CN115874269B - 单晶硅制备装置及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种单晶硅制备装置，包括：晶体生长炉；坩埚；加热机构；升降机构；晶体生长炉的底部设置有第一炉底板，第一炉底板上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构，当坩埚发生漏硅时，防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿第一炉底板。本申请在炉底板间设计有防漏保护机构，可以在坩埚发生漏硅时由防漏保护机构承接漏硅熔体并冷却漏硅熔体结成防护层，防止漏硅熔体将炉底板熔穿，确保单晶硅制备过程的安全性。

Description

单晶硅制备装置及其控制方法

技术领域

本发明涉及单晶硅技术领域，尤其涉及一种单晶硅制备装置及其控制方法。

背景技术

单晶硅片的产生离不开单晶硅棒的制作，目前的单晶炉中拉制单晶硅棒时，盛放熔融硅料的坩埚位于埚帮内。坩埚除了要承受原料的重量之外，还受到炉内高温与腐蚀作用。随着使用时间的增长，坩埚会产生孔洞、裂缝、塌边等各种情况，此时盛放在坩埚中的熔融硅液便会发生泄漏，泄漏的硅液可能会烫穿单晶炉底板、排气管道，造成单晶炉漏水漏气，甚至会导致坩埚内熔硅氧化燃烧，引发安全事故。

因此，有必要提出一种技术方案，解决相关技术中存在的单晶硅棒制备过程中可能会发生漏硅，熔穿炉底板造成安全事故的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种技术方案，解决相关技术中存在的在制备单晶硅的过程中，若坩埚发生漏硅现象，则可能会熔穿晶体生长炉底板，造成安全隐患的问题。

基于以上目的，本申请提供一种单晶硅制备装置，包括：

晶体生长炉，晶体生长炉本体内限定出容纳空间；

坩埚，坩埚设置在容纳空间内，用于熔化多晶硅原料及盛放硅熔体；

加热机构，用于对坩埚进行加热，以使多晶硅原料熔融；

升降机构，用于拉晶生产晶棒；

晶体生长炉的底部设置有第一炉底板，第一炉底板上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构，当坩埚发生漏硅时，防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿第一炉底板。

