CN103789828A - 防热场漏硅的多晶铸锭炉 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种防热场漏硅的多晶铸锭炉，包括炉体，以及炉体内的陶瓷坩埚，陶瓷坩埚底部位置设有热交换块，其特征在于：所述炉体底部位置设有防漏硅机构，所述防漏硅机构至少包括两层，第一层是氧化铝纤维毡或氧化镁纤维毡，第二层是碳纤维编织布。本发明结构简单，通过采用简单的多层设计，即可实现多晶铸锭炉防热场漏硅的效果，该设计能有效隔绝漏硅后从氧化铝或氧化镁纤维毡中渗出的1415度以上的熔融硅液，同时由于高纯石英玻璃与炉底金属接触面积小，导热系数低，有效隔绝热量的流出，起到安全保障的作用。
Description
技术领域
本发明涉及铸锭炉，具体的说，是涉及到一种防热场漏硅的多晶铸锭炉。
背景技术
多晶硅铸锭炉是专为太阳能工业设计的专用设备，是多晶硅铸锭的必需设备。该型设备能自动或手动完成铸锭过程，高效节能，运用先进的计算机控制技术，实现稳定定向凝固，生产的多晶硅硅锭质量高，规格大。但是在多晶硅铸锭过程中，会出现漏硅现象，即硅晶体会从炉体底部渗漏，从而容易造成意外事故，而现有的防漏技术是，在炉体下部采用氧化铝纤维毡或氧化镁纤维毡作为漏硅保护材料，但这两种材料易压缩，浸硅后导热率急剧上升，从而使硅材料进一步腐蚀不锈钢引起不必要的危险。这就需要一种结构简单，能克服上述问题的铸锭炉来解决上述问题。
发明内容
本发明针对现有多晶硅铸锭炉中存在的容易漏硅晶体或者是防漏材料容易引起不锈钢腐化的缺陷，提供一种防热场漏硅的多晶铸锭炉以解决上述问题。
本发明系统的方案是通过这样实现的：一种防热场漏硅的多晶铸锭炉，包括炉体，以及炉体内的陶瓷坩埚，陶瓷坩埚底部位置设有热交换块，所述炉体底部位置设有防漏硅机构，所述防漏硅机构至少包括两层，第一层是氧化铝纤维毡或氧化镁纤维毡，第二层是碳纤维编织布。
本发明的总体构思是：在氧化铝或氧化镁纤维毡底部增加一层碳纤维编织布，该设计能有效隔绝漏硅后从氧化铝或氧化镁纤维毡中渗出的1415度以上的熔融硅液。
本发明中，作为进一步的改进，所述防漏硅机构设有三层，第一层是氧化铝纤维毡或氧化镁纤维毡，第二层是碳纤维编织布，第三层是玻璃垫板。在碳纤维编织布下面用高纯玻璃作为垫板。该设计能有效隔绝漏硅后从氧化铝或氧化镁纤维毡中渗出的1415度以上的熔融硅液，同时由于高纯石英玻璃与炉底金属接触面积小，导热系数低，有效隔绝热量的流出，起到安全保障的作用，尤其在800公斤以上装料的情况下，可以明显提高生产的安全系数。
本发明中，作为进一步的改进，所述炉体内侧设有一宽约3.5-4mm的隔层。隔层作用是防止炉体对外层空气造成过热影响。
本发明的有益效果是：
1.本发明结构简单，通过采用简单的多层设计，即可实现多晶铸锭炉防热场漏硅的效果，该设计能有效隔绝漏硅后从氧化铝或氧化镁纤维毡中渗出的1415度以上的熔融硅液，同时由于高纯石英玻璃与炉底金属接触面积小，导热系数低，有效隔绝热量的流出，起到安全保障的作用。
2.本发明制作成本低，效果好， 便于同行进行推广运用
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图中零部件名称及序号：
炉体1、陶瓷坩埚2、隔层3、氧化铝毡4、碳纤维编织布5、玻璃垫板6。
具体实施方式
以下结合附图和实施例描述本发明，以下实施例以发明最优效果进行解释说明。
实施例1：
如图1，该防热场漏硅的多晶铸锭炉，包括炉体1、以及炉体1内的陶瓷坩埚2，陶瓷坩埚2底部位置设有热交换块，炉体1内侧设有一宽约3.5mm的隔层3，炉体1底部位置设有防漏硅机构，防漏硅机构包括三层包括上层的氧化铝毡4、以及中间层的碳纤维编织布5和最下层的玻璃垫板6。此外，要说明的是，氧化铝毡4、碳纤维编织布5和玻璃垫板6均属于现有的材料，因此不属于专利的保护范围。
实施例2：
与实施例1不同之处在于，所述的隔层3官渡为4.0mm。其余工作原理与实施例1相同。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为了清楚的说明本发明所作的举例，而并非对实施的限定。对于所述领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式子以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (3)
1.一种防热场漏硅的多晶铸锭炉，包括炉体，以及炉体内的陶瓷坩埚，陶瓷坩埚底部位置设有热交换块，其特征在于：所述炉体底部位置设有防漏硅机构，所述防漏硅机构至少包括两层，第一层是氧化铝纤维毡或氧化镁纤维毡，第二层是碳纤维编织布。
2.根据权利要求1所述的防热场漏硅的多晶铸锭炉，其特征在于：所述防漏硅机构设有三层，第一层是氧化铝纤维毡或氧化镁纤维毡，第二层是碳纤维编织布，第三层是玻璃垫板。
3.根据权利要求1或2所述的防热场漏硅的多晶铸锭炉，其特征在于：所述炉体内侧设有一宽约3.5-4mm的隔层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410030936.9A CN103789828A (zh) | 2014-01-23 | 2014-01-23 | 防热场漏硅的多晶铸锭炉 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410030936.9A CN103789828A (zh) | 2014-01-23 | 2014-01-23 | 防热场漏硅的多晶铸锭炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103789828A true CN103789828A (zh) | 2014-05-14 |
Family
ID=50665865
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201410030936.9A Pending CN103789828A (zh) | 2014-01-23 | 2014-01-23 | 防热场漏硅的多晶铸锭炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103789828A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115874269A (zh) * | 2023-03-08 | 2023-03-31 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 单晶硅制备装置及其控制方法 |
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2014
- 2014-01-23 CN CN201410030936.9A patent/CN103789828A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN115874269A (zh) * | 2023-03-08 | 2023-03-31 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 单晶硅制备装置及其控制方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140514 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |