JP6473781B2 - アライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置および方法 - Google Patents

アライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6473781B2
JP6473781B2 JP2017146652A JP2017146652A JP6473781B2 JP 6473781 B2 JP6473781 B2 JP 6473781B2 JP 2017146652 A JP2017146652 A JP 2017146652A JP 2017146652 A JP2017146652 A JP 2017146652A JP 6473781 B2 JP6473781 B2 JP 6473781B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
solvent
alignment mark
photoresist layer
suction unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017146652A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018182277A (ja
Inventor
元俊 趙
元俊 趙
添文 廖
添文 廖
韋全 陳
韋全 陳
益彰 張
益彰 張
▲ぎょく▼明 曾
▲ぎょく▼明 曾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
VisEra Technologies Co Ltd
Original Assignee
VisEra Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by VisEra Technologies Co Ltd filed Critical VisEra Technologies Co Ltd
Publication of JP2018182277A publication Critical patent/JP2018182277A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6473781B2 publication Critical patent/JP6473781B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127Etching organic layers
    • H01L21/31133Etching organic layers by chemical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • B08B5/043Cleaning travelling work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、半導体プロセス技術に関し、特に、ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置および方法に関するものである。
位置合わせは、他の半導体プロセスと同様に、フォトリソグラフィおよび堆積にとっても重要である。層が適切に堆積されない場合、または適切に選択的に除去されない場合、半導体装置が機能しなくなり、廃棄することになり、コストが高くなる。従って、堆積およびフォトリソグラフィのプロセスにおいて適切な位置合わせを確保するために、半導体ウエハ上にアライメントマークが設けられる。
図1は、従来のウエハ100の概略平面図である。図1に示されるように、複数のICダイ102がウエハ100全体に均一に分布されており、少なくとも1つのアライメントマーク104がウエハ100の周辺領域に形成されている。
留意すべきことは、位置合わせは、複数の金属層または他の層が既にウエハ上に堆積されているとき、特に重要である。特に、後続の二酸化ケイ素層または他の層を堆積するような例では、通常、二酸化ケイ素層または他の層を適切に覆うように、ウエハ100上のアライメントマーク104が露出されなければならないが、これらの層をパターン化する、またはこれらの層の他の処理を行うように用いられるフォトレジスト層は、アライメントマーク104を覆いやすく、または少なくともアライメントマーク104を不鮮明にしやすいため、位置合わせが失敗することになる。
業界では、綿棒またはアセトンを用いてアライメントマーク104からフォトレジスト層を手で除去する洗浄方法が広く用いられている。アライメントマーク104上のフォトレジスト層は除去されることができるが、この手動の洗浄方法は、ウエハ100の周辺領域のダイの損失を避けることができなくなる。例えば、図1に示されるように、アライメントマーク104に近いICダイ106は、フォトレジスト層の手動の除去により、全て損失する。従って、製造歩留りが悪化する。また、手動の洗浄方法は、時間もかかり、洗浄度および品質の管理を難しくさせる。
従って、上述の手による洗浄方法の問題を解決できる自動の洗浄方法が必要である。
本発明は、ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置および方法を提供する。
ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置の実施形態が提供される。前記装置は、ホルダ、溶剤ディスペンサー、および吸引ユニットを含む。ホルダは、アライメントマークが周辺領域に形成されたウエハを支持するように用いられる。溶剤ディスペンサーは、ウエハのアライメントマーク上のフォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、溶解されたフォトレジスト層を生成するように用いられる。吸引ユニットは、ウエハから溶解されたフォトレジスト層および溶剤を除去するように用いられる。
いくつかの実施形態では、溶剤ディスペンサーは、ウエハに向けてまたはウエハから離れて移動することができる。
いくつかの実施形態では、装置は、溶剤ディスペンサーを前後方向に駆動するように用いられるモータ、および溶剤ディスペンサーを上下方向に駆動するように用いられるシリンダーを更に含む。
いくつかの実施形態では、溶剤ディスペンサーは、可動アームおよび可動アームに連結されたノズルを含む。ノズルは、ウエハの表面に対して傾斜され、且つノズルの出口がウエハの端部に向くように構成される。
いくつかの実施形態では、装置は、パイプおよび流量計を更に含む。パイプは、溶剤ディスペンサーに連結され、溶剤を供給する。流量計は、パイプに設けられ、パイプ内を流れる溶剤の流量を測定する。
いくつかの実施形態では、吸引ユニットは、ウエハに向けてまたはウエハから離れて移動することができる。
いくつかの実施形態では、溶剤ディスペンサーおよび吸引ユニットは、ウエハの表面に平行する方向に沿って一緒に移動可能である。
いくつかの実施形態では、装置は、ウエハ上の配向ノッチを探索することによって、ウエハのアライメントマークの位置を決定するように用いられ、且つ位置信号を生成するように用いられるアライメントユニットを更に含む。
いくつかの実施形態では、装置は、ホルダに連結され、且つホルダおよびウエハを駆動するように用いられて、アライメントユニットからの位置信号に従って回転し、溶剤ディスペンサーの出口および吸引ユニットの入口がアライメントマークと位置合わせされて近接した位置にアライメントマークが達する駆動機構を更に含む。
いくつかの実施形態では、装置は、ウエハから落下した溶剤を収集するように用いられる排出ユニットを更に含む。
ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する方法の実施形態が提供される。前記方法は、ホルダ上に、ウエハの周辺領域にアライメントマークが形成され、且つアライメントマーク上にフォトレジスト層がコーティングされたウエハを配置するステップを更に含む。前記方法は、溶剤ディスペンサーにより、アライメントマーク上のフォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、溶解されたフォトレジスト層を生成するステップ、また、前記方法は、吸引ユニットにより、前記ウエハから前記溶解されたフォトレジスト層および前記溶剤を除去するステップを含む。
いくつかの実施形態では、溶剤ディスペンサーは、ウエハに向けてまたはウエハから離れて移動することができる。
いくつかの実施形態では、溶剤ディスペンサーは、可動アームおよび可動アームに連結されたノズルを含む。ノズルは、ウエハの表面に対して傾斜され、且つノズルの出口がウエハの端部に向くように構成される。
いくつかの実施形態では、吸引ユニットは、ウエハに向けてまたはウエハから離れて移動することができる。
いくつかの実施形態では、前記方法は、溶剤が溶剤ディスペンサーによって、アライメントマーク上のフォトレジスト層の上にスプレーされる前に、溶剤ディスペンサーの出口が、アライメントマークと位置合わせされて、ウエハの端部に近接するように溶剤ディスペンサーを移動するステップを更に含む。また、前記方法は、溶解されたフォトレジスト層および溶剤が吸引ユニットによって、ウエハから除去される前に、吸引ユニットの入口が、アライメントマークと位置合わせされて、ウエハの端部に近接するように吸引ユニットを移動するステップを更に含む。
いくつかの実施形態では、前記方法は、溶剤ディスペンサーがフォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、吸引ユニットがウエハから溶解されたフォトレジスト層および溶剤を除去するとき、溶剤ディスペンサーおよび吸引ユニットをウエハの端部からウエハの内部に向いた方向に沿って一緒に移動するステップを更に含む。
いくつかの実施形態では、前記方法は、アライメントユニットにより、ウエハ上の配向ノッチを探索することによって、ウエハのアライメントマークの位置を決定し、且つ位置信号を生成するステップを更に含む。
いくつかの実施形態では、前記方法は、ホルダに連結された駆動機構を駆動するステップを更に含む。また、前記方法は、アライメントユニットからの位置信号に従って駆動機構でホルダおよびウエハを回転し、溶剤ディスペンサーの出口および吸引ユニットの入口がアライメントマークと位置合わせされて近接した位置にアライメントマークが達するステップを更に含む。
いくつかの実施形態では、前記方法は、ウエハから落下した溶剤を収集する排出ユニットを提供するステップを更に含む。
いくつかの実施形態では、吸引ユニットは、80LPM(l/min)より高い排出速度を有する。
上記装置および方法は、ウエハの周辺領域の少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を迅速且つ確実に除去できるため、ダイの損失を減少し、処理時間を短縮することができる。
従来のウエハ100の概略平面図である。 いくつかの実施形態に係る、ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置のブロック図である。 いくつかの実施形態に係る、配向ノッチに係るウエハのアライメントマークの位置を示す概略平面図である。 いくつかの実施形態に係る、図2の装置を用いて、ウエハのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する各段階を示す概略図である。 いくつかの実施形態に係る、図2の装置を用いて、ウエハのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する各段階を示す概略図である。 いくつかの実施形態に係る、図2の装置を用いて、ウエハのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する各段階を示す概略図である。 いくつかの実施形態に係る、ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する方法を示すフローチャートである。
詳細な説明は、添付の図面と併せて以下の実施形態で説明する。この説明は、本発明の一般原理を例示する目的のためのもので本発明を限定するものではない。
以下の詳細の説明では、配置を示す “on(上)”、 “above(上方)”、 “under(下)”、および “below(下方)”は、図に示された各素子の相対位置の関係を表すために用いられており、本発明を限定するものではない。また、下記の開示の第2の要素の上、または上方への第1の要素の形成は、第1と第2の要素が直接接触で形成される複数の実施形態を含むことができるか、または1つ以上の追加の素子を有する第1と第2の要素が第1と第2の要素間に形成された複数の実施形態を含むこともできる。
また、本開示は、種々の実施例において、参照符号および/または表示を繰り返し用いている。この繰り返しは、本開示を簡潔で明確にするためのものであり、それ自体が、種々の実施態様および/または議論された構造との間の関係を規定するものではない。種々の特徴は、簡潔で明確にするために、異なる寸法に任意に描かれることができる。また、本実施形態に示されない、または説明されないどの要素も、従来技術に公知の本発明の当業者に知られている要素とすることができる。
ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置の実施形態が提供される。前記装置は、スピンコータまたは他の処理装置から独立した、またはスピンコータまたは他の処理装置に組み込まれた装置でもよい。
図2は、いくつかの実施形態に係る、ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置20のブロック図である。装置20は、後述の構成要素を収容する密封されたチャンバ200を含む。
ホルダ202は、チャンバ200に配置され、半導体ウエハなどのウエハWを支持する。ホルダ202は、100mm、150mm、200mm、またはより大きなウエハWを保持することができる。例えば、ウエハWは、ゲートバルブアセンブリ(図示されていない)によって制御された開口(図示されていない)によってチャンバ200内に搬入およびチャンバ200から搬出されることができる。また、ウエハWは、ウエハ搬送ロボットシステム(robotic wafer transfer system)(図示されていない)を用いてホルダ202に搬入および搬出されることができる。製造プロセス中、ウエハWは、ホルダ202内の真空チャック(図示されていない)を用いてホルダ202の上部に保持されることができる。代替的に、他の挟持手段を用いてもよい。
図2に示されるように、ホルダ202は、スピンドル203に連結される。また、ホルダ202およびホルダ上のウエハWは、スピンドル203に連結された駆動機構204によって回転されることができる(図の矢印に示されたように)。いくつかの実施形態では、駆動機構204は、Z軸方向に沿ってホルダ202を駆動するように用いられることができる。駆動機構204は、シリンダー、モータ、ローラー、ベルト、またはその組み合わせを含むことができる。
溶剤ディスペンサー205は、チャンバ200に提供され、ウエハWの少なくとも1つのアライメントマーク上のフォトレジスト層の上に溶剤をスプレーするように用いられる。図3に示すように、いくつかの実施形態では、2つのアライメントマーク302がウエハWの周辺領域に形成される(即ち、ウエハWの端部近傍に形成される)。しかしながら、ウエハW上に1つのアライメントマーク302のみ、または1つ以上のアライメントマーク302が形成されることもできる。フォトレジスト層(図示されていない)は、ウエハW全体にコーティングされる。溶剤ディスペンサー205(図2)によって提供された溶剤は、アライメントマーク302上のフォトレジスト層を溶解して、アライメントマーク302を露出するように用いられる。よって、位置合わせのときに、フォトレジスト層がアライメントマーク302を覆うことを防ぎ、またはアライメントマーク302を不鮮明にすることを防ぐ。溶剤は、この分野で用いられる任意の選択的な化学物質を含むことができるフォトレジスト溶解剤である。
図2に示されるように、溶剤ディスペンサー205は、パイプP1によって溶剤源206に連結される。溶剤源206は、溶剤を保存し、且つコントローラ207に電気的に接続される。コントローラ207は、溶剤源206を制御して溶剤ディスペンサー205に溶剤の提供を開始または停止するように用いられる。また、コントローラ207は、溶剤ディスペンサー205に提供される溶剤の流量を制御するように用いられる。よって、コントローラ207は、溶剤ディスペンサー205の操作(例えば、スイッチおよび噴霧量)も制御する。いくつかの実施形態では、流量計MがパイプP1に更に提供され、パイプ内を流れる溶剤の流量(即ち、溶剤ディスペンサー205の噴霧量)を測定する。
また、溶剤ディスペンサー205は、チャンバ200内で移動可能なため、その出口H1は、ウエハWの周辺領域のアライメントマークに向けてまたはアライメントマークから離れて移動されることができる。いくつかの実施形態では、溶剤ディスペンサー205は、可動アーム2051およびノズル2052を含む。例えば、可動アーム2051は、モータ2053およびシリンダー2054によってチャンバ200内で移動可能なロボットアームである(図4Bを参照)。モータ2053は、溶剤ディスペンサーを前後方向に駆動することができ、シリンダー2054は、溶剤ディスペンサーを上下方向に駆動することができる。ノズル2052は、可動アーム2051に連結され、溶剤をウエハWの周辺領域のアライメントマーク上のフォトレジスト層の上にスプレーする。また、図2に示された両矢印のように、コントローラ207も溶剤ディスペンサー205に電気的に接続し(例えば、図4Bのモータ2053およびシリンダー2054に連結することによって)、且つ可動アーム2051をZ軸方向に沿って(即ち、上下方向に移動させる)およびX軸方向に沿って(即ち、前後方向に移動させる)移動させるように制御するように用いられる。
図2に示されるように、溶剤がウエハWを剥離しやすくなるようにするために、ノズル2052は、アライメントマークが形成されているウエハWの表面S1に対して傾斜し、且つノズル2052の出口H1がウエハWの端部に向くように構成することが好ましい。留意すべきことは、溶剤がウエハWを剥離するのが早ければ早いほど、アライメントマーク302(図3)に近接するICダイ(図示されていない)にダメージが生じる機会が少なくなる。
例えば、吸引ユニット208は、ウエハWの周辺領域に隣接して提供され、排出によって、ウエハWから上述の溶解されたフォトレジスト層(アライメントマーク上の)および残りの溶剤を除去するように用いられる(フォトレジスト層と反応することなく)。具体的に言えば、図2に示されるように、吸引ユニット208は、チューブ構造を有する。吸引ユニット208は、チャンバ200内に配置され、入口H2がウエハWの端部に近接する。吸引ユニット208は、パイプP2によって、エジェクタ209、例えば、排出ポンプに連結する。また、コントローラ207は、エジェクタ209にも連結し、エジェクタ209の排出の開始および停止を制御する。従って、コントローラ207は、エジェクタ209により、吸引ユニット208を制御し、排出(図で示された矢印A1のように)によって、ウエハWから溶解されたフォトレジスト層を除去することができる。図示されていないが、エジェクタ209は、設備の終端で揮発性有機化合物排出(volatile organic compound exhaust; VEX)システムに流体的に連結する。
また、吸引ユニット208によって提供された吸引力により、溶解されたフォトレジスト層をウエハWから迅速に除去することができるだけでなく、ウエハW上の残りの溶解をウエハWから迅速に除去することができる(フォトレジスト層と反応することなく)。例えば、図2に示されたように、ノズル2052がウエハWの表面S1に対して傾斜するように構成され、且つノズル2052の出口H1がウエハWの端部に向くように構成されたとき、溶剤ディスペンサー205により提供された溶剤は、ウエハWをより早く剥離するように送られることができる(吸引ユニット208の吸引力により)。言い換えれば、溶剤がウエハ上に堆積または滞留することがないため、アライメントマーク302(図3)に近接するICダイ(図示されていない)にダメージが生じる機会を減少する。従って、ダイの損失を減少することができ、製造歩留りを向上できる。
