JPS63285924A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS63285924A JPS63285924A JP12159987A JP12159987A JPS63285924A JP S63285924 A JPS63285924 A JP S63285924A JP 12159987 A JP12159987 A JP 12159987A JP 12159987 A JP12159987 A JP 12159987A JP S63285924 A JPS63285924 A JP S63285924A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、油回転ポンプなどの真空ポンプを設けた半導
体製造装置に係り、特に被排気側の油による汚染を防止
するのに好適な半導体製造装置に関する。
体製造装置に係り、特に被排気側の油による汚染を防止
するのに好適な半導体製造装置に関する。
油を使用する真空ポンプを設けた半導体製造装置におい
て、真空ポンプからの油の逆拡散による真空容器の油の
汚染を防止するパージ方法が、「真空技術」 （共立出
版、１９８５年７月）のｒｐ、きれいなあらびき系」
（２０３〜２ｏ７頁）の項に記載されている。この公知
文献によるパージ方法は、前記油による汚染がパージガ
ス圧力１３Ｐａ （０，ＩＴｏｒｒ）を境として、そ
れより低圧側では急激に高まるので、油回転ポンプの吸
込口側に乾燥窒素のパージを設けて油回転ポンプの吸込
口圧力が１３〜４０ Ｐ ａ （Ｑ、１〜０．３Ｔｏｒ
ｒ）より低くならないようにしたものである。
て、真空ポンプからの油の逆拡散による真空容器の油の
汚染を防止するパージ方法が、「真空技術」 （共立出
版、１９８５年７月）のｒｐ、きれいなあらびき系」
（２０３〜２ｏ７頁）の項に記載されている。この公知
文献によるパージ方法は、前記油による汚染がパージガ
ス圧力１３Ｐａ （０，ＩＴｏｒｒ）を境として、そ
れより低圧側では急激に高まるので、油回転ポンプの吸
込口側に乾燥窒素のパージを設けて油回転ポンプの吸込
口圧力が１３〜４０ Ｐ ａ （Ｑ、１〜０．３Ｔｏｒ
ｒ）より低くならないようにしたものである。
第８図は上述の公知のパージ方法を適用した従来の真空
装置である。まず真空チャンバ５０を大気圧状態から排
気するには、粗引バルブ５１および油回転ポンプバルブ
５２を開いて油回転ポンプ５３により粗引を始める。こ
のとき真空チャンバ５０に油回転ポンプ５３の油が逆拡
散しないように真空チャンバパージバルブ５５を開き、
パージガス源（図示せず）からのパージガスを配管５６
を通して真空チャンバ５０にパージし、真空チャンバ５
０の圧力が４０ Ｐ ａ （０，３Ｔｏｒｒ）以下にな
らないようにする。４０Ｐａ近傍の圧力で油回転ポンプ
バルブ５２、真空チャンバパージバルブ５５を閉じ、ソ
ープションポンプバルブ５８を開いてソープションポン
プ５９によりさらに低い圧力まで粗引を行なう。
装置である。まず真空チャンバ５０を大気圧状態から排
気するには、粗引バルブ５１および油回転ポンプバルブ
５２を開いて油回転ポンプ５３により粗引を始める。こ
のとき真空チャンバ５０に油回転ポンプ５３の油が逆拡
散しないように真空チャンバパージバルブ５５を開き、
パージガス源（図示せず）からのパージガスを配管５６
を通して真空チャンバ５０にパージし、真空チャンバ５
０の圧力が４０ Ｐ ａ （０，３Ｔｏｒｒ）以下にな
らないようにする。４０Ｐａ近傍の圧力で油回転ポンプ
バルブ５２、真空チャンバパージバルブ５５を閉じ、ソ
ープションポンプバルブ５８を開いてソープションポン
プ５９によりさらに低い圧力まで粗引を行なう。
そして配管６０により真空チャンバ５０に連通ずる主排
気ポンプ（図示せず）の作動圧力領域となったら粗引バ
ルブ５１を閉じて配管６０を通して主排気ポンプから排
気をするというものである。
気ポンプ（図示せず）の作動圧力領域となったら粗引バ
ルブ５１を閉じて配管６０を通して主排気ポンプから排
気をするというものである。
さらにバルブ等の誤操作により油回転ポンプ５３の油が
逆拡散して真空チャンバ５０を汚染しないように、油回
転ポンプパージ配管６１よりパージガスを流しておいて
油回転ポンプ５３の吸込口圧力が１３Ｐａ （０，ＩＴ
ｏｒｒ）以上になるようにしておくことが望ましい。な
お第８図において、６２はポンプ吐出管である。
逆拡散して真空チャンバ５０を汚染しないように、油回
