JPH08279471A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPH08279471A JPH08279471A JP10034496A JP10034496A JPH08279471A JP H08279471 A JPH08279471 A JP H08279471A JP 10034496 A JP10034496 A JP 10034496A JP 10034496 A JP10034496 A JP 10034496A JP H08279471 A JPH08279471 A JP H08279471A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空ポンプに使われている油の吸込口側への
逆拡散を抑え、処理室内を清浄な真空状態とし、これに
よって被排気系の油汚染を少なくすること。油回転ポン
プなどの真空ポンプの吸込口側より微量のパージガスを
処理室の圧力を０．１Torr以下に維持しつつパージし、
油の逆拡散を抑えるようにした 【解決手段】 真空ポンプを真空排気系とする半導体製
造方法において、処理室を到達圧力に排気する過程時に
微量のパージガスを前記処理室の圧力を０．１Ｔorr以
下に維持しつつ前記真空ポンプの上流側よりパージする
ことを特徴とする。
逆拡散を抑え、処理室内を清浄な真空状態とし、これに
よって被排気系の油汚染を少なくすること。油回転ポン
プなどの真空ポンプの吸込口側より微量のパージガスを
処理室の圧力を０．１Torr以下に維持しつつパージし、
油の逆拡散を抑えるようにした 【解決手段】 真空ポンプを真空排気系とする半導体製
造方法において、処理室を到達圧力に排気する過程時に
微量のパージガスを前記処理室の圧力を０．１Ｔorr以
下に維持しつつ前記真空ポンプの上流側よりパージする
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、油回転ポンプなど
の真空ポンプを設けた半導体製造方法に係り、特に被排
気側の油による汚染を防止するのに好適な半導体製造方
法に関する。
の真空ポンプを設けた半導体製造方法に係り、特に被排
気側の油による汚染を防止するのに好適な半導体製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】油を使用する真空ポンプを設けた半導体
製造装置において、真空ポンプからの油の逆拡散による
真空容器の油の汚染を防止するパージ方法が、「真空技
術」（共立出版、１９８５年７月）の「Ｄ．きれいなあ
らびき系」（２０３〜２０７頁）の項に記載されてい
る。この公知文献によるパージ方法は、前記油による汚
染が圧力１３Ｐａ（０.１Ｔorr）を境として、それより
低圧側では急激に高まるので、油回転ポンプの吸込口側
に乾燥窒素のパージを設けて油回転ポンプの吸込口圧力
が１３〜４０Ｐａ（０.１〜０.３Ｔorr）より低くなら
ないようにしたものである。
製造装置において、真空ポンプからの油の逆拡散による
真空容器の油の汚染を防止するパージ方法が、「真空技
術」（共立出版、１９８５年７月）の「Ｄ．きれいなあ
らびき系」（２０３〜２０７頁）の項に記載されてい
る。この公知文献によるパージ方法は、前記油による汚
染が圧力１３Ｐａ（０.１Ｔorr）を境として、それより
低圧側では急激に高まるので、油回転ポンプの吸込口側
に乾燥窒素のパージを設けて油回転ポンプの吸込口圧力
が１３〜４０Ｐａ（０.１〜０.３Ｔorr）より低くなら
ないようにしたものである。
【０００３】図８は上述の公知のパージ方法を適用した
従来の真空装置である。まず真空チャンバ５０を大気圧
状態から排気するには、粗引バルブ５１および油回転ポ
ンプバルブ５２を開いて油回転ポンプ５３により粗引を
始める。このとき真空チャンバ５０に油回転ポンプ５３
の油が逆拡散しないように真空チャンバパージバルブ５
５を開き、パージガス源（図示せず）からのパージガス