いくつかの実施形態では、コントローラ207は、吸引ユニット208の排出速度も制御する。例えば、吸引ユニット208の排出速度は、溶剤がウエハWをより早く剥離できるように、80LPM(l/min)より高く制御されることが好ましい。また、吸引ユニット208の動作中、エジェクタは、真空(負)の圧力、例えば、−70キロパスカル(Kilo−Pascals; KPA)を吸引ユニット208に生成し、エジェクタは、例えば、5.7kgf/cm2より大きいクリーンドライエア(clean−dry−air; CDA)圧力を有するCDAシステムであることができる。
また、吸引ユニット208は、モータ2081(図4B参照)によってチャンバ200で移動可能であり、吸引ユニット208を前後方向に駆動させることができる。図2に示されるように、コントローラ207も吸引ユニット208に電気的に接続し(例えば、図4Bのモータ2081に連結することによって)、且つ吸引ユニット208を前後方向に(即ち、両矢印で図に示されたように、X軸方向に平行して)移動させるように制御するため、吸引ユニット208の入口H2は、ウエハWの周辺領域のアライメントマークに向けてまたはアライメントマークから離れて移動できる。いくつかの実施形態に基づいて、吸引ユニット208もZ軸方向に沿って移動可能であり、シリンダー(図示されていない)によって駆動される。
排出ユニット(drain unit)210は、チャンバ200に提供され、ウエハWから落下した溶剤を収集するように用いられる。図2に示されるように、排出ユニット210は、排出ユニット210の上部に入口H3を形成したチューブ構造を有し、ウエハWの端部の下方に配置される。従って、ウエハWから落下したとき、排出ユニット210によって収集されることができる。図に示されていないが、排出ユニット210は、設備の終端で廃棄物処理システムに流体的に連結する。
また、ウエハWのアライメントマークの位置を決定するために、アライメントユニット211がチャンバ200に提供される。図3に示されるように、ウエハWは、配向ノッチ(orientation notch)304を備えており、2つのアライメントマーク302は、配向ノッチ304から55°および235°の位置のウエハの端部に近接して位置している。アライメントユニット211は、光学的方法によって、配向ノッチ304の位置を探索することができる(ウエハWが回転している間に)。例えば、配向ユニット211は、光線Bを放射することができ(図2)、光線Bが配向ノッチ304を通過した場合、ウエハWの下方の検出装置Dにより検出されることができる。従って、アライメントユニット211は、配向ノッチ304の位置を決定することができ、且つアライメントマーク302および配向ノッチ304の間の既知の角度により、アライメントマーク302の位置を決定することもできる。
上述の2つのアライメントマーク302は、単に例示的なものに過ぎず、ウエハWは、1つのアライメントマーク302のみ、または1つ以上のアライメントマーク302を含んでもよく、アライメントマーク302は、配向ノッチ304から異なる角度でウエハWの周辺領域の任意の他の位置に配置されてもよい。
図2に示されるように、アライメントユニット211および駆動機構204もコントローラ207に電気的に接続される。配向ノッチ304が検出された後、アライメントユニット211は、回転(角度)パラメータを含む位置信号をコントローラ207に生成する。次いで、コントローラ207は、位置信号に従って駆動機構204を制御し、アライメントマーク302(図3)の中の1つが所定(且つ、固定)の位置に達するように、ホルダ202およびウエハWが回転するように駆動する。溶剤ディスペンサー205の出口H1および吸引ユニット208の入口H2は、アライメントマーク302と位置合わせされ、アライメントマーク302に近接する。次いで、ウエハWのアライメントマーク302上のフォトレジスト層は、上述の溶剤ディスペンサー205および吸引ユニット208によって除去されることができる。いくつかの実施形態に基づいて、上述のアライメントシステム(アライメントユニット211および駆動機構204を含む)のアライメント精度(3σ)は、0.5mmより小さい。
上述のアライメントマーク302上のフォトレジスト層がうまく除去された後、ウエハWの他のアライメントマーク302も駆動機構204(コントローラ207により制御された)により移動され、所定の位置に達して、その上のフォトレジスト層を除去することができる。
装置20にアライメントユニット211を提供する設計では、(自動)装置20は、ウエハの周辺領域の少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を迅速且つ確実に除去できるため、処理時間を短縮し、製造歩留りを向上させる。
次に、いくつかの実施形態に基づいた図2の装置の操作が図4A〜図4Cを参照して、更に説明される。図4A〜図4Cは、順次に示している。
図4Aに示されるように、ウエハW(図3を参照)は、チャンバ200のホルダ202に配置される。次いで、ウエハWは、駆動機構204によって回転され、アライメントユニット211は、光線BをウエハWの端部に放射し、配向ノッチ304を探索する。光線Bが配向ノッチ304を通過しない場合、駆動機構204は、ホルダ202およびその上のウエハWの回転を持続する。一方で、光線Bが配向ノッチ304を通過し、検出装置Dにより検出された場合、コントローラ207によって制御された駆動機構204(図2を参照)は、ウエハWの回転を停止し、アライメントユニット211は、配向ノッチ304の位置を決定する。上述のように、アライメントユニット211が配向ノッチ304の位置を決定する場合、アライメントマーク302と配向ノッチ304の間の既知の角度により、ウエハWのアライメントマーク302の位置も決定することができる。
次に、アライメントユニット211は、コントローラ207に位置信号を生成し、コントローラ207は、位置信号に従って駆動機構204を制御し、ウエハW上のアライメントマーク302の中の1つが所定(且つ、固定)の位置に達するまで、ホルダ202およびウエハWが回転するように駆動する。
図4Bに示されるように、上述のウエハW上のアライメントマーク302が所定の位置に達した後、溶剤ディスペンサー205は、コントローラ207(図2)によって制御されたモータ2053およびシリンダー2054により上下方向に駆動され、且つ溶剤ディスペンサー205の出口H1は、アライメントマーク302と位置合わせされて、ウエハWの端部に近接した所定の位置に達することができる。同様に、吸引ユニット208は、コントローラ207(図2)によって制御されたモータ2081により前方向に移動され、且つ吸引ユニット208の入口H2は、アライメントマーク302と位置合わせされて、ウエハWの端部に近接した所定の位置に達することができる。
図4Cに示されるように、溶剤ディスペンサー205および吸引ユニット208が上述のようにその所定の位置に達した後、溶剤ディスペンサー205は、アライメントマーク302上のフォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、溶解されたフォトレジスト層を生成し、且つ吸引ユニット208は、ウエハWから溶解されたフォトレジスト層および溶剤を除去することができる。上述のように、溶剤ディスペンサー205および吸引ユニット208の連携により、アライメントマーク302上のフォトレジスト層は、うまく除去され、且つウエハW上の溶剤も迅速に除去されることができるため、アライメントマーク302に近接するICダイ(図示されていない)が溶剤で容易にダメージを受けるのを防ぎ、製造歩留りを向上させることができる。
