CN107871678A - 一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法 - Google Patents
一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107871678A CN107871678A CN201711115939.2A CN201711115939A CN107871678A CN 107871678 A CN107871678 A CN 107871678A CN 201711115939 A CN201711115939 A CN 201711115939A CN 107871678 A CN107871678 A CN 107871678A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- board
- semiconductor technology
- module
- semiconductor
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开一种真空监测系统，应用于半导体工艺机台，半导体工艺机台包括一密闭腔体，密闭腔体上设有排气管道；还包括，抽真空模块，与排气管道连接，用于对半导体工艺机台作抽真空处理；压力检测模块，于排气管管路上设置，用于检测半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；氧气分析模块，于排气管管路上设置，对半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内。本发明的技术方案有益效果在于：将氧气分析仪和真空压力计两者结合，综合判定多晶硅炉管机台内真空工艺环境是否符合工艺需求，进而有效保证了多晶硅炉管机台真空工艺的稳定性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法。
背景技术
现有的半导体制造技术中，有一些制造工艺需要在真空环境下进行的，这些半导体领域的工艺机台若存在问题，则会影响到其内工艺的质量，从而影响最终成型的半导体元器件的质量。
目前业界普遍采用的方法是利用压力计检测炉管密闭空间内的真空压力。这种做法主要存在两个问题：1)当机台管路连接处出现连接松动存在微漏点时，在真空环境下，由于炉管内外压力差的存在，微漏点的影响在真空上并未显现反应出来；2)当炉管内真空回压或者有压力波动时，外部环境气体就有可能从微漏点处进入炉管内部，影响炉管内部的工艺气体成分，进而影响产品工艺稳定性，严重时会导致工艺硅片报废。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种旨在将氧气分析仪和真空压力计两者结合，综合判定多晶硅炉管机台内真空工艺环境是否符合工艺需求的真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法。
具体技术方案如下：
一种真空监测系统，应用于半导体工艺机台，其中，所述半导体工艺机台包括一密闭腔体，所述密闭腔体上设有排气管道；还包括，
抽真空模块，与所述排气管道连接，用于对所述半导体工艺机台作抽真空处理；
压力检测模块，于所述排气管道上设置，用于检测所述半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；
氧气分析模块，于所述排气管道上设置，对所述半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定所述半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内。
优选的，所述抽真空模块为真空泵装置。
优选的，于所述真空泵装置上设置一抽气阀。
优选的，所述压力检测模块为压力检测仪。
优选的，所述氧气分析模块为氧气分析仪，设置于所述抽真空模块与所述压力检测模块之间。
优选的，所述半导体工艺机台为多晶硅炉管机台。
优选的，所述多晶硅炉管机台包括炉管、晶舟底部的密封罩，所述炉管和所述密封罩密闭接触形成所述密闭空间。
一种多晶硅炉管机台的真空监控方法，应用于上述所述的真空监测系统，其中包括以下步骤：
步骤S1，所述半导体工艺机台的排气管道上同时配置所述氧气分析模块和所述压力检测模块；
步骤S2，利用所述抽真空模块对所述半导体工艺机台作抽真空处理，直至所述密闭腔体的压力稳定；
步骤S3，利用所述压力检测模块检测所述半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；同时，利用所述氧气分析模块对所述半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定所述半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内；
步骤S4，如果所述半导体工艺机台内的压力和氧气含量均在半导体制作工艺环境允许的范围内，则半导体制作工艺继续进行；反之，立刻停止半导体制作工艺，反馈至所述半导体工艺机台。
本发明的技术方案有益效果在于：公开了一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法，将氧气分析仪和真空压力计两者结合，综合判定多晶硅炉管机台内真空工艺环境是否符合工艺需求，进而有效保证了多晶硅炉管机台真空工艺的稳定性能。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1为本发明一种真空监测系统的流程图；
图2为本发明的实施例中，关于半导体工艺机台的装置图；
图3为本发明的实施例中，关于多晶硅炉管机台的真空监控方法的原理框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
