JPH10303090A - 真空容器の制御方式 - Google Patents
真空容器の制御方式Info
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- JPH10303090A JPH10303090A JP9109040A JP10904097A JPH10303090A JP H10303090 A JPH10303090 A JP H10303090A JP 9109040 A JP9109040 A JP 9109040A JP 10904097 A JP10904097 A JP 10904097A JP H10303090 A JPH10303090 A JP H10303090A
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- vacuum
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 40
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 36
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 34
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 19
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 材料へのパーティクルの付着を防止し、ま
た、クリーンルームの汚染を防止することができる真空
容器の制御方式を実現する。 【解決手段】 真空容器１内の圧力は窒素ガスの供給に
より上昇し、真空容器１内の圧力が大気圧となると、セ
ンサ１３からの信号に基づいて制御回路１４はバルブ１
１を閉じ、真空容器１内への窒素ガスの吐出を停止す
る。この時、大気圧センサ１３は、真空容器１内の圧力
が外圧に対して多少陽圧になるように調整されている。
バルブ１１を閉じた後、バルブ２０を開け、数秒間真空
容器１内を大気に開放する。この結果、真空容器１内が
陽圧になっている分、外部へドライ窒素ガスが放出され
る。この排出ガスにはパーティクルが含まれている可能
性が高いので、排出ガスは、排気口１９よりクリーンル
ーム外に排出される。
た、クリーンルームの汚染を防止することができる真空
容器の制御方式を実現する。 【解決手段】 真空容器１内の圧力は窒素ガスの供給に
より上昇し、真空容器１内の圧力が大気圧となると、セ
ンサ１３からの信号に基づいて制御回路１４はバルブ１
１を閉じ、真空容器１内への窒素ガスの吐出を停止す
る。この時、大気圧センサ１３は、真空容器１内の圧力
が外圧に対して多少陽圧になるように調整されている。
バルブ１１を閉じた後、バルブ２０を開け、数秒間真空
容器１内を大気に開放する。この結果、真空容器１内が
陽圧になっている分、外部へドライ窒素ガスが放出され
る。この排出ガスにはパーティクルが含まれている可能
性が高いので、排出ガスは、排気口１９よりクリーンル
ーム外に排出される。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、電子ビーム描画装置や
半導体試料を検査する走査電子顕微鏡等に用いて最適な
真空容器の制御方式に関する。
半導体試料を検査する走査電子顕微鏡等に用いて最適な
真空容器の制御方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置や半導体試料を検査
する走査電子顕微鏡では、被描画材料や試料材料を真空
容器の中に搬入する必要がある。そして、材料に対して
微細なパターンの描画を電子ビームで行ったり、材料試
料の検査を電子ビームを照射して行っている。
する走査電子顕微鏡では、被描画材料や試料材料を真空
容器の中に搬入する必要がある。そして、材料に対して
微細なパターンの描画を電子ビームで行ったり、材料試
料の検査を電子ビームを照射して行っている。
【０００３】このような電子ビーム描画装置や検査走査
電子顕微鏡は、通常クリーンルームの中に配置され、装
置への材料の搬入は、クリーンルーム内で装置の真空容