进一步的，防漏保护机构包括储气单元，储气单元的上表面用于承接漏硅熔体，储气单元与一外部供气机构连接，供气机构用于向储气单元输送惰性气体。

进一步的，通常状态下，储气单元内存储有惰性气体，从而储气单元保持在压力状态；

当储气单元的上表面被漏硅熔体熔穿时，供气机构持续向储气单元输送惰性气体，惰性气体通过漏硅熔体在储气单元表面熔穿的通孔吹扫漏硅熔体，以使漏硅熔体凝结形成防护层。

进一步的，储气单元为一输气管道，输气管道的一端封闭，另一端与供气机构连接，并且，输气管道盘绕成一可以承接漏硅熔体的挡板。

进一步的，防漏保护机构还包括压力检测单元，压力检测单元用于检测输气管道内部的气压，当输气管道内的气压值低于预设阈值时，判断输气管道被熔穿。

进一步的，供气机构向输气管道输送的惰性气体为氩气；

单晶硅制备装置还包括氩气输送管道，与晶体生长炉连接；

当输气管道被熔穿时，供气机构还通过氩气输送管道向晶体生长炉的容纳空间输送氩气，以使晶体生长炉的容纳空间变为常压状态。

进一步的，单晶硅制备装置还包括：

温度检测机构，温度检测机构设置于容纳空间内，用于检测坩埚底部至少部分区域的温度；

控制机构，接收温度检测机构检测的坩埚底部至少部分区域的温度，并根据坩埚底部至少部分区域的温度判断单晶硅制备装置是否出现漏硅现象。

进一步的，单晶硅制备装置还包括旋转机构，旋转机构用于驱动坩埚围绕一旋转轴进行旋转；

旋转机构控制坩埚旋转，当发生漏硅现象时，控制机构根据温度检测机构检测得的温度变化，并结合坩埚的旋转速度确定坩埚的漏硅位置。

进一步的，在控制机构确定漏硅位置后，旋转机构控制坩埚旋转，使得漏硅位置旋转至防漏保护机构的上方。

进一步的，晶体生长炉底部还设置有第二炉底板，第二炉底板设置在第一炉底板上方，防漏保护机构设置在第一炉底板和第二炉底板之间，第一炉底板的厚度大于第二炉底板的厚度。

本申请还提供一种单晶硅制备的控制方法，用于控制单晶硅制备装置的运行，单晶硅制备装置包括晶体生长炉和设置在晶体生长炉内部的坩埚，包括以下步骤：

S1、在晶体生长炉底部划定预设区域；

S2、在单晶硅制备过程中，保持坩埚旋转；

S3、实时监测坩埚的底部至少部分区域的温度，获得坩埚底部的至少部分区域的温度信息，并根据温度信息判断坩埚是否出现漏硅现象；

S4、当确定发生漏硅时，根据温度信息确定漏硅位置，并控制坩埚旋转，以使漏硅位置旋转至预设区域的上方。

进一步的，步骤S3中还包括以下步骤：在任意三个连续的坩埚旋转周期范围内，若均检测到坩埚底部的至少部分区域的温度信息出现波动，则判断坩埚出现漏硅现象。

进一步的，在预设区域中设置防漏保护机构，防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿晶体生长炉底部。

综上，本申请实施例提供一种单晶硅制备装置，将晶体生长炉的炉底板设计为双层结构，并在双层结构之间设计有防漏保护机构，从而可以在第一炉底板层被熔穿时由防漏保护机构承接漏硅熔体并冷却漏硅熔体结成防护层，防止漏硅熔体将第二炉底板层熔穿，确保单晶硅制备过程的安全性。

附图说明

图1为本申请实施例提供的单晶硅制备装置示意图；

图2为本申请实施例提供的防漏保护机构示意图；

图3为本申请实施例提供的储气单元示意图；

图4为本申请实施例提供的漏硅路径示意图；

图5为本申请实施例提供的防漏保护机构安装位置示意图；

图6为本申请另一实施例提供的防漏保护机构示意图；

图7为本申请实施例提供的单晶硅制备的控制方法。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本申请进行详细描述，但这些实施方式并不限制本申请，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本申请的保护范围内。

如图1所示，本申请实施例提供一种单晶硅制备装置100，包括：晶体生长炉11、坩埚12、加热机构13、旋转机构14以及升降机构（图1未示出）。

其中，晶体生长炉11本体内限定出容纳空间，坩埚12设置在容纳空间内，用于熔化多晶硅原料及盛饭硅熔体，加热机构13用于对坩埚12进行加热，以使多晶硅原料熔融，旋转机构14驱动坩埚12围绕一旋转轴旋转，使硅熔体能够均匀受热，升降机构用于拉晶生产晶棒。

作为一种可选的实现方式，晶体生长炉11的底部设置有炉底板16。其中，炉底板16包括第一炉底板161，第一炉底板161的上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构17，当坩埚12发生漏硅时，防漏保护机构17承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构17表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿第一炉底板161。

作为一种可选的实现方式，炉底板16还包括第二炉底板162，第二炉底板162设置在第一炉底板161的上方，第一炉底板161和第二炉底板162之间的至少部分区域铺设有防漏保护机构17，当漏硅熔体熔穿第二炉底板162时，防漏保护机构17承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构17表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿第一炉底板161。

作为一种可选的实现方式，第一炉底板161的厚度大于第二炉底板162的厚度。例如，第一炉底板161的厚度可以设计为20mm，第二炉底板162的厚度可以设计为8mm。第一炉底板161和第二炉底板162之间的至少部分区域铺设有防漏保护机构17，例如，对于较常发生漏硅事故的位置，可以在第一炉底板161的上方设置防漏保护机构17。

根据以上说明，本申请实施例提供的单晶硅制备装置100中，将晶体生长炉11的炉底板16设计为双层结构，并在双层结构之间设计有防漏保护机构17，从而可以在第二炉底板162被熔穿时由防漏保护机构17承接漏硅熔体并冷却漏硅熔体结成防护层，防止漏硅熔体将第一炉底板161熔穿，确保单晶硅制备过程的安全性。

