CN108695191A - 光致抗蚀剂去除装置及方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种光致抗蚀剂去除装置，用以去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层。装置包括载台、溶剂分配器及抽吸单元。载台用以支撑晶圆，其中于晶圆的周边区形成对准标记。溶剂分配器用以喷洒溶剂至晶圆的对准标记上的光致抗蚀剂层上以产生已溶解光致抗蚀剂层。抽吸单元用以自晶圆上以排出的方式去除已溶解光致抗蚀剂层和溶剂。

Description

光致抗蚀剂去除装置及方法
技术领域
本发明实施例涉及半导体制程技术，且特别关于用以去除晶圆的对准标记上的光致抗蚀剂层的装置及方法。
背景技术
对准在微影、沉积和其他半导体制程中具有关键性的作用。若未妥善地沉积或未妥善地选择性地移除膜层，则所得半导体装置可能不具功能性而须报废，导致成本的提高。因此，在半导体晶圆上放置对准标记，可确保在沉积和微影制程时的定位适当。
图1是传统晶圆100的示意性俯视图。如图1所示，多IC晶粒均匀地分布于整个晶圆上，且于晶圆100的周边区形成至少一对准标记。
须注意的是，当已有数层金属或其他层沉积于晶圆上时，对准特别具有关键性。特别是如于随后沉积二氧化硅与其他层的例子中，通常需要露出晶圆100上的对准记号104以适当的覆盖二氧化硅或其他层，因用以对这些层图案化或进行其他制程的光致抗蚀剂层可轻易地覆盖或至少模糊对准记号104，造成对准失败。
业界广用的清洁方法是使用棉花棒及丙酮以人工方式从对准记号104移除光致抗蚀剂层。虽然该人工清洁方法可移除对准记号104上的光致抗蚀剂层，但其不可避免地造成晶圆100周边区的晶粒损失。举例来说，如图1所示，于人工移除光致抗蚀剂层时将会完全损失靠近对准记号104的IC晶粒106。因此对产率有负面影响。此外，人工清洁法也耗时且难以控制清洁度及品质。
因此，需要一种可改进上述人工清洁法问题的自动清洁法。
发明内容
本发明实施例提供一种用以去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层的装置及方法。该装置及方法可快速且精确地自晶圆的至少一对准标记上移除光致抗蚀剂层，进而降低晶粒损失及制程时间。
提供一种光致抗蚀剂去除装置的实施例，其用以去除一晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂去除装置包括：载台，用以支撑晶圆，其中对准标记形成于晶圆的周边区；溶剂分配器，用以在晶圆的对准标记上的光致抗蚀剂层上喷洒溶剂，以产生已溶解光致抗蚀剂层；以及抽吸单元，用以自晶圆去除已溶解光致抗蚀剂层及溶剂。
于一些实施例中，溶剂分配器可移向或移离晶圆。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括马达，用以驱动溶剂分配器向前及向后，及汽缸，用以驱动溶剂分配器向上及向下。
于一些实施例中，溶剂分配器包括可动臂及连接至可动臂的喷嘴，其中喷嘴配置使喷嘴相对于晶圆的表面是倾斜的，且喷嘴的出口朝向晶圆的边缘。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括导管及流量计，导管连接至溶剂分配器，用以供应溶剂，且流量计是提供给导管以测量于导管中的溶剂的流速。
于一些实施例中，抽吸单元可移向或移离晶圆。
于一些实施例中，溶剂分配器及抽吸单元可一起沿着平行于晶圆表面的方向移动。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括对准单元，用以通过搜寻晶圆上的定位切口决定晶圆的对准标记的位置，且用以产生位置信号。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括驱动机械，连接至载台，且用以驱动载台及晶圆以依据来自对准单元的位置信号进行旋转而使对准标记抵达一位置，于该位置溶剂分配器的出口及抽吸单元的入口靠近且对准对准标记。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除装置还包括排放单元，用以收集自晶圆落下的溶剂。