を配管５６を通して真空チャンバ５０にパージし、真空
チャンバ５０の圧力が４０Ｐａ（０.３Ｔorr）以下にな
らないようにする。４０Ｐａ近傍の圧力で油回転ポンプ
バルブ５２、真空チャンバパージバルブ５５を閉じ、ソ
ープションポンプバルブ５８を開いてソープションポン
プ５９によりさらに低い圧力まで粗引を行なう。
従来の真空装置である。まず真空チャンバ５０を大気圧
状態から排気するには、粗引バルブ５１および油回転ポ
ンプバルブ５２を開いて油回転ポンプ５３により粗引を
始める。このとき真空チャンバ５０に油回転ポンプ５３
の油が逆拡散しないように真空チャンバパージバルブ５
５を開き、パージガス源（図示せず）からのパージガス
を配管５６を通して真空チャンバ５０にパージし、真空
チャンバ５０の圧力が４０Ｐａ（０.３Ｔorr）以下にな
らないようにする。４０Ｐａ近傍の圧力で油回転ポンプ
バルブ５２、真空チャンバパージバルブ５５を閉じ、ソ
ープションポンプバルブ５８を開いてソープションポン
プ５９によりさらに低い圧力まで粗引を行なう。
【０００４】そして配管６０により真空チャンバ５０に
連通する主排気ポンプ（図示せず）の作動圧力領域とな
ったら粗引バルブ５１を閉じて配管６０を通して主排気
ポンプから排気をするというものである。さらにバルブ
等の誤操作により油回転ポンプ５３の油が逆拡散して真
空チャンバ５０を汚染しないように、油回転ポンプパー
ジ配管６１よりパージガスを流しておいて油回転ポンプ
５３の吸込口圧力が１３Ｐａ（０.１Ｔorr）以上になる
ようにしておくことが望ましい。なお図８において、６
２はポンプ吐出管である。
連通する主排気ポンプ（図示せず）の作動圧力領域とな
ったら粗引バルブ５１を閉じて配管６０を通して主排気
ポンプから排気をするというものである。さらにバルブ
等の誤操作により油回転ポンプ５３の油が逆拡散して真
空チャンバ５０を汚染しないように、油回転ポンプパー
ジ配管６１よりパージガスを流しておいて油回転ポンプ
５３の吸込口圧力が１３Ｐａ（０.１Ｔorr）以上になる
ようにしておくことが望ましい。なお図８において、６
２はポンプ吐出管である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで近時半導体の
高集積度化に伴って半導体製造装置において、真空チャ
ンバ内の排気に用いる真空ポンプの油の逆拡散によるウ
エハの汚染に起因する不良が問題になっている。特に到
達圧力近傍で作動している油回転ポンプでは、油の逆拡
散が激しく発生している。この油汚染の発生源である油
回転ポンプの油の逆拡散の量を低減させれば、油汚染に
よる半導体の不良率を低減させることができる。しかし
上記従来のパージ方法では、油回転ポンプ５３の油の真
空チャンバ５０内への逆拡散による油汚染を抑えるとい
うことで油回転ポンプ５３の吸込口圧力をパージにより
１３Ｐａ（０.１Ｔorr）以上と高くしている。これでは
半導体製造プロセスにおいて、不必要なガスを排除した
後の真空チャンバ５０内の圧力が高くなり、油回転ポン
プ５３を使用して真空チャンバ５０内を１３Ｐａ（０.
１Ｔorr）より低い高清浄な環境にすることができない
という問題があった。
高集積度化に伴って半導体製造装置において、真空チャ
ンバ内の排気に用いる真空ポンプの油の逆拡散によるウ
エハの汚染に起因する不良が問題になっている。特に到
達圧力近傍で作動している油回転ポンプでは、油の逆拡
散が激しく発生している。この油汚染の発生源である油
回転ポンプの油の逆拡散の量を低減させれば、油汚染に
よる半導体の不良率を低減させることができる。しかし
上記従来のパージ方法では、油回転ポンプ５３の油の真
空チャンバ５０内への逆拡散による油汚染を抑えるとい
うことで油回転ポンプ５３の吸込口圧力をパージにより
１３Ｐａ（０.１Ｔorr）以上と高くしている。これでは
半導体製造プロセスにおいて、不必要なガスを排除した
後の真空チャンバ５０内の圧力が高くなり、油回転ポン
プ５３を使用して真空チャンバ５０内を１３Ｐａ（０.