器内（例えば材料交換室）に対して行われる。
電子顕微鏡は、通常クリーンルームの中に配置され、装
置への材料の搬入は、クリーンルーム内で装置の真空容
器内（例えば材料交換室）に対して行われる。
【０００４】この真空容器内への材料の搬入や搬出の際
に、被描画材料に塵等のパーティクルが付着すると、描
画の欠陥となったり、また、材料試料に新たなパーティ
クルが付着すると、真の検査の妨げとなる。また、真空
容器内で発生したパーティクルがクリーンルーム内に発
散されるとクリーンルーム内が汚染されて好ましくな
い。
に、被描画材料に塵等のパーティクルが付着すると、描
画の欠陥となったり、また、材料試料に新たなパーティ
クルが付着すると、真の検査の妨げとなる。また、真空
容器内で発生したパーティクルがクリーンルーム内に発
散されるとクリーンルーム内が汚染されて好ましくな
い。
【０００５】図１は従来の真空容器内への材料の搬入と
搬出を行う系を示している。図中１は電子ビーム描画装
置や走査電子顕微鏡の材料交換室として使用される真空
容器である。真空容器１の端部には材料搬入口２が設け
られており、この搬入口２の部分には開閉可能なゲート
バルブ３が取り付けられている。図で実線の状態がゲー
トバルブが閉じられている状態であり、Ｏリング４によ
り真空容器１の気密性が保たれる。
搬出を行う系を示している。図中１は電子ビーム描画装
置や走査電子顕微鏡の材料交換室として使用される真空
容器である。真空容器１の端部には材料搬入口２が設け
られており、この搬入口２の部分には開閉可能なゲート
バルブ３が取り付けられている。図で実線の状態がゲー
トバルブが閉じられている状態であり、Ｏリング４によ
り真空容器１の気密性が保たれる。
【０００６】ゲートバルブ３が点線で示すように開けら
れると真空容器外部からウエハのごとき材料５が真空容
器１内に搬入される。真空容器１の下部には排気管６が
取り付けられており、排気管６は真空ポンプ７に接続さ
れていると共に、その途中にはバルブ８が設けられてい
る。
れると真空容器外部からウエハのごとき材料５が真空容
器１内に搬入される。真空容器１の下部には排気管６が
取り付けられており、排気管６は真空ポンプ７に接続さ
れていると共に、その途中にはバルブ８が設けられてい
る。
【０００７】また、真空容器１の下部には、管９が取り
付けられており、管９は窒素ガス容器１０に接続されて
いる。この管９の途中には、バルブ１１とフィルタ１２
が設けられている。
付けられており、管９は窒素ガス容器１０に接続されて
いる。この管９の途中には、バルブ１１とフィルタ１２
が設けられている。
【０００８】更に、真空容器１には大気圧センサ１３が
取り付けられており、このセンサ１３により真空容器１
内の圧力がモニタされる。このセンサ１３、ゲートバル
ブ３、バルブ８、バルブ１１は、シーケンサやコンピュ
ータ等の制御回路１４に接続されている。このような構
成の動作を次に説明する。
取り付けられており、このセンサ１３により真空容器１
内の圧力がモニタされる。このセンサ１３、ゲートバル
ブ３、バルブ８、バルブ１１は、シーケンサやコンピュ
ータ等の制御回路１４に接続されている。このような構
成の動作を次に説明する。
【０００９】まず真空容器１内に材料５を搬入する場
合、ゲートバルブ３が開けられるが、その際、バルブ８
と１１は閉じられている。材料５が真空容器１内に搬入
された後、ゲートバルブ３が閉じられ、その後、バルブ
８を開けて真空ポンプ７により真空容器１内を真空引き
する。
合、ゲートバルブ３が開けられるが、その際、バルブ８
と１１は閉じられている。材料５が真空容器１内に搬入
された後、ゲートバルブ３が閉じられ、その後、バルブ
８を開けて真空ポンプ７により真空容器１内を真空引き
する。
【００１０】次に、材料５を真空容器１内から搬出する
場合、まずバルブ８を閉じバルブ１１を開ける。バルブ
１１を開けると加圧されたドライ窒素ガスが窒素ガス容
器１０から真空容器１内に吐出する。この際、窒素ガス
が真空容器１内に入る前に、ガスはフィルタ１２を通過
することから、配管９内で発生し窒素ガスに含まれてい
るパーティクルはこのフィルタ１２によって取り除かれ
る。
場合、まずバルブ８を閉じバルブ１１を開ける。バルブ