一种光致抗蚀剂去除方法，用以去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层，包括提供载台；于载台上放置晶圆，其中于晶圆的周边区形成有对准标记，且于对准标记上涂布光致抗蚀剂层；提供溶剂分配器，以喷洒溶剂于晶圆的对准标记上的光致抗蚀剂层上，以产生已溶解光致抗蚀剂层；以及提供抽吸单元，以自晶圆去除已溶解光致抗蚀剂层及溶剂。
于一些实施例中，溶剂分配器可移向或移离晶圆。
于一些实施例中，溶剂分配器包括可动臂及连接至该可动臂的喷嘴，其中配置喷嘴，使喷嘴相对于晶圆的表面是倾斜的，且将喷嘴的出口朝向晶圆的边缘。
于一些实施例中，抽吸单元可移向或移离晶圆。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除方法还包括在通过溶剂分配器喷洒溶剂于对准标记上的光致抗蚀剂层上之前，移动溶剂分配器，使得溶剂分配器的出口对准对准标记且靠近晶圆的边缘；以及在通过抽吸单元从晶圆去除已溶解光致抗蚀剂层及溶剂之前，移动抽吸单元，使得抽吸单元的出口对准对准标记且靠近晶圆的边缘。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除方法还包括：于溶剂分配器喷洒溶剂于光致抗蚀剂层上且抽吸单元从晶圆去除已溶解光致抗蚀剂层及溶剂时，沿着自晶圆的边缘朝向晶圆的内部的方向一起移动溶剂分配器及抽吸单元。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除方法还包括：提供对准单元，以通过搜寻该晶圆上的定位切口决定该晶圆的对准标记的位置，且产生位置信号。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除方法还包括：提供连接至该载台的驱动机械；以及驱动载台及晶圆以依据来自对准单元的位置信号进行旋转而使对准标记抵达一位置，于该位置溶剂分配器的出口及抽吸单元的入口靠近且对准对准标记。
于一些实施例中，光致抗蚀剂去除方法还包括：提供排放单元，以收集自晶圆落下的溶剂。
于一些实施例中，抽吸单元有大于80LPM(L/min)的排放速率。
附图说明
通过阅读随后的细节说明和伴随着示意图的范例，可更加充分地了解本发明，其中：
图1是传统晶圆的示意性俯视图；
图2是根据一些实施例的用去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂去除装置的示意图；
图3是根据一些实施例的与定位缺口相关的晶圆对准记号位置的示意性俯视图；
第4A至图4C是根据一些实施例示意使用图2中的装置自晶圆对准记号移除光致抗蚀剂层各步骤的示意图；以及
图5是根据一些实施例示出的自晶圆至少一对准记号移除光致抗蚀剂层的方法的流程图。
附图标记说明：
20～装置
100、W～晶圆
104、302～对准标记
106～IC晶粒
200～腔室
202～载台
203～轴
204～驱动机械
205～溶剂分配器
2051～可动臂
2052～喷嘴
2053～马达
2054～汽缸
206～溶剂源
207～控制器
208～抽吸单元
2081～马达
209～排出器
210～排放单元
211～对准单元
304～定位切口
500～方法
501、502、503、504～步骤
B～光束
D～检测器
H1～出口
H2、H3～入口
M～流量计
P1、P2～导管
S1～表面
具体实施方式
以下将配合说明书附图详述本发明的实施例。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此限定本发明的范围。本发明的范围最好由所附权利要求决定。
于随后细节描述，可能用到与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，且不该以此限定本发明的范围。此外，在说明书中提到第一特征形成于第二特征之上，其包括第一特征与第二特征是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征与第二特征之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征与第二特征并非直接接触。
