KR101620053B1 - 기판처리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치는 본체와 이 본체를 개폐하는 탑리드를 구비하며 기판에 대한 일정한 처리를 수행하도록 내부에 공간부가 형성되는 챔버, 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수의 기판이 각각 안착되도록 복수의 기판안착부가 형성되어 있는 기판지지부, 기판을 향해 가스를 분사할 수 있도록 탑리드에 원주 방향을 따라 설치되는 복수의 분사플레이트를 구비하며 복수의 분사플레이트 중 적어도 2개의 분사플레이트에서는 이종의 원료가스를 분사하는 가스분사부, 챔버의 하부 복수의 지점에 형성된 배기공에 연결된 복수의 배기라인과 각 배기라인과 연결되어 공간부 내의 가스를 펌핑하는 복수의 펌프와 각 배기라인에 연결되어 배기라인을 개방량을 조절하는 복수의 밸브를 구비하는 배기부 및 이종의 원료가스가 상기 공간부에서 서로 혼합되는지 여부를 감지하여 상기 배기라인의 배기압을 조절하는 혼합방지수단을 구비하는 것에 특징이 있다.

Description

기판처리장치{Substrate processing device}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 기판 상에 박막을 증착하기 위한 원자층 증착장치 중 이종의 원료가스를 함께 공급하면서 공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.

반도체 소자의 스케일이 점차 축소됨에 따라 극박막에 대한 요구가 갈수록 증대되고 있으며, 콘택홀 크기가 감소되면서 단차 도포성(step coverage)에 대한 문제도 점점 더 심각해지고 있는 바, 이에 따른 여러 가지 문제들을 극복할 수 있는 증착방법으로서 원자층증착(atomic layer deposition, ALD)방법이 사용되고 있다. 일반적으로 원자층증착방법은 기판에 각각의 원료가스들을 분리 공급하여 원료가스들의 표면 포화에 의해 박막이 형성되도록 하는 방법이다.

원자층 박막증착방법의 원리를 간단하게 설명하면 다음과 같다. 제1원료가스가 챔버 내로 공급되면 기판 표면과의 반응을 통해 단원자층이 기판 표면에 화학 흡착된다. 그러나 기판 표면이 제1원료가스로 포화되면 단원자층 이상의 제1원료가스들은 동일한 리간드간의 비반응성으로 인해 화학 흡착 상태를 형성하지 못하고 물리 흡착 상태에 있게 된다. 퍼지(purge)가스가 공급되면 이 물리 흡착 상태의 제1원료가스들은 퍼지가스에 의해서 제거된다. 첫 번째 단원자층 위에 제2원료가스가 공급되면 제1원료가스와 제2원료가스의 리간드 상호간 치환반응을 통해 두 번째 층이 성장하고, 첫 번째 층과 반응하지 못한 제2원료가스들은 물리 흡착 상태에 있게 되어 퍼지가스에 의해 제거된다. 그리고 이 두 번째 층의 표면은 제1원료가스와 반응할 수 있는 상태에 있게 된다. 상기한 과정이 하나의 사이클을 이루고 여러 사이클의 반복에 의해 박막이 증착되는 것이다.

종래의 원자층 증착장치가 도 1에 도시되어 있다.

도 1을 참조하면, 종래의 원자층 증착장치(9)는 내부에 공간부가 형성되어 있는 챔버(1)와, 챔버(1) 내부에 회전가능하게 설치되며 복수의 기판(s)이 안착되는 기판지지부(2)를 구비한다. 챔버(1)의 상부에는 기판(s)을 향해 가스를 공급하는 가스분사장치(3)가 설치된다.

가스분사장치는 복수의 샤워헤드(4)로 이루어지는데, 샤워헤드(4)는 원주방향을 따라 일정 각도 간격으로 배치된다. 즉, 챔버(1) 상부의 탑리드(5)의 하부에 복수의 원호형 샤워헤드(4)가 결합된다. 탑리드(5)에는 중심점을 기준으로 복수의 가스주입공(7)이 형성되어 있어, 각 가스주입공(7)을 통해 각 샤워헤드(4)에 가스를 공급한다. 가스주입공(7)을 통해 주입된 가스는 샤워헤드(4)와 탑리드(5) 사이(c)에서 확산되어, 샤워헤드(4)에 형성된 다수의 가스분사공(8)을 통해 기판(s)으로 공급된다.