１１を開けると加圧されたドライ窒素ガスが窒素ガス容
器１０から真空容器１内に吐出する。この際、窒素ガス
が真空容器１内に入る前に、ガスはフィルタ１２を通過
することから、配管９内で発生し窒素ガスに含まれてい
るパーティクルはこのフィルタ１２によって取り除かれ
る。
【００１１】真空容器１内の圧力は窒素ガスの供給によ
り上昇し、真空容器１内の圧力が大気圧となると、セン
サ１３からの信号に基づいて制御回路１４はバルブ１１
を閉じ、真空容器１内への窒素ガスの吐出を停止する。
この後、材料５は真空容器１内から搬出される。
り上昇し、真空容器１内の圧力が大気圧となると、セン
サ１３からの信号に基づいて制御回路１４はバルブ１１
を閉じ、真空容器１内への窒素ガスの吐出を停止する。
この後、材料５は真空容器１内から搬出される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記した構成で、大気
圧センサ１３の調整によっては、真空容器１内が大気圧
と異なる圧力であってもセンサ１３から制御回路に大気
圧信号が供給され、実際には、真空容器１内が大気圧に
対して陽圧であったり負圧であったりする。
圧センサ１３の調整によっては、真空容器１内が大気圧
と異なる圧力であってもセンサ１３から制御回路に大気
圧信号が供給され、実際には、真空容器１内が大気圧に
対して陽圧であったり負圧であったりする。
【００１３】陽圧になってしまった場合、ゲートバルブ
３を開けたときに、真空容器１のドライ窒素ガスが一気
に外部に放出され、その際に一緒に真空容器内のパーテ
ィクルも放出される。そのため、放出されたパーティク
ルにより、真空容器１が設置されたクリーンルームを汚
染したり、真空容器１の周囲に置かれている他の材料
（ウエハ）を汚染する。
３を開けたときに、真空容器１のドライ窒素ガスが一気
に外部に放出され、その際に一緒に真空容器内のパーテ
ィクルも放出される。そのため、放出されたパーティク
ルにより、真空容器１が設置されたクリーンルームを汚
染したり、真空容器１の周囲に置かれている他の材料
（ウエハ）を汚染する。
【００１４】逆に、真空容器１が負圧の場合は、ゲート
バルブ３を開けたときに、外気が一気に真空容器１内に
流れ込み、材料を汚染する可能性が高い。また、材料を
真空容器１内に搬入するとき、一緒に外気に存在する水
蒸気を入れてしまう。この水蒸気が混在した状態で真空
ポンプ７により真空引きを行うと、一瞬の断熱膨脹作用
により、水蒸気が真空容器１に存在する微小のパーティ
クルを核にして凝縮し、微小な水の粒となる。この水の
粒が材料５上に付着して乾燥すると、核となっていたパ
ーティクルが材料５上に付着することになる。
バルブ３を開けたときに、外気が一気に真空容器１内に
流れ込み、材料を汚染する可能性が高い。また、材料を
真空容器１内に搬入するとき、一緒に外気に存在する水
蒸気を入れてしまう。この水蒸気が混在した状態で真空
ポンプ７により真空引きを行うと、一瞬の断熱膨脹作用
により、水蒸気が真空容器１に存在する微小のパーティ
クルを核にして凝縮し、微小な水の粒となる。この水の
粒が材料５上に付着して乾燥すると、核となっていたパ
ーティクルが材料５上に付着することになる。
【００１５】更に、ドライ窒素ガスの吐出口が材料５よ
りも下にあるために、真空容器１の底に溜まっているパ
ーティクルを舞い上げ、材料へのパーティクルの付着の
可能性がより増すことにもなる。
りも下にあるために、真空容器１の底に溜まっているパ
ーティクルを舞い上げ、材料へのパーティクルの付着の
可能性がより増すことにもなる。
【００１６】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、材料へのパーティクルの付着を防
止し、また、クリーンルームの汚染を防止することがで
きる真空容器の制御方式を実現するにある。
もので、その目的は、材料へのパーティクルの付着を防
止し、また、クリーンルームの汚染を防止することがで
きる真空容器の制御方式を実現するにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく真空
容器の制御方式は、真空容器と、真空容器内を第１のバ