ウエハWの端部の下方に配置された排出ユニット210は、ウエハWから落下した溶剤を収集することができる。
また、図4Cに示されるように、溶剤ディスペンサー205が、ウエハWのアライメントマーク302上のフォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、吸引ユニット208がウエハWから溶解されたフォトレジスト層および溶剤を除去したとき、溶剤ディスペンサー205および吸引ユニット208は、ウエハWの表面S1に平行する同じ方向に沿って一緒に移動されることが好ましい(図の矢印で示されるように、ウエハの端部から内部へ)。この方式により、溶剤によるダメージがICダイに生じるのをより防ぐことができる。しかしながら、いくつかの実施形態に基づいて、溶剤ディスペンサー205および吸引ユニット208は、溶剤ディスペンサー205が、ウエハWのアライメントマーク302上のフォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、吸引ユニット208がウエハWから溶解されたフォトレジスト層および溶剤を除去したとき、ウエハWの内部から端部のもう1つの方向に沿って一緒に移動することもできる。
上述のアライメントマーク302上のフォトレジスト層が除去された後、コントローラ207によって制御された駆動機構204も、その上の他のアライメントマーク302が上述の所定の位置に達するように、ウエハWを回転させることができる。次いで、他のアライメントマーク302上のフォトレジスト層も溶剤ディスペンサー205および吸引ユニット208によって除去することができる。
ウエハWのアライメントマーク302上のフォトレジスト層がうまく除去された後、溶剤ディスペンサー205および吸引ユニット208は、逆方向に移動され、元の位置に戻ることができ、且つウエハWは、チャンバ200から搬出され、次のプロセスを行うことができる。
図5は、いくつかの実施形態に係る、ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する方法500を示すフローチャートである。ステップ501では、ホルダ202が提供される(図4A参照)。ステップ502では、ウエハW(図3参照)は、ホルダ202上に配置される。少なくとも1つのアライメントマーク302がウエハWの周辺領域に形成され、フォトレジスト層は、アライメントマーク302上にコーティングされている。ステップ503では、溶剤ディスペンサー205は、アライメントマーク302上のフォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、溶解されたフォトレジスト層を生成する(図4Cを参照)。ステップ504では、吸引ユニット208は、排出によってウエハWから溶解されたフォトレジスト層および溶剤を除去する(図4C参照)。
上述の方法500は、単に例示的なものに過ぎず、いくつかの実施形態では、ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する方法は、他のステップおよび/または他のステップの順序を有してもよいことは理解すべきである(例えば、上述のアライメントユニットを用いてアライメントマークの位置を決定し、上述の駆動機構を用いてウエハ上のアライメントマークを所定の位置に移動する、アライメントマーク上のフォトレジスト層のプロセスを除去する前に、溶剤ディスペンサーおよび/または吸引ユニットをその所定の位置に移動する、および/または除去プロセスのときに、溶剤ディスペンサーおよび吸引ユニットを移動する、など)。
上述のように、本発明の実施形態は、ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置および方法を提供する。前記装置および方法は、アライメントユニット(装置内に組み込まれた)を用いてアライメントマークの位置を決定することによって、溶剤ディスペンサーを用いて、フォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、フォトレジスト層を溶解することによって、且つ吸引ユニットを用いてウエハから溶解されたフォトレジスト層を除去することによって、ウエハの周辺領域の少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を迅速且つ確実に除去できる。また、吸引ユニットの吸引は、ウエハから溶剤をより早く排出させる助けをすることができるため、ダイの損失を減少し(即ち、製造歩留りを向上させ)、処理時間を短縮することができる。
本開示は、実施例の方法を用いて、且つ実施形態の観点から記述されてきたが、本開示は開示された実施形態に限定されるものではないということを理解されたい。逆に、(当業者には明らかであるように)種々の変更及び同様の配置を含むように意図される。
20 装置
100、W ウエハ
104、302 アライメントマーク
106 ICダイ
200 チャンバ
202 ホルダ
203 軸
204 駆動機構
205 溶剤ディスペンサー
2051 可動アーム
2052 ノズル
2053 モータ
2054 シリンダー
206 溶剤源
207 コントローラ
208 吸引ユニット
2081 モータ
209 エジェクタ
210 排出ユニット
211 アライメントユニット
304 配向ノッチ
500 方法
501、502、503、504 ステップ
B 光線
D 検出装置
H1 出口
H2、H3 入口
M 流量計
P1、P2 パイプ
S1 表面

Claims (11)

  1. ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置であって、
    前記アライメントマークが周辺領域に形成された前記ウエハを、支持するために使用されるホルダ、
    前記ウエハの前記アライメントマーク上の前記フォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、溶解されたフォトレジスト層を生成するように用いられる溶剤ディスペンサー、および
    前記ウエハから前記溶解されたフォトレジスト層および前記溶剤を除去するように用いられる吸引ユニットを含み、
    前記溶剤ディスペンサーは、前記ウエハに向けて又は前記ウエハから離れて移動することができ、
    前記吸引ユニットは、前記ウエハに向けて又はウエハから離れて移動することができ、
    前記溶剤ディスペンサーおよび前記吸引ユニットは、前記ウエハの表面に平行する方向に沿って一緒に移動可能である装置。