１Ｔorr）より低い高清浄な環境にすることができない
という問題があった。
【０００６】本発明の目的は、油回転ポンプなどの真空
ポンプの吸込口側より微量のパージガスを処理室の圧力
を０．１Torr以下に維持しつつパージし、油の逆拡散を
抑えるようにした半導体製造装置を提供することにあ
る。
ポンプの吸込口側より微量のパージガスを処理室の圧力
を０．１Torr以下に維持しつつパージし、油の逆拡散を
抑えるようにした半導体製造装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的達成のため、
本発明は、真空ポンプを真空排気系とする半導体製造方
法において、処理室を到達圧力に排気する過程時に微量
のパージガスを前記真空ポンプの上流側よりパージする
ことを特徴とするものである。上述の構成によれば、処
理室を油回転ポンプなどの真空ポンプで到達圧力まで排
気する過程時に、真空ポンプに使われている油の吸込口
側への逆拡散を抑えるのに十分な最小量のパージガス
が、処理室の圧力を０．１Ｔorr以下に維持しつつ真空
ポンプ上流側より微少流量供給機構を通ってパージされ
る。このときのパージ量は従来のパージ量の約数十分の
一程度となり、真空排気系の到達圧力にほとんど影響を
与えず、清浄な真空が得られる。これにより被排気系の
油の汚染の少ない半導体製造装置が得られる。
本発明は、真空ポンプを真空排気系とする半導体製造方
法において、処理室を到達圧力に排気する過程時に微量
のパージガスを前記真空ポンプの上流側よりパージする
ことを特徴とするものである。上述の構成によれば、処
理室を油回転ポンプなどの真空ポンプで到達圧力まで排
気する過程時に、真空ポンプに使われている油の吸込口
側への逆拡散を抑えるのに十分な最小量のパージガス
が、処理室の圧力を０．１Ｔorr以下に維持しつつ真空
ポンプ上流側より微少流量供給機構を通ってパージされ
る。このときのパージ量は従来のパージ量の約数十分の
一程度となり、真空排気系の到達圧力にほとんど影響を
与えず、清浄な真空が得られる。これにより被排気系の
油の汚染の少ない半導体製造装置が得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態例に基づいて説明する。
形態例に基づいて説明する。
【０００９】図１は本発明に係る半導体製造装置１をバ
ッチ減圧ＣＶＤ装置に適用した第１実施例を示したもの
で、半導体製造装置１は、処理室である反応管２と、真
空ポンプである油回転ポンプ３と、ガス供給部５と、パ
ージガス微少流量供給機構６とを備えている。
ッチ減圧ＣＶＤ装置に適用した第１実施例を示したもの
で、半導体製造装置１は、処理室である反応管２と、真
空ポンプである油回転ポンプ３と、ガス供給部５と、パ
ージガス微少流量供給機構６とを備えている。
【００１０】反応管２は、一端開口部をシール部材８を
介してカバー９により閉塞しており、内部にウエハ１０
を導入するように構成されている。油回転ポンプ３は排
気管１１により反応管２の他端に連結されており、排気
管１１には上流側から下流側に向って順次冷却トラップ
１２、主排気バルブ１３およびメカニカルブースタ１５
が配置されている。また冷却トラップ１２、主排気バル
ブ１３間の排気管１１Ａから分岐して主排気バルブ１
３、メカニカルブースタ１５間の排気管１１Ｂに連結さ
れた分岐管１６には補助排気バルブ１８が配置されてい
る。ガス供給部５は配管１９により反応管２の一端に連
結されており、配管１９にはガスバルブ２０が配置され
ている。
介してカバー９により閉塞しており、内部にウエハ１０
を導入するように構成されている。油回転ポンプ３は排
気管１１により反応管２の他端に連結されており、排気
管１１には上流側から下流側に向って順次冷却トラップ
１２、主排気バルブ１３およびメカニカルブースタ１５
が配置されている。また冷却トラップ１２、主排気バル
ブ１３間の排気管１１Ａから分岐して主排気バルブ１
３、メカニカルブースタ１５間の排気管１１Ｂに連結さ
れた分岐管１６には補助排気バルブ１８が配置されてい
る。ガス供給部５は配管１９により反応管２の一端に連
結されており、配管１９にはガスバルブ２０が配置され
ている。
【００１１】パージガス微少流量供給機構６は、パージ
ガス源２１と、該パージガス源２１と排気管１１Ｂとを
連結するパージガス配管２２と、該パージガス配管２２
に配置された微少流量供給流量計２３および微少流量供
給パージバルブ２５とからなっている。
ガス源２１と、該パージガス源２１と排気管１１Ｂとを
連結するパージガス配管２２と、該パージガス配管２２
に配置された微少流量供給流量計２３および微少流量供
給パージバルブ２５とからなっている。
【００１２】なお図１において、配管１１Ａには、リー
クバルブ２６および圧力計２８が連結されており、反応