ルブを介して排気する排気手段と、真空容器内に第２の
バルブを介して特定ガスを供給するガス供給手段と、真
空容器内を第３のバルブを介して大気に開放するための
大気開放手段と、真空容器内の圧力を検出する圧力検出
手段と、圧力検出手段からの信号が供給されると共に各
バルブの制御を行う制御手段とを備えており、真空容器
内を排気手段で排気した後、真空容器内を大気圧に戻す
際、第２のバルブを開け、真空容器内に特定ガスを供給
し、圧力検出手段により、真空容器内の圧力が大気圧よ
り若干陽圧となった後に、第３のバルブを開けるように
制御するようにしたことを特徴としている。
容器の制御方式は、真空容器と、真空容器内を第１のバ
ルブを介して排気する排気手段と、真空容器内に第２の
バルブを介して特定ガスを供給するガス供給手段と、真
空容器内を第３のバルブを介して大気に開放するための
大気開放手段と、真空容器内の圧力を検出する圧力検出
手段と、圧力検出手段からの信号が供給されると共に各
バルブの制御を行う制御手段とを備えており、真空容器
内を排気手段で排気した後、真空容器内を大気圧に戻す
際、第２のバルブを開け、真空容器内に特定ガスを供給
し、圧力検出手段により、真空容器内の圧力が大気圧よ
り若干陽圧となった後に、第３のバルブを開けるように
制御するようにしたことを特徴としている。
【００１８】第１の発明では、真空容器内を大気圧に戻
す際、真空容器内に特定ガスを供給し、圧力検出手段に
より、真空容器内の圧力が大気圧より若干陽圧となった
後に、真空容器内を大気に開放する。このことによっ
て、真空容器を大気に開放した際に、真空容器外からの
大気の吸い込みや吐出現象がなくなり、真空容器内での
パーティクルの発生が著しく低減する。
す際、真空容器内に特定ガスを供給し、圧力検出手段に
より、真空容器内の圧力が大気圧より若干陽圧となった
後に、真空容器内を大気に開放する。このことによっ
て、真空容器を大気に開放した際に、真空容器外からの
大気の吸い込みや吐出現象がなくなり、真空容器内での
パーティクルの発生が著しく低減する。
【００１９】第２の発明に基づく真空容器の制御方式
は、大気開放手段は真空容器内のガスの排出速度を制限
する絞り弁が設けられていることを特徴としている。第
２の発明では、大気開放手段に絞り弁を設け、真空容器
内を大気に開放する際、真空容器内から大気へのガスの
排出速度を制御して、真空容器内のパーティクルの舞い
上がりを少なくする。
は、大気開放手段は真空容器内のガスの排出速度を制限
する絞り弁が設けられていることを特徴としている。第
２の発明では、大気開放手段に絞り弁を設け、真空容器
内を大気に開放する際、真空容器内から大気へのガスの
排出速度を制御して、真空容器内のパーティクルの舞い
上がりを少なくする。
【００２０】第３の発明に基づく真空容器の制御方式
は、大気開放手段に真空容器内へのガスの逆流を阻止す
る逆止弁が設けられていることを特徴としている。第３
の発明では、大気開放手段に逆止弁を設け、真空容器内
への大気の逆流を防止する。
は、大気開放手段に真空容器内へのガスの逆流を阻止す
る逆止弁が設けられていることを特徴としている。第３
の発明では、大気開放手段に逆止弁を設け、真空容器内
への大気の逆流を防止する。
【００２１】第４の発明に基づく真空容器の制御方式
は、真空容器はクリーンルーム内に設けられ、大気開放
手段の排気口は、クリーンルーム外に設けられているこ
とを特徴としている。
は、真空容器はクリーンルーム内に設けられ、大気開放
手段の排気口は、クリーンルーム外に設けられているこ
とを特徴としている。
【００２２】第４の発明では、大気開放手段の排気口を
クリーンルーム外に設け、パーティクルを含んだ真空容
器内の排出ガスをクリーンルーム内に放出しない。
クリーンルーム外に設け、パーティクルを含んだ真空容
器内の排出ガスをクリーンルーム内に放出しない。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図２は本発明を実施するた
めの真空容器の制御装置の一例を示しており、図１の従
来装置と同一ないしは類似の構成要素には同一番号が付
してある。
施の形態を詳細に説明する。図２は本発明を実施するた