기판지지부(2)는 챔버(1) 내에서 회전하면서, 각 샤워헤드(4)로부터 공급되는 가스를 기판이 순차적으로 공급받아 박막증착이 이루어진다. 예컨대, 공정이 시작되는 시점에 기판은 제1원료가스를 공급받고, 순차적으로 퍼지가스, 제2원료가스 및 퍼지가스를 공급받음으로써 박막증착이 이루어진다. 증착에 관여하지 않은 가스들은 챔버(10) 외부에 마련된 펌프(p)에 의하여 펌핑되어 배기라인(d)을 통해 배출된다.

한편, 상기한 구성의 기판처리장치(9)에서 기판지지부(2)에 안착된 기판(s)은 순차적으로 제1원료가스와 제2원료가스에 노출되어야 하며, 제1원료가스와 제2원료가스가 혼합되는 경우 챔버(10) 내부에 파우더가 발생되는 등의 문제가 생기게 된다. 이에 종래의 기판처리장치(9)에서는 샤워헤드(4)들의 중앙부에 별도의 샤워헤드(4')를 설치하고, 이 샤워헤드(4')에서 불활성 가스를 공급하여 에어커튼을 형성함으로써, 제1원료가스와 제2원료가스가 상대방의 영역으로 월류되지 못하도록 하였다.

에어커튼에 의하여 이종의 원료가스들이 상대방의 영역으로 유입되는 것이 일정 정도 방지되고 있지만, 챔버(10) 내부의 압력이 균일하게 형성되지 못하는 등의 이유로, 도 1에 화살표로 도시된 바와 같이, 원료가스들이 에어커튼을 넘어서 상호 혼합되는 문제가 완전히 해결되지 못하고 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 각각의 샤워헤드에서 동시에 공급되는 복수의 이종 원료가스가 챔버 내부에서 상호 혼합되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 기판처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는 본체와 상기 본체를 개폐하는 탑리드를 구비하며, 기판에 대한 일정한 처리를 수행하도록 내부에 공간부가 형성되는 챔버; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며, 복수의 기판이 각각 안착되는 기판지지부; 상기 기판을 향해 가스를 분사할 수 있도록 상기 탑리드에 원주 방향을 따라 설치되는 복수의 분사플레이트를 구비하며, 상기 복수의 분사플레이트는 이종의 원료가스를 분사하는 적어도 2개의 원료가스 분사플레이트를 포함하는 가스분사부; 상기 챔버의 하부 복수의 지점에 형성된 배기공에 연결된 복수의 배기라인과, 상기 각 배기라인과 연결되어 상기 공간부 내의 가스를 펌핑하는 펌프와, 상기 각 배기라인에 연결되어 각 배기라인의 개방량을 조절하는 밸브를 구비하는 배기부; 및 상기 이종의 원료가스가 상기 공간부에서 서로 혼합되는지 여부를 감지하고, 상기 각 밸브의 개방량을 조절하여 상기 각 배기라인의 배기압을 조절하는 혼합방지수단;을 구비하는데 특징이 있다.

본 발명에 따르면, 상기 원료가스 분사플레이트는 2개 마련되어 상기 탑리드의 중앙을 사이에 두고 상호 마주하게 배치되며, 상기 배기공은 상기 2개의 원료가스 분사플레이트의 위치에 대응되게 상기 탑리드의 중앙을 기준으로 상호 대칭되게 배치될 수 있다.

또한 본 발명에 따르면, 상기 혼합방지수단은, 각각의 상기 원료가스 분사플레이트에서 상기 탑리드의 중앙부에 근접한 영역의 가스압력을 측정하고, 측정된 압력의 차이를 산출하는 차압게이지와, 상기 차압게이지에서 산출된 압력차이를 입력 받아 상기 배기부의 밸브의 개폐 신호를 송출하는 콘트롤러를 포함하여 이루어진 것것이 바람직하다.