管２の外周面はヒータ２９により被覆されている。また
油回転ポンプ３には希釈ガスライン３０および吐出管３
１がそれぞれ連結されている。
クバルブ２６および圧力計２８が連結されており、反応
管２の外周面はヒータ２９により被覆されている。また
油回転ポンプ３には希釈ガスライン３０および吐出管３
１がそれぞれ連結されている。
【００１３】つぎに、本発明の第１実施例の作用を説明
する。
する。
【００１４】バッチ式減圧ＣＶＤのサイクルは、ウエハ
１０を反応管２内に導入した後、まず補助排気バルブ１
８を開き次いで主排気バルブ１３を開いて、反応管２内
の空気を排気管１１および分岐管１６を通してメカニカ
ルブースタ１５および油回転ポンプ３により排気する。
つぎにガスバルブ２０を開きガス供給部５から窒素ガス
を配管１９を通して反応管２内に導入して空気と置換す
る。そして補助排気バルブ１８のみを閉じてさらに排気
を行ない、反応ガスをガス供給部５から配管１９を通し
て反応管２内に導入して反応を行なわせ、反応終了後再
び窒素ガスを反応管２内に導入して反応ガスとの置換を
行なう。そして主排気バルブ１３およびガスバルブ２０
を閉じた後、リークバルブ２６を開き大気を反応管２内
に導入して大気圧状態に戻し、ウエハ１０を反応管２外
に搬出するというものである。
１０を反応管２内に導入した後、まず補助排気バルブ１
８を開き次いで主排気バルブ１３を開いて、反応管２内
の空気を排気管１１および分岐管１６を通してメカニカ
ルブースタ１５および油回転ポンプ３により排気する。
つぎにガスバルブ２０を開きガス供給部５から窒素ガス
を配管１９を通して反応管２内に導入して空気と置換す
る。そして補助排気バルブ１８のみを閉じてさらに排気
を行ない、反応ガスをガス供給部５から配管１９を通し
て反応管２内に導入して反応を行なわせ、反応終了後再
び窒素ガスを反応管２内に導入して反応ガスとの置換を
行なう。そして主排気バルブ１３およびガスバルブ２０
を閉じた後、リークバルブ２６を開き大気を反応管２内
に導入して大気圧状態に戻し、ウエハ１０を反応管２外
に搬出するというものである。
【００１５】ウエハ１０を反応管２内に導入後反応管２
内を大気圧状態からメカニカルブースタ１５および油回
転ポンプ３により排気する際、又は反応終了後反応ガス
と窒素ガスとの置換時に反応ガスの供給を停止して反応
ガスを反応管２内より排気する際に、到達圧力近傍で油
の逆拡散が急激に進展して反応管２内を油汚染するた
め、排気の始めよりパージガス微少流量供給機構６の微
少流量供給パージバルブ２５を開きパージガス源２１よ
りパージガス配管２２を通して微少流量供給流量計２３
によりパージガスの流量を確認して微量のパージガスを
流す。このときパージするガスは、反応に影響を与える
ことの少ない不活性ガスが好ましいが、窒素ガスなどで
も十分効果があり、実験の結果では分子量の大きいガス
程効果が大きいことが表１で示すように立証されてい
る。
内を大気圧状態からメカニカルブースタ１５および油回
転ポンプ３により排気する際、又は反応終了後反応ガス
と窒素ガスとの置換時に反応ガスの供給を停止して反応
ガスを反応管２内より排気する際に、到達圧力近傍で油
の逆拡散が急激に進展して反応管２内を油汚染するた
め、排気の始めよりパージガス微少流量供給機構６の微
少流量供給パージバルブ２５を開きパージガス源２１よ
りパージガス配管２２を通して微少流量供給流量計２３
によりパージガスの流量を確認して微量のパージガスを
流す。このときパージするガスは、反応に影響を与える
ことの少ない不活性ガスが好ましいが、窒素ガスなどで
も十分効果があり、実験の結果では分子量の大きいガス
程効果が大きいことが表１で示すように立証されてい
る。
【００１６】
【表１】
【００１７】図２は窒素ガスをパージしたときの反応管
２内の到達圧力近傍での四重極質量分析器で計測した残
留ガススペクトルを示したもので、縦軸はイオン電流
値、横軸は質量数である。得られたスペクトルは、空気
の残留ガススペクトルで、きわめて清浄な状態が得られ
たことがわかる。
２内の到達圧力近傍での四重極質量分析器で計測した残
留ガススペクトルを示したもので、縦軸はイオン電流
値、横軸は質量数である。得られたスペクトルは、空気
の残留ガススペクトルで、きわめて清浄な状態が得られ
たことがわかる。
【００１８】図３は微少流量のパージをやめたときの反
応管２内の残留ガススペクトルである。油回転ポンプ３
に使用されている油の成分（炭化水素系）によるピーク
が質量数３９以上に多数検出されており、反応管２内の
油汚染が著しく進展していることがわかる。
応管２内の残留ガススペクトルである。油回転ポンプ３
に使用されている油の成分（炭化水素系）によるピーク
が質量数３９以上に多数検出されており、反応管２内の