めの真空容器の制御装置の一例を示しており、図１の従
来装置と同一ないしは類似の構成要素には同一番号が付
してある。
【００２４】図２において、１は電子ビーム描画装置や
走査電子顕微鏡の材料交換室として使用される真空容器
である。真空容器１の端部には材料搬入口２が設けられ
ており、この搬入口２の部分には開閉可能なゲートバル
ブ３が取り付けられている。図で実線の状態がゲートバ
ルブが閉じられている状態であり、Ｏリング４により真
空容器１の気密性が保たれる。
走査電子顕微鏡の材料交換室として使用される真空容器
である。真空容器１の端部には材料搬入口２が設けられ
ており、この搬入口２の部分には開閉可能なゲートバル
ブ３が取り付けられている。図で実線の状態がゲートバ
ルブが閉じられている状態であり、Ｏリング４により真
空容器１の気密性が保たれる。
【００２５】ゲートバルブ３が点線で示すように開けら
れると真空容器外部からウエハのごとき材料５が真空容
器１内に搬入される。真空容器１の下部には排気管６が
取り付けられており、排気管６は真空ポンプ７に接続さ
れていると共に、その途中にはバルブ８が設けられてい
る。
れると真空容器外部からウエハのごとき材料５が真空容
器１内に搬入される。真空容器１の下部には排気管６が
取り付けられており、排気管６は真空ポンプ７に接続さ
れていると共に、その途中にはバルブ８が設けられてい
る。
【００２６】真空容器１の内部の材料５の上部には、ド
ライ窒素ガスの吹きだし口としてのフィルタ１５が配置
されている。フィルタ１５は配管１６を介して窒素ガス
容器１０に接続されている。この配管１６の途中には、
バルブ１１が設けられている。
ライ窒素ガスの吹きだし口としてのフィルタ１５が配置
されている。フィルタ１５は配管１６を介して窒素ガス
容器１０に接続されている。この配管１６の途中には、
バルブ１１が設けられている。
【００２７】また、真空容器１には、配管１７が取り付
けられており、この配管１７はクリーンルームの隔壁１
８を貫通してクリーンルームの外側に設けられた排気口
１９に接続されている。配管１７にはバルブ２０、絞り
弁２１、逆止弁２２が取り付けられている。
けられており、この配管１７はクリーンルームの隔壁１
８を貫通してクリーンルームの外側に設けられた排気口
１９に接続されている。配管１７にはバルブ２０、絞り
弁２１、逆止弁２２が取り付けられている。
【００２８】更に、真空容器１には大気圧センサ１３が
取り付けられており、このセンサ１３により真空容器１
内の圧力がモニタされる。このセンサ１３、ゲートバル
ブ３、バルブ８、バルブ１１、バルブ２０は、シーケン
サやコンピュータ等の制御回路１４に接続されている。
このような構成の動作を図３と図４の流れ図を参照して
次に説明する。
取り付けられており、このセンサ１３により真空容器１
内の圧力がモニタされる。このセンサ１３、ゲートバル
ブ３、バルブ８、バルブ１１、バルブ２０は、シーケン
サやコンピュータ等の制御回路１４に接続されている。
このような構成の動作を図３と図４の流れ図を参照して
次に説明する。
【００２９】図３は真空容器１内の真空引きを行う際の
流れを示している。まず真空容器１内に材料５を搬入す
る場合、ゲートバルブ３が開けられているが、その際、
バルブ８、１１、２０は閉じられている。材料５が真空
容器１内に搬入された後（スタート）、ゲートバルブ３
が閉じられ、そして、バルブ２０が開けられる。
流れを示している。まず真空容器１内に材料５を搬入す
る場合、ゲートバルブ３が開けられているが、その際、
バルブ８、１１、２０は閉じられている。材料５が真空
容器１内に搬入された後（スタート）、ゲートバルブ３
が閉じられ、そして、バルブ２０が開けられる。
【００３０】その後、バルブ１１を開け加圧されたドラ
イ窒素ガスを窒素ガス容器１０から真空容器１内に吐出
する。この作用により、ドライ窒素ガスは混入した大気
と共に配管１７を通り、排気口１９よりクリーンルーム
外に排出される。この結果、真空容器１内に混入した大
気は窒素ガスと置換される。なお、ドライ窒素ガスは、
フィルタ１５が材料５の真上に配置されているので、材
料５表面には、直接清浄なドライ窒素ガスが降り注ぐよ
うになっている。