本发明包括一种真空监测系统，应用于半导体工艺机台1，其中，如图2所示，半导体工艺机台1包括一密闭腔体10，密闭腔体10上设有排气管道11；还包括，
抽真空模块2，与排气管道11连接，用于对半导体工艺机台1作抽真空处理；
压力检测模块3，于排气管道11上设置，用于检测半导体工艺机台1内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；
氧气分析模块4，于排气管道11上设置，对半导体工艺机台1内的气体成分进行分析，以判定半导体工艺机台1内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内。
在一种较优的实施例中，抽真空模块2为真空泵装置20。
在一种较优的实施例中，于真空泵装置20上设置一抽气阀200。
在一种较优的实施例中，压力检测模块3为压力检测仪30。
在一种较优的实施例中，氧气分析模块4为氧气分析仪40，设置于抽真空模块2与压力检测模块3之间。
在一种较优的实施例中，半导体工艺机台1为多晶硅炉管机台。
在一种较优的实施例中，多晶硅炉管机台包括炉管、晶舟底部的密封罩，所述炉管和所述密封罩密闭接触形成所述密闭空间。
具体地，本实施例中，如图1所示，一种真空监测系统应用于半导体工艺机台1，包括抽真空模块2、压力检测模块3及氧气分析模块4，通过抽真空模块2对半导体工艺机台1作抽真空处理，接着利用压力检测模块3及氧气分析模块4同时对半导体工艺机台1内的压力范围和氧气成分进行检测，若检测范围均在半导体制作工艺环境允许的范围内，则半导体制作工艺继续进行，若检测范围不在半导体制作工艺环境允许的范围内，则立即结束半导体制作工艺，反馈至半导体工艺机台1。
本发明还包括一种多晶硅炉管机台的真空监控方法，如图3所示，应用于上述的真空监测系统，其中包括以下步骤：
步骤S1，半导体工艺机台的排气管道上同时配置氧气分析模块和压力检测模块；
步骤S2，利用抽真空模块对半导体工艺机台作抽真空处理，直至密闭腔体的压力稳定；
步骤S3，利用压力检测模块检测半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；同时，利用氧气分析模块对半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内；
步骤S4，如果半导体工艺机台内的压力和氧气含量均在半导体制作工艺环境允许的范围内，则半导体制作工艺继续进行；反之，立刻停止半导体制作工艺，反馈至所述半导体工艺机台。
需要说明的是，这种真空监测系统的应用范围以多晶硅炉管机台1为例，但不局限于多晶硅炉管机台1，也可广泛应用于半导体领域其他工艺机台，同时对于工艺机台内的产品种类不同，所要达到的真空压力及氧气成分的范围不同，需对应具体问题具体分析，在此不再一一赘述。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (8)
1.一种真空监测系统，应用于半导体工艺机台，其特征在于，所述半导体工艺机台包括一密闭腔体，所述密闭腔体上设有排气管道；还包括，
抽真空模块，与所述排气管道连接，用于对所述半导体工艺机台作抽真空处理；
压力检测模块，于所述排气管道上设置，用于检测所述半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；
氧气分析模块，于所述排气管道上设置，对所述半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定所述半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内。
2.根据权利要求1所述的真空监测系统，其特征在于，所述抽真空模块为真空泵装置。
3.根据权利要求2所述的真空监测系统，其特征在于，于所述真空泵装置上设置一抽气阀。
4.根据权利要求1所述的真空监测系统，其特征在于，所述压力检测模块为压力检测仪。
5.根据权利要求1所述的真空监测系统，其特征在于，所述氧气分析模块为氧气分析仪，设置于所述抽真空模块与所述压力检测模块之间。
6.根据权利要求1所述的真空监测系统，其特征在于，所述半导体工艺机台为多晶硅炉管机台。
7.根据权利要求6所述的真空监测系统，其特征在于，所述多晶硅炉管机台包括炉管、晶舟底部的密封罩，所述炉管和所述密封罩密闭接触形成所述密闭空间。
8.一种多晶硅炉管机台的真空监控方法，应用于上述权利要求1-7任一所述的真空监测系统，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，所述半导体工艺机台的排气管道上同时配置所述氧气分析模块和所述压力检测模块；
步骤S2，利用所述抽真空模块对所述半导体工艺机台作抽真空处理，直至所述密闭腔体的压力稳定；
步骤S3，利用所述压力检测模块检测所述半导体工艺机台内的压力是否在半导体制作工艺允许的范围内，并且进行漏率侦测；同时，利用所述氧气分析模块对所述半导体工艺机台内的气体成分进行分析，以判定所述半导体工艺机台内的氧气含量是否在半导体制作工艺允许的范围内；
步骤S4，如果所述半导体工艺机台内的压力和氧气含量均在半导体制作工艺环境允许的范围内，则半导体制作工艺继续进行；反之，立刻停止半导体制作工艺，反馈至所述半导体工艺机台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711115939.2A CN107871678A (zh) | 2017-11-13 | 2017-11-13 | 一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711115939.2A CN107871678A (zh) | 2017-11-13 | 2017-11-13 | 一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107871678A true CN107871678A (zh) | 2018-04-03 |