転ポンプパージ配管６１よりパージガスを流しておいて
油回転ポンプ５３の吸込口圧力が１３Ｐａ （０，ＩＴ
ｏｒｒ）以上になるようにしておくことが望ましい。な
お第８図において、６２はポンプ吐出管である。
ところで近時半導体の高集積度化に伴って半導体製造装
置において、真空チャンバ内の排気に用いる真空ポンプ
の油の逆拡散によるウェハの汚染に起因する不良が問題
になっている。特に到達圧力近傍で作動している油回転
ポンプでは、油の逆拡散が激しく発生している。この油
汚染の発生源である油回転ポンプの油の逆拡散の量を低
減させれば、油汚染による半導体の不良率を低減させる
ことができる。しかし上記従来のパージ方法では、油回
転ポンプ５３の油の真空チャンバ５０内への逆拡散によ
る油汚染を抑えるということで油回転ポンプ５３の吸込
口圧力をパージによ″す１３Ｐａ（０、Ｉ Ｔｏｒｒ）
以上と高くしている。これでは半導体製造プロセスにお
いて、不必要なガスを排除した後の真空チャンバ５０内
の圧力が高くなり、油回転ポンプ臣３を使用して真空チ
ャンバ５０内を１３Ｐａ （０，ＩＴｏｒｒ）より低い
高清浄な環境にすることができないという問題があった
。
置において、真空チャンバ内の排気に用いる真空ポンプ
の油の逆拡散によるウェハの汚染に起因する不良が問題
になっている。特に到達圧力近傍で作動している油回転
ポンプでは、油の逆拡散が激しく発生している。この油
汚染の発生源である油回転ポンプの油の逆拡散の量を低
減させれば、油汚染による半導体の不良率を低減させる
ことができる。しかし上記従来のパージ方法では、油回
転ポンプ５３の油の真空チャンバ５０内への逆拡散によ
る油汚染を抑えるということで油回転ポンプ５３の吸込
口圧力をパージによ″す１３Ｐａ（０、Ｉ Ｔｏｒｒ）
以上と高くしている。これでは半導体製造プロセスにお
いて、不必要なガスを排除した後の真空チャンバ５０内
の圧力が高くなり、油回転ポンプ臣３を使用して真空チ
ャンバ５０内を１３Ｐａ （０，ＩＴｏｒｒ）より低い
高清浄な環境にすることができないという問題があった
。
本発明の目的は、油回転ポンプなどの真空ポンプの吸込
口側より微量のパージガスをパージし、油の逆拡散を抑
えるようにした半導体製造装置を提供することにある。
口側より微量のパージガスをパージし、油の逆拡散を抑
えるようにした半導体製造装置を提供することにある。
かかる目的達成のため１本発明は、油回転ポンプなどの
真空ポンプを真空排気系とする半導体製造装置において
、処理室を到達圧力に排気する過程時に微量のパージガ
スを前記真空ポンプの上流側よりパージするパージガス
微少流量供給機構を設けたものである。
真空ポンプを真空排気系とする半導体製造装置において
、処理室を到達圧力に排気する過程時に微量のパージガ
スを前記真空ポンプの上流側よりパージするパージガス
微少流量供給機構を設けたものである。
上述の構成によれば、処理室を油回転ポンプなどの真空
ポンプで到達圧力まで排気する過程時に、真空ポンプに
使われている油の吸込口側への逆拡散を抑えるのに十分
な最小量のパージガスが、真空ポンプ上流側より微少流
量供給機構を通ってパージされる。このときのパージ量
は従来のパージ量の約数十分の一程度となり、真空排気
系の到達圧力にほとんど影響を与えず、清浄な真空が得
られる。これにより被排気系の油の汚染の少ない半導体
製造装置が得られる。
ポンプで到達圧力まで排気する過程時に、真空ポンプに
使われている油の吸込口側への逆拡散を抑えるのに十分
な最小量のパージガスが、真空ポンプ上流側より微少流
量供給機構を通ってパージされる。このときのパージ量
は従来のパージ量の約数十分の一程度となり、真空排気
系の到達圧力にほとんど影響を与えず、清浄な真空が得
られる。これにより被排気系の油の汚染の少ない半導体
製造装置が得られる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る半導体製造装置１をバッチ減圧Ｃ
ＶＤ装置に適用した第１実施例を示したもので、半導体
製造装置１は、処理室である反応管２と、真空ポンプで
ある油回転ポンプ３と、ガ・ス供給部５と、パージガス
微少流量供給機構６とを備えている。
ＶＤ装置に適用した第１実施例を示したもので、半導体
製造装置１は、処理室である反応管２と、真空ポンプで
ある油回転ポンプ３と、ガ・ス供給部５と、パージガス
微少流量供給機構６とを備えている。
反応管２は、一端開口部をシール部材８を介してカバー
９により閉塞しており、内部にウェハ１０を導入するよ
