CN201567389U - 一种单晶炉的石墨热场 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种单晶炉的石墨热场,用于拉制单晶硅棒,其包括保温筒、导流筒、加热器、石墨坩埚和石英坩埚,石英坩埚位于石墨坩埚内,石墨坩埚位于加热器内及加热器电极脚之上,保温筒位于最外层,导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内,且在加热器电极脚之上,以及石墨坩埚之间设有防护垫,防护垫完全覆盖加热器电极脚。采用本实用新型,当发生漏硅现象,液态硅会漏到防护垫上,从而保护加热器不受损坏,降低生产成本,有利于提高生产效率。
Description
所属技术领域
本实用新型涉及一种单晶炉的石墨热场,用于拉制单晶硅棒。
背景技术
目前,在直拉单晶硅生产过程中,我们通常采用的单晶炉,其石墨热场主要由保温筒、导流筒、加热器、石墨坩埚和石英坩埚构成,石英坩埚位于石墨坩埚内,石墨坩埚位于加热器内,保温筒位于最外层,导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内。当我们给加热器通电,石墨坩埚开始升温,当温度升至1400-1600℃时,石英坩埚内的硅料充分熔化后,再拉单晶硅棒;由于盛硅料的石英坩埚有气孔或杂质等,且升温时间通常要保持40-50小时,因此在长时间的高温环境下,石英坩埚有时会有裂缝,或通过气孔产生漏硅现象,液态硅会漏到石墨热场的各个部件上,尤其是会漏到加热器上,导致加热器损坏,需要停产检修,且加热器价格昂贵,给企业增加了较大的生产成本。
发明内容
本实用新型的目的是提供防止因漏硅而损坏加热器的一种单晶炉的石墨热场。
本实用新型采取的技术方案是:一种单晶炉的石墨热场,包括保温筒、导流筒、加热器、石墨坩埚和石英坩埚,石英坩埚位于石墨坩埚内,石墨坩埚位于加热器内及加热器电极脚之上,保温筒位于最外层,导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内,其特征在于在加热器电极脚之上,以及石墨坩埚之间设有防护垫,且防护垫完全覆盖加热器电极脚。
采用本实用新型,当发生漏硅现象,液态硅会漏到防护垫上,从而保护加热器不受损坏,降低生产成本,同时不有利于提高生产效率。
附图说明
图1是本实用新型的示意图。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本实用新型作进一步说明。
参照图1,该单晶炉的石墨热场包括保温筒1、导流筒2、加热器4、石墨坩埚3、石英坩埚5,石英坩埚5位于石墨坩埚3内,石墨坩埚3位于加热器4内及加热器电极脚6之上,保温筒1位于最外层,导流筒2位于石英坩埚5之上及保温筒1内;在加热器电极脚6之上,以及石墨坩埚3之间设有防护垫7,防护垫7完全覆盖加热器电极脚6,防护垫7可平铺,或与加热器电极脚6呈一定倾斜角度。使用该单晶炉时,如果在长时间的高温环境下,石英坩埚5产生漏硅现象,从石英坩埚5中漏出的硅会通过石墨坩埚3漏向垫该防护垫7,而不与加热器电极脚6接触,且防护垫7一般采用石墨制作,具有隔热功能,保护加热器电极脚6不受损坏,这样,可降低生产成本,不会经常需要检修,有利于提高生产效率。
Claims (1)
1.一种单晶炉的石墨热场,包括保温筒、导流筒、加热器、石墨坩埚和石英坩埚,石英坩埚位于石墨坩埚内,石墨坩埚位于加热器内及加热器电极脚之上,保温筒位于最外层,导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内,其特征在于在加热器电极脚之上,以及石墨坩埚之间设有防护垫。
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CN104364427A (zh) * | 2012-06-04 | 2015-02-18 | 信越半导体股份有限公司 | 单晶制造装置 |
CN104364427B (zh) * | 2012-06-04 | 2017-03-01 | 信越半导体股份有限公司 | 单晶制造装置 |
US9708729B2 (en) | 2012-06-04 | 2017-07-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing single crystal |
DE112013002345B4 (de) | 2012-06-04 | 2023-02-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatur zum Herstellen eines Einkristalls |
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