如图2所示，作为一种可选的实现方式，防漏保护机构17包括储气单元171，储气单元171的上表面用于承接漏硅熔体，储气单元171与一外部供气机构18连接，供气机构18用于向储气单元171输送惰性气体。

例如，储气单元171可以为内部具有空腔的几何体，储气单元171的上表面形状可以是矩形、圆形，在此不做限定，上表面用于承接漏硅熔体，以储气单元171为长方体为例，储气单元171的一侧可以与一外部工期机构连接，供气机构18可以向储气单元171内部的空腔填充惰性气体，惰性气体可以是氩气。

通常状态下，储气单元171内存储有惰性气体，从而储气单元171保持在压力状态，即，储气单元171的内部气压高于外部环境。当储气单元171的上表面被漏硅熔体熔穿时，由于储气单元171的内部气压高于外部环境，此时储气单元171内部的气体将会通过储气单元171表面被熔穿的通孔得到释放。在储气单元171释放内部气体时，原先覆盖在储气单元171表面熔穿的通孔处的硅熔体将会被突破，可以想象气泡破裂场景，本应从储气单元171表面熔穿的通孔处流入的硅熔体受气体作用无法流入储气单元171内部，从而不会对储气单元171的下表面产生影响，避免了硅熔体继续下落进而熔穿晶体生长炉11底板。

随着时间的推移，在坩埚12漏硅熔体问题未得到妥善处理前，持续的漏硅熔体将会由储气单元171的上表面承接，并且，供气机构18将持续向储气单元171输送惰性气体。在供气机构18持续向储气单元171输送惰性气体的过程中，由于储气单元171的上表面存在由硅熔体熔穿的通孔，故惰性气体将会通过漏硅熔体在储气单元171表面熔穿的通孔吹扫漏硅熔体，以使漏硅熔体在储气单元171上表面的至少部分区域凝结形成防护层，从而可以防止漏硅熔体进一步地熔穿储气单元171的上表面。

相比于采用冷却水的方式冷却漏硅熔体，本申请采用气体吹扫的方式来冷却漏硅熔体，可以避免在储气单元171上表面被熔穿时，漏硅熔体与储气单元171的内容物（即惰性气体）接触不会发生爆炸，确保冷却漏硅熔体时的安全性。

如图3所示，作为一种可选的实现方式，本申请实施例提供的储气单元171为一输气管道，输气管道的一端封闭，输气管道的另一端与供气机构18连接，并且，输气管道盘绕成一可以承接漏硅熔体的挡板。

具体的，在盘绕输气管道时，外圈输气管道的内侧与相邻内圈输气管道的外侧贴合，从而可以防止漏硅熔体从输气管道间的缝隙渗漏滴落至第一炉底板161。利用铺设输气管道形成挡板承接漏硅熔体的方式还有多种，在此不再赘述，只需注意对于铺设完成的输气管道，漏硅熔体难以从管道之间的缝隙渗漏即可。

本申请实施例中采用盘绕的输气管道作为储气单元171，相比于储气单元171采用长方体的方式，在通常状态下，采用盘绕的输气管道作为储气单元171可以填充更少的惰性气体以使储气单元171内部达到相同的气压状态。并且，当坩埚12出现漏硅时，盘绕的输气管道的上表面的凹凸不平的结构可以延缓漏硅熔体向四周扩散。此外，以盘绕的输气管道组成挡板，受挡板的上表面的圆环结构影响，在漏硅熔体向外扩散时，会基本沿着圆环结构扩散，漏硅熔体凝固时结成的防护层较为规整，从而可以在后续较大程度的以漏硅熔体结成的防护层承接新的漏硅熔体。

作为一种可选的实现方式，第一炉底板161和第二炉底板162之间的至少部分区域铺设有防漏保护机构17，例如，对于较常发生漏硅事故的位置，可以在第一炉底板161的上方设置防漏保护机构17。具体的，如图4所示，较为常见的漏硅路径存在两种，一为坩埚12底破裂致使硅熔体泄漏，另一种方式为硅熔体沿坩埚12上沿溢出并沿坩埚12外壁滴落。针对这两种常见的漏硅方式，可知硅熔体的落点范围，故可将储气单元171设置在坩埚12下方且位于坩埚12旋转轴的一侧，如图5所示。

如图5所示，在实际应用过程中，往往会在炉底板16设置两个氧化物管道163，用以在单晶硅制备过程中输送氧化物原料，因此，储气单元171的布置位置还应当规避氧化物管道163等重要区域。

作为一种可选的实现方式，第一炉底板161表面可以带有耐高温涂层，用于设置储气单元171的底板孔位处设置有隔热套筒，耐高温涂层可采用陶瓷涂层或氧化锆涂层，隔热套筒可采用碳碳材质。

结合图4，作为一种可选的实现方式，本申请实施例提供的单晶硅制备装置100还包括温度检测机构19和控制机构。

其中，温度检测机构19设置于容纳空间内，用于检测坩埚12底部至少部分区域的温度。控制机构接收温度检测机构19所检测得的坩埚12底部至少部分区域的温度，并根据坩埚12底部至少部分区域的温度判断单晶硅制备装置100是否出现漏硅现象。

例如，在制备单晶硅过程中，旋转机构14控制坩埚12保持旋转，在这一过程中，温度检测机构19持续监测坩埚12底部至少部分区域的温度。当发生漏硅时，温度检测机构19将会检测到温度信息产生波动。为了确保漏硅检测结果的准确性，可以使旋转机构14控制坩埚12旋转3周（本申请以检测坩埚12旋转三周的温度信息为例，具体的采样时长可以根据实际需求进行设定，在此并不进行限定），温度检测机构19获得三段温度突然波动的信息，则可以将温度信息突然波动的点视为漏硅点。结合坩埚12的旋转速度，可以确定坩埚12的漏硅位置。

作为一种可选的实现方式，可以将温度检测机构19设置在靠近防漏保护机构17的位置，并且，温度检测机构19所检测的坩埚12底部至少部分区域的位置位于防漏保护机构17的上方。由于可以将温度信息突然波动的点视为漏硅点，因此，可以使温度检测机构19持续监测防漏保护机构17上方区域的坩埚12的温度，当温度波动点旋转至防漏保护机构17上方时，使坩埚12停止旋转，无需综合坩埚12转速计算坩埚12漏硅位置，并且，还可以通过温度检测机构19反馈温度来知晓漏硅位置是否准确停留在防漏保护机构17上方。

根据以上说明，在控制机构确定漏硅位置后，旋转机构14控制坩埚12旋转，使得漏硅位置旋转至防漏保护机构17的上方，确保后续新滴落的硅熔体能够被防漏保护机构17承接。在调整坩埚12漏硅位置的过程中，由于坩埚12仍在旋转，可能会存在漏硅熔体在晶体生长炉11中的其他位置洒落，然而，少量洒落的硅熔体并不会对炉底板16造成损坏，所以无需担心在这一过程中洒落的硅熔体会对未加装防漏保护机构17的区域造成破坏。

如图6所示，作为一种可选的实现方式，在本申请实施例中，防漏保护机构17还包括压力检测单元172，压力检测单元172用于检测输气管道内部的气压，当输气管道内的气压值低于预设阈值时，可以判断输气管道发生泄漏。此时可以认为在单晶硅生长过程中发生漏硅事故，第一炉底层板已被熔穿，并且判断输气管道已被熔穿，可以发出警报，通知工程人员处理漏硅事故。

作为一种可选的实现方式，单晶硅制备装置100还包括氩气输送管道，与晶体生长炉11连接。当输气管道被熔穿时，供气机构18还可以通过氩气输送管道向晶体生长炉11的容纳空间输送氩气，以使晶体生长炉11的容纳空间变为常压状态。

在通常状况下，在拉晶制备晶棒的过程中，晶体生长炉11内部始终保持高温负压环境，而当出现漏硅事故时，停止制备晶棒，并使供气机构18通过氩气输送管道向晶体生长炉11的容纳空间输送氩气，以使晶体生长炉11内的高温负压环境向常温常压环境转变，使得坩埚12内的硅熔体冷却凝固，避免坩埚12内的硅熔体继续漏出。