うに構成されている。油回転ポンプ３は排気管１１によ
り反応管２の他端に連結されており、排気管１１には上
流側から下流側に向って順次冷却トラップ１２．主排気
バルブ１３およびメカニカルブースタ１５が配置されて
いる。
９により閉塞しており、内部にウェハ１０を導入するよ
うに構成されている。油回転ポンプ３は排気管１１によ
り反応管２の他端に連結されており、排気管１１には上
流側から下流側に向って順次冷却トラップ１２．主排気
バルブ１３およびメカニカルブースタ１５が配置されて
いる。
また冷却トラップ１２、主排気バルブ１３間の排気管１
１Ａから分岐して主排気バルブ１３、メカニカルブース
タ１５間の排気管１１Ｂに連結された分岐管１６には補
助排気バルブ１８が配置されている。ガス供給部５は配
管１９により反応管２の一端に連結されており、配管１
９にはガスバルブ２０が配置されている。
１Ａから分岐して主排気バルブ１３、メカニカルブース
タ１５間の排気管１１Ｂに連結された分岐管１６には補
助排気バルブ１８が配置されている。ガス供給部５は配
管１９により反応管２の一端に連結されており、配管１
９にはガスバルブ２０が配置されている。
パージガス微少流量供給機構６は、パージガス源２１と
、該パージガス源２１と排気管１１Ｂとを連結するパー
ジガス配管２２と、該パージガス配管２２に配置された
微少流量供給流量計２３および微少流量供給パージバル
ブ２５とからなっている。
、該パージガス源２１と排気管１１Ｂとを連結するパー
ジガス配管２２と、該パージガス配管２２に配置された
微少流量供給流量計２３および微少流量供給パージバル
ブ２５とからなっている。
なお第１図において、配管１１Ａには、リークバルブ２
６および圧力計２８が連結されており、反応管２の外周
面はヒータ２９により被覆されている。また油回転ポン
プ３には希釈ガスライン３０および吐出管３１がそれぞ
れ連結されている。
６および圧力計２８が連結されており、反応管２の外周
面はヒータ２９により被覆されている。また油回転ポン
プ３には希釈ガスライン３０および吐出管３１がそれぞ
れ連結されている。
つぎに、本発明の第１実施例の作用を説明する。
バッチ式減圧ＣＶＤのサイクルは、ウェハ１０を反応管
２内に導入した後、まず補助排気バルブ１８を開き次い
で主排気バルブ１３を開いて、反応管２内の空気を排気
管１１および分岐管１６を通してメカニカルブースタ１
５および油回転ポンプ３により排気する。つぎにガスバ
ルブ２０を開きガス供給部５から窒素ガスを配管１９を
通して反応管２内に導入して空気と置換する。そして補
助排気バルブ１８のみを閉じてさらに排気を行ない、反
応ガスをガス供給部５から配管１９を通して反応管２内
に導入して反応を行なわせ、反応終了後再び窒素ガスを
反応管２内に導入して反応ガスとの置換を行なう。そし
て主排気バルブ１３およびガスバルブ２０を閉じた後、
リークバルブ２６を開き大気を反応管２内に導入して大
気圧状態に戻し、ウェハ１ｏを反応管２外に搬出すると
いうものである。
２内に導入した後、まず補助排気バルブ１８を開き次い
で主排気バルブ１３を開いて、反応管２内の空気を排気
管１１および分岐管１６を通してメカニカルブースタ１
５および油回転ポンプ３により排気する。つぎにガスバ
ルブ２０を開きガス供給部５から窒素ガスを配管１９を
通して反応管２内に導入して空気と置換する。そして補
助排気バルブ１８のみを閉じてさらに排気を行ない、反
応ガスをガス供給部５から配管１９を通して反応管２内
に導入して反応を行なわせ、反応終了後再び窒素ガスを
反応管２内に導入して反応ガスとの置換を行なう。そし
て主排気バルブ１３およびガスバルブ２０を閉じた後、
リークバルブ２６を開き大気を反応管２内に導入して大
気圧状態に戻し、ウェハ１ｏを反応管２外に搬出すると
いうものである。
ウェハ１０を反応管２内に導入後反応管２内を大気圧状
態からメカニカルブースタ１５および油回転ポンプ３に
より排気する際、又は反応終了後反応ガスと窒素ガスと
の置換時に反応ガスの供給を停止して反応ガスを反応管
２内より排気する際に、到達圧力近傍で油の逆拡散が急
激に進展して反応管２内を油汚染するため、排気の始め
よりパージガス微少流量供給機構６の微少流量供給パー
ジバルブ２５を開きパージガス源２１よりパージガス配
管２２を通して微少流量供給流量計２３によりパージガ
スの流量を確認して微量のパージガスを流す。このとき
パージするガスは、反応に影響を与えることの少ない不
