JP2012054393A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガス排気ラインに設けられたポンプから副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合のリーク検出を可能とし、基板の処理品質、歩留りの向上を図ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室１９と、前記処理室１９にガスを供給するガス供給系と、前記処理室１９を排気する排気系３０と、を有し、前記排気系３０の減圧ポンプ３６の上流側であってメインバルブ３２の下流側に、リークを検出するための圧力センサ５０と、酸素濃度計５４と、ガス分析器５８と、が設けられた基板処理装置とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板を処理する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。

基板を処理して半導体装置を製造する過程で、薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の各種基板処理がなされるが、基板処理工程に於いて処理圧力の管理は基板品質等に影響する。従って、基板が処理される処理室の圧力は圧力センサが検出する検出結果を基に所定の処理圧に制御されている。

又、処理室、ガス給排ラインのリークは処理圧の制御に影響を及ぼし、基板の処理品質を左右する。従って、処理室、ガス給排ラインについてリークの有無を検出（リークチェック）することは不可欠である（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２００７／１１１３５１号

従来の基板処理装置の概略構成図が図４に示されている。
図４に示されているように、処理室１９内を排気するガス排気管４には上流方向から炉内圧力制御用の第１の圧力センサ４２、リークチェック用の第２の圧力センサ４６、処理室１９内を所望の減圧ないし真空度に制御可能なメインバルブ３２、減圧ポンプ３６と連動して作用するオートゲートバルブ３４、減圧ポンプ３６としてのブースタポンプ３８とメインポンプ４０が設けられ、排気ライン３０が形成されている。リークチェックを行う際は、メインバルブ３２を閉じ、炉内を真空に封じ込めて第２の圧力センサ４６を用いて炉内のリークチェックが行われる。

しかしながら、従来のリークチェックでは、メインバルブ３２とオートゲートバルブ３４間はリークしていても検出することができず、例えば、減圧ポンプ３６から副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合にそれらの要因を特定することができなかった。

本発明は斯かる実情に鑑み、ガス給排ラインのリーク検出に加えて、排気ラインであるポンプから副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合のリーク検出を可能とし、基板の処理品質、歩留りの向上を図った基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供するものである。

本発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室にガスを供給するガス供給系と、前記処理室を排気する排気系と、を有し、前記排気系の減圧ポンプの上流側であってメインバルブの下流側に、リークを検出するための圧力センサと、酸素濃度計と、ガス分析器とが設けられた基板処理装置に係るものである。

また、本発明は、基板を処理室に搬入する工程と、前記処理室にガス供給系によりガスを供給しつつ、排気系により排気すると共に、前記排気系に設けられた圧力センサからの出力に基づいて前記処理室内の圧力を制御して基板を処理する工程と、処理後の基板を前記処理室から搬出する工程と、前記ガス供給系、前記処理室、前記排気系を含むガス流通経路のリークチェックを行う工程と、を有し、前記リークチェックを行う工程では、前記排気系の減圧ポンプの上流側であってメインバルブの下流側に設けられた圧力センサ及び酸素濃度計によって圧力及び酸素濃度を測定し、この測定された圧力及び酸素濃度に基づいて処理室内のリークの有無を検出し、前記排気系の減圧ポンプの上流側であってメインバルブの下流側に設けられたガス分析器によりリークガスを特定する半導体装置の製造方法に係るものである。

本発明によれば、ガス給排ラインのリーク検出に加えて、ガス排気ラインに設けられたポンプから副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合のリーク検出を可能とし、基板の処理品質、歩留りの向上を図った基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明の実施の形態に用いられる基板処理装置の概略構成図である。 本発明の実施の形態に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態に用いられる水蒸気発生装置を示す概略構成図である。 従来例に係る基板処理装置の概略構成図である。

図１には、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０２の構成が示されている。

半導体装置の製造に用いられる基板処理装置としては、１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置があり、以下は本発明がバッチ式の基板処理装置で実施された一例を説明する。

均熱管１の内部に反応管２が同心に設けられ、該反応管２の周囲を囲む様に、ヒータ１０が同心に配設されている。該ヒータ１０はヒータベース２１に立設され、前記反応管２は気密容器４５に立設されている。該気密容器４５は移載室４６を画成し、該移載室４６と処理室１９とは炉口部を介して連通され、該炉口部は炉口シャッタ４７によって気密に閉塞可能となっている。前記均熱管１、前記反応管２、前記ヒータ１０等は、処理炉２０を構成する。