イ窒素ガスを窒素ガス容器１０から真空容器１内に吐出
する。この作用により、ドライ窒素ガスは混入した大気
と共に配管１７を通り、排気口１９よりクリーンルーム
外に排出される。この結果、真空容器１内に混入した大
気は窒素ガスと置換される。なお、ドライ窒素ガスは、
フィルタ１５が材料５の真上に配置されているので、材
料５表面には、直接清浄なドライ窒素ガスが降り注ぐよ
うになっている。
【００３１】この窒素ガスの置換の動作は数秒間行われ
る。そして、真空容器内の水蒸気を含んだ大気がドライ
窒素ガスと置換された後、バルブ８を開けて真空ポンプ
７により真空容器１内を真空引きする。この時、バルブ
１１と２０は閉じられる。このようにして、真空容器１
内の真空引きが行われる。
る。そして、真空容器内の水蒸気を含んだ大気がドライ
窒素ガスと置換された後、バルブ８を開けて真空ポンプ
７により真空容器１内を真空引きする。この時、バルブ
１１と２０は閉じられる。このようにして、真空容器１
内の真空引きが行われる。
【００３２】次に、真空容器１内を大気圧に戻し、材料
５を真空容器１内から搬出する流れを図４を参照して説
明する。まずバルブ８を閉じバルブ１１を開ける。バル
ブ１１を開けると加圧されたドライ窒素ガスが窒素ガス
容器１０から真空容器１内に吐出する。この際、窒素ガ
スが真空容器１内に入る前に、ガスはフィルタ１５を通
過することから、配管１６内で発生し窒素ガスと含まれ
ているパーティクルはこのフィルタ１５によって取り除
かれる。
５を真空容器１内から搬出する流れを図４を参照して説
明する。まずバルブ８を閉じバルブ１１を開ける。バル
ブ１１を開けると加圧されたドライ窒素ガスが窒素ガス
容器１０から真空容器１内に吐出する。この際、窒素ガ
スが真空容器１内に入る前に、ガスはフィルタ１５を通
過することから、配管１６内で発生し窒素ガスと含まれ
ているパーティクルはこのフィルタ１５によって取り除
かれる。
【００３３】真空容器１内の圧力は窒素ガスの供給によ
り上昇し、真空容器１内の圧力が大気圧となると、セン
サ１３からの信号に基づいて制御回路１４はバルブ１１
を閉じ、真空容器１内への窒素ガスの吐出を停止する。
この時、大気圧センサ１３は、真空容器１内の圧力が外
圧に対して多少陽圧になった時を検出するように調整さ
れている。
り上昇し、真空容器１内の圧力が大気圧となると、セン
サ１３からの信号に基づいて制御回路１４はバルブ１１
を閉じ、真空容器１内への窒素ガスの吐出を停止する。
この時、大気圧センサ１３は、真空容器１内の圧力が外
圧に対して多少陽圧になった時を検出するように調整さ
れている。
【００３４】バルブ１１を閉じた後、バルブ２０を開
け、数秒間真空容器１内を大気に開放する。この結果、
真空容器１内が陽圧になっている分、外部へドライ窒素
ガスが放出される。この排出ガスにはパーティクルが含
まれている可能性が高いので、排出ガスは、排気口１９
よりクリーンルーム外に排出される。
け、数秒間真空容器１内を大気に開放する。この結果、
真空容器１内が陽圧になっている分、外部へドライ窒素
ガスが放出される。この排出ガスにはパーティクルが含
まれている可能性が高いので、排出ガスは、排気口１９
よりクリーンルーム外に排出される。
【００３５】この窒素ガスの放出に当たっては、真空容
器１内でパーティクルが舞い上がるのを防ぐため、配管
１７に設けられた絞り弁２１により、ガスがゆっくり排
出されるようにしている。また、ドライ窒素ガスを排出
後、排出ガスが真空容器１内に逆流しないように、配管
１７には逆止弁２２が設けられいる。
器１内でパーティクルが舞い上がるのを防ぐため、配管
１７に設けられた絞り弁２１により、ガスがゆっくり排
出されるようにしている。また、ドライ窒素ガスを排出
後、排出ガスが真空容器１内に逆流しないように、配管
１７には逆止弁２２が設けられいる。
【００３６】このようにして、真空容器１内が大気圧と
された後、バルブ２０は閉じられ、ゲートバルブ３が開
けられて材料５は真空容器１内から搬出される。以上本
発明の一実施形態を説明したが、本発明はこの実施の形
態に限定されない。例えば、窒素置換動作の時に、ドラ
イ窒素ガスの流量を最大にして、同時に大気開放バルブ