如图7所示，作为一种可选的实现方式，本申请实施例还提供一种单晶硅制备的控制方法，用于控制单晶硅制备装置的运行，其中，单晶硅制备装置包括晶体生长炉和设置在晶体生长炉内的坩埚。本申请实施例提供的单晶硅制备的控制方法包括以下步骤：

S1、在晶体生长炉底部划定预设区域。

S2、在单晶硅制备过程中，保持坩埚旋转。

S3、实时监测坩埚的底部至少部分区域的温度，获得坩埚底部的至少部分区域的温度信息，并根据温度信息判断坩埚是否出现漏硅现象。

S4、当确定发生漏硅时，根据温度信息确定漏硅位置，并控制坩埚旋转，以使漏硅位置旋转至预设区域的上方。

作为一种可选的实现方式，步骤S3中还包括以下步骤：在任意三个连续的坩埚旋转周期范围内，若均检测到坩埚底部的至少部分区域的温度信息出现波动，则判断坩埚出现漏硅现象。

作为一种可选的实现方式，在预设区域中设置有本申请实施例提供的防漏保护机构，防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿晶体生长炉底部。

为了进一步说明本申请实施例提供的单晶硅制备装置100，下面将结合具体的使用方法来对本申请的方案进行进一步说明，使用方法如下：

在单晶硅制备过程中，通过温度检测机构19监测坩埚12底部的至少部分区域，当检测到温度信息发生波动时，判断坩埚12可能发生漏硅现象。

进一步的，可以持续检测坩埚12旋转三周时，温度检测机构19检测得的温度变化曲线，若温度变化曲线中有三段温度突然波动的信息，则可认为坩埚12发生漏硅，减少误判的可能。

当确定坩埚12发生漏硅后，利用温度检测机构19检测得的温度信息判断坩埚12的漏硅位置，并利用旋转机构14控制坩埚12旋转，使坩埚12漏硅位置旋转至防漏保护机构17上方。

由于坩埚12漏硅位置旋转至防漏保护机构17上方，即使漏硅熔体继续泄漏并熔穿第二炉底板162，位于下方的防漏保护机构17也可承接漏硅熔体，防止漏硅熔体对第一炉底板161造成进一步的损害。

当漏硅熔体熔穿第二炉底板162后，被防漏保护机构17中的储气单元171所承接。若储气单元171的上表面也被漏硅熔体熔穿，此时压力检测单元172将会检测到储气单元171内部气压下降，当储气单元171气压下降至预设阈值时，外部供气机构18将会持续向储气单元171输送惰性气体（本申请选用氩气）。持续输送的氩气将会通过储气单元171表面被熔穿的通孔逸出，吹扫漏硅熔体，通过热交换使漏硅熔体凝结，在储气单元171表面的至少部分区域形成防护层，可以使漏硅熔体难以进一步对储气单元171造成损害，防止漏硅熔体滴落至第一炉底板161。

综上，本申请实施例提供一种单晶硅制备装置100，将晶体生长炉11的炉底板16设计为双层结构，并在双层结构之间设计有防漏保护机构17，从而可以在第二炉底板162被熔穿时由防漏保护机构17承接漏硅熔体并冷却漏硅熔体结成防护层，防止漏硅熔体将第一炉底板161熔穿，确保单晶硅制备过程的安全性。

以上所揭露的仅为本申请的较佳实施例而已，然其并非用以限定本申请之权利范围，本领域普通技术人员可以理解：在不脱离本申请及所附的权利要求的精神和范围内，改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (11)

1.一种单晶硅制备装置，包括：

晶体生长炉，所述晶体生长炉本体内限定出容纳空间；

坩埚，所述坩埚设置在所述容纳空间内，用于熔化多晶硅原料及盛放硅熔体；

加热机构，用于对所述坩埚进行加热，以使多晶硅原料熔融；

升降机构，用于拉晶生产晶棒；

其特征在于，所述晶体生长炉的底部设置有第一炉底板，所述第一炉底板上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构，当所述坩埚发生漏硅时，所述防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使所述漏硅熔体在所述防漏保护机构表面结成防护层，以防止所述漏硅熔体熔穿所述第一炉底板；

