JPS61275187A - シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法 - Google Patents
シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法Info
- Publication number
- JPS61275187A JPS61275187A JP11560485A JP11560485A JPS61275187A JP S61275187 A JPS61275187 A JP S61275187A JP 11560485 A JP11560485 A JP 11560485A JP 11560485 A JP11560485 A JP 11560485A JP S61275187 A JPS61275187 A JP S61275187A
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- JP
- Japan
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- pulling
- oxygen
- single crystal
- amt
- leakage
- Prior art date
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- Pending
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- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一定範囲の減圧下の不活性ガス(アルゴン等の
不活性ガス)雰囲気中で、シリコン単結晶を引上げると
き、酸素リーク量(漏洩量)をチェックする方法に関す
るものである。
不活性ガス)雰囲気中で、シリコン単結晶を引上げると
き、酸素リーク量(漏洩量)をチェックする方法に関す
るものである。
従来、シリコン単結晶を製造するときは、引上開始直前
に引上室内のリークチェックを行い、リークの有無を毎
回確認している。このときの真空度は1O−2torr
〜1O−3torr付近であるが、シリコ7単結晶の
引上げ時はアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス
を炉内に導入するので炉内圧力は10 torr 〜2
0 torr付近になる。
に引上室内のリークチェックを行い、リークの有無を毎
回確認している。このときの真空度は1O−2torr
〜1O−3torr付近であるが、シリコ7単結晶の
引上げ時はアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス
を炉内に導入するので炉内圧力は10 torr 〜2
0 torr付近になる。
そこで、従来は引上室の炉内圧力をしらべるのに、ピラ
ニ真空計等の圧力測定器を設けてリークを測定していた
。
ニ真空計等の圧力測定器を設けてリークを測定していた
。
しかしながら、圧力測定器で測定した酸素のリーク量は
引上時の不活性ガスを流したときと一致しない。不活性
ガスを流す前は、炉内圧力1O−2torr〜10−3
torrと低い。これに対し引上時は不活性ガスを流す
ことにより、炉内圧力が10 torr〜30 tor
rと上昇し、炉のシール状態が悪くなシ外気が混入し品
<、酸素のリーク量が増加する傾向がある。
引上時の不活性ガスを流したときと一致しない。不活性
ガスを流す前は、炉内圧力1O−2torr〜10−3
torrと低い。これに対し引上時は不活性ガスを流す
ことにより、炉内圧力が10 torr〜30 tor
rと上昇し、炉のシール状態が悪くなシ外気が混入し品
<、酸素のリーク量が増加する傾向がある。
したがって圧力測定器で測定したリークは、必ずし本開
始直前のリークチェックで保証しきれないところもある
。
始直前のリークチェックで保証しきれないところもある
。
本発明は引上開始直前および不活性ガス雰囲気下での酸
素リーク量をチェックするもので、引上室から排気ポン
プまでの排気系に酸素検出器を取付けたもので、引上開
始直前の酸素を検出することKよシ、酸素のリーク量を
測定するものである。
素リーク量をチェックするもので、引上室から排気ポン
プまでの排気系に酸素検出器を取付けたもので、引上開
始直前の酸素を検出することKよシ、酸素のリーク量を
測定するものである。
本発明を図示の実施例について説明する。シリコン溶融
液1は石英ルツー2内にあシ、該石英ルツゲ2はカーが
ンルツ?3内にある。4は加熱装置で例えば抵抗発熱体
等であシ、石英ルツI2内のシリコンをシリコン溶融液
1とする。5はシリコンの種結晶で、引上軸6の先端に
固定されてシリコン溶融液10表面に浸漬され、シリコ
ン単結晶インゴット7をつくるものである。
液1は石英ルツー2内にあシ、該石英ルツゲ2はカーが
ンルツ?3内にある。4は加熱装置で例えば抵抗発熱体
等であシ、石英ルツI2内のシリコンをシリコン溶融液
1とする。5はシリコンの種結晶で、引上軸6の先端に
固定されてシリコン溶融液10表面に浸漬され、シリコ
ン単結晶インゴット7をつくるものである。
このシリコン単結晶インゴット7を製造する上記の装置
は、引上室8の中にある。引上室8は上部に不活性ガス
(アルゴン、ヘリウム等)の供給口9があシ、下部には