前記反応管２の上面にはガス溜め部７が設けられ、該ガス溜め部７にはガス供給管３が導入口５、導管６を介して連通され、処理ガスが分散孔８を介してシャワー状に導入される様になっている。又、前記反応管２の下部には排気口９が連通され、該排気口９には前記処理室１９の雰囲気を排気するガス排気管４が接続され、後述する様に該ガス排気管４より下流側は排気系である排気ライン３０を構成している。

前記移載室４６にはボートエレベータ１８、基板移載機４９が収納され、前記ボートエレベータ１８はシールキャップ１３を介して基板保持具（ボート）１６を昇降可能に支持し、前記ボートエレベータ１８は前記ボート１６を昇降させ、前記処理室１９に装入、該処理室１９から引出し可能であり、前記シールキャップ１３は上昇状態で前記炉口部を気密に閉塞可能となっている。

前記基板移載機４９は前記ボートエレベータ１８と対向して配置され、降下状態の前記ボート１６に対して未処理基板を装填し、処理済基板を払出し可能となっている。

前記処理炉２０の一例について、図２を参照して説明する。

前記均熱管１は、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した形状となっている。前記反応管２は、例えば石英（ＳｉＯ₂ ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状となっている。なお、先述の導管６及び排気口９も、反応管２と同様に、例えば石英（ＳｉＯ₂ ）等の耐熱性材料から構成されている。前記処理室１９には前記ボート１６が収納され、該ボート１６は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、基板（ウェーハ）１７を水平姿勢で多段に保持する様になっており、前記ボート１６は下部に断熱機能を有するボートキャップ１５を有している。

該ボートキャップ１５は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、前記ヒータ１０からの熱が前記反応管２の下端側に伝わり難くなる様に構成されている。

前記反応管２の下端部には、ベース１２と、炉口蓋体としての前記シールキャップ１３が設けられている。該シールキャップ１３は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記ベース１２は例えば石英からなり、円盤状に形成され、前記シールキャップ１３の上に取付けられている。前記ベース１２の上面には前記反応管２の下端と当接するシール部材としてのＯリング１２ａが設けられている。

前記シールキャップ１３の下側には、ボートを回転させる回転手段１４が設置されている。該回転手段１４の回転軸１４ａは前記シールキャップ１３と前記ベース１２を貫通しており、前記回転軸１４ａは前記ボートキャップ１５を介して前記ボート１６を支持し、前記ボートキャップ１５を介して前記ボート１６を回転させる様に構成されている。

前記シールキャップ１３は上記した様に前記ボートエレベータ１８に支持され、該ボートエレベータ１８によって昇降されることで、前記ボート１６は前記処理室１９に対し搬入搬出することが可能となっている。前記回転手段１４及び前記ボートエレベータ１８には、駆動制御部２８が電気的に接続されており、所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記均熱管１と前記反応管２との間には、温度検出器としての温度センサ１１が設置されている。前記ヒータ１０と前記温度センサ１１には、電気的に温度制御部２６が接続されており、前記温度センサ１１により検出された温度情報に基づき前記ヒータ１０への通電具合を調整することにより前記処理室１９の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記ガス供給管３は、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２２を介して図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源に接続されている。尚、前記処理室１９に水蒸気を供給する必要がある場合は、前記マスフローコントローラ２２よりも下流側に、後述する水蒸気発生装置１００（図３）が設けられる。前記マスフローコントローラ２２には、ガス流量制御部２７が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。又、前記ガス供給管３、前記マスフローコントローラ２２等はガス供給系であるガス供給ラインを構成する。