を開にする動作で、真空室内のセルフクリーニングを可
能とするようにしても良い。また、この際、大気開放バ
ルブを閉にした状態で、ドライ窒素ガス流量と同等の排
気スピードにより、真空ポンプで真空容器内を排気して
も良い。
された後、バルブ２０は閉じられ、ゲートバルブ３が開
けられて材料５は真空容器１内から搬出される。以上本
発明の一実施形態を説明したが、本発明はこの実施の形
態に限定されない。例えば、窒素置換動作の時に、ドラ
イ窒素ガスの流量を最大にして、同時に大気開放バルブ
を開にする動作で、真空室内のセルフクリーニングを可
能とするようにしても良い。また、この際、大気開放バ
ルブを閉にした状態で、ドライ窒素ガス流量と同等の排
気スピードにより、真空ポンプで真空容器内を排気して
も良い。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明では、
真空容器内を大気圧に戻す際、真空容器内に特定ガスを
供給し、圧力検出手段により、真空容器内の圧力が大気
圧より若干陽圧となった後に、真空容器内を大気に開放
するように構成した。この結果、真空容器を大気に開放
した際に、真空容器外からの大気の吸い込みや吐出現象
がなくなり、真空容器内でのパーティクルの発生が著し
く低減され、真空容器内に配置されているウエハ等の材
料を汚染することは防止される。
真空容器内を大気圧に戻す際、真空容器内に特定ガスを
供給し、圧力検出手段により、真空容器内の圧力が大気
圧より若干陽圧となった後に、真空容器内を大気に開放
するように構成した。この結果、真空容器を大気に開放
した際に、真空容器外からの大気の吸い込みや吐出現象
がなくなり、真空容器内でのパーティクルの発生が著し
く低減され、真空容器内に配置されているウエハ等の材
料を汚染することは防止される。
【００３８】第２の発明では、大気開放手段に絞り弁を
設け、真空容器内を大気に開放する際、真空容器内から
大気へのガスの排出速度を制御するようにしたので、真
空容器内のパーティクルの舞い上がりを少なくし、材料
の汚染を防止することができる。
設け、真空容器内を大気に開放する際、真空容器内から
大気へのガスの排出速度を制御するようにしたので、真
空容器内のパーティクルの舞い上がりを少なくし、材料
の汚染を防止することができる。
【００３９】第３の発明では、大気開放手段に逆止弁を
設けたので、真空容器内への大気の逆流を防止し、汚れ
た大気が真空容器内に混入することを防ぐことができ
る。第４の発明では、大気開放手段の排気口をクリーン
ルーム外に設け、パーティクルを含んだ真空容器内の排
出ガスをクリーンルーム内に放出しないようにしたの
で、クリーンルーム内に存在する他のウエハ材料などの
汚染を防止することができる。
設けたので、真空容器内への大気の逆流を防止し、汚れ
た大気が真空容器内に混入することを防ぐことができ
る。第４の発明では、大気開放手段の排気口をクリーン
ルーム外に設け、パーティクルを含んだ真空容器内の排
出ガスをクリーンルーム内に放出しないようにしたの
で、クリーンルーム内に存在する他のウエハ材料などの
汚染を防止することができる。
【図１】従来の真空容器の制御システムを示す図であ
る。
る。
【図２】本発明に基づく真空容器の制御システムの一例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】真空容器の真空引きの流れを示す図である。
【図４】真空容器内を大気に戻す流れを示す図である。
１ 真空容器 ２ 材料搬入口 ３ ゲートバルブ ５ 材料 ６ 排気管 ７ 真空ポンプ ８，１１，２０ バルブ １０ 窒素ガス容器 １３ 大気圧センサ １４ 制御回路 １５ フィルタ １６，１７ 配管 １８ 隔壁 １９ 排気口 ２１ 絞り弁 ２２ 逆止弁
Claims (4)
- 【請求項１】 真空容器と、真空容器内を第１のバルブ
を介して排気する排気手段と、真空容器内に第２のバル
ブを介して特定ガスを供給するガス供給手段と、真空容
器内を第３のバルブを介して大気に開放するための大気
開放手段と、真空容器内の圧力を検出する圧力検出手段
と、圧力検出手段からの信号が供給されると共に各バル
ブの制御を行う制御手段とを備えており、真空容器内を