  2. 前記溶剤ディスペンサーを前後方向に駆動するように用いられるモータ、および
    前記溶剤ディスペンサーを上下方向に駆動するように用いられるシリンダーを含む請求項1に記載の装置。
  3. 前記溶剤ディスペンサーは、可動アームおよび前記可動アームに連結されたノズルを含み、
    前記ノズルは、前記ウエハの表面に対して傾斜し、前記表面の上に構成され、前記ノズルの出口が前記ウエハの端部に向いている請求項に記載の装置。
  4. パイプおよび流量計を含み、
    前記パイプは、前記溶剤ディスペンサーに連結され前記溶剤を供給し、
    前記流量計は、前記パイプに設けられ、前記パイプ内を流れる前記溶剤の流量を測定する請求項1に記載の装置。
  5. 前記ウエハ上の配向ノッチを探索することによって、前記ウエハの前記アライメントマークの位置を決定するように用いられ、且つ位置信号を生成するように用いられるアライメントユニット、および
    前記ウエハから落下した前記溶剤を収集するように用いられる排出ユニットを含む請求項1に記載の装置。
  6. 前記ホルダに連結された駆動機構を含み、
    前記駆動機構は、
    前記溶剤ディスペンサーの出口及び前記吸引ユニットの入口が前記アライメントマークと位置合わせされて近接する位置に、前記アライメントマークが届くように、前記アライメントユニットからの前記位置信号に従って前記ホルダ及び前記ウエハを回転させる
    請求項に記載の装置。
  7. ウエハの少なくとも1つのアライメントマークからフォトレジスト層を除去する方法であって、
    前記ウエハの周辺領域に前記アライメントマークが形成され、かつ、アライメントマーク上にフォトレジスト層がコーティングされている前記ウエハを、ホルダ上に配置するステップ、
    溶剤ディスペンサーにより、前記アライメントマーク上の前記フォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、溶解されたフォトレジスト層を生成するステップ、および
    吸引ユニットにより、前記ウエハから前記溶解されたフォトレジスト層および前記溶剤を除去するステップを含み、
    前記溶剤ディスペンサーは、前記ウエハに向けて又は前記ウエハから離れて移動することができ、
    前記吸引ユニットは、前記ウエハに向けて又はウエハから離れて移動することができ、
    前記溶剤ディスペンサーおよび前記吸引ユニットは、前記ウエハの表面に平行する方向に沿って一緒に移動可能である方法。
  8. 前記溶剤ディスペンサーは、可動アームおよび前記可動アームに連結されたノズルを含み、
    前記ノズルは、前記ウエハの表面に対して傾斜し、前記表面の上に構成され、前記ノズルの出口が前記ウエハの端部に向いている請求項に記載の方法。
  9. 前記溶剤が前記溶剤ディスペンサーによって、前記アライメントマーク上の前記フォトレジスト層の上にスプレーされる前に、前記溶剤ディスペンサーの出口が、前記アライメントマークと位置合わせされて、前記ウエハの端部に近接するように前記溶剤ディスペンサーを移動するステップ、
    前記溶解されたフォトレジスト層および前記溶剤が前記吸引ユニットによって、前記ウエハから除去される前に、前記吸引ユニットの入口が、前記アライメントマークと位置合わせされて、前記ウエハの端部に近接するように前記吸引ユニットを移動するステップ、および
    前記溶剤ディスペンサーが前記フォトレジスト層の上に溶剤をスプレーし、前記吸引ユニットが前記ウエハから前記溶解されたフォトレジスト層および前記溶剤を除去するときに、前記溶剤ディスペンサーおよび前記吸引ユニットを前記ウエハの端部から前記ウエハの内部に向いた方向に沿って一緒に移動するステップを含む請求項に記載の方法。
  10. アライメントユニットにより前記ウエハ上の配向ノッチを探索することによって、前記ウエハの前記アライメントマークの位置を決定し、位置信号を生成するステップ、
    ホルダに連結された駆動機構を駆動するステップ、
    前記アライメントユニットからの前記位置信号に従って前記駆動機構で前記ホルダ及び前記ウエハを回転し、前記溶剤ディスペンサーの出口および前記吸引ユニットの入口が前記アライメントマークと位置合わせされて近接した位置に前記アライメントマークが達するステップ、および
    排出ユニットに、前記ウエハから落下した前記溶剤を収集するステップを更に含む請求項に記載の方法。
  11. 前記吸引ユニットは、80LPM(l/min)より高い排出速度を有する請求項に記載の方法。
JP2017146652A 2017-04-11 2017-07-28 アライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置および方法 Active JP6473781B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/484,734 2017-04-11
US15/484,734 US11747742B2 (en) 2017-04-11 2017-04-11 Apparatus and method for removing photoresist layer from alignment mark

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018182277A JP2018182277A (ja) 2018-11-15
JP6473781B2 true JP6473781B2 (ja) 2019-02-20

Family

ID=63710403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017146652A Active JP6473781B2 (ja) 2017-04-11 2017-07-28 アライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置および方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11747742B2 (ja)
JP (1) JP6473781B2 (ja)
KR (1) KR101997711B1 (ja)
CN (1) CN108695191B (ja)
TW (1) TWI664506B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7442938B2 (ja) * 2020-06-05 2024-03-05 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法、及び加工装置
CN111696881B (zh) * 2020-06-17 2023-12-26 段玲玲 一种硅晶圆光阻溶解过程观测装置
CN114959843B (zh) * 2021-02-19 2024-09-20 台湾积体电路制造股份有限公司 后电填充模块及用于后电填充模块的校准方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05166720A (ja) 1991-12-13 1993-07-02 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の製造方法及びその製造装置
TW285779B (ja) * 1994-08-08 1996-09-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3337870B2 (ja) * 1995-05-11 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
JPH0929158A (ja) 1995-07-18 1997-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式塗布装置
US6015467A (en) * 1996-03-08 2000-01-18 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of removing coating from edge of substrate
JP3265237B2 (ja) * 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板縁部の薄膜除去装置
US6103636A (en) * 1997-08-20 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for selective removal of material from wafer alignment marks
KR100271768B1 (ko) 1998-06-26 2001-02-01 윤종용 반도체 포토레지스트제거용 용제조성물, 이를 이용한 반도체장치 제조용 웨이퍼의 리워크방법 및 반도체장치의 제조방법
JP3752420B2 (ja) 1999-11-11 2006-03-08 東京エレクトロン株式会社 薄膜除去装置
US6453916B1 (en) 2000-06-09 2002-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Low angle solvent dispense nozzle design for front-side edge bead removal in photolithography resist process
US6691719B2 (en) * 2001-01-12 2004-02-17 Applied Materials Inc. Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning
TW508635B (en) 2001-07-18 2002-11-01 Taiwan Semiconductor Mfg Alignment mark reproduction device and method thereof
TWI236944B (en) 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
US6682605B2 (en) 2002-01-07 2004-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for removing coating layers from alignment marks
US6743735B2 (en) * 2002-03-19 2004-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Photoresist removal from alignment marks through wafer edge exposure
US7997288B2 (en) * 2002-09-30 2011-08-16 Lam Research Corporation Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate
JP2004200405A (ja) 2002-12-18 2004-07-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄膜除去装置
JP4183121B2 (ja) 2003-04-14 2008-11-19 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
TWI222550B (en) 2003-05-07 2004-10-21 Toppoly Optoelectronics Corp Method for removing color photoresist during lithographical alignment process
JP2005016155A (ja) 2003-06-26 2005-01-20 Ansei:Kk アクチュエータ
JP4376072B2 (ja) * 2004-01-16 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR100650259B1 (ko) * 2005-12-20 2006-11-27 동부일렉트로닉스 주식회사 포토레지스트막 도포장치 및 이를 이용한 포토리소그라피방법
JP4675803B2 (ja) 2006-03-10 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 平坦化装置
JP2007316360A (ja) 2006-05-26 2007-12-06 Nishimura Yasuji 水系フォトレジスト剥離液の管理方法および管理装置
KR100945768B1 (ko) * 2006-10-05 2010-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 배액컵의 세정 방법
JP5068577B2 (ja) 2007-04-25 2012-11-07 株式会社エムテーシー 角形被処理体のフォトレジストの除去装置
JP2009042582A (ja) 2007-08-10 2009-02-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細パターン形成方法及び被覆膜形成用材料
US20090211603A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Tokyo Electron Limited System and Method For Removing Post-Etch Residue