油汚染が著しく進展していることがわかる。
【００１９】図４は窒素ガスをパージしたときのパージ
ガスの量と残留ガス成分の検出ピークの変化、油回転ポ
ンプ吸込口圧力（以下、単に吸込口圧力という）の変化
を示したものである。左側の縦軸は残留ガスの検出ピー
クに対するイオン電流値で右側の縦軸は吸込口圧力、横
軸はパージ量を表わしている。
ガスの量と残留ガス成分の検出ピークの変化、油回転ポ
ンプ吸込口圧力（以下、単に吸込口圧力という）の変化
を示したものである。左側の縦軸は残留ガスの検出ピー
クに対するイオン電流値で右側の縦軸は吸込口圧力、横
軸はパージ量を表わしている。
【００２０】以上を比較すると、わずかな量のパージに
よって油の各成分ごとにみると微少流量のパージを行な
った場合のピークは、パージを行なわない場合の約１／
１００程度となり、十分清浄な真空が得られていること
がわかる。このときパージを行なった量と従来のパージ
量を比較すると、本発明のパージ量が極めてわずかの量
となることがわかる。一例として排気速度が２４０リッ
トル／minの油回転ポンプ３についてパージ量を従来の
方法によるものと本発明によるものとを比較する。
よって油の各成分ごとにみると微少流量のパージを行な
った場合のピークは、パージを行なわない場合の約１／
１００程度となり、十分清浄な真空が得られていること
がわかる。このときパージを行なった量と従来のパージ
量を比較すると、本発明のパージ量が極めてわずかの量
となることがわかる。一例として排気速度が２４０リッ
トル／minの油回転ポンプ３についてパージ量を従来の
方法によるものと本発明によるものとを比較する。
【００２１】油回転ポンプ３の排気速度をＳ、排気量を
Ｑ、吸込口圧力をＰとすると、各々の関係は次式で与え
られる。
Ｑ、吸込口圧力をＰとすると、各々の関係は次式で与え
られる。
【００２２】Ｑ＝ＳＰ ……… (1) Ｓ＝２４０リットル／minとし、従来方法によるパージ
量Ｑ1は、Ｐ＝０.１Ｔorrとすると式(1)より Ｑ1＝０.４Ｔorrリットル／Ｓ≒３２ＳＣＣＭ となり、本発明によるパージ量Ｑ2は図４によると０.６
ＳＣＣＭ（到達圧力７×１０~3Ｔorrのとき）でも十分
に効果があることからＱ2＝０.６ＳＣＣＭとすると従来
の約１／５３となる。このため真空排気系の到達圧力は
従来のパージ方法による圧力０.１Ｔorrよりも低くな
り、かつ清浄な真空が得られる。従って本実施例によれ
ば、比較的少ない装置の改造により油汚染の少ない真空
が得られる。
量Ｑ1は、Ｐ＝０.１Ｔorrとすると式(1)より Ｑ1＝０.４Ｔorrリットル／Ｓ≒３２ＳＣＣＭ となり、本発明によるパージ量Ｑ2は図４によると０.６
ＳＣＣＭ（到達圧力７×１０~3Ｔorrのとき）でも十分
に効果があることからＱ2＝０.６ＳＣＣＭとすると従来
の約１／５３となる。このため真空排気系の到達圧力は
従来のパージ方法による圧力０.１Ｔorrよりも低くな
り、かつ清浄な真空が得られる。従って本実施例によれ
ば、比較的少ない装置の改造により油汚染の少ない真空
が得られる。
【００２３】図５は本発明の第２実施例に係り、半導体
製造装置１をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実
施例である。この実施例では、油回転ポンプ３の上流側
の圧力に応じてパージを行なうパージガス微少流量供給
機構６を自動的に制御する微少流量供給制御機構３５を
設けてある。この機構３５は吸込口圧力をモニタする吸
込口圧力モニタ真空計３６と、微少流量供給パージバル
ブ制御信号線３８とからなっている。
製造装置１をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実
施例である。この実施例では、油回転ポンプ３の上流側
の圧力に応じてパージを行なうパージガス微少流量供給
機構６を自動的に制御する微少流量供給制御機構３５を
設けてある。この機構３５は吸込口圧力をモニタする吸
込口圧力モニタ真空計３６と、微少流量供給パージバル
ブ制御信号線３８とからなっている。
【００２４】そして吸込口圧力が所定の圧力以下になる
と、吸込口圧力モニタ真空計３６がこれを検出し、微少
流量供給パージバルブ２５を開くための信号を微少流量
供給パージバルブ制御信号線３８を通じて微少流量供給
パージバルブ２５へ伝達し、該バルブ２５は開の状態と
なりパージが行なわれる。また吸込口圧力が所定の圧力
より高くなると、吸込口圧力モニタ真空計３６がこれを
検出し、微少流量供給パージバルブ２５を閉じるための
信号を微少流量供給パージバルブ制御信号線３８を通じ
て微少流量供給パージバルブ２５に伝達し、これにより
該バルブ２５は閉状態となる。このように第２実施例で
は、吸込口圧力に応じてパージを自動的に行なうことが
でき装置の信頼性および経済性が向上する。