活性ガスが好ましいが、窒素ガスなどでも十分効果があ
り、実験の結果では分子量の大きいガス程効果が大きい
ことが表１で示すように立証されている。
態からメカニカルブースタ１５および油回転ポンプ３に
より排気する際、又は反応終了後反応ガスと窒素ガスと
の置換時に反応ガスの供給を停止して反応ガスを反応管
２内より排気する際に、到達圧力近傍で油の逆拡散が急
激に進展して反応管２内を油汚染するため、排気の始め
よりパージガス微少流量供給機構６の微少流量供給パー
ジバルブ２５を開きパージガス源２１よりパージガス配
管２２を通して微少流量供給流量計２３によりパージガ
スの流量を確認して微量のパージガスを流す。このとき
パージするガスは、反応に影響を与えることの少ない不
活性ガスが好ましいが、窒素ガスなどでも十分効果があ
り、実験の結果では分子量の大きいガス程効果が大きい
ことが表１で示すように立証されている。
表 １
第２図は窒素ガスをパージしたときの反応管２内の到達
圧力近傍での四重極質量分析器で計測した残留ガススペ
クトルを示したもので、縦軸はイオン電流値、横軸は質
量数である。得られたスペクトルは、空気の残留ガスス
ペクトルで、きわめて清浄な状態が得られたことがわか
る。
圧力近傍での四重極質量分析器で計測した残留ガススペ
クトルを示したもので、縦軸はイオン電流値、横軸は質
量数である。得られたスペクトルは、空気の残留ガスス
ペクトルで、きわめて清浄な状態が得られたことがわか
る。
第３図は微少流量のパージをやめたときの反応管２内の
残留ガススペクトルである。油回転ポンプ３に使用され
ている油の成分（炭化水素系）によるピークが質量数３
９以上に多数検出されており、反応管２内の油汚染が著
しく進展していることがわかる。
残留ガススペクトルである。油回転ポンプ３に使用され
ている油の成分（炭化水素系）によるピークが質量数３
９以上に多数検出されており、反応管２内の油汚染が著
しく進展していることがわかる。
第４図は窒素ガスをパージしたときのパージガスの量と
残留ガス成分の検出ピークの変化、油回転ポンプ吸込口
圧力（以下、単に吸込口圧力という）の変化を示したも
のである。左側の縦軸は残留ガスの検出ピークに対する
イオン電流値で右側の縦軸は吸込口圧力、横軸はパージ
量を表わしている。
残留ガス成分の検出ピークの変化、油回転ポンプ吸込口
圧力（以下、単に吸込口圧力という）の変化を示したも
のである。左側の縦軸は残留ガスの検出ピークに対する
イオン電流値で右側の縦軸は吸込口圧力、横軸はパージ
量を表わしている。
以上を比較すると、わずかな量のパージによって油の各
成分ごとにみると微少流量のパージを行なった場合のピ
ークは、パージを行なわない場合の約１／１００程度と
なり、十分清浄な真空が得られていることがわかる。こ
のときパージを行なった量と従来のパージ量を比較する
と、本発明のパージ量が極めてわずかの量となることが
わかる。
成分ごとにみると微少流量のパージを行なった場合のピ
ークは、パージを行なわない場合の約１／１００程度と
なり、十分清浄な真空が得られていることがわかる。こ
のときパージを行なった量と従来のパージ量を比較する
と、本発明のパージ量が極めてわずかの量となることが
わかる。
−例として排気速度が２４０ Ｑ ／ｗｉｎの油回転ポ
ンプ３についてパージ量を従来の方法によるものと本発
明によるものとを比較する。
ンプ３についてパージ量を従来の方法によるものと本発
明によるものとを比較する。
油回転ポンプ３の排気速度をＳ、排気量をＱ、吸込口圧
力をＰとすると、各々の関係は次式で与えられる。
力をＰとすると、各々の関係は次式で与えられる。
Ｑ＝ＳＰ ・・・・・・・・・ （１）Ｓ＝
２４０Ｑ／ｗｉｎとし、従来方法によるパージ量Ｑ、は
、Ｐ＝０．ＩＴｏｒｒとすると式（１）よりＱ、＝０．
４ＴｏｒｒＱ／Ｓ’ｑ３２ＳＣＧＭとなり、本発明によ
るパージ量Ｑ２は第４図によると０．６８ＣＣＭ （到
達圧カフ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのとき）でも十分に効
果があることからＱ、＝０．６ＳＣＣＭとすると従来の
約１１５３となる。このため真空排気系の到達圧力は従
来のパージ方法による圧力０．ＩＴｏｒｒよりも低くな
り、かつ清浄な真空が得られる。従って本実施例によれ
ば、比較的少ない装置の改造により油汚染の少ない真空
が得られる。
２４０Ｑ／ｗｉｎとし、従来方法によるパージ量Ｑ、は
、Ｐ＝０．ＩＴｏｒｒとすると式（１）よりＱ、＝０．
４ＴｏｒｒＱ／Ｓ’ｑ３２ＳＣＧＭとなり、本発明によ