또한 본 발명에 따르면, 상기 원료가스 분사플레이트의 사이에 설치되어, 상기 원료가스들이 상기 원료가스 분사플레이트의 사이 영역으로 유입되는지를 감지하는 가스감지센서와, 상기 가스감지센서의 감지 결과를 입력 받아 상기 배기부의 밸브의 개폐 신호를 송출하는 콘트롤러를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.

또한 본 발명에 따르면 상기한 차압게이지와 가스감지센서를 함께 구비하는 것이 더욱 바람직하다.

본 발명에 따른 기판처리장치에서는 원료가스가 상호 혼합되는지를 정확하게 감지하여 각 배기라인의 배기압을 조절함으로써 원료가스의 혼합을 방지할 수 있고, 이에 따라 원료가스의 혼합에 따른 파우더의 발생을 미연에 방지할 수 있다는 장점이 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치에 대하여 더욱 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보여주는 개략적 단면도이며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 개략적 단면도이다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 챔버(10), 기판지지부(20), 가스분사부(30), 배기부(40) 및 혼합방지수단을 구비한다.

챔버(10)는 본체(18)와 이 본체(18)의 상부에 회동가능하게 설치되어 본체(18)의 내부를 개폐하는 탑리드(19)를 구비한다. 탑리드(19)가 본체(18)의 내부를 폐쇄하면, 챔버(10)의 내부에는 예컨대 증착공정 등 기판(s)에 대한 일정한 처리가 행해지는 공간부(11)가 형성된다.

또한, 챔버(10)의 바닥면에는 후술할 기판지지부(20)의 회전축(22)이 삽입되는 관통공(15)이 형성되어 있다. 기판(s)은 챔버(10)의 측벽에 마련된 게이트밸브(미도시)를 통해 챔버(10)의 내외부로 유입 및 유출된다.

기판지지부(20)는 기판(s)을 지지하기 위한 것으로서, 지지플레이트(21)와 회전축(22)을 구비한다. 지지플레이트(21)은 원판 형상으로 평평하게 형성되어 챔버(10) 내에 평행하게 배치되며, 회전축(22)은 수직하게 배치되어 지지플레이트(21)의 하부에 마련된다. 회전축(22)은 챔버(10)의 관통공(15)을 통해 외부로 연장되어 모터(미도시) 등의 구동수단과 연결되어, 지지플레이트(21)를 회전 및 승강시킨다. 회전축(22)과 관통공(13) 사이를 통해 챔버(10) 내부의 진공이 해제되 는 것을 방지하고자, 회전축(22)은 벨로우즈(미도시)에 의하여 감싸져 있다.

지지플레이트(21)의 상부에는 원주방향을 따라 복수의 기판안착부(23)가 형성된다. 이 기판안착부(23)는 오목하게 형성되어 지지플레이트(21)가 회전되더라도 기판(s)이 이탈되지 않고 지지플레이트(21) 상부에 지지될 수 있게 하는 역할을 한다. 또한 지지플레이트(21)의 하측에는 히터(미도시)가 매설되어 기판(s)을 일정한 공정온도로 가열한다.

가스분사부(30)는 기판지지부(20)에 안착된 기판(s)을 향해 원료가스, 반응가스, 퍼지가스 등의 공정가스를 분사하기 위한 것으로서, 복수의 분사플레이트(31,32,33)를 구비한다. 각 분사플레이트(31,32,33)는 대략 원호 형상으로 형성되어 탑리드(19)의 중심점을 기준으로 원주방향을 따라 배치된다.

도 3을 참조하면, 복수의 분사플레이트 중 탑리드(19)의 중앙을 기준으로 제1원료가스를 분사하는 제1원료가스 분사플레이트(31)가 일측에 배치되며, 위 제1원료가스와 다른 종류의 제2원료가스를 분사하는 제2원료가스 분사플레이트(32)가 타측에 배치된다. 즉, 제1원료가스 분사프레이트(31)와 제2원료가스 분사플레이트(32)는 탑리드(19)의 중앙을 기준으로 상호 마주하게 배치된다. 원주방향을 따라 제1원료가스 분사플레이트(31)와 제2원료가스 분사플레이트 사이에는 불활성 가스를 분사하는 퍼지가스 분사플레이트(33)들이 배치된다.

