導体基板４の支
持用サセプタ２を設置し、該サセプタ２に基板加熱用高
周波コイル３を装備し、サセプタ２の中央部に、モータ
１８にて回転駆動され原料ガス２を半導体基板４上に吹
き付ける原料ガス吹き出しノズル５を設置する。６は排
気管である。また１、１′は半導体基板４及びノズル５
等を外気から画成するベルジャであり、ベルジャ１，１
′とベースプレート７等により気密容器が構成される。

ところでベルジャ１の下部開口１ａの口縁１ｂとベース
プレート７との間を気密シールする必要がある。

本発明はベルジャ１の開口口縁１ｂに対向するベースプ
レート７に外部Ｏリング８と内部０リンク９とを内外２
重に設け、ベルジャ１の開口部１ａをベースプレート７
にて閉塞する際にベルジャ１の開ロ］コ縁１ｂと内外Ｏ
リング８．９とにより形成される空間を不活性ガスにて
パージする配管系１９と、該配管系１９により導ひかれ
たガス中にノズル５からの原料ガスが含まれているかど
うか検出するガス検知器１０と、配管系１９を真空吸引
してガスをガス検知器１０に導ひく真空ポンプ１１とを
有する。

第１図に示す気相成長装置は、ベルジャ１内において回
転可能なサセプタ２−トに載置されて高周波コイル３で
加熱された半導体基板４上に原料ガス吹き出しノズル５
より原料ガスを供給し、所望の薄膜を形成後、原料ガス
を排気管６より排気せしめる。原料ガスは、一般にＳ’
　ｉ　Ｈ４・Ｐ　ｌ−ｒ　３等の危険有害ガスが多いが
、ベルジャ１とベースプレート７のシール部である外部
Ｏリング８、内部Ｏリング９の２重Ｏリングシール部に
おいて、ベルジャ１を閉じプロセス実行中、Ｏリング８
，９間に不活性ガス（特にＮ２ガス）を配管系１９を介
して流し、ガス検知器１０を介して真空ポンプ１１で吸
引する。内部Ｏリング９から洩れた微量の危険有害ガス
でも外部Ｏリング８で外部には洩れず不活性ガスと一緒
にガス検知器１０に流れるため、迅速かつ正確また安全
に危険有害ガス洩れに対して検知可能である。

（実施例２） 第２図（ａ）は本発明の実施例２の縦断面図であり、第
２図（ｂ）はフロントハツチ部の拡大図である。

半導体基板４をボート１２に載置して反応管１３内定位
置に挿入後、抵抗し−タ１４より加熱し、半導体基板４
に原料ガスを供給することにより所望の薄膜を形成後、
原料ガスを排気管６より排気せしめるようにした気相成
長装置であり、原料ガスは一般に３　ｉ　Ｈ４・Ｐ　Ｈ
３等の危険有害ガスか多いか、ホード１２出し入れ用フ
ロントハツチ１５部のシールは、２重Ｏリングシールと
し、プロセス実行中外部Ｏリング８と内部０リング９間
に配管系１９を介して不活性ガスを流し、ガス検知器１
０を介して真空ポンプ１１により吸引することにより、
内部Ｏリング９から洩れなｇＩｉ量の危険有害ガスでも
外部に洩れず、不活性ガスと密閉された状態でガス検知
器１０内に流れるため、迅速かつ正確また安全に危険有
害ガス洩れに対して検知可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、気密容器の閉塞川
内外２重シール間に不活性ガス（例えばＮ２）を流して
そのガス中に気密容器内のガスか含まれていないかどう
かをガス検知器にて検出するなめ、正確・迅速にガス洩
れが検知できる。またシール部か２重Ｏリングシールで
あるため、外部Ｏリングシール部より洩れる以前つまり
内部Ｏリングから洩れた時点で検知可能で安全である。

また本シスデムの気相成長装置は、陽圧・常圧・陽圧で
あってもよく正確にガス洩れを検知可能であり、そして
工場内の気相成長装置に全て使用ずれは、半導体装置か
らのガス洩れに対して集中監視が容易となる利点がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の気相成長装置のガス洩れ検知システム
の実施例１を示す縦断面図、第２図（ａ）は実施例２の
縦断面図、第２図（ｂ）はフロントハツチ部の拡大図、
第３図、第４図は従来の気相成長装置のガス洩れ検知方
法の断面図である。 １・・・ベルジャ（ステンレス製） １′・・・ベルジャ（石英製） ２・・・サセプタ　　　　　　３・・・高周波コイル４
・・・半導体基板 ５・・・原料ガス吹き出しノズル ６・・・排気管　　　　　　　７・・・ベースプレート
８・・・外部Ｏリング　　　　９・・・内部０リング１
０・・・ガス検知器　　　　　１１・・・真空ポンプ１
２・・・ホー）へ１３・・・反応管 １４・・・抵抗ヒータ　　　　　１５・・・フロントハ
ツチ１７・・・圧力計　　　　　　　１８・・・モータ
１９・・・配管系 特許出願人　　日本電気株式会社 代　　理　　人　　　弁理士　　菅　野　　　中（ｂ） 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、気密容器と、気密容器内の被処理物に原料ガスを供
   給するガス供給システムと、気密容器内のガスを排気す
   る排気システムとを有する装置において、気密容器の搬
   出入口を閉塞する蓋部と該気密容器との間を気密にシー
   ルする内外２重のＯリングと、前記蓋部を閉じた状態で
   前記内外２重のＯリング間を不活性ガスにてパージする
   配管系と、該配管系により導びかれたガス中に気密容器
   内の原料ガスが含まれているかどうかを検知するガス検
   知器とを含むことを特徴とするガス検知システム。