JP2011198933A (ja) 2010-03-18 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd レジスト除去装置及びレジスト除去方法
JP5623104B2 (ja) 2010-03-18 2014-11-12 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
KR20110119382A (ko) 2010-04-27 2011-11-02 엘지디스플레이 주식회사 표시장치용 기판의 부산물 제거장치
KR101596666B1 (ko) 2010-07-14 2016-03-18 주식회사 에스앤에스텍 레지스트막 제거장치, 마스크 블랭크 및 마스크 블랭크의 제조 방법
JP5146526B2 (ja) * 2010-12-28 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN103135337A (zh) * 2011-12-01 2013-06-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 对准标记的曝光方法及系统
JP5632860B2 (ja) * 2012-01-05 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
TWI576938B (zh) * 2012-08-17 2017-04-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
US9744565B2 (en) * 2012-12-14 2017-08-29 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. Swing spray device of cleaning apparatus and cleaning method
CN104216216A (zh) * 2013-06-05 2014-12-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 涂布装置的洗边腔室和洗边方法
JP2015179272A (ja) 2015-04-01 2015-10-08 東京エレクトロン株式会社 パターン形成方法、パターン形成装置及びコンピュータ可読記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
CN108695191B (zh) 2021-07-09
CN108695191A (zh) 2018-10-23
KR101997711B1 (ko) 2019-07-09
TW201837621A (zh) 2018-10-16
JP2018182277A (ja) 2018-11-15
KR20180114807A (ko) 2018-10-19
US20180292758A1 (en) 2018-10-11
US11747742B2 (en) 2023-09-05
TWI664506B (zh) 2019-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8707893B2 (en) Substrate treatment system, substrate treatment method, and non-transitory computer storage medium
TWI357099B (en) Polishing apparatus
KR101608509B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
US8512478B2 (en) Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus
JP6473781B2 (ja) アライメントマークからフォトレジスト層を除去する装置および方法
JP5314657B2 (ja) ノズルの位置調整方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
US11806743B2 (en) Spin dispenser module substrate surface protection system
US20070190437A1 (en) Substrate processing apparatus
US20180147599A1 (en) Substrate processing apparatus, film formation unit, substrate processing method and film formation method
CN109817549B (zh) 基片处理装置和涂敷单元的参数的调整方法以及存储介质
TW201737326A (zh) 保護膜被覆方法
US20240253079A1 (en) Substrate processing method
US7651285B2 (en) Edge exposure apparatus, coating and developing apparatus, edge exposure method and coating and developing method, and storage medium
US20190004427A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2001110712A (ja) 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
CN110941152A (zh) 处理基板的边缘光刻胶去除系统和方法
JP3920897B2 (ja) 現像装置及び現像方法
KR102315110B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI743704B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2003218005A (ja) 処理方法
JPH11251289A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2635476B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
TWI806604B (zh) 單晶圓處理設備、單晶圓處理方法和單晶圓處理系統
JP7166427B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP2004022876A (ja) クリーニング機構

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6473781

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250