るパージ量Ｑ２は第４図によると０．６８ＣＣＭ （到
達圧カフ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒのとき）でも十分に効
果があることからＱ、＝０．６ＳＣＣＭとすると従来の
約１１５３となる。このため真空排気系の到達圧力は従
来のパージ方法による圧力０．ＩＴｏｒｒよりも低くな
り、かつ清浄な真空が得られる。従って本実施例によれ
ば、比較的少ない装置の改造により油汚染の少ない真空
が得られる。
第５図は本発明の第２実施例に係り、半導体製造装置１
をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施例である
。この実施例では、油回転ポンプ３の上流側の圧力に応
じてパージを行なうパージガス微少流量供給機構６を自
動的に制御する微少流量供給制御機構３５を設けである
。この機構３５は吸込口圧力をモニタする吸込口圧力モ
ニタ真空計３６と、微少流量供給パージバルブ制御信号
線３８とからなっている。
をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施例である
。この実施例では、油回転ポンプ３の上流側の圧力に応
じてパージを行なうパージガス微少流量供給機構６を自
動的に制御する微少流量供給制御機構３５を設けである
。この機構３５は吸込口圧力をモニタする吸込口圧力モ
ニタ真空計３６と、微少流量供給パージバルブ制御信号
線３８とからなっている。
そして吸込口圧力が所定の圧力以下になると、吸込口圧
力モニタ真空計３６がこれを検出し、微少流量供給パー
ジバルブ２５を開くための信号を微少流量供給パージバ
ルブ制御信号線３８を通じて微少流量供給パージバルブ
２５へ伝達し、該バルブ２５は開の状態となりパージが
行なわれる。
力モニタ真空計３６がこれを検出し、微少流量供給パー
ジバルブ２５を開くための信号を微少流量供給パージバ
ルブ制御信号線３８を通じて微少流量供給パージバルブ
２５へ伝達し、該バルブ２５は開の状態となりパージが
行なわれる。
また吸込口圧力が所定の圧力より高くなると、吸込口圧
力モニタ真空計３６がこれを検出し、微少流量供給パー
ジバルブ２５を閉じるための信号を微少流量供給パージ
バルブ制御信号線３８を通じて微少流量供給パージバル
ブ２５に伝達し、これにより該バルブ２５は閉状態とな
る。このように第２実施例では、吸込口圧力に応じてパ
ージを自動的に行なうことができ装置の信頼性および経
済性が向上する。
力モニタ真空計３６がこれを検出し、微少流量供給パー
ジバルブ２５を閉じるための信号を微少流量供給パージ
バルブ制御信号線３８を通じて微少流量供給パージバル
ブ２５に伝達し、これにより該バルブ２５は閉状態とな
る。このように第２実施例では、吸込口圧力に応じてパ
ージを自動的に行なうことができ装置の信頼性および経
済性が向上する。
第６図は本発明の第３実施例に係り、半導体製造装置１
をバッチ減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施例である。
をバッチ減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施例である。
この実施例ではパージガスをパージする機構において、
パージ用のバルブが反応ガスを供給する機構のうちガス
バルブ２０と共有になっている。またこの実施例では、
パージをする機構のうちパージガス源がガス供給部５の
ガスの一部と共有になっている。このように本実施例で
は、パージガス微少流量供給機構６はガスバルブ２０お
よびガス供給部５のガスの一部と共有になっており、構
造が簡単となる。
パージ用のバルブが反応ガスを供給する機構のうちガス
バルブ２０と共有になっている。またこの実施例では、
パージをする機構のうちパージガス源がガス供給部５の
ガスの一部と共有になっている。このように本実施例で
は、パージガス微少流量供給機構６はガスバルブ２０お
よびガス供給部５のガスの一部と共有になっており、構
造が簡単となる。
第７図は本発明の第４実施例に係り、半導体製造装置１
をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施例である
。この実施例ではパージガス微少流量供給機構６の構成
要素のうち、微少流量供給パージバルブ２５と微少流量
供給流量計２３とを一体化した微少流量供給マスフロー
コントローラ３９を用いている（この構造および原理は