또한, 탑리드(19)의 중앙부에는 중앙 퍼지가스 분사플레이트(34)가 배치된다. 중앙 퍼지가스 분사플레이트(34)에서는 불활성가스를 분사하여 에어커튼을 형성함으로써, 제1원료가스가 제2원료가스 분사플레이트(32)의 하부 영역으로 유입되 는 것을 방지하며, 마찬가지로 제2원료가스가 제1원료가스 분사플레이트(31)쪽으로 유입되는 것을 방지한다.

위의 각 분사플레이트(31,32,33,34)들의 가스분사구조에 대하여 설명한다. 각 분사플레이트들이 탑리드(19)에 설치되면, 분사플레이트(31~34)와 탑리드(19) 사이에는 가스확산공간(c)이 형성된다. 각 가스확산공간(c)은 탑리드(19)에 형성된 가스주입공(15)과 연통된다. 각 가스주입공(15)을 통해 제1원료가스, 제2원료가스, 퍼지가스가 각 분사플레이트(31~34)의 가스확산공간(c)으로 유입된다. 각 분사플레이트(31~34)에는 다수의 가스분사공(h)이 형성되어 가스확산공간(c)에서 확산된 가스가 기판(s) 전체에 고르게 공급될 수 있도록 한다.

한편, 챔버(10) 내측의 공간부(11)는 진공 분위기로 형성되어야 하므로 챔버(10) 내 가스의 배기를 위한 배기부(40)가 마련된다. 즉, 챔버(10)의 하부에는 환형의 홈부가 형성되며 이 홈부의 상부에는 베플(42)이 덮어짐으로써, 홈부와 베플(42)에 의하여 둘러 싸인 배기유로(41)가 형성된다. 베플(42)에는 일정 각도 간격으로 복수의 흡입구(43)가 형성되어 있어 공간부(11)의 가스들은 흡입구(43)를 통해 배기유로(41)로 유입된다.

고리형의 배기유로(41) 하부 양측에는 복수의 배기공(44)이 형성되며, 본 실시예에서는 제1원료가스 분사플레이트(31)와 제2원료가스 분사플레이트(32)의 위치에 대응되게 2개 배치된다. 즉, 배기공(44)은 탑리드(19)의 중앙을 기준으로 상호 대칭되게 배치되며, 제1원료가스 분사플레이트(31)와 제2원료가스 분사플레이트(32)에 근접되게 배치된다. 이렇게 배기공(44)을 원료가스 분사플레이트에 근접 하게 배치함으로써, 원료가스들이 상호 접근되는 방향으로 흐르지 않고 상호 이격되는 방향으로 흐르게 할 수 있다.

각 배기공(44)은 배기라인(45)과 연결되며, 배기라인(45)은 펌프(p)와 연결된다. 각 배기라인(45)에는 쓰로틀 밸브(46)가 설치되어 배기라인(45)의 개방량을 조절할 수 있다. 이 쓰로틀 밸브(46)는 후술할 혼합방지수단의 콘트롤러로부터 신호를 전송받아 작동된다.

펌프(p)가 작동되면 챔버(10)의 공간부(11) 내의 가스들은 베플(42)의 흡입구(43)를 통해 배기유로(41)로 유입된 후, 배기공(44)과 배기라인(45)을 통해 배출된다.

이와 같이, 기판처리장치(100)에서는 배기공(44)의 위치를 통해 원료가스들이 상호 멀어지는 방향으로 흐름을 형성하게 할 뿐만 아니라, 원료가스 분사플레이트들 사이에는 중앙 퍼지가스 분사플레이트를 통해 에어커튼을 형성함으로써 원료가스들이 혼합되는 것을 방지하고자 한다.