引上室8の内部のガスを吸引するガス出口10があル、
その先端に真空ポンプが設けてラシ、それに圧力測定器
(図示せず)がある。
は、引上室8の中にある。引上室8は上部に不活性ガス
(アルゴン、ヘリウム等)の供給口9があシ、下部には
引上室8の内部のガスを吸引するガス出口10があル、
その先端に真空ポンプが設けてラシ、それに圧力測定器
(図示せず)がある。
そして上端部には引上軸6が引上げられるよう引上軸6
の引上手段(図示せず)が設けである。
の引上手段(図示せず)が設けである。
引上室8の接続部分およびルンー(石英ガラス。
カーデン)を上下動させる軸12等には空気が漏洩しな
いようにシールリング11が介装されている。
いようにシールリング11が介装されている。
このような引上室8に#ll積検出器13取付けたもの
である。
である。
本発明は引上室8内を一定範囲例えば10 ”torr
まで真空ポンプで吸引して真空度を維持した後、不活性
ガス例えばアルコ°ンガスを供給口9よシ供給して10
torr〜20 torr K調整した後、加熱装置で
シリコン溶融液をつくシ、これに種結晶を浸漬してシリ
コン単結晶を引上げる。この引上時に引上開始前のリー
クチェックのみでは、炉内圧力の変化にともなう酸素リ
ーク量の増加によシ、カーがンルツゲ、カーIンヒータ
が酸化して、シリコン単結晶の中に混入したシ、または
シリコンが一酸化珪素となシ、シリコン単結晶の中に混
入したシしてシリコン単結晶の歩留シ、及び品質低下を
招くもととなる。
まで真空ポンプで吸引して真空度を維持した後、不活性
ガス例えばアルコ°ンガスを供給口9よシ供給して10
torr〜20 torr K調整した後、加熱装置で
シリコン溶融液をつくシ、これに種結晶を浸漬してシリ
コン単結晶を引上げる。この引上時に引上開始前のリー
クチェックのみでは、炉内圧力の変化にともなう酸素リ
ーク量の増加によシ、カーがンルツゲ、カーIンヒータ
が酸化して、シリコン単結晶の中に混入したシ、または
シリコンが一酸化珪素となシ、シリコン単結晶の中に混
入したシしてシリコン単結晶の歩留シ、及び品質低下を
招くもととなる。
したがってこの弊害を取除くため酸素リーク量を検知し
なければならない。酸素リークが多くなったときは、炉
内のシールをよくするか、またはアルゴン等の不活性ガ
ス量の供給を大にし、真空ポンプで吸引しなければなら
ない。
なければならない。酸素リークが多くなったときは、炉
内のシールをよくするか、またはアルゴン等の不活性ガ
ス量の供給を大にし、真空ポンプで吸引しなければなら
ない。
この酸素リーク量は、引上直前に測定する必要がある。
これKは酸素検出器を取付けて酸素リーク量を測定する
。
。
本発明の実施例について説明する。
引上時において炉内を真空ポンプで減圧して10−”
torrとし、この時の酸素リーク量を酸素検出器(ガ
スクロマトグラフィー)で測定し九ところ10−8〜1
0−’ torr、 l/sec テあった。次に炉内
に7A/コ9ンガスを流し、炉内圧が20 torr
I/Cなつ九時の酸素リーク量を測定したところ、10
〜10 酋l−でめった。その後、炉内のシールを
よくするか、またはアルデン流量および真空ポンプを制
御して炉内の酸素リーク量がl Q−8torr、I/
a−以下になるまでキープし、シリコン単結晶の引上を
行った。
torrとし、この時の酸素リーク量を酸素検出器(ガ
スクロマトグラフィー)で測定し九ところ10−8〜1
0−’ torr、 l/sec テあった。次に炉内
に7A/コ9ンガスを流し、炉内圧が20 torr
I/Cなつ九時の酸素リーク量を測定したところ、10
〜10 酋l−でめった。その後、炉内のシールを
よくするか、またはアルデン流量および真空ポンプを制
御して炉内の酸素リーク量がl Q−8torr、I/
a−以下になるまでキープし、シリコン単結晶の引上を
行った。
この結果、シリコン単結晶インゴットの転位不良が少な
く、歩留シが5%以上向上した。さらにカーMンヒータ
、カー〆ンルツがの酸化消耗が少く、寿命が20%以上
向上した。
く、歩留シが5%以上向上した。さらにカーMンヒータ
、カー〆ンルツがの酸化消耗が少く、寿命が20%以上
向上した。
本発明は酸素検出器を取シ付けたことによシ炉内に不活
性ガスを流した後も簡単に酸素リーク量を求めることが
できる。
性ガスを流した後も簡単に酸素リーク量を求めることが
できる。
したがって、酸素のリークを容易にチェックでき、炉内
の酸素のリーク量を減少させることKよ)、シリコン単
結晶インゴットの歩留りが向上しカー?ンヒータ、カー
ぎンルツゲの寿命を延びる。
の酸素のリーク量を減少させることKよ)、シリコン単
結晶インゴットの歩留りが向上しカー?ンヒータ、カー
ぎンルツゲの寿命を延びる。
第1図は本発明を実施する装置の縦断面図である。
8・・・引上室 10・・・ガス出口13・・
・酸素検出器
・酸素検出器
Claims (1)
- 引上室から排気ポンプまでの排気系に酸素検出器を取付
けて、一定範囲の真空度に維持した状態での酸素リーク
量を測定するとともにシリコン単結晶引上時における不
活性ガスを流入した状態での酸素リーク量を測定し、両
方の酸素リーク量の差より引上時相当の酸素リーク量を
求めることを特徴とするシリコン単結晶引上機のリーク