所述防漏保护机构包括储气单元，所述储气单元的上表面用于承接所述漏硅熔体，所述储气单元与一外部供气机构连接，所述供气机构用于向所述储气单元输送惰性气体。

2.根据权利要求1所述的单晶硅制备装置，其特征在于，

所述储气单元内存储有惰性气体，从而所述储气单元保持在压力状态；

当所述储气单元的上表面被所述漏硅熔体熔穿时，所述供气机构持续向所述储气单元输送惰性气体，所述惰性气体通过漏硅熔体在所述储气单元表面熔穿的通孔吹扫所述漏硅熔体，以使所述漏硅熔体凝结形成所述防护层。

3.根据权利要求2所述的单晶硅制备装置，其特征在于，

所述储气单元为一输气管道，所述输气管道的一端封闭，另一端与所述供气机构连接，并且，所述输气管道盘绕成一可以承接所述漏硅熔体的挡板。

4.根据权利要求3所述的单晶硅制备装置，其特征在于，

所述防漏保护机构还包括压力检测单元，所述压力检测单元用于检测所述输气管道内部的气压，当所述输气管道内的气压值低于预设阈值时，判断所述输气管道被熔穿。

5.根据权利要求4所述的单晶硅制备装置，其特征在于，

所述供气机构向所述输气管道输送的惰性气体为氩气；

所述单晶硅制备装置还包括氩气输送管道，与所述晶体生长炉连接；

当所述输气管道被熔穿时，所述供气机构还通过所述氩气输送管道向所述晶体生长炉的容纳空间输送氩气，以使所述晶体生长炉的容纳空间变为常压状态。

6.根据权利要求1所述的单晶硅制备装置，其特征在于，所述单晶硅制备装置还包括：

温度检测机构，所述温度检测机构设置于所述容纳空间内，用于检测所述坩埚底部至少部分区域的温度；

控制机构，接收所述温度检测机构检测的坩埚底部至少部分区域的温度，并根据所述坩埚底部至少部分区域的温度判断所述单晶硅制备装置是否出现漏硅现象。

7.根据权利要求6所述的单晶硅制备装置，其特征在于，

所述单晶硅制备装置还包括旋转机构，所述旋转机构用于驱动所述坩埚围绕一旋转轴进行旋转；

所述旋转机构控制所述坩埚旋转，当发生漏硅现象时，所述控制机构根据所述温度检测机构检测得的温度变化，并结合所述坩埚的旋转速度确定所述坩埚的漏硅位置。

8.根据权利要求7所述的单晶硅制备装置，其特征在于，

在所述控制机构确定漏硅位置后，所述旋转机构控制所述坩埚旋转，使得所述漏硅位置旋转至所述防漏保护机构的上方。

9.根据权利要求1所述的单晶硅制备装置，其特征在于，

所述晶体生长炉底部还设置有第二炉底板，所述第二炉底板设置在所述第一炉底板上方，所述防漏保护机构设置在所述第一炉底板和所述第二炉底板之间，所述第一炉底板的厚度大于所述第二炉底板的厚度。

10.一种单晶硅制备的控制方法，用于控制单晶硅制备装置的运行，所述单晶硅制备装置包括晶体生长炉和设置在所述晶体生长炉内部的坩埚，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、在所述晶体生长炉底部划定预设区域；

S2、在单晶硅制备过程中，保持所述坩埚旋转；

S3、实时监测所述坩埚的底部至少部分区域的温度，获得所述坩埚底部的至少部分区域的温度信息，并根据所述温度信息判断所述坩埚是否出现漏硅现象；

S4、当确定发生漏硅时，根据所述温度信息确定漏硅位置，并控制所述坩埚旋转，以使所述漏硅位置旋转至所述预设区域的上方；

所述预设区域中设置有防漏保护机构，所述单晶硅制备装置为所述权利要求1至9任一项所述的单晶硅制备装置。

11.根据权利要求10所述的单晶硅制备的控制方法，其特征在于，所述步骤S3中还包括以下步骤：在任意三个连续的坩埚旋转周期范围内，若均检测到所述坩埚底部的至少部分区域的温度信息出现波动，则判断所述坩埚出现漏硅现象。

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