JP3402039B2 - 単結晶製造装置 - Google Patents
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法によって単結晶を製造する場合において、排気系に水
封缶を用いた場合、水の逆流による水蒸気爆発の危険を
防止することができる単結晶製造装置に関するものであ
る。
法によって単結晶を製造する場合において、排気系に水
封缶を用いた場合、水の逆流による水蒸気爆発の危険を
防止することができる単結晶製造装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法とい
う。）によって単結晶を製造する場合、炉内圧を大気圧
近傍、例えば水柱数十ミリメートルから数百ミリメート
ルの微圧に保持した雰囲気で引上げを行う常圧引上げ法
（以下、常圧法という）と、炉内を真空ポンプで吸引し
ながら真空あるいは減圧雰囲気の中で引上げを行う減圧
引上げ法（以下、減圧法という）とがある。
う。）によって単結晶を製造する場合、炉内圧を大気圧
近傍、例えば水柱数十ミリメートルから数百ミリメート
ルの微圧に保持した雰囲気で引上げを行う常圧引上げ法
（以下、常圧法という）と、炉内を真空ポンプで吸引し
ながら真空あるいは減圧雰囲気の中で引上げを行う減圧
引上げ法（以下、減圧法という）とがある。
【０００３】ところで近年、上記両引上げ法ともその排
気系に水封缶が用いられるようになってきている。例え
ば、図４は従来の常圧法の単結晶製造装置を示す模式図
であるが、常圧法は引上げ開始前に真空チャンバー１内
を真空ポンプ２により吸引し炉内の空気を排出後、真空
元バルブ３を閉じてからＡｒ元バルブ４を開け炉内をＡ
ｒ雰囲気に置換し、炉内が水柱数十ミリメートルの圧力
に達したらメインバルブ１６を開けＡｒガスを排出す
る。この時Ａｒガスは、炉内圧を一定の微圧（水柱数十
ミリメートルから数百ミリメートル）に保つため、また
炉内への空気の逆流を防止するために設けられた、水封
缶５でバブリングしながら排出される。炉内圧は水封缶
５に挿入された挿入管６の浸漬長さＬによって決められ
ることになる。
気系に水封缶が用いられるようになってきている。例え
ば、図４は従来の常圧法の単結晶製造装置を示す模式図
であるが、常圧法は引上げ開始前に真空チャンバー１内
を真空ポンプ２により吸引し炉内の空気を排出後、真空
元バルブ３を閉じてからＡｒ元バルブ４を開け炉内をＡ
ｒ雰囲気に置換し、炉内が水柱数十ミリメートルの圧力
に達したらメインバルブ１６を開けＡｒガスを排出す
る。この時Ａｒガスは、炉内圧を一定の微圧（水柱数十
ミリメートルから数百ミリメートル）に保つため、また
炉内への空気の逆流を防止するために設けられた、水封
缶５でバブリングしながら排出される。炉内圧は水封缶
５に挿入された挿入管６の浸漬長さＬによって決められ
ることになる。
【０００４】単結晶引上げ中はこの微圧状態を維持しな
がら行われるが、結晶の取り出し、あるいは単結晶シー
ドの交換等でプルチャンバー７を開放する必要が生じた
場合には、アイソレーションバルブ９を閉じてから、開
放しなければならない。この時、Ａｒガスはアイソレー
ションバルブ９の下方に入るよう切り換えられ、メイン
チャンバー８内は、微圧に維持される。結晶の取り出し
等の処置が終わり引上げを再開する場合は、プルチャン
バー７内を真空ポンプ２により真空引きを行ってからＡ
ｒガスに置換する。プルチャンバー７内がＡｒガスに置
換されたなら、アイソレーションバルブ９を開き、結晶
の引上げが再開される。
がら行われるが、結晶の取り出し、あるいは単結晶シー
ドの交換等でプルチャンバー７を開放する必要が生じた
場合には、アイソレーションバルブ９を閉じてから、開
放しなければならない。この時、Ａｒガスはアイソレー
ションバルブ９の下方に入るよう切り換えられ、メイン
チャンバー８内は、微圧に維持される。結晶の取り出し
等の処置が終わり引上げを再開する場合は、プルチャン
バー７内を真空ポンプ２により真空引きを行ってからＡ
ｒガスに置換する。プルチャンバー７内がＡｒガスに置
換されたなら、アイソレーションバルブ９を開き、結晶
の引上げが再開される。
【０００５】今、プルチャンバー７内の真空引き段階
で、万一アイソレーションバルブ９にリークが生じた場
合、メインチャンバー８内も真空状態となり、水封缶５
の封水１０が挿入管６を通して炉内に逆流することにな
る。このような事態が発生すると、メインチャンバー８
内は高温となっているため、逆流水は瞬時に蒸発し、水
蒸気爆発が生じる危険性がある。
で、万一アイソレーションバルブ９にリークが生じた場
合、メインチャンバー８内も真空状態となり、水封缶５
の封水１０が挿入管６を通して炉内に逆流することにな
る。このような事態が発生すると、メインチャンバー８