前記ガス排気管４には、上流側から処理室１９内を所望の減圧ないし真空度に制御可能なメインバルブ３２と、減圧ポンプ３６と連動して作用するオートゲートバルブ３４と、減圧ポンプ３６としてのブースタポンプ３８とメインポンプ４０が設けられている。
また、ガス排気管４のメインバルブ３２の上流側には炉内圧力制御用の第１の圧力センサ４２が設けられ、前記処理室１９の圧力が所定の圧力（例えば１０００Ｔｏｒｒ）となって排気し得る様に構成されている。また、第１の圧力センサ４２の下流側にはリークチェック用の第２の圧力センサ４６がエアバルブ４４を介して設けられている。
前記メインバルブ３２、オートゲートバルブ３４、減圧ポンプ３６、第１の圧力センサ４２、第２の圧力センサ４６、エアバルブ４４等には、圧力制御部２９が電気的に接続されており、該圧力制御部２９は、前記第１の圧力センサ４２により検出された圧力に基づいて、前記メインバルブ３２により前記処理室１９の圧力が所望の圧力となる様に、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。又、前記ガス排気管４、前記メインバルブ３２、前記オートゲートバルブ３４、減圧ポンプ３６等は排気系である排気ライン３０を構成する。

前記温度制御部２６、前記ガス流量制御部２７、前記圧力制御部２９、前記駆動制御部２８は、操作部、入出力部をも構成している。これら、前記温度制御部２６、前記ガス流量制御部２７、前記圧力制御部２９、前記駆動制御部２８は主制御部２５として構成されている。

水蒸気発生装置１００の一例について、図３を参照して説明する。

水蒸気発生装置１００の一例として、外部燃焼装置（外部トーチ）を用いて、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）を発生する装置を説明する。水蒸気発生装置１００は、水素（Ｈ₂）ガス源８２ａ、酸素（Ｏ₂）ガス源８２ｂ、及び外部燃焼装置８６を有する。水素ガス源８２ａ、酸素ガス源８２ｂは、それぞれ開閉バルブ８８ａ、８８ｂ及びＭＦＣ（マスフローコントローラ）２２ａ、２２ｂを介して、ガス供給管９２ａ、９２ｂにより、外部燃焼装置８６に並列に接続されている。

外部燃焼装置８６には、発生した水分を先述の処理室１９内に供給する先述のガス供給管３が接続されている。ＭＦＣ２２ａ、２２ｂ、開閉バルブ８８ａ、８８ｂ、外部燃焼装置８６には、先述のガス流量制御部２７（図２）が電気的に接続されており、水素ガス源８２ａ、酸素ガス源８２ｂから供給するＨ₂ガス、Ｏ₂ガスの流量、外部燃焼装置８６にて発生させ供給する水蒸気（Ｈ₂Ｏ）の流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

水蒸気発生装置１００では、水素ガス源８２ａ、酸素ガス源８２ｂから供給されたＨ₂ガス、Ｏ₂ガスを外部燃焼装置８６で燃焼させて水蒸気（Ｈ₂Ｏ）を発生させる。発生した水蒸気（Ｈ₂Ｏ）は外部燃焼装置８６よりガス供給管３を通して処理室１９内に供給される。

水蒸気発生装置１００の一例として、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）を発生する外部燃焼装置（外部トーチ）を用いることに替えて、触媒反応を利用する水蒸気発生装置を用いても良い。触媒反応を利用する場合、図３に示す外部燃焼装置８６の代わりに、触媒反応装置８７を用いる。これ以外の構成は、外部燃焼装置（外部トーチ）を用いる水蒸気発生装置と同様である。

触媒反応装置８７を用いる水蒸気発生装置１００では、水素ガス源８２ａ、酸素ガス源８２ｂから供給されたＨ₂ガス、Ｏ₂ガスは、触媒反応装置８７内に設けられた白金等の触媒と接触し、白金等と接触したＨ₂ガス、Ｏ₂ガスは、白金等の触媒作用によって活性化され、反応性が高められた状態となる。活性化されたＨ₂ガスとＯ₂ガスは、発火温度よりも低い温度で反応し水蒸気（Ｈ₂Ｏ）が生成される。生成された水蒸気（Ｈ₂Ｏ）は触媒反応装置８７よりガス供給管３を通して処理室１９内に供給される。触媒反応装置８７を用いる水蒸気発生装置１００によれば、外部燃焼装置８６を用いる水蒸気発生装置１００のような高温燃焼を伴うことなく水蒸気を発生させることができる。