と、吸込口圧力モニタ真空計３６がこれを検出し、微少
流量供給パージバルブ２５を開くための信号を微少流量
供給パージバルブ制御信号線３８を通じて微少流量供給
パージバルブ２５へ伝達し、該バルブ２５は開の状態と
なりパージが行なわれる。また吸込口圧力が所定の圧力
より高くなると、吸込口圧力モニタ真空計３６がこれを
検出し、微少流量供給パージバルブ２５を閉じるための
信号を微少流量供給パージバルブ制御信号線３８を通じ
て微少流量供給パージバルブ２５に伝達し、これにより
該バルブ２５は閉状態となる。このように第２実施例で
は、吸込口圧力に応じてパージを自動的に行なうことが
でき装置の信頼性および経済性が向上する。
【００２５】図６は本発明の第３実施例に係り、半導体
製造装置１をバッチ減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施
例である。この実施例ではパージガスをパージする機構
において、パージガス源がガス供給部５のガスの一部と
共有になっている。このように本実施例では、パージガ
ス微少流量供給機構６はガス供給部５のガスの一部と共
有になっており、構造が簡単となる。
製造装置１をバッチ減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実施
例である。この実施例ではパージガスをパージする機構
において、パージガス源がガス供給部５のガスの一部と
共有になっている。このように本実施例では、パージガ
ス微少流量供給機構６はガス供給部５のガスの一部と共
有になっており、構造が簡単となる。
【００２６】図７は本発明の第４実施例に係り、半導体
製造装置１をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実
施例である。この実施例ではパージガス微少流量供給機
構６の構成要素のうち、微少流量供給パージバルブ２５
と微少流量供給流量計２３とを一体化した微少流量供給
マスフローコントローラ３９を用いている（この構造お
よび原理は「計測技術」８６，増刊号５５頁〜６２頁に
記載されている）。これによってパージガス微少流量供
給機構６の構造が簡単になる。
製造装置１をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した他の実
施例である。この実施例ではパージガス微少流量供給機
構６の構成要素のうち、微少流量供給パージバルブ２５
と微少流量供給流量計２３とを一体化した微少流量供給
マスフローコントローラ３９を用いている（この構造お
よび原理は「計測技術」８６，増刊号５５頁〜６２頁に
記載されている）。これによってパージガス微少流量供
給機構６の構造が簡単になる。
【００２７】
【発明の効果】上述のとおり、本発明によれば、処理室
を油回転ポンプなどの真空ポンプで到達圧力まで排気す
る過程時、微量のパージガスが前記処理室の圧力を０．
１Ｔorr以下に維持しつつ前記真空ポンプの上流側より
パージされる。従って真空ポンプに使われている油の吸
込口側への逆拡散が抑えられるので、処理室内は清浄な
真空状態となり、これによって被排気系の油の汚染の少
ない半導体製造装置が得られる。
を油回転ポンプなどの真空ポンプで到達圧力まで排気す
る過程時、微量のパージガスが前記処理室の圧力を０．
１Ｔorr以下に維持しつつ前記真空ポンプの上流側より
パージされる。従って真空ポンプに使われている油の吸
込口側への逆拡散が抑えられるので、処理室内は清浄な
真空状態となり、これによって被排気系の油の汚染の少
ない半導体製造装置が得られる。
【図１】本発明の第１実施例に係り、図１は本発明に係
る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した
構成図である。
る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に適用した
構成図である。
【図２】本発明の第１実施例に係り、図２は反応管内の
残留ガススペクトルである。
残留ガススペクトルである。
【図３】本発明の第１実施例に係り、図３はパージを行
なわないときの反応管内の残留ガススペクトルである。
なわないときの反応管内の残留ガススペクトルである。
【図４】本発明の第１実施例に係り、図４はパージガス
の量と残留ガスの成分の検出ピークの変化とポンプ吸込
口圧力の変化との関係図である。
の量と残留ガスの成分の検出ピークの変化とポンプ吸込
口圧力の変化との関係図である。
【図５】本発明の第２実施例から第４実施例に係り、本
発明に係る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に
適用した他の実施例の構成図である。
発明に係る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に
適用した他の実施例の構成図である。
【図６】本発明の第２実施例から第４実施例に係り、本
発明に係る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に
適用した他の実施例の構成図である。
発明に係る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に
適用した他の実施例の構成図である。
【図７】本発明の第２実施例から第４実施例に係り、本
発明に係る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に
適用した他の実施例の構成図である。
発明に係る半導体製造装置をバッチ式減圧ＣＶＤ装置に
適用した他の実施例の構成図である。
【図８】従来例のパージ方法を適用した真空装置の構成
図である。
図である。
１ 半導体製造装置 ２ 処理室である反応管 ３ 真空ポンプの一例である油回転ポンプ ６ パージガス微少流量供給機構 ３６ 圧力検出器である吸込口圧力モニタ真空計
Claims (2)
- 【請求項１】 真空ポンプを真空排気系とする半導体製
造方法において、処理室を到達圧力に排気する過程時に
微量のパージガスを前記処理室の圧力を０．１Ｔorr以
下に維持しつつ前記真空ポンプの上流側よりパージする
ことを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項２】 前記真空ポンプの上流側圧力を検出する
圧力検出器を有し、該圧力検出器により前記真空ポンプ
の上流側圧力が、所定圧力以下になればパージを行な
い、所定圧力以上になればパージを停止する特許請求の
範囲第１項記載の半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10034496A JPH08279471A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10034496A JPH08279471A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62121599A Division JPH0732133B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279471A true JPH08279471A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=14271507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10034496A Pending JPH08279471A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08279471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024057590A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 株式会社Kokusai Electric | 排気構造、排気システム、処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6128837A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-08 | Shimadzu Corp | 振動試験機 |
| JPS63285924A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP10034496A patent/JPH08279471A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6128837A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-08 | Shimadzu Corp | 振動試験機 |
| JPS63285924A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024057590A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 株式会社Kokusai Electric | 排気構造、排気システム、処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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