チェック方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11560485A JPS61275187A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11560485A JPS61275187A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61275187A true JPS61275187A (ja) | 1986-12-05 |
Family
ID=14666742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11560485A Pending JPS61275187A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | シリコン単結晶引上機のリ−クチエツク方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61275187A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62113789A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-25 | Nec Corp | 単結晶引上装置 |
JPH02196941A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-08-03 | Nec Yamagata Ltd | 炉芯管のリークチェック方法 |
JP2000327480A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶引上げ設備及びその操作方法 |
WO2002057519A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for monitoring the gaseous environment of a crystal puller for semiconductor growth |
CN103969006A (zh) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 茂迪股份有限公司 | 检测硅熔汤外泄的方法 |
CN107871678A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-04-03 | 上海华力微电子有限公司 | 一种真空监测系统及多晶硅炉管机台的真空监控方法 |
CN110512288A (zh) * | 2019-09-10 | 2019-11-29 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种热场坩埚保温装置及其使用方法 |
JP2021172533A (ja) * | 2020-04-21 | 2021-11-01 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置のリークチェック方法及び単結晶製造方法 |
CN115874269A (zh) * | 2023-03-08 | 2023-03-31 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 单晶硅制备装置及其控制方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5374482A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Nippon Steel Corp | Atmosphere entering quantity measurement in closed type vacuum vessel |
JPS6011163A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-21 | Kyodo Sanso Kk | 酸素、窒素、アルゴン混合ガスの分析方法 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11560485A patent/JPS61275187A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5374482A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Nippon Steel Corp | Atmosphere entering quantity measurement in closed type vacuum vessel |
JPS6011163A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-21 | Kyodo Sanso Kk | 酸素、窒素、アルゴン混合ガスの分析方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN115874269B (zh) * | 2023-03-08 | 2023-06-27 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 单晶硅制备装置及其控制方法 |
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