前記排気ライン３０について図１を参照して詳述する。

前記排気口９に接続された前記ガス排気管４は耐熱、耐食性の合成樹脂製であり、例えば、テフロン（登録商標）などのフッ素樹脂製であり、工場排気装置のダクト等に接続されている。前記ガス排気管４には、下流側に向って第１の圧力センサ４２、第２の圧力センサ４６、メインバルブ３２、オートゲートバルブ３４、減圧ポンプ３６としてのブースタポンプ３８とメインポンプ４０が設けられている。第２の圧力センサ４６の上流側にはエアバルブ４４が設けられ、リークチェック時を除いて閉じられ、第２の圧力センサ４６を保護している。

また、メインバルブ３２とオートゲートバルブ３４の間には、リークチェックライン４８が設けられている。リークチェックライン４８には、下流側に向かってメインバルブ３２下流側の圧力を測定する第３の圧力センサ５０と、エアバルブ５２を介して酸素濃度を測定する酸素濃度計５４と、エアバルブ５６を介してリークガスを特定するガス分析器５８が設けられている。また、第３の圧力センサ５０、エアバルブ５２、酸素濃度計５４、エアバルブ５６、ガス分析器５８等には、圧力制御部２９が電気的に接続されている。

次に、上記構成に係る処理炉２０を用いて、半導体デバイスの製造工程の１工程として、ウェーハ１７に酸化、拡散等の処理を施す方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は前記主制御部２５により制御される。

基板処理を開始する前工程として、前記排気ライン３０等のリークチェックが行われ、該排気ライン３０等についてリークがないことが確認されて実質的な基板処理が開始される。基板処理前に事前にリークチェックを行うことで、基板の処理不良を防止でき、歩留りの向上が図れる。

尚、前記排気ライン３０等のリークチェックは、基板処理装置のセットアップ時に行うのがよい。また、後述するボート１６を処理室１９に搬入する前に行ってもよいし、後述するボート１６が前記処理室１９に搬入（ボートローディング）した後、処理ガスを供給する前の工程として実施してもよい。或は、基板処理と基板処理との間に定期的にリークチェックをしてもよい。更には、基板処理装置に異常が見られた時点で行うようにしても良い。

前記移載室４６で所定枚数のウェーハ１７が前記ボート１６に装填（ウェーハチャージ）されると、該ボート１６は、前記ボートエレベータ１８により上昇され、前記処理室１９に搬入（ボートローディング）される。この状態で、前記シールキャップ１３はベース１２、Ｏリング１２ａを介して前記反応管２下端（炉口部）を気密に閉塞した状態となる。

前記処理室１９が所望の圧力（陰圧）となる様に制御しつつメインバルブ３２、オートゲートバルブ３４を制御しつつ減圧ポンプ３６によって排気される。この際、前記処理室１９の圧力は、第１の圧力センサ４２によって測定され、この測定された圧力に基づきフィードバック制御される。又、前記処理室１９が所望の温度となる様に前記ヒータ１０によって加熱されて、昇温される。この際、前記処理室１９が所望の温度分布となる様に前記温度センサ１１が検出した温度情報に基づき前記ヒータ１０への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転手段１４により、前記ボートキャップ１５、前記ボート１６が回転されることで、ウェーハ１７が回転される。

次いで、図示しない処理ガス供給源及びキャリアガス供給源から供給され、前記マスフローコントローラ２２にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管３から前記導入口５、前記導管６、前記ガス溜め部７を経て前記分散孔８から前記処理室１９にシャワー状に導入される。

尚、ウェーハ１７に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、前記マスフローコントローラ２２にて所望の流量となる様に制御されたガスが水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ₂Ｏ）を含むガスが前記処理室１９に導入される。すなわち、先述の図３において、マスフローコントローラ２２ａ、２２ｂにて所望の流量となるように制御されたＨ₂ガス、Ｏ₂ガスが、外部燃焼装置８６、または触媒反応装置８７に供給されることで水蒸気（Ｈ₂Ｏ）が生成され、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）を含むガスが前記処理室１９に導入される。導入されたガスは前記処理室１９を流下し、前記排気口９を流通して前記ガス排気管４から排気される。ガスは前記処理室１９を通過する際にウェーハ１７の表面と接触し、ウェーハ１７に対して酸化、拡散等の処理がなされる。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給されて、前記処理室１９が不活性ガスに置換され、その後、不活性ガスの供給を維持した状態で、主制御部２５からの指令によりメインバルブ３２が閉じられ、前記処理室１９の圧力が常圧に復帰される。この際、前記処理室１９の圧力が第１の圧力センサ４２により測定され、測定された圧力に基づきフィードバック制御される。

その後、処理室１９内が降温された後、前記ボートエレベータ１８により前記ボート１６が降下されて、炉口部が開口されると共に、処理済ウェーハ１７が前記ボート１６に保持された状態で炉口部から前記移載室４６に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウェーハ１７は一定の冷却時間を経て前記基板移載機４９より払出される（ウェーハディスチャージ）。尚、炉口部は前記炉口シャッタ４７によって気密に閉塞される。

尚、一例迄、本実施の形態の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、酸化処理に於いては、処理温度８００〜１０００℃、処理圧力９４０〜９８０ｈＰａ、ガス種、ガス供給流量Ｈ₂／Ｏ₂ 、１〜１０ｓｌｍ／1〜２０ｓｌｍが例示され、それぞれの処理条件をそれぞれの範囲内のある値で一定に維持することで基板処理がなされる。

次に、リークチェックについて説明する。尚、装置セットアップ時のリークチェックと、基板処理開始前又は装置に異常が見られたときのリークチェックとでは、やり方が異なるため、以下、まず、リークチェックが基板処理開始前又は装置に異常が見られた時に実行される場合を説明し、次に、リークチェックが装置セットアップ時に実行される場合を説明する。

まず、リークチェックの事前準備として行う基準圧力の測定の具体的な方法について説明する。事前に、ガス供給管３、反応管２、排気ライン３０等で構成されるガス流通経路全体にリークがないことを確認した後、炉内圧力の設定値を大気圧よりも充分に低い値、例えば８００ｈＰａ、に設定し、炉内にガスを流さない状態で、即ち前記ガス供給管３の上流側を閉塞した状態で、減圧ポンプ３６により前記処理室１９を真空排気する。この状態で得られた真空状態を引切りと称し、引切り時の圧力（引切り圧力）、すなわち、引切りに到達した圧力をエアバルブ４４を開いて第２の圧力センサ４６により検出し、引切り圧力をデータとして記録する。引切り圧力は、リークチェックの基準となる圧力であり前記主制御部２５の記憶部（図示せず）等に記憶する。

次に、基板処理開始前又は装置に異常が見られたときの、リークチェックの具体的な方法について説明する。まず、圧力の設定値を引切り圧力に設定し、減圧ポンプ３６により前記排気ライン３０を真空排気する。

この時の、該排気ライン３０のメインバルブ３２上流側の圧力は第２の圧力センサ４６によって検出され、引切り圧力値と比較し、検出された圧力が前記引切り圧力値と同一であれば、リークポイントはないと判断される。一方、検出圧力値が引切り圧力値より高い場合は、リークポイントが有ると判断される。また、排気ライン３０のメインバルブ３２下流側の圧力は第３の圧力センサ５０によって検出され、引切り圧力値と比較し、検出された圧力が前記引切り圧力値と同一であれば、リークポイントはないと判断される。一方、検出圧力値が引切り圧力値より高い場合は、リークポイントが有ると判断される。

次に、装置セットアップ時のリークチェックについて説明する。
装置セットアップ時のリークチェックにおいては、たとえ引き切り圧力を検出したとしても、ガス供給管３、反応管２、排気ライン３０等で構成されるガス流通経路全体のいずれかの位置にリークが有った場合、検出した引き切り圧力は、リークの有る状態での引き切り圧力であり、リークチェックの基準値とすることはできない。このため、先述の基板処理開始前又は装置に異常が見られたときのリークチェックのように検出値（検出した圧力）が基準値（基準となる圧力）に到達するかどうかでリークの有無を判断するのではなく、設定値（設定した圧力）と検出値（検出した圧力）とを比較し、検出値が設定値に到達するかどうかでリークの有無を判断する。以下具体的に説明する。

まず、炉内圧力の設定値を大気圧よりも充分に低い値、例えば８００ｈＰａ、に設定し、減圧ポンプ３６により前記排気ライン３０を真空排気する。この時の、該排気ライン３０のメインバルブ３２上流側の圧力は前記第２の圧力センサ４６によって検出され、予め設定された設定値と比較し、検出された圧力が設定値と同一であれば、リークポイントはないと判断される。一方、検出された圧力値が設定値より高い場合は、リークポイントが有ると判断される。また、排気ライン３０のメインバルブ３２下流側の圧力は第３の圧力センサ５０によって検出され、予め設定された設定値と比較し、検出された圧力が設定値と同一であれば、リークポイントはないと判断される。一方、検出された圧力値が設定値より高い場合は、リークポイントが有ると判断される。

すなわち、前記第２の圧力センサ４６によりメインバルブ３２上流側のガス供給管３、反応管２、排気ライン３０等で構成されるガス流通経路のリークの有無を検出することができる。また、前記第３の圧力センサ５０により検出された圧力と酸素濃度計５４により検出された酸素濃度によってメインバルブ３２下流側のリークの有無を検出し、前記ガス分析器５８によりリークガスを特定することができる。

以上のように、本発明によれば、メインバルブ上流側のガス供給ライン、処理室、排気ラインのリークチェックだけでなく、メインバルブ下流側であるメインバルブから減圧ポンプ間を含めた基板処理装置全体のリークチェックをすることができる。
また、ガス分析器を用いることで、残ガスのチェックをすることが可能となり、ポンプ側から逆流した場合におけるパーティクルの発生要因を特定することができる。

以上で説明した装置セットアップ時のリークチェックや、基板の処理開始前又は装置に異常が見られたときのリークチェックでリークポイントがないと判断されると、基板処理が開始される。尚、装置セットアップ時のリークチェックや、基板の処理開始前又は装置に異常が見られたときのリークチェックで、リークポイントがあると判断されると、ガス流通経路を構成する部材（ガス供給管３、反応管２、ガス排気管４等）同士の接続部分をチェックし、接続状態が適正かどうかを確認し、適正でない場合は改善がなされる。

具体的には、例えば、接続部分を締め付け具等で締め付けている箇所については、締め付け具の締め付け具合をチェックして締め直したり、ガス配管や締め付け具等の接続部分を構成する部材を交換したりする。また、例えば、接続部分がねじ込み式である箇所については、ねじ込み具合をチェックしてねじ込みを直したり、接続部分を交換したりする。尚、接続部分を構成する部材は、当初、適切な状態であったとしても、熱の影響を受け、適正な状態でなくなることもある。例えば、上述のねじ込み部分や締め付け具は熱の影響を受けて緩むことがあり、処理回数が増えるにつれて熱の影響が蓄積された緩むこともある。

１ 均熱管
２ 反応管
３ ガス供給管
４ ガス排気管
５ 導入口
９ 排気口
１６ ボート
１８ ボートエレベータ
１９ 処理室
２０ 処理炉
３０ 排気ライン
３２ メインバルブ
３４ オートゲートバルブ
３６ 減圧ポンプ
４２ 第１の圧力センサ
４６ 第２の圧力センサ
４８ リークチェックライン
５０ 第３の圧力センサ
５４ 酸素濃度計
５８ ガス分析器

Claims (2)

1. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室にガスを供給するガス供給系と、
   前記処理室を排気する排気系と、を有し、
   前記排気系の減圧ポンプの上流側であってメインバルブの下流側に、リークを検出するための圧力センサと、酸素濃度計と、ガス分析器とが設けられた
   基板処理装置。
2. 基板を処理室に搬入する工程と、
   前記処理室にガス供給系によりガスを供給しつつ、排気系により排気すると共に、前記排気系に設けられた圧力センサからの出力に基づいて前記処理室内の圧力を制御して基板を処理する工程と、
   処理後の基板を前記処理室から搬出する工程と、
   前記ガス供給系、前記処理室、前記排気系を含むガス流通経路のリークチェックを行う工程と、を有し、
   前記リークチェックを行う工程では、前記排気系の減圧ポンプの上流側であってメインバルブの下流側に設けられた圧力センサ及び酸素濃度計によって圧力及び酸素濃度を測定し、この測定された圧力及び酸素濃度に基づいて処理室内のリークの有無を検出し、前記排気系の減圧ポンプの上流側であってメインバルブの下流側に設けられたガス分析器によりリークガスを特定する
   半導体装置の製造方法。

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