「計測技術」８６．増刊号５５頁〜６２頁に記載されて
いる）。これによってパージガス微少流量供給機構６の
構造が簡単になる。
をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施例である
。この実施例ではパージガス微少流量供給機構６の構成
要素のうち、微少流量供給パージバルブ２５と微少流量
供給流量計２３とを一体化した微少流量供給マスフロー
コントローラ３９を用いている（この構造および原理は
「計測技術」８６．増刊号５５頁〜６２頁に記載されて
いる）。これによってパージガス微少流量供給機構６の
構造が簡単になる。
上述のとおり１本発明によれば、処理室を油回転ポンプ
などの真空ポンプで到達圧力まで排気する過程時、真空
ポンプに使われている油の吸込口側への逆拡散が抑えら
れるので、処理室内は清浄な真空状態となり、これによ
って被排気系の油の汚染の少ない半導体製造装置が得ら
れる。
などの真空ポンプで到達圧力まで排気する過程時、真空
ポンプに使われている油の吸込口側への逆拡散が抑えら
れるので、処理室内は清浄な真空状態となり、これによ
って被排気系の油の汚染の少ない半導体製造装置が得ら
れる。
第１図から第４図は本発明の第１実施例に係り、第１図
は本発明に係る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装
置に適用した構成図、第２図は反応管内の残留ガススペ
クトル、第３図はパージを行なわないときの反応管内の
残留ガススペクトル、第４図はパージガスの量と残留ガ
スの成分の検出ピークの変化とポンプ吸込口圧力の変化
との関係図、第５図から第７図は本発明の第２実施例か
ら第４実施例に係り、本発明に係る半導体製造装置をバ
ッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施例の構成図、
第８図は従来例のパージ方法を適用した真空装置の構成
図である。 １・・・半導体製造装置、 ２・・・処理室である反応管、 ３・・・真空ポンプの一例である油回転ポンプ、６・・
・パージガス微少流量供給機構。 ３６・・・圧力検出器である吸込口圧力モニタ真空計。
は本発明に係る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装
置に適用した構成図、第２図は反応管内の残留ガススペ
クトル、第３図はパージを行なわないときの反応管内の
残留ガススペクトル、第４図はパージガスの量と残留ガ
スの成分の検出ピークの変化とポンプ吸込口圧力の変化
との関係図、第５図から第７図は本発明の第２実施例か
ら第４実施例に係り、本発明に係る半導体製造装置をバ
ッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施例の構成図、
第８図は従来例のパージ方法を適用した真空装置の構成
図である。 １・・・半導体製造装置、 ２・・・処理室である反応管、 ３・・・真空ポンプの一例である油回転ポンプ、６・・
・パージガス微少流量供給機構。 ３６・・・圧力検出器である吸込口圧力モニタ真空計。
Claims (4)
- （１）油回転ポンプなどの真空ポンプを真空排気系とす
る半導体製造装置において、処理室を到達圧力に排気す
る過程時に微量のパージガスを前記真空ポンプの上流側
よりパージするパージガス微少流量供給機構を設けた半
導体製造装置。 - （２）前記パージガス微少流量供給機構は、前記真空ポ
ンプの上流側圧力を検出する圧力検出器を有し、該圧力
検出器により前記真空ポンプの上流側圧力が、所定圧力
以下になればパージを行ない、所定圧力以上になればパ
ージを停止する特許請求の範囲第１項記載の半導体製造
装置。 - （３）前記パージガス微少流量供給機構の一部を前記処
理室に反応ガスを供給する機構と共有した特許請求の範
囲第１項記載の半導体製造装置。 - （４）前記パージを行なうパージガス種が、不活性ガス
、窒素ガスなどである特許請求の範囲第１項記載の半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62121599A JPH0732133B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62121599A JPH0732133B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体製造装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10034496A Division JPH08279471A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285924A true JPS63285924A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH0732133B2 JPH0732133B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14815242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62121599A Expired - Fee Related JPH0732133B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732133B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0321925A2 (en) * | 1987-12-23 | 1989-06-28 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for analysis employing electron |
| JPH0296725U (ja) * | 1989-01-20 | 1990-08-01 | ||
| JPH08279471A (ja) * | 1996-04-22 | 1996-10-22 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158730U (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-22 | 沖電気工業株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPS60176545U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-22 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜製造装置 |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP62121599A patent/JPH0732133B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158730U (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-22 | 沖電気工業株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPS60176545U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-22 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜製造装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0321925A2 (en) * | 1987-12-23 | 1989-06-28 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for analysis employing electron |
| EP0321925A3 (en) * | 1987-12-23 | 1990-04-11 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for analysis employing electron |
| JPH0296725U (ja) * | 1989-01-20 | 1990-08-01 | ||
| JPH08279471A (ja) * | 1996-04-22 | 1996-10-22 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732133B2 (ja) | 1995-04-10 |
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