JP2520592Y2 - 減圧排気装置 - Google Patents

減圧排気装置

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JP2520592Y2
JP2520592Y2 JP1989046776U JP4677689U JP2520592Y2 JP 2520592 Y2 JP2520592 Y2 JP 2520592Y2 JP 1989046776 U JP1989046776 U JP 1989046776U JP 4677689 U JP4677689 U JP 4677689U JP 2520592 Y2 JP2520592 Y2 JP 2520592Y2
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decompression
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久晴 清田
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Description

【考案の詳細な説明】 以下の順序に従って本考案を説明する。
A.産業上の利用分野 B.考案の概要 C.従来技術[第3図] D.考案が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例[第1図、第2図] H.考案の効果 (A.産業上の利用分野) 本考案は減圧排気装置、特に減圧CVDチェンバー、ド
ライエッチングチェンバー等の反応装置内部を減圧する
減圧排気装置に関する。
(B.考案の概要) 本考案は、減圧排気装置において、 停止時に排気側からドライ真空ポンプからなる排気ポ
ンプを経て反応装置側へ空気が逆流し該空気が配管内の
未反応副生成物と反応して該配管に堆積するのを防止す
るため、 排気ポンプの排気側に、停止時に遮断状態にされる空
気遮断バルブを設けたものである。
(C.従来技術)[第3図] 第3図はLP(減圧)CVD装置の減圧排気装置の従来例
の一を示す構成図である。
図面において、1はLPCVDチェンバー、2は該チェン
バー1内の気圧を測定する圧力ゲージ、3は排気用配管
に設けられたメインバルブ、4はスロー排気バルブ、5
はAPC(自動圧力コントローラ)、6は反応副生成物を
除去するトラップ、7はドライ排気ポンプ、8はN2エゼ
クター、9はスクラバー(除外装置)、10はN2パージポ
ンプ、12はN2エグゼクトポンプ、13は逆止弁、14は排気
系起動用の制御系である。
ところで、このような減圧排気装置において排気ポン
プ7として従来はオイルロータリー真空ポンプが多く用
いられてきたが、最近はオイルフリーのドライ真空ポン
プが用いられる傾向にある。というのは、オイルロータ
リー真空ポンプを排気ポンプ7として使用した場合、オ
イル蒸気が配管を通じてチェンバー1側にバックディフ
ュージョンし、チェバー1内がカーボン等によって汚染
され、その結果CVD膜の膜質の劣化という問題が生じた
からである。かかるバックディフュージョンによる汚染
は半導体素子の微細化、高性能化がさほどでないときは
問題とはならなかったが、LSI、VLSIの高集積化に伴う
半導体素子の微細化、高性能化が顕著になるに伴って重
要視され、その結果、オイルフリーのドライ真空ポンプ
を用いる必要性が認識されるに至ったのである。
(D.考案が解決しようとする問題点) ところで、減圧排気装置において排気ポンプとしてド
ライ真空ポンプを用いた場合には、下記の問題が生じ
た。
即ち、ポンプの停止時にポンプの排気側とポンプの吸
気側とが同じ気圧になり互いに連通し合うことになる。
そのため、排気側から空気が侵入しポンプ7を経てメイ
ンバルブ3のところに至る。そして、その空気が配管内
あるいは排気ポンプ内の未反応副生成物と反応して反応
物をつくる。この反応物は配管内面あるいは排気ポンプ
内部に堆積し、気体の流れ、排気ポンプの性能を悪くす
るので定期的に除去する必要性をもたらしてメンテナン
ス頻度を増加させ、延いてはIC、LSI、VLSI等の半導体
装置の製造コスト増を招くので好ましくない。
本考案はこのような問題点を解決すべく為されたもの
であり、ポンプ停止時に排気側から排気ポンプを経て反
応装置側へ空気が逆流して配管内の未反応副生成物と反
応して該配管に堆積するのを防止することを目的とす
る。
(E.問題点を解決するための手段) 本考案減圧排気装置は上記問題点を解決するため、ド
ライ真空ポンプからなる排気ポンプの排気側に、ポンプ
停止時に遮断状態にされる空気遮断バルブを設けたこと
を特徴とする。
(F.作用) 本考案減圧排気装置によれば、排気ポンプの停止時に
空気遮断バルブによって排気側から排気ポンプへの空気
の侵入を阻むことができるので、排気ポンプ内部、排気
ポンプの吸気側配管内面に空気と未反応副生成物との反
応物が堆積するのを防止することができる。従って、メ
ンテナンス頻度の増大を防止することができる。
(G.実施例)[第1図、第2図] 以下、本考案減圧排気装置を図示実施例に従って詳細
に説明する。
第1図は本考案減圧排気装置の一つの実施例を示す構
成図である。
本減圧排気装置は第3図に示した減圧排気装置とは空
気遮断バルブを有する点で異なっているが、それ以外の
点では共通しており、共通点については第3図で使用し
たのと同じ符号を付して図示するにとどめ説明は省略す
ることとし、相違点に付いてのみ説明する。
15は空気遮断バルブで、N2エゼクター8とスクラバー
9との間の配管に設けられている。該空気遮断バルブ15
は減圧排気装置の停止時には閉状態にされ、運転時には
開状態にされる。
第2図は第1図に示した本減圧排気装置の動作を示す
タイムチャートである。
LPCVDの開始に先立ってチェンバー1内部の真空排気
を行われなければならないが、そのためには先ず減圧排
気装置の電源をオンする。その後、あるパルス幅のポン
プ起動信号を発生させる。すると、該起動信号の立ち下
がりに同期して空気遮断バルブ15が開状態にされると共
にN2パージ用ガス遮断バルブ10が閉状態にされる。該バ
ルブ10は減圧排気装置の停止時には開状態になってN2
ンプ11からのN2ガスを減圧排気装置の配管に供給して未
反応副生成物その他の不要物を配管からパージするが、
運転時にはN2ガスを配管に供給してはならないので閉状
態にされるのである。
そして、ポンプ起動信号の立ち下がり後稍遅れて排気
ポンプ(オイルフリーのドライ真空ポンプ)7が動作を
開始する。すると、配管内のN2ガスはN2エゼクタ8及び
N2エゼクトポンプ12によって除去される。その後、第2
図では示していないがスロー排気弁4を開いてチェンバ
ー1内をある程度の真空度まで減圧し、しかる後メイン
排気弁3を開いてLPCVDに必要な所定の真空度に減圧す
る。そして、CVDはこの状態で行われる。
LPCVDを終了してLPCVD装置の運転を停止するときは、
メイン排気弁3、スロー排気弁4を閉じ、あるパルス幅
を有するポンプ停止信号を発生させる。すると、該停止
信号の立ち下がりに同期してN2パージガス遮断バルブ10
が開状態にされN2ガスによる不要ガスパージが開始され
る。そして、停止信号の立ち下がりからほんの少し遅れ
て排気ポンプ7が回転を停止し始める。そして、その回
転が略完全に停止した時点あるいはその前後に空気遮断
バルブ15を停止する。すると、スクラバー9側の空気は
空気遮断バルブ15でストップし、N2エゼクター8、排気
ポンプ7側へは侵入し得ない。従って、N2エゼクター8
内部、排気ポンプ7内部、排気ポンプ7からメインバル
ブ3までの配管内部にはパージ用のN2ガスが入ってパー
ジが行われるも排気ポンプ7の排気側からの空気は入ら
ない。従って、N2エゼクター8、排気ポンプ7及び配管
内の未反応副生成物と空気とで反応して堆積物が生じる
虞れは全くない。依って、堆積物を除去する作業がほと
んど必要でなくなり、メンテナンス頻度が非常に少なく
て済むようになる。
ちなみに、停電が生じた場合にはポンプ停止信号がオ
ンになったときと同じように動作する。
尚、上記実施例において空気遮断バルブ15はN2エゼク
タ8の排気側に設けられていたが、N2エゼクタ8と排気
ポンプ7との間に設けるようにしても良い。要するに、
排気ポンプ7の排気側に空気遮断バルブ15を設ければN2
エゼクタ8のどちら側にあっても良い。
尚、本減圧排気装置は、減圧のCVD用のみならず、プ
ラズマCVD用、ドライエッチング用としても用いること
ができる。
(H.考案の効果) 以上に述べたように、本考案減圧排気装置は、反応装
置の排気側に排気ポンプを設けた減圧排気装置におい
て、排気ポンプとしてドライ真空ポンプを用い、該排気
ポンプの排気側に、停止時に排気側から排気ポンプを経
て上記反応装置側へ空気が逆流して配管内の未反応副生
成物と反応して堆積物を形成するのを防止する空気遮断
バルブを、設けてなることを特徴とするものである。
従って、本考案減圧排気装置によれば、排気ポンプの
停止時に空気遮断バルブによって排気側から排気ポンプ
への空気の侵入を阻むことができるので、排気ポンプ内
部、排気ポンプの吸気側配管内面に空気と未反応副生成
物との反応物が堆積するのを防止することができる。従
って、メンテナンス頻度の増大を防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本考案減圧排気装置の一つの実施例
を説明するためのもので、第1図は構成図、第2図は動
作を示すタイムチャート、第3図は減圧排気装置の従来
例を示す構成図である。 符号の説明 7……排気ポンプ、15……空気遮断バルブ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/31 H01L 21/302 B

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】反応装置の排気側に排気ポンプを設けた減
    圧排気装置において、 排気ポンプとしてドライ真空ポンプを用い、 上記排気ポンプの排気側に、停止時に排気側から排気ポ
    ンプを経て上記反応装置側へ空気が逆流して配管内の未
    反応副生成物と反応して堆積物を形成するのを防止する
    空気遮断バルブを、設けてなる ことを特徴とする減圧排気装置
JP1989046776U 1989-04-20 1989-04-20 減圧排気装置 Expired - Lifetime JP2520592Y2 (ja)

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JPH02140971U JPH02140971U (ja) 1990-11-26
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KR100498467B1 (ko) * 2002-12-05 2005-07-01 삼성전자주식회사 배기 경로에서의 파우더 생성을 방지할 수 있는 원자층증착 장비
JP5504107B2 (ja) * 2010-09-06 2014-05-28 エドワーズ株式会社 逆流防止システム及び該逆流防止システムを備えた真空ポンプ
JP6685204B2 (ja) * 2016-08-26 2020-04-22 東京エレクトロン株式会社 安全装置、安全システム及び燃焼除害装置の安全化方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6024057U (ja) * 1983-07-27 1985-02-19 日本電子株式会社 電子顕微鏡等の排気装置
JPS63141893U (ja) * 1987-03-10 1988-09-19
JPH01134782U (ja) * 1988-03-07 1989-09-14

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