此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。此外，于实施例中一些未示出的或描述的元件具有本领域技术人士已知的形式。
在此提供一种光致抗蚀剂去除装置的实施例，此装置用以去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层。此装置可独立于旋转涂布机和其他装置或者也可整合于其中。
图2是根据一些实施例的用去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂去除装置20的示意图。装置20包括密封的腔室200，用以容纳随后叙述的部件。
于腔室200中放置载台202以支撑晶圆W，如半导体晶圆。载台202可支撑100mm、150mm、200mm、300mm或甚至更大的晶圆W。举例来说，可通过由闸门阀组件(gate valveassembly)(未示出的)控制的开口(未示出的)自腔室200送入和送出晶圆W。此外，晶圆W可由机械晶圆传送系统(robotic wafer transfer system)(未示出的)送上及送下载台202。于制程中，可用载台202中的真空吸盘(未示出的)于载台202的顶部支撑晶圆W。也可使用其他夹持的方法。
如图2所示，载台202连接至轴203。此外，可由耦接至轴203的驱动机械204转动载台202和其上的晶圆W(如图中箭头所示)。于一些实施例中，驱动机械204也可用以沿着Z方向驱动载台202。驱动机械204可包括汽缸、马达、滚轴、皮带或其组合。
于腔室200中提供溶剂分配器205，其用以喷洒溶剂于晶圆W的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层上。根据图3，于一些实施例中，于晶圆W的周边区中形成两个对准记号302(亦即于靠近晶圆W边缘处形成)，但也可于晶圆W上形成仅一个或更多对准记号302。于整个晶圆W上涂布光致抗蚀剂层(未示出的)。通过溶剂分配器205(图2)提供溶剂，用以溶解对准记号302上的光致抗蚀剂层以露出对准记号302，从而预防于对准时光致抗蚀剂层覆盖或模糊对准记号302。溶剂是光致抗蚀剂溶解剂，其可包括于本领域中使用的任何可选的化学物质。
如图2所示，溶剂分配器205经由导管P1连接至溶剂源206。溶剂源206用以储存溶剂且电性连接至控制器207。控制器207用以控制溶剂源206以开始和停止提供溶剂至溶剂分配器205，和用以控制提供于溶剂分配器205的溶剂的流速。如此一来，控制器207还控制溶剂分配器205的操作(如开关和喷洒速率)。在一些实施例中，进一步提供流量计M至导管P1，以测量在其中流动的溶剂的流动速率(即，溶剂分配器205的喷洒速率)。
此外，溶剂分配器205可在腔室中200移动，以使得其出口H1可移向或移离晶圆W周边区的对准标记。特别是在一些实施例中，溶剂分配器205包括可动臂2051和喷嘴2052。举例来说，可动臂2051是能够经由马达2053和汽缸2054于腔室200中移动的机械臂(参见图4B)。马达2053可以向前和向后驱动溶剂分配器，汽缸2054可向上和向下驱动溶剂分配器。喷嘴2052连接至可动臂2051，以于晶圆W的周边区中的对准标记上的光致抗蚀剂层喷洒溶剂。此外，控制器207电性连接至溶剂分配器205(如通过连接至图4B的马达2053和汽缸2054)，且用以控制可动臂2051沿Z轴方向(即向上和向下)和沿X轴方向(即向前和向后)移动，如图2中示出的双箭头。
如图2所示，为了使溶剂更容易离开晶圆W，优选地配置喷嘴2052，使其倾斜于晶圆W上形成对准标记的表面S1，且喷嘴2052的出口H1朝向晶圆W的边缘。应注意的是，若溶剂越快离开晶圆W，则对准记号302(图3)附近的IC晶粒(未示出)损坏的机会就越少。
举例来说，于相邻晶圆W周边区处提供抽吸单元208，其用以从晶圆W经由排放而去除上述已溶解光致抗蚀剂层(于对准标记上)和剩余的溶剂(未与光致抗蚀剂层反应)。具体而言，如图2所示，抽吸单元208具有管状结构。在腔室200中定位抽吸单元208，其入口H2接近晶圆W的边缘。抽吸单元208经由导管P2连接至排出器209，如排气泵。此外，控制器207也连接至排出器209且用以控制排出器209以开始和停止排出。因此，控制器207可以经由排出器209控制抽吸单元208经由排出(如图2的箭头A1示意)从晶圆W去除已溶解光致抗蚀剂层。虽然未在图中示出，排出器209在设备尾端流体连接至挥发性有机化合物排放(volatileorganic compound exhaust，VEX)系统。