그러나 상기한 구성에도 불구하고 일부의 원료가스들은, 도 3에 화살표로 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 중앙부에서 상호 혼합됨으로써 파우더를 발생시킨다. 이에 본 발명에서는 혼합방지수단을 구비하여 원료가스들이 상호 혼합되는 것을 방지하고자 한다.

즉, 혼합방지수단에 의하여 원료가스들의 혼합여부를 감지한 후, 각 배기라인(45)의 배기압을 조정함으로써 원료가스들이 혼합되는 것을 방지한다.

본 실시예에서는 혼합방지수단으로 차압게이지(71,72)와 가스감지센서(81)가 함께 채용된다. 그러나, 실시예에 따라 차압게이지와 가스감지센서가 단독으로 사용될 수도 있다.

차압게이지(71,72)는 각 원료가스 분사플레이트(32,33)와 중앙 퍼지가스 분사유닛(34) 사이 영역의 가스 압력을 측정한다. 이 영역은 원료가스들이 상호 접근되는 경로상에 배치된 영역이다. 콘트롤러는 각 영역에서 측정된 가스압력의 차이를 산출한 후, 신호를 송출하여 쓰로틀 밸브(46)의 개방량을 조절하게 된다.

제1원료가스 분사플레이트(31)와 중앙 퍼지가스 분사플레이트(34) 사이의 가스압이 제2원료가스 분사플레이트(32)와 중앙 퍼지가스 분사플레이트(34) 사이의 가스압보다 큰 경우, 압력차에 의하여 제1원료가스는 제2원료가스가 분사되는 영역으로 이월되어 혼합될 수 있다. 거꾸로, 제2원료가스 분사플레이트(32)와 중앙 퍼지가스 분사플레이트(34) 사이의 가스 압력이 더 높으면, 제2원료가스가 제1원료가스 분사플레이트(31) 영역으로 유입될 수 있다.

즉, 제1,2원료가스 분사플레이트(31,32)와 중앙 퍼지가스 분사유닛 사이의 양단의 압력차를 측정함으로써 원료가스들의 흐름을 파악할 수 있으며, 쓰로틀 밸브(46)의 개방량을 조절하여 양단의 배기압을 동일하게 조절한다. 또는 밸브의 개방정도로 배기압을 조절하지 않고 펌프(p) 자체를 조절함으로써 양단의 배기압을 동일하게 설정할 수도 있다.

또한, 중앙 퍼지가스 분사유닛(34)과 기판지지부(20) 사이에 가스감지센서(81)를 설치하여 원료가스들이 중앙 퍼지가스 분사유닛(34)의 하부로 유입되었는지를 직접적으로 감지한다. 가스감지센서(81)는 제1원료가스와 제2원료가스를 모 두 탐지할 수 있는 센서가 사용될 수도 있으며, 제1원료가스를 탐지하는 센서와 제2원료가스를 탐지하는 센서를 별도로 설치할 수도 있다.

중앙 퍼지가스 분사유닛(34)과 기판지지부(20) 사이, 즉 제1원료가스 분사플레이트(31)와 제2원료가스 분사플레이트(32) 사이에서 제1원료가스 또는 제2원료가스가 탐지되는 경우, 콘트롤러에서는 이를 입력받아 쓰로틀 밸브(46)의 개방량을 조절하거나, 펌프(p)를 조절하여 배기라인(45)의 배기압을 변경한다. 예컨대, 중앙 퍼지가스 분사유닛(34)의 하부 영역에서 제1원료가스가 감지된 경우, 제1원료가스 분사플레이트(31)에 근접하게 배치된 배기라인(45)에 마련된 밸브(46)의 개방량을 크게 하여 배기압을 높이거나, 제2원료가스 분사플레이트(32)에 근접하게 배치된 배기라인(45)에 설치된 밸브의 개방량을 작게 하여 배기압을 낮춤으로써, 원료가스들이 상호 혼합되지 않도록 할 수 있다.