内は高温となっているため、逆流水は瞬時に蒸発し、水
蒸気爆発が生じる危険性がある。
【０００６】また、減圧法について言えば、従来減圧法
において使用される真空ポンプには油回転ポンプや水封
ポンプがあるが、それぞれの真空ポンプには以下に記す
ような欠点がある。すなわち、油回転ポンプは油を使用
しているため、排ガス中にオイルミストが含まれ、これ
が大気中に放出されると環境汚染となる。従って、油回
転ポンプを用いると大掛かりな排ガス処理設備が必要と
なりコストがかさむ上、このオイルミストのため排ガス
を回収してＡｒを再利用することもできない。また、水
封ポンプは多量の水が必要となると共に、多量の電力も
消費し、やはりコスト高となる。
において使用される真空ポンプには油回転ポンプや水封
ポンプがあるが、それぞれの真空ポンプには以下に記す
ような欠点がある。すなわち、油回転ポンプは油を使用
しているため、排ガス中にオイルミストが含まれ、これ
が大気中に放出されると環境汚染となる。従って、油回
転ポンプを用いると大掛かりな排ガス処理設備が必要と
なりコストがかさむ上、このオイルミストのため排ガス
を回収してＡｒを再利用することもできない。また、水
封ポンプは多量の水が必要となると共に、多量の電力も
消費し、やはりコスト高となる。
【０００７】そこで、最近ではドライ真空ポンプが採用
されてきている。このドライ真空ポンプを用いれば、従
来の減圧法による単結晶製造装置における上記油回転ポ
ンプや水封ポンプの欠点を解消できる利点がある。しか
し、ドライ真空ポンプを用いてＣＺ法により結晶の引上
げを行うと、その排ガスはドライな状態で排出され、排
ガス中に含まれる微粉状の反応生成物、例えばシリコン
の引上げであればＳｉＯやＳｉＯ2 が排ガス管内に堆積
した場合、いわゆる粉塵爆発を起こす危険性がある。そ
のためドライ真空ポンプの後段に例えば水封缶を設置
し、排ガスに湿気を持たせることが必要になる。
されてきている。このドライ真空ポンプを用いれば、従
来の減圧法による単結晶製造装置における上記油回転ポ
ンプや水封ポンプの欠点を解消できる利点がある。しか
し、ドライ真空ポンプを用いてＣＺ法により結晶の引上
げを行うと、その排ガスはドライな状態で排出され、排
ガス中に含まれる微粉状の反応生成物、例えばシリコン
の引上げであればＳｉＯやＳｉＯ2 が排ガス管内に堆積
した場合、いわゆる粉塵爆発を起こす危険性がある。そ
のためドライ真空ポンプの後段に例えば水封缶を設置
し、排ガスに湿気を持たせることが必要になる。
【０００８】図５はドライ真空ポンプを使用した減圧法
による単結晶製造装置を示す模式図であるが、この図に
示すような従来のドライ真空ポンプを使用した単結晶製
造装置では、操業中にポンプの故障あるいは停電等でド
ライ真空ポンプ１１が緊急停止した場合、炉内が真空ま
たは減圧状態であるため、常圧法と同様に水封缶５の封
水１０が挿入管６を通して炉内に逆流し、水が瞬時に蒸
発することによって、水蒸気爆発を生じる危険性があ
る。上記問題点に対処するため、従来のドライ真空ポン
プを使用した単結晶製造装置においても、水封缶５の前
段に逆止弁１２を設置する等の封水逆流防止対策が施さ
れているが、前述のようにＣＺ法による排ガス中には、
微粉状の反応生成物、例えばシリコンの引上げであれば
ＳｉＯやＳｉＯ2 が排ガス中に含まれているため、シー
ルが完全ではなくなりリークが生じ、結果として封水の
逆流の防止が不完全となる。
による単結晶製造装置を示す模式図であるが、この図に
示すような従来のドライ真空ポンプを使用した単結晶製
造装置では、操業中にポンプの故障あるいは停電等でド
ライ真空ポンプ１１が緊急停止した場合、炉内が真空ま
たは減圧状態であるため、常圧法と同様に水封缶５の封
水１０が挿入管６を通して炉内に逆流し、水が瞬時に蒸
発することによって、水蒸気爆発を生じる危険性があ
る。上記問題点に対処するため、従来のドライ真空ポン
プを使用した単結晶製造装置においても、水封缶５の前
段に逆止弁１２を設置する等の封水逆流防止対策が施さ
れているが、前述のようにＣＺ法による排ガス中には、
微粉状の反応生成物、例えばシリコンの引上げであれば
ＳｉＯやＳｉＯ2 が排ガス中に含まれているため、シー
ルが完全ではなくなりリークが生じ、結果として封水の
逆流の防止が不完全となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体をはじめ
とした単結晶材料の大口径化に伴い、単結晶製造装置も
ますます大型化し、一度水蒸気爆発といった事故を引き
起こすと、企業にとって致命的な打撃を受けてしまう。
本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、排
気系に水封缶を有するチョクラルスキー法による単結晶
製造装置において、前記水封缶内の封水の簡単かつ確実
な逆流防止対策を施し、水蒸気爆発の危険を排除するこ
とができる装置を提供することを目的とする。
とした単結晶材料の大口径化に伴い、単結晶製造装置も
ますます大型化し、一度水蒸気爆発といった事故を引き
起こすと、企業にとって致命的な打撃を受けてしまう。
本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、排
気系に水封缶を有するチョクラルスキー法による単結晶
製造装置において、前記水封缶内の封水の簡単かつ確実
な逆流防止対策を施し、水蒸気爆発の危険を排除するこ
とができる装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
とするところは、排気系に水封缶を有するチョクラルス
キー法による単結晶製造装置において、前記水封缶の前
段に緩衝缶を設置したことを特徴とする単結晶製造装
置、または排気系に水封缶を有するチョクラルスキー法
による単結晶製造装置において、前記水封缶の前段に真
空破壊弁を設置したことを特徴とする単結晶製造装置で
ある。この場合、前記水封缶の前段に緩衝缶と真空破壊
弁の両方を設置する方が、より安全性、確実性の点から
望ましい。また、本発明の単結晶製造装置では、製造す
る単結晶がシリコンである場合に特に有益である。
とするところは、排気系に水封缶を有するチョクラルス
キー法による単結晶製造装置において、前記水封缶の前
段に緩衝缶を設置したことを特徴とする単結晶製造装
置、または排気系に水封缶を有するチョクラルスキー法
による単結晶製造装置において、前記水封缶の前段に真
空破壊弁を設置したことを特徴とする単結晶製造装置で
ある。この場合、前記水封缶の前段に緩衝缶と真空破壊
弁の両方を設置する方が、より安全性、確実性の点から
望ましい。また、本発明の単結晶製造装置では、製造す
る単結晶がシリコンである場合に特に有益である。
【００１１】このように本発明の単結晶製造装置は、水
封缶の前段に緩衝缶を設置することによって、例え真空
ポンプの緊急停止等の理由で操業中にメインチャンバー
内が真空となっても、水封缶から逆流する封水を緩衝缶
でトラップし、メインチャンバーまで到達することのな
いようにすることによって、水蒸気爆発の危険を排除す
るものである。また、本発明の単結晶製造装置は、水封
缶の前段に真空破壊弁を設置することによって、例え操
業中メインチャンバー内が真空となっても、短時間のう
ちに炉内を大気圧状態に戻し、封水の逆流を防止するも
のである。
封缶の前段に緩衝缶を設置することによって、例え真空
ポンプの緊急停止等の理由で操業中にメインチャンバー
内が真空となっても、水封缶から逆流する封水を緩衝缶
でトラップし、メインチャンバーまで到達することのな
いようにすることによって、水蒸気爆発の危険を排除す
るものである。また、本発明の単結晶製造装置は、水封
缶の前段に真空破壊弁を設置することによって、例え操
業中メインチャンバー内が真空となっても、短時間のう
ちに炉内を大気圧状態に戻し、封水の逆流を防止するも
のである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、シ
リコン融液から半導体シリコン単結晶を、ＣＺ法により
製造する場合を例として、図面に基づいて詳述するが、
本発明はこれらに限定されるものではなく、排気系に水
封缶を有するチョクラルスキー法による単結晶製造装置
であれば、化合物半導体単結晶あるいは酸化物単結晶等
の引上げにも応用できることは言うまでもない。
リコン融液から半導体シリコン単結晶を、ＣＺ法により
製造する場合を例として、図面に基づいて詳述するが、
本発明はこれらに限定されるものではなく、排気系に水
封缶を有するチョクラルスキー法による単結晶製造装置
であれば、化合物半導体単結晶あるいは酸化物単結晶等
の引上げにも応用できることは言うまでもない。
【００１３】図１は常圧法による本発明にかかる単結晶
製造装置を表した模式図である。図１において、水封缶
５には炉内圧を保持するため挿入管６が長さＬだけ封水
１０中に挿入されている。もし封水１０が逆流した場
合、まず逆流水は水封缶５の前段に設けられた緩衝缶１
３に流入し、ここでトラップされる。この時逆流水の量
は、水封缶５の内径をＤ、挿入管６の水中への浸漬長さ
をＬとすると、πＤ2Ｌ／４で表される量となる。ここ
で、緩衝缶１３の容量は、少なくともこの逆流水の量よ
り充分に大きくしなければならず、好ましくは水封缶５
の全封水量以上とするのが、安全上望ましい。そして、
緩衝缶１３への排ガスの導入管１７は、緩衝缶１３の天
井部またはその近傍で開口するものとし、緩衝缶１３深
く、特に流出管１８より深く挿入してはならない。緩衝
缶１３でトラップされた封水が更にメインチャンバー８
に逆流してしまうからである。なお、緩衝缶１３の位置
は、水封缶５の直前であることが望ましいが、基本的に
は、水封缶５の前段であれば排気系のどこに設置しても
よい。また、緩衝缶１３は、封水をトラップすることが
できる容量があれば足り、その形状はドラム缶状、球状
等都合により種々の形状のもので作製することができ
る。こうして、例え操業中に水封缶の封水の逆流が生じ
ても、緩衝缶で完全に逆流水をトラップすることがで
き、水蒸気爆発の危険は回避されることになる。
製造装置を表した模式図である。図１において、水封缶
５には炉内圧を保持するため挿入管６が長さＬだけ封水
１０中に挿入されている。もし封水１０が逆流した場
合、まず逆流水は水封缶５の前段に設けられた緩衝缶１
３に流入し、ここでトラップされる。この時逆流水の量
は、水封缶５の内径をＤ、挿入管６の水中への浸漬長さ
をＬとすると、πＤ2Ｌ／４で表される量となる。ここ
で、緩衝缶１３の容量は、少なくともこの逆流水の量よ
り充分に大きくしなければならず、好ましくは水封缶５
の全封水量以上とするのが、安全上望ましい。そして、
緩衝缶１３への排ガスの導入管１７は、緩衝缶１３の天
井部またはその近傍で開口するものとし、緩衝缶１３深
く、特に流出管１８より深く挿入してはならない。緩衝
缶１３でトラップされた封水が更にメインチャンバー８
に逆流してしまうからである。なお、緩衝缶１３の位置
は、水封缶５の直前であることが望ましいが、基本的に
は、水封缶５の前段であれば排気系のどこに設置しても
よい。また、緩衝缶１３は、封水をトラップすることが
できる容量があれば足り、その形状はドラム缶状、球状
等都合により種々の形状のもので作製することができ
る。こうして、例え操業中に水封缶の封水の逆流が生じ
ても、緩衝缶で完全に逆流水をトラップすることがで
き、水蒸気爆発の危険は回避されることになる。
【００１４】次に、本発明にあっては、水封缶５の前段
において、真空破壊弁１４を設置するのが効果的であ
る。すなわち、例え操業中メインチャンバー８が真空状
態になっても、即座に真空破壊弁１４から大気が流入
し、炉内圧をいち早く大気圧に戻すことによって、水封
缶５の封水１０の逆流が防止される。この場合、前記緩
衝缶と真空破壊弁は同時に設置することもでき、これに
より安全性は更に増すものとなる。設置方法としては、
例えば図１にあるように、真空破壊弁１４を緩衝缶１３
に設置する等、その配置、順序については都合により選
択すれば良い。
において、真空破壊弁１４を設置するのが効果的であ
る。すなわち、例え操業中メインチャンバー８が真空状
態になっても、即座に真空破壊弁１４から大気が流入
し、炉内圧をいち早く大気圧に戻すことによって、水封
缶５の封水１０の逆流が防止される。この場合、前記緩
衝缶と真空破壊弁は同時に設置することもでき、これに
より安全性は更に増すものとなる。設置方法としては、
例えば図１にあるように、真空破壊弁１４を緩衝缶１３
に設置する等、その配置、順序については都合により選
択すれば良い。
【００１５】この真空破壊弁１４は、例えば図３に示す
ような、重力式の構造とするのが望ましい。これは、封
水の逆流防止対策が必要となる主な原因の一つとして、
停電が挙げられるからであり、電気式では停電時に使用
できなくなるからである。図３において、真空破壊弁１
４は接続管１５により緩衝缶１３に接続されている。破
壊弁本体１４ａにはＯ−リング１４ｂが埋め込まれてお
り、シールプレート１４ｃの重量により、緩衝缶内と大
気側は隔離されている。今、常圧法でアイソレーション
バルブのリーク等により、又は減圧法では停電等でドラ
イ真空ポンプが緊急停止した等の理由により炉内が真空
になり、従って緩衝缶１３内も真空になった場合、シー
ルプレート１４ｃは真空力によって上方に吸い寄せられ
て、穴１４ｄより大気が流入し、緩衝缶１３内を大気圧
に戻すことができる。そして緩衝缶１３は水封缶５の前
段に設けられているので、緩衝缶が大気圧に戻れば、封
水の逆流は防止される。なお、この真空破壊弁の形態も
上記のものに限られず、同様の機能を発揮する種々の形
状の弁で容易に置換が可能であるし、設置する位置も、
上記の場合に限られず、水封缶の前段であれば排気系の
どこに設置してもよい。
ような、重力式の構造とするのが望ましい。これは、封
水の逆流防止対策が必要となる主な原因の一つとして、
停電が挙げられるからであり、電気式では停電時に使用
できなくなるからである。図３において、真空破壊弁１
４は接続管１５により緩衝缶１３に接続されている。破
壊弁本体１４ａにはＯ−リング１４ｂが埋め込まれてお
り、シールプレート１４ｃの重量により、緩衝缶内と大
気側は隔離されている。今、常圧法でアイソレーション
バルブのリーク等により、又は減圧法では停電等でドラ
イ真空ポンプが緊急停止した等の理由により炉内が真空
になり、従って緩衝缶１３内も真空になった場合、シー
ルプレート１４ｃは真空力によって上方に吸い寄せられ
て、穴１４ｄより大気が流入し、緩衝缶１３内を大気圧
に戻すことができる。そして緩衝缶１３は水封缶５の前
段に設けられているので、緩衝缶が大気圧に戻れば、封
水の逆流は防止される。なお、この真空破壊弁の形態も
上記のものに限られず、同様の機能を発揮する種々の形
状の弁で容易に置換が可能であるし、設置する位置も、
上記の場合に限られず、水封缶の前段であれば排気系の
どこに設置してもよい。
【００１６】次に、減圧法の場合について説明する。図
２は減圧法による本発明にかかる単結晶製造装置を表し
た模式図である。ドライ真空ポンプ１１の後段には、水
封缶５を設置し、粉塵爆発を防止すべく排ガスに湿気を
持たせている。そして、操業中に停電等により真空ポン
プ１１が停止した場合、封水１０の逆流水をトラップす
べくドライ真空ポンプ１１と水封缶５の間に緩衝缶１３
と真空破壊弁１４が設けられている。これにより、常圧
法と同様、封水のメインチャンバー８までの逆流が簡単
かつ確実に防止できる。
２は減圧法による本発明にかかる単結晶製造装置を表し
た模式図である。ドライ真空ポンプ１１の後段には、水
封缶５を設置し、粉塵爆発を防止すべく排ガスに湿気を
持たせている。そして、操業中に停電等により真空ポン
プ１１が停止した場合、封水１０の逆流水をトラップす
べくドライ真空ポンプ１１と水封缶５の間に緩衝缶１３
と真空破壊弁１４が設けられている。これにより、常圧
法と同様、封水のメインチャンバー８までの逆流が簡単
かつ確実に防止できる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
排気系に水封缶を有するチョクラルスキー法による単結
晶製造装置において、前記水封缶の前段に緩衝缶および
／または真空破壊弁を設置することによって、例え操業
中に真空ポンプの緊急停止等の理由でメインチャンバー
内が真空となっても、水封缶から逆流する封水を緩衝缶
でトラップすることができ、また、真空破壊弁によっ
て、短時間のうちに炉内を大気圧状態に戻すことができ
る。従って、簡単かつ確実に封水のメインチャンバーま
での逆流を防止することができ、近年大型化した単結晶
製造装置の水蒸気爆発の危険を排除し、その安全性が確
保されるものである。
排気系に水封缶を有するチョクラルスキー法による単結
晶製造装置において、前記水封缶の前段に緩衝缶および
／または真空破壊弁を設置することによって、例え操業
中に真空ポンプの緊急停止等の理由でメインチャンバー
内が真空となっても、水封缶から逆流する封水を緩衝缶
でトラップすることができ、また、真空破壊弁によっ
て、短時間のうちに炉内を大気圧状態に戻すことができ
る。従って、簡単かつ確実に封水のメインチャンバーま
での逆流を防止することができ、近年大型化した単結晶
製造装置の水蒸気爆発の危険を排除し、その安全性が確
保されるものである。
【図１】常圧法による本発明にかかる単結晶製造装置を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】減圧法による本発明にかかる単結晶製造装置を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図３】本発明にかかる、重力式の真空破壊弁の一例を
示した断面図である。
示した断面図である。
【図４】従来の常圧法による単結晶製造装置を示す模式
図である。
図である。
【図５】従来の減圧法による単結晶製造装置を示す模式
図である。（ドライ真空ポンプを用いた場合）
図である。（ドライ真空ポンプを用いた場合）
１ 真空チャンバー ２ 真空ポンプ
３ 真空元バルブ ４ Ａｒ元バルブ
５ 水封缶 ６ 挿入管
７ プルチャンバー ８ メインチャンバ
ー ９ アイソレーションバルブ １０ 封水 １１ ドライ真空ポンプ １２ 逆止弁 １３ 緩衝缶 １４ 真空破壊弁 １４ａ 破壊弁本体 １４ｂ Ｏ−リング １４ｃ シールプレート １４ｄ 穴 １５ 接続管 １６ メインバルブ １７ 排ガス導入管 １８ 流出管 Ｌ 浸漬長さ Ｄ 水封缶内径
ー ９ アイソレーションバルブ １０ 封水 １１ ドライ真空ポンプ １２ 逆止弁 １３ 緩衝缶 １４ 真空破壊弁 １４ａ 破壊弁本体 １４ｂ Ｏ−リング １４ｃ シールプレート １４ｄ 穴 １５ 接続管 １６ メインバルブ １７ 排ガス導入管 １８ 流出管 Ｌ 浸漬長さ Ｄ 水封缶内径
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(56)参考文献 特開 平７−33581（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−192838（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−237092（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−29192（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−97187（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−11536（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−101896（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−207794（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−24181（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−44091（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−44092（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−45591（ＪＰ，Ａ)
実開 昭62−44434（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C30B 1/00 - 35/00
Claims (4)
- 【請求項１】 排気系に水封缶を有するチョクラルスキ
ー法による単結晶製造装置において、前記水封缶の前段
に緩衝缶を設置したことを特徴とする単結晶製造装置。 - 【請求項２】 排気系に水封缶を有するチョクラルスキ
ー法による単結晶製造装置において、前記水封缶の前段
に真空破壊弁を設置したことを特徴とする単結晶製造装
置。 - 【請求項３】 排気系に水封缶を有するチョクラルスキ
ー法による単結晶製造装置において、前記水封缶の前段
に緩衝缶および真空破壊弁を設置したことを特徴とする
単結晶製造装置。 - 【請求項４】 製造する単結晶がシリコンである請求項
１〜請求項３のいずれかに記載した単結晶製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35003995A JP3402039B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 単結晶製造装置 |
| US08/759,224 US5900058A (en) | 1995-12-25 | 1996-12-05 | Apparatus for producing single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35003995A JP3402039B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 単結晶製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09175881A JPH09175881A (ja) | 1997-07-08 |
| JP3402039B2 true JP3402039B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=18407821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35003995A Expired - Lifetime JP3402039B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 単結晶製造装置 |
Country Status (2)
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| US (1) | US5900058A (ja) |
| JP (1) | JP3402039B2 (ja) |
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-
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-
1996
- 1996-12-05 US US08/759,224 patent/US5900058A/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH09175881A (ja) | 1997-07-08 |
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