此外，由于抽吸单元208提供的吸力，不仅可以从晶圆W快速去除已溶解光致抗蚀剂层，也可以从晶圆W快速去除剩余的溶剂(未与光致抗蚀剂层反应)。如图2中所示，当喷嘴2052倾斜于晶圆W的表面S1且喷嘴2052的出口H1朝向晶圆W的边缘，可驱赶(通过抽吸单元208的抽吸)由溶剂分配器205提供的溶剂以使其更快离开晶圆W。换句话说，溶剂不会累积或残留在晶圆上，以使对准记号302(图3)附近的IC晶粒(未示出)发生损坏的几率减少。因此可减少晶粒损失且可提高产率。
在一些实施例中，控制器207也控制抽吸单元208的排放速率。例如，控制抽吸单元208的排放速率优选高于80LPM(L/min)，使溶剂可以更快离开晶圆W。此外，于抽吸单元208的运行中，排出器209产生真空(负)的压力给抽吸单元208，例如小于-70kPa(千帕斯卡，Kilo-Pascals)，其中排出器可为清洁干燥空气(clean-dry-air，CDA)系统，其有例如大于5.7kgf/cm2的CDA压力。
此外，抽吸单元208在腔室200也可通过马达2081(见图4B)移动，其可向前和向后驱动抽吸单元208。如图2所示，控制器207也电性连接至抽吸单元208(如通过连接至图4B中的马达2081)且用以控制抽吸单元208向前和向后移动(即平行于X轴方向，如图中双箭头所示)，从而使抽吸单元208的入口H2移向或移离晶圆W外围区域中的对准标记。根据一些实施例，也可由汽缸(未示出)驱动抽吸单元208以沿着Z方向移动。
于腔室200中提供排放单元210，且其用以收集从晶圆W落下的溶剂。如图2所示，排放单元210具有管状结构，在其顶部形成入口H3，并在晶圆W的边缘下放置排放单元210。因此排放单元210可收集从晶圆W落下的溶剂。虽然在图中未示出，排放单元210流体连接至在设备尾端的废弃物处理系统。
此外，为了决定晶圆W对准标记的位置，在腔室200中提供对准单元211。请参照图3，晶圆W配置有定位切口304，以及位于靠近晶圆边缘自定位切口304量起55°和235°的位置的两个对准记号302。对准单元211可经由光学方法搜寻定位切口304的位置(于晶圆W转动时)。举例来说，对准单元211可放出光束B(图2)，若光束B穿透定位切口304，晶圆W下的检测器D可检测到它。因此，对准单元211可决定定位切口304的位置，且因对准记号302和定位切口304间的角度是已知的，也可决定对准记号302的位置。
上述两个对准记号302仅是示例性的，且晶圆W可包括仅一个对准记号302或多个对准记号302，其中，对准记号302可位于晶圆W的周边区的任何位置与自定位切口304起的不同角度。
如图2所示，对准单元211和驱动机械204也电性连接至控制器207。于发现定位切口304后，对准单元211产生包括旋转(角度)参数的位置信号给控制器207。然后，控制器207根据位置信号控制驱动机械204以驱动载台202与晶圆W进行旋转，使得其中一个对准记号302(图3)达到预定(和固定)位置，在该位置溶剂分配器205的出口H1和抽吸单元208的入口H2对准于并靠近对准记号302。之后，可以通过溶剂分配器205和抽吸单元208去除在晶圆W的对准记号302上的光致抗蚀剂层。在一些实施例中，上述对准系统(包括对准单元211和驱动机械204)的对准精度(3σ)小于0.5毫米(mm)。
在成功去除对准记号302上的光致抗蚀剂层后，也可以由驱动机械204(由控制器207控制)移动在晶圆W的其他对准记号302，以到达预定的位置而去除其上的光致抗蚀剂层。
通过在装置20中提供对准单元211的设计，(自动)装置20可以快速且准确地从晶圆W的周边区中至少一对准标记去除光致抗蚀剂层，从而降低了处理时间且提高产率。
接着，将根据一些实施例参照第4A至图4C进一步说明对图2的装置20的操作。请按序参阅第4A至图4C。
如图4A所示，在腔室200中的载台202上放置晶圆W(一并参见图3)。然后，通过驱动机械204转动晶圆W，且对准单元211可以向晶圆W的边缘发射光束B以加热定位切口304。如果光束B不穿过定位切口304，则驱动机械204继续转动载台202和其上的晶圆W；然而如果光束B穿过定位切口304并且被检测器D检测到，则由控制器207所控制的驱动机械204(一并参见图2)停止转动晶圆W，且对准单元211确定定位切口304的位置。如前所述，如果对准单元211确定定位切口304的位置，由于对准记号302和定位切口304之间的角度是已知的，它也能够确定晶圆W的对准记号302的位置。
接着，对准单元211产生位置信号给控制器207，并且控制器207根据位置信号控制驱动机械204以驱动载台202与晶圆W进行旋转，直到晶圆W上其中一个对准记号302抵达预定(和固定)位置。
如图4B所示，在上述晶圆W上的对准记号302到达预定位置后，由控制器207控制的马达2053汽缸2054向前和向下移动溶剂分配器205(图2)，且溶剂分配器205的出口H1可以到达对准于对准记号302和接近晶圆W边缘的预定位置。相似地，通过控制器207控制马达2081向前移动抽吸单元208(图2)，且抽吸单元208的入口H2可以达到对准于对准记号302和接近晶圆W边缘的预定位置。
如图4C所示，于溶剂分配器205和抽吸单元208到达如上所述的预定位置后，溶剂分配器205喷洒溶剂于对准记号302上的光致抗蚀剂层上以产生已溶解光致抗蚀剂层，且抽吸单元208可以从晶圆W去除已溶解光致抗蚀剂层和溶剂。如前所述，通过溶剂分配器205和抽吸单元208的配合，可以成功移除对准记号302上的光致抗蚀剂层且也可以迅速地去除晶圆W上的溶剂，从而防止对准记号302附近的IC晶粒(未示出)太容易被溶剂损坏，从而改善产率。
位于晶圆W边缘下方的排放单元210可收集从晶圆W落下的溶剂。
此外，如图4C所示，当溶剂分配器205喷洒溶剂于晶圆W的对准记号302上的光致抗蚀剂层上，且抽吸单元208自晶圆W去除已溶解光致抗蚀剂层和溶剂时，溶剂分配器205和抽吸单元208优选地沿相同的方向一起移动(例如从晶圆W的边缘到内部，如图中箭头所示)，该方向平行于晶圆W的表面S1。通过这种方式，更可以防止溶剂损坏IC晶粒。然而，根据一些实施例，当溶剂分配器205喷洒溶剂于晶圆W的对准记号302上的光致抗蚀剂层上，且抽吸单元208从晶圆W去除已溶解光致抗蚀剂层和溶剂时，溶剂分配器205和抽吸单元208也可一起沿从晶圆W的内侧朝向边缘的另一个方向移动。
于去除对准记号302上的光致抗蚀剂层后，由控制器207所控制的驱动机械204也可以转动晶圆W，使得其上的其它对准记号302到达上述预定的位置。然后也可由溶剂分配器205和抽吸单元208去除对准记号302上的光致抗蚀剂层。
于成功去除晶圆W的对准记号302上的光致抗蚀剂层后，溶剂分配器205和抽吸单元208可以朝反向移动以返回到原来的位置，且可自腔室200移出晶圆W以执行下一个制程。
图5是根据一些实施例示出的自晶圆至少一对准记号移除光致抗蚀剂层的方法500的流程图。在步骤501中，提供载台202(参见图4A)。在步骤502中，在载台202(一并参见图4A)上放置晶圆W(一并参见图3)，其中在晶圆W的外围区域中形成至少一对准记号302，且于对准记号302上涂布光致抗蚀剂层。在步骤503中，提供溶剂分配器205喷洒溶剂于对准记号302上的光致抗蚀剂层上，以产生已溶解光致抗蚀剂层(一并参照图4C)。在步骤504中，提供抽吸单元208，通过排出以从晶圆W去除已溶解光致抗蚀剂层和溶剂(一并参见图4C)。
应当理解，上述方法500仅是示例性的，于一些实施例中，从晶圆中的至少一对准标记去除光致抗蚀剂层的方法还可以具有其它的步骤和/或其它步骤顺序(例如上述以对准标记确定对准单元的位置，使用上述的驱动机械移动晶圆上的对准标记到预定位置，于去除对准标记上光致抗蚀剂层的制程之前移动溶剂分配器和/或抽吸单元到其预定位置，和/或于去除制程时移动溶剂分配器和抽吸单元)。
如上所述，本发明的实施例提供一种装置和用以从晶圆中的至少一对准标记去除光致抗蚀剂层的方法。该装置和方法能够快速且准确地从晶圆的周边区中至少一对准标记去除光致抗蚀剂层，通过对准单元(嵌入在装置中)以确定对准标记的位置，通过使用溶剂分配器喷洒溶剂于光致抗蚀剂层上以溶解光致抗蚀剂层，以及通过使用抽吸单元从晶圆去除已溶解光致抗蚀剂层。此外，抽吸单元的抽吸可以帮助溶剂更快从晶圆被清空，从而减少晶粒损耗(即提高产率)与处理时间。
上述内容概述许多实施例的特征，因此任何所属技术领域中技术人员，可更加理解本发明的各面向。任何所属技术领域中技术人员，可能无困难地以本发明为基础，设计或修改其他制程及结构，以达到与本发明实施例相同的目的及/或得到相同的优点。任何所属技术领域中技术人员也应了解，在不脱离本发明的构思和范围内做不同改变、代替及修改，如此等效的创造并没有超出本发明的构思及范围。

Claims (12)

1.一种光致抗蚀剂去除装置，用以去除一晶圆的至少一对准标记上的一光致抗蚀剂层，包括：
一载台，用以支撑该晶圆，其中该对准标记形成于该晶圆的一周边区；
一溶剂分配器，用以在该晶圆的该对准标记上的该光致抗蚀剂层上喷洒一溶剂，以产生一已溶解光致抗蚀剂层；以及
一抽吸单元，用以自该晶圆去除该已溶解光致抗蚀剂层及该溶剂。
2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂去除装置，其中该溶剂分配器可移向或移离该晶圆，且该抽吸单元可移向或移离该晶圆。
3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂去除装置，还包括一马达，用以驱动该溶剂分配器向前及向后，及一汽缸，用以驱动该溶剂分配器向上及向下。
4.如权利要求2所述的光致抗蚀剂去除装置，其中该溶剂分配器包括一可动臂及连接至该可动臂的一喷嘴，其中该喷嘴经配置使该喷嘴相对于该晶圆的一表面是倾斜的，且该喷嘴的一出口朝向该晶圆的边缘，且其中该溶剂分配器及该抽吸单元可一起沿着平行于该晶圆一表面的一方向移动。
5.如权利要求1所述的光致抗蚀剂去除装置，还包括一导管及一流量计，该导管连接至该溶剂分配器，用以供应该溶剂，且该流量计是提供给该导管以测量于该导管中的该溶剂的流速。
6.如权利要求1所述的光致抗蚀剂去除装置，还包括：
一对准单元，用以通过搜寻该晶圆上的一定位切口决定该晶圆的该对准标记的位置，且用以产生一位置信号；以及
一排放单元，用以收集自该晶圆落下的该溶剂。
7.如权利要求6所述的光致抗蚀剂去除装置，还包括：
一驱动机械，连接至该载台，且用以驱动该载台及该晶圆以依据来自该对准单元的该位置信号进行旋转而使该对准标记抵达一位置，于该位置该溶剂分配器的一出口及该抽吸单元的一入口靠近且对准该对准标记。
8.一种光致抗蚀剂去除方法，用以去除一晶圆的至少一对准标记上的一光致抗蚀剂层，包括：
提供一载台；
于该载台上放置该晶圆，其中于该晶圆的一周边区形成有该对准标记，且于该对准标记上涂布该光致抗蚀剂层；
提供一溶剂分配器，以喷洒一溶剂于该晶圆的该对准标记上的该光致抗蚀剂层上，以产生一已溶解光致抗蚀剂层；以及
提供一抽吸单元，以自该晶圆去除该已溶解光致抗蚀剂层及该溶剂。
9.如权利要求8所述的光致抗蚀剂去除方法，其中该溶剂分配器包括一可动臂及连接至该可动臂的一喷嘴，其中配置该喷嘴，使该喷嘴相对于该晶圆的一表面是倾斜的，且将该喷嘴的一出口朝向该晶圆的边缘。
10.如权利要求8所述的光致抗蚀剂去除方法，还包括：
在通过该溶剂分配器喷洒该溶剂于该对准标记上的该光致抗蚀剂层上之前，移动该溶剂分配器，使得该溶剂分配器的一出口对准该对准标记且靠近该晶圆的边缘；
在通过该抽吸单元从该晶圆去除该已溶解光致抗蚀剂层及该溶剂之前，移动该抽吸单元，使得该抽吸单元的一出口对准该对准标记且靠近该晶圆的边缘；以及
于该溶剂分配器喷洒该溶剂于该光致抗蚀剂层上且该抽吸单元从该晶圆去除该已溶解光致抗蚀剂层及该溶剂时，沿着自该晶圆的边缘朝向该晶圆的内部的一方向一起移动该溶剂分配器及该抽吸单元。
11.如权利要求8所述的光致抗蚀剂去除方法，还包括：
提供一对准单元，以通过搜寻该晶圆上的一定位切口决定该晶圆的该对准标记的位置，且产生一位置信号；
提供连接至该载台的一驱动机械；
驱动该载台及该晶圆以依据来自该对准单元的该位置信号进行旋转而使该对准标记抵达一位置，于该位置该溶剂分配器的一出口及该抽吸单元的一入口靠近且对准该对准标记；以及
提供一排放单元，以收集自该晶圆落下的该溶剂。
12.如权利要求8所述的光致抗蚀剂去除方法，其中该抽吸单元有大于80LPM(L/min)的一排放速率。
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