Family
ID=61753930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711115939.2A Pending CN107871678A (zh) | 2017-11-13 | 2017-11-13 | 一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107871678A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275187A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法 |
| US5365772A (en) * | 1992-07-10 | 1994-11-22 | Tokyo Electron Limited | Leak detection in a reduced pressure processing apparatus |
| JPH11135431A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Nec Kyushu Ltd | スパッタリング装置及びリーク検出方法 |
| CN101789359A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-07-28 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 低氧控制系统 |
| JP2012054393A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-11-13 CN CN201711115939.2A patent/CN107871678A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275187A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法 |
| US5365772A (en) * | 1992-07-10 | 1994-11-22 | Tokyo Electron Limited | Leak detection in a reduced pressure processing apparatus |
| JPH11135431A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Nec Kyushu Ltd | スパッタリング装置及びリーク検出方法 |
| CN101789359A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-07-28 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 低氧控制系统 |
| JP2012054393A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105675231B (zh) | 一种负压密封检测装置 | |
| CN106461498B (zh) | 使用薄膜腔室的压差测量 | |
| CN104949808B (zh) | 一种漏率检测方法及系统 | |
| CN107076636B (zh) | 具有用于粗泄漏测试的测量体积的薄膜腔 | |
| CN104236826A (zh) | 气袋产品的密封性检测装置及方法 | |
| CN101191754A (zh) | 一种用于检测产品密封性的检测设备以及检测方法 | |
| CN104280200A (zh) | 检测真空腔体密封性能的方法 | |
| US9784639B2 (en) | Tightness test during the evacuation of a film chamber | |
| CN103998910A (zh) | 用于在非刚性待测样本上进行泄漏检测的方法 | |
| WO2017166837A1 (zh) | 在线密封检测装置、多节式密封腔加工设备及方法 | |
| CN205538126U (zh) | 一种电子设备外壳完整性检测装置 | |
| CN105241616A (zh) | 一种带有防护功能人防门气密性检测装置 | |
| CN104006930A (zh) | 检漏试验台 | |
| CN107871678A (zh) | 一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法 | |
| CN205333264U (zh) | 一种充气密封圈在线检漏系统 | |
| CN206818664U (zh) | 一种电子级三氟化氮气体的水分分析系统 | |
| CN107490459A (zh) | 一种气密性检测仪检测密闭产品的充气控制方法 | |
| CN205748848U (zh) | 一种负压法包装密封性测试仪 | |
| CN210036906U (zh) | 一种负压源装置及燃气表检定气路系统 | |
| CN105277322A (zh) | 一种人防门气密性检测装置 | |
| CN105738037A (zh) | 一种等离子反应腔体的渗漏检测方法 | |
| CN206146608U (zh) | 一种包装箱密封性试验装置 | |
| CN214369312U (zh) | 一种用于特殊气体超高流量输送设备的深度吹扫箱 | |
| CN205958192U (zh) | 一种气密性检测设备 | |
| CN208743096U (zh) | 一种瓶盖检测装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180403 |