본 실시예에서는 차압게이지(71,72)와 가스감지센서(81)를 함께 사용하여 원료가스의 혼합여부를 정확하게 탐지할 수 있다. 본 실시예에서 사용되는 차압게이지(71,72) 및 가스감지센서(81)는 공지의 부재인 바, 자세한 설명은 생략하기로 한다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에서는 차압게이지(71,72) 및 가스감지센서(81)를 이용하여 원료가스들이 챔버(10) 내에서 상호 혼합되는지를 센싱한 후, 원료가스 분사플레이트에 근접하게 배치된 배기라인의 배기압을 조절함으로써 원료가스의 혼합을 완전히 방지할 수 있다.

한편, 지금까지 원료가스가 2개인 경우를 예를 들어 설명하였지만, 예컨대 3 개 이상의 원료가스를 사용하는 공정에서도 차압게이지와 가스감지센서는 동일한 방식으로 사용될 수 있다.

즉, 가스감지센서에 의하여 특정한 원료가스가 감지된 경우, 이 특정 원료가스를 분사하는 분사플레이트에 가장 근접하게 배치된 배기라인의 배기압을 조절함으로써 2원계 공정과 동일한 효과를 발생시킬 수 있다. 차압게이지의 경우도 마찬가지로, 각 원료가스 분사플레이트와 중앙 퍼지가스 분사플레이트 사이의 압력을 측정하고, 각 영역에서의 압력차이를 산출한 후 배기압을 조절할 수 있다.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 한다.

도 1은 종래의 기판처리장치의 개략적 구성도이다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 보여주는 개략적 단면도이다.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 개략적 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 ... 기판처리장치 10 ... 챔버

20 ... 기판지지부 31 ... 제1원료가스 분사플레이트

32 ... 제2원료가스 분사플레이트 34 ... 중앙 퍼지가스 분사플레이트

41 ... 배기유로 44 ... 배기공

45 ... 배기라인 46 ... 쓰로틀 밸브

71,72 ... 차압게이지 81 ... 가스감지센서

p ... 펌프 s ... 기판

Claims (4)

1. 본체와 상기 본체를 개폐하는 탑리드를 구비하며, 기판에 대한 일정한 처리를 수행하도록 내부에 공간부가 형성되는 챔버;

   상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되며, 복수의 기판이 각각 안착되는 기판지지부;

   상기 기판을 향해 가스를 분사할 수 있도록 상기 탑리드에 원주 방향을 따라 설치되는 복수의 분사플레이트를 구비하며, 상기 복수의 분사플레이트는 이종의 원료가스를 분사하는 적어도 2개의 원료가스 분사플레이트를 포함하는 가스분사부;

   상기 챔버의 하부 복수의 지점에 형성된 배기공에 연결된 복수의 배기라인과, 상기 각 배기라인과 연결되어 상기 공간부 내의 가스를 펌핑하는 펌프와, 상기 각 배기라인에 연결되어 각 배기라인의 개방량을 조절하는 밸브를 구비하는 배기부; 및

   상기 이종의 원료가스가 상기 공간부에서 서로 혼합되는지 여부를 감지하고, 상기 각 밸브의 개방량을 조절하여 상기 각 배기라인의 배기압을 조절하는 혼합방지수단;을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 원료가스 분사플레이트는 2개 마련되어 상기 탑리드의 중앙을 사이에 두고 상호 마주하게 배치되며,

   상기 배기공은 상기 2개의 원료가스 분사플레이트의 위치에 대응되게 상기 탑리드의 중앙을 기준으로 상호 대칭되게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 혼합방지수단은,

   각각의 상기 원료가스 분사플레이트에서 상기 탑리드의 중앙부에 근접한 영역의 가스압력을 측정하고, 측정된 압력의 차이를 산출하는 차압게이지와,

   상기 차압게이지에서 산출된 압력차이를 입력 받아 상기 배기라인에 설치된 밸브의 개방량을 조절하는 콘트롤러를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 혼합방지수단은,

   상기 원료가스 분사플레이트의 사이에 설치되어, 상기 원료가스들이 상기 원료가스 분사플레이트의 사이 영역으로 유입되는지를 감지하는 가스감지센서와,

   상기 가스감지센서의 감지 결과를 입력 받아 상기 배기부의 밸브의 개폐 신호를 송출하는 콘트롤러를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.

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