排気手段で排気した後、真空容器内を大気圧に戻す際、
第２のバルブを開け、真空容器内に特定ガスを供給し、
圧力検出手段により、真空容器内の圧力が大気圧より若
干陽圧となった後に、第３のバルブを開けるように制御
するようにした真空容器の制御方式。 - 【請求項２】 大気開放手段には真空容器内のガスの排
出速度を制限する絞り弁が設けられている請求項１記載
の真空容器の制御方式。 - 【請求項３】 大気開放手段には真空容器内へのガスの
逆流を阻止する逆止弁が設けられている請求項１記載の
真空容器の制御方式。 - 【請求項４】 真空容器はクリーンルーム内に設けら
れ、大気開放手段の排気口は、クリーンルーム外に設け
られている請求項１記載の真空容器の制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109040A JPH10303090A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 真空容器の制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109040A JPH10303090A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 真空容器の制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303090A true JPH10303090A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14500090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9109040A Withdrawn JPH10303090A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 真空容器の制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303090A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007200648A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム装置 |
| JP2007227250A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査装置の予備排気室を真空排気する方法 |
| JP2020092053A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 日本電子株式会社 | 真空冷却装置及びイオンミリング装置 |
| WO2023098421A1 (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 | 工艺管路系统 |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP9109040A patent/JPH10303090A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007200648A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム装置 |
| JP2007227250A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査装置の予備排気室を真空排気する方法 |
| JP2020092053A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 日本電子株式会社 | 真空冷却装置及びイオンミリング装置 |
| WO2023098421A1 (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 | 工艺管路系统 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |