JPS61275187A - シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法 - Google Patents

シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法

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JPS61275187A
JPS61275187A JP11560485A JP11560485A JPS61275187A JP S61275187 A JPS61275187 A JP S61275187A JP 11560485 A JP11560485 A JP 11560485A JP 11560485 A JP11560485 A JP 11560485A JP S61275187 A JPS61275187 A JP S61275187A
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JP
Japan
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pulling
oxygen
single crystal
amt
leakage
Prior art date
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Pending
Application number
JP11560485A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Matsuda
正人 松田
Hitoshi Hasebe
長谷部 等
Masami Nakanishi
正美 中西
Osamu Suzuki
修 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS61275187A publication Critical patent/JPS61275187A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一定範囲の減圧下の不活性ガス(アルゴン等の
不活性ガス)雰囲気中で、シリコン単結晶を引上げると
き、酸素リーク量(漏洩量)をチェックする方法に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来、シリコン単結晶を製造するときは、引上開始直前
に引上室内のリークチェックを行い、リークの有無を毎
回確認している。このときの真空度は1O−2torr
 〜1O−3torr付近であるが、シリコ7単結晶の
引上げ時はアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス
を炉内に導入するので炉内圧力は10 torr 〜2
0 torr付近になる。
そこで、従来は引上室の炉内圧力をしらべるのに、ピラ
ニ真空計等の圧力測定器を設けてリークを測定していた
しかしながら、圧力測定器で測定した酸素のリーク量は
引上時の不活性ガスを流したときと一致しない。不活性
ガスを流す前は、炉内圧力1O−2torr〜10−3
torrと低い。これに対し引上時は不活性ガスを流す
ことにより、炉内圧力が10 torr〜30 tor
rと上昇し、炉のシール状態が悪くなシ外気が混入し品
<、酸素のリーク量が増加する傾向がある。
したがって圧力測定器で測定したリークは、必ずし本開
始直前のリークチェックで保証しきれないところもある
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は引上開始直前および不活性ガス雰囲気下での酸
素リーク量をチェックするもので、引上室から排気ポン
プまでの排気系に酸素検出器を取付けたもので、引上開
始直前の酸素を検出することKよシ、酸素のリーク量を
測定するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明を図示の実施例について説明する。シリコン溶融
液1は石英ルツー2内にあシ、該石英ルツゲ2はカーが
ンルツ?3内にある。4は加熱装置で例えば抵抗発熱体
等であシ、石英ルツI2内のシリコンをシリコン溶融液
1とする。5はシリコンの種結晶で、引上軸6の先端に
固定されてシリコン溶融液10表面に浸漬され、シリコ
ン単結晶インゴット7をつくるものである。
このシリコン単結晶インゴット7を製造する上記の装置
は、引上室8の中にある。引上室8は上部に不活性ガス
(アルゴン、ヘリウム等)の供給口9があシ、下部には
引上室8の内部のガスを吸引するガス出口10があル、
その先端に真空ポンプが設けてラシ、それに圧力測定器
(図示せず)がある。
そして上端部には引上軸6が引上げられるよう引上軸6
の引上手段(図示せず)が設けである。
引上室8の接続部分およびルンー(石英ガラス。
カーデン)を上下動させる軸12等には空気が漏洩しな
いようにシールリング11が介装されている。
このような引上室8に#ll積検出器13取付けたもの
である。
〔作用〕
本発明は引上室8内を一定範囲例えば10 ”torr
まで真空ポンプで吸引して真空度を維持した後、不活性
ガス例えばアルコ°ンガスを供給口9よシ供給して10
torr〜20 torr K調整した後、加熱装置で
シリコン溶融液をつくシ、これに種結晶を浸漬してシリ
コン単結晶を引上げる。この引上時に引上開始前のリー
クチェックのみでは、炉内圧力の変化にともなう酸素リ
ーク量の増加によシ、カーがンルツゲ、カーIンヒータ
が酸化して、シリコン単結晶の中に混入したシ、または
シリコンが一酸化珪素となシ、シリコン単結晶の中に混
入したシしてシリコン単結晶の歩留シ、及び品質低下を
招くもととなる。
したがってこの弊害を取除くため酸素リーク量を検知し
なければならない。酸素リークが多くなったときは、炉
内のシールをよくするか、またはアルゴン等の不活性ガ
ス量の供給を大にし、真空ポンプで吸引しなければなら
ない。
この酸素リーク量は、引上直前に測定する必要がある。
これKは酸素検出器を取付けて酸素リーク量を測定する
〔実施例〕
本発明の実施例について説明する。
引上時において炉内を真空ポンプで減圧して10−” 
torrとし、この時の酸素リーク量を酸素検出器(ガ
スクロマトグラフィー)で測定し九ところ10−8〜1
0−’ torr、 l/sec テあった。次に炉内
に7A/コ9ンガスを流し、炉内圧が20 torr 
I/Cなつ九時の酸素リーク量を測定したところ、10
 〜10  酋l−でめった。その後、炉内のシールを
よくするか、またはアルデン流量および真空ポンプを制
御して炉内の酸素リーク量がl Q−8torr、I/
a−以下になるまでキープし、シリコン単結晶の引上を
行った。
この結果、シリコン単結晶インゴットの転位不良が少な
く、歩留シが5%以上向上した。さらにカーMンヒータ
、カー〆ンルツがの酸化消耗が少く、寿命が20%以上
向上した。
〔効果〕
本発明は酸素検出器を取シ付けたことによシ炉内に不活
性ガスを流した後も簡単に酸素リーク量を求めることが
できる。
したがって、酸素のリークを容易にチェックでき、炉内
の酸素のリーク量を減少させることKよ)、シリコン単
結晶インゴットの歩留りが向上しカー?ンヒータ、カー
ぎンルツゲの寿命を延びる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施する装置の縦断面図である。 8・・・引上室     10・・・ガス出口13・・
・酸素検出器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 引上室から排気ポンプまでの排気系に酸素検出器を取付
    けて、一定範囲の真空度に維持した状態での酸素リーク
    量を測定するとともにシリコン単結晶引上時における不
    活性ガスを流入した状態での酸素リーク量を測定し、両
    方の酸素リーク量の差より引上時相当の酸素リーク量を
    求めることを特徴とするシリコン単結晶引上機のリーク
    チェック方法。
JP11560485A 1985-05-29 1985-05-29 シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法 Pending JPS61275187A (ja)

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