TWI460024B - Protective film coating method and protective film covering device - Google Patents

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Tomoaki Endo
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Description

保護膜被覆方法及保護膜被覆裝置 技術領域
本發明係有關於一種將樹脂之保護膜被覆於半導體晶圓或光元件晶圓等之晶圓表面的方法及保護膜被覆裝置。
 背景技術
於半導體元件製造程序中，藉由於構成略呈圓板形狀之半導體晶圓之表面排列成格子狀且被稱作切割道之分割預定線劃分複數領域，並於該劃分之領域形成IC、LSI、液晶驅動器、快閃記憶體等之元件。又，藉由沿著切割道切斷半導體晶圓，將業已形成元件之領域分割而製造個別之元件。又，藉由於藍寶石基板等之表面形成為格子狀之切割道劃分複數領域，並於該劃分之領域形成業已積層氮化鎵系化合物半導體等之光元件的光元件晶圓係沿著分割預定線分割成個別之發光二極體、雷射二極體等之光元件，並廣泛地利用在電子機器中。
將此種半導體晶圓或光元件晶圓等之晶圓沿著切割道分割之方法係揭示有以下方法，即：沿著業已形成於晶圓之切割道照射脈衝雷射光線，藉此，形成雷射加工溝，並沿著該雷射加工溝而藉由機械制動裝置來割斷(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利公開公報特開平10-305420號公報
相較於切削加工，雷射加工可加快加工速度，同時，即使是藉由像是藍寶石般硬度高之素材所構成的晶圓，亦可較輕易地進行加工，然而，若沿著晶圓之切割道照射雷射光線，則熱能會集中在所照射之領域而產生殘屑，且該殘屑會附著在與電路連接之接合墊等而產生使晶片品質降低之新問題。
為了解決因前述殘屑所造成之問題，目前揭示有一種雷射加工方法，其係將藉由聚乙烯醇等之樹脂所構成的保護膜被覆於晶圓之加工面，並經由保護膜將雷射光線照射至晶圓(例如，參照專利文獻2)。
[專利文獻2]特開2004-322168號公報
於前述專利文獻2中揭示有一種旋轉機塗布方法，其係於業已保持於旋轉機台之晶圓之中心部，自樹脂供給噴嘴滴下預定量之液狀樹脂，並將旋轉機台以例如3000rpm之旋轉速度旋轉，藉此，將液狀樹脂被覆於晶圓之加工面。然而，聚乙烯醇等之液狀樹脂係由於與晶圓之親和性低，因此會局部地散佈未被覆保護膜之領域，且要在晶圓表面被覆均一厚度之保護膜是困難的。故，如前所述，由於將旋轉機台以例如3000rpm之高速旋轉，因此，在晶圓表面所滴下的液狀樹脂之99%會飛散而被廢棄。舉例言之，若於直徑300mm之晶圓表面滴下30毫升之聚乙烯醇，並將旋轉機台以3000rpm之旋轉速度旋轉15秒鐘，則雖然會在晶圓表面形成厚度為5μm之保護膜，然而，形成該保護膜之聚乙烯醇量相對於在晶圓表面所滴下的聚乙烯醇量只不過是1%，所供給的聚乙烯醇之99%會被廢棄。
本發明係有鑑於前述事實，其主要之技術課題係提供一種可將利用液狀樹脂之保護膜以均一厚度被覆於晶圓表面且不會不均，同時可減少液狀樹脂之使用量的保護膜被覆方法及保護膜被覆裝置。
為了解決前述主要之技術課題，若藉由本發明，則可提供一種保護膜被覆方法，其係將利用樹脂之保護膜被覆於晶圓之加工面者，又，包含有以下程序，即：晶圓保持程序，係將晶圓保持於旋轉機台，且將加工面作成上側者；噴霧塗覆程序，係將保持有晶圓之旋轉機台以第1旋轉速度旋轉，並將液狀樹脂作成霧狀而塗布於晶圓之加工面者；液狀樹脂供給程序，係將保持有業已實施該噴霧塗覆程序之晶圓的旋轉機台以低於該第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉，並於晶圓加工面之中央領域滴下預定量之液狀樹脂者；及旋轉塗覆程序，係於業已實施該液狀樹脂供給程序後，將保持有晶圓之旋轉機台以高於該第1旋轉速度之第3旋轉速度旋轉，並擴大業已供給至晶圓加工面之液狀樹脂者。
於前述噴霧塗覆程序中，塗布於晶圓加工面之液狀樹脂之黏度係3厘泊至5厘泊，液狀樹脂之塗布量係0.04毫升/秒至0.06毫升/秒，液狀樹脂之塗布時間係60秒至90秒，旋轉機台之第1旋轉速度係50rpm至70rpm，又，於前述液狀樹脂供給程序中，供給至晶圓加工面之液狀樹脂之黏度係50厘泊至70厘泊，液狀樹脂之供給量係4毫升/秒至6毫升/秒，液狀樹脂之供給時間係2秒至4秒，旋轉機台之第2旋轉速度係5rpm至15rpm，又，於前述旋轉塗覆程序中，旋轉機台之第3旋轉速度係400rpm至600rpm，且實施20秒鐘至40秒鐘。
又，於業已實施前述旋轉塗覆程序後，實施乾燥程序，且該乾燥程序係將保持有晶圓之旋轉機台以2000rpm至3000rpm之旋轉速度旋轉乾燥50秒鐘至70秒鐘。
又，若藉由本發明，則可提供一種保護膜被覆裝置，其係將利用樹脂之保護膜被覆於晶圓之加工面者，又，包含有：旋轉機台，係保持晶圓者；旋轉驅動機構，係將該旋轉機台旋轉者；噴霧機構，係將液狀樹脂作成霧狀而塗布於業已保持於該旋轉機台之晶圓者；及液狀樹脂供給機構，係於業已保持於該旋轉機台之晶圓之中央領域滴下液狀樹脂者。
由於利用本發明之保護膜被覆方法係含有前述噴霧塗覆程序與液狀樹脂供給程序及旋轉塗覆程序，因此，於旋轉塗覆程序中，可藉由實施前述噴霧塗覆程序而使親和性變得良好，因此，即使相較於前述習知方法而減緩保持有晶圓之旋轉機台之旋轉速度，亦可於晶圓之加工面均一地形成保護膜且不會不均，故，可提升所供給的液狀樹脂之使用於保護膜之貢獻率，且可減少液狀樹脂之使用量。
 用以實施發明之最佳形態
以下參照附圖詳細說明利用本發明之保護膜被覆方法及保護膜被覆裝置之較佳實施形態。
第1圖係顯示裝備有依據本發明所構成的保護膜裝置之雷射加工機之立體圖。
第1圖所示之雷射加工機係具備略呈長方體狀之外罩2。於該裝置外罩2內，作為保持被加工物之被加工物保持機構之夾頭台3係配置成可於構成加工進給方向之箭頭記號X所示之方向移動。夾頭台3係具備吸附夾頭支持台31及裝設於該吸附夾頭支持台31上之吸附夾頭32，且構成為可藉由未圖示之吸引機構，將構成被加工物之例如圓盤狀之半導體晶圓保持於構成該吸附夾頭32之表面的載置面上。又，夾頭台3係構成為可藉由未圖示之旋轉機構旋動，且於依此所構成的夾頭台3之吸附夾頭支持台31配置有用以固定後述環狀框架之夾具33。
於圖示之實施形態中的雷射加工機係包含有雷射光線照射機構4，且該雷射光線照射機構4係將雷射光線照射至業已保持於前述夾頭台3之吸附夾頭32上的被加工物。雷射光線照射機構4係含有實質上配置成水平之圓筒形狀之套管41，於套管41內配置有脈衝雷射光線振盪機構，且該脈衝雷射光線振盪機構係包含有由未圖示之YAG雷射振盪器或YVO4雷射振盪器所構成的脈衝雷射光線振盪器或反覆頻率設定機構。於前述套管41之前端部裝設有聚光器42，且該聚光器42係用以將振盪自脈衝雷射光線振盪機構之脈衝雷射光線聚光。
於圖示之實施形態中的雷射加工機係具備拍攝機構5，且該拍攝機構5係拍攝業已保持於前述夾頭台3之吸附夾頭32上的被加工物之表面，並檢測應藉由照射自前述雷射光線照射機構4之聚光器42的雷射光線進行加工之領域。該拍攝機構5除了於圖示之實施形態中利用可見光線來拍攝之一般拍攝元件(CCD)外，係藉由將紅外線照射至被加工物之紅外線照明機構；捕捉藉由該紅外線照明機構所照射的紅外線之光學系統；及輸出對應於藉由該光學系統所捕捉之紅外線的電信號之拍攝元件(紅外線CCD)等所構成，且將所拍攝之影像信號傳送至未圖示之控制機構。又，於圖示之實施形態中的雷射加工機係具備顯示機構6，且該顯示機構6係顯示藉由拍攝機構5所拍攝之影像。
於圖示之實施形態中的雷射加工機係包含有載置卡匣之卡匣載置部13a，且該卡匣係收納有構成被加工物之半導體晶圓10。於卡匣載置部13a，可藉由未圖示之升降機構朝上下移動地配置有卡匣台131，且於該卡匣台131上載置有卡匣13。半導體晶圓10係黏貼於業已裝設在環狀框架11之保護膠帶12之表面，且於業已透過保護膠帶12而支持於環狀框架11之狀態下收納於前述卡匣13。另，半導體晶圓10係由例如直徑為300mm之矽晶圓所構成，且如第10圖所示，藉由於表面10a形成為格子狀之複數分割預定線101劃分複數領域，並於該劃分之領域形成IC、LSI等之元件102。如第1圖所示，依此所構成的半導體晶圓10係將內面黏貼於業已裝設在環狀框架11之保護膠帶12，且將表面10a作成上側。
於圖示之實施形態中的雷射加工機係具備：被加工物搬出搬入機構14，係搬出業已收納於前述卡匣13之加工前之半導體晶圓10，同時將加工後之半導體晶圓10搬入至卡匣13者；暫置台15，係暫置業已藉由該被加工物搬出搬入機構14搬出之加工前之半導體晶圓10者；依據本發明之保護膜被覆裝置7，係配置於第1搬送路徑，並用以將保護膜被覆於加工前之半導體晶圓10之加工面，且前述第1搬送路徑係將業已搬出至暫置台15之加工前之半導體晶圓10搬送至夾頭台3者；及洗淨機構8，係配置於第2搬送路徑，並將被覆於加工後之半導體晶圓10之加工面的保護膜洗淨除去，且前述第2搬送路徑係將業已保持於夾頭台3之加工後之半導體晶圓10搬送至暫置台15者。又，圖示之雷射加工機包含有：第1搬送機構16，係將業已搬出至暫置台15之加工前之半導體晶圓10搬送至保護膜被覆裝置7，同時將業已藉由洗淨機構8洗淨之加工後之半導體晶圓10搬送至暫置台15者；及第2搬送機構17，係將業已藉由保護膜被覆裝置7被覆保護膜之加工前之半導體晶圓10搬送至夾頭台3，同時將業已保持於夾頭台3之加工後之半導體晶圓10搬送至洗淨裝置8者。
其次，參照第2至4圖，說明前述保護膜被覆裝置7。
於圖示之實施形態中的保護膜被覆裝置7係具備旋轉機台機構71及配置成包圍該旋轉機台機構71之旋轉機台收納機構72。旋轉機台機構71係具備：旋轉機台711；電動馬達712，係旋轉驅動該旋轉機台711者；及支持機構713，係將該電動馬達712支持為可朝上下方向移動者。旋轉機台711係具備由多孔性材料所形成之吸附夾頭711a，且該吸附夾頭711a係與未圖示之吸引機構連通，因此，旋轉機台711係將構成被加工物之半導體晶圓10載置於吸附夾頭711a，並藉由未圖示之吸引機構使負壓作用，藉此，將半導體晶圓10保持於吸附夾頭711上。另，於旋轉機台711配置有用以固定前述環狀框架11之夾具714，且電動馬達712係於其驅動軸712a之上端連結前述旋轉機台711。前述支持機構713係由複數隻(於圖示之實施形態中為三隻)支持腳713a；及分別連結該支持腳713a且安裝於電動馬達712之複數隻(於圖示之實施形態中為三隻)氣缸713b所構成。依此所構成的支持機構713係藉由使氣缸713b作動，而將電動馬達712及旋轉機台711定位在構成第3圖所示之上方位置的被加工物搬入‧搬出位置，與構成第4圖所示之下方位置的作業位置。
前述旋轉機台收納機構72係具備：收納容器721；三隻(於第2圖中顯示二隻)支持腳722，係支持該收納容器721者；及蓋構件723，係裝設於前述電動馬達712之驅動軸712a者。如第3及4圖所示，收納容器721係由圓筒狀之外側壁721a、底壁721b及內側壁721c所構成。於底壁721b之中央部設置有前述電動馬達712之驅動軸712a可插通之孔721d，並形成自該孔721d之周緣朝上方突出之內側壁721c。前述蓋構件723係形成為圓盤狀，並包含有自其外周緣朝下方突出之蓋部723a。若電動馬達712及旋轉機台711定位在第4圖所示之作業位置，則依此所構成的蓋構件723會定位成蓋部723a與構成前述收納容器721之內側壁721c的外側有間隙地疊合。
圖示之保護膜被覆裝置7係具備噴霧機構74，且該噴霧機構74係將液狀樹脂作成霧狀而塗布於構成業已保持於前述旋轉機台711之加工前之被加工物的半導體晶圓10之表面(加工面)。噴霧機構74係具備噴霧噴嘴740，且該噴霧噴嘴740係朝業已保持於旋轉機台711之加工前之晶圓表面噴霧液狀樹脂。噴霧噴嘴740係由呈水平延伸且前端部朝下方彎曲之噴嘴部741；及自該噴嘴部741之基端朝下方延伸之支持部742所構成，並配置成支持部742會插通未圖示之插通孔，且該插通孔係設置於構成前述收納容器721之底壁721b。如第5圖所示，噴霧噴嘴740之噴嘴部741係包含有液狀樹脂通路741a及空氣通路741b，且液狀樹脂通路741a係與第1液狀樹脂供給機構743連接，而空氣通路741b係與空氣供給機構744連接。第1液狀樹脂供給機構743係供給作為液狀樹脂之聚乙烯醇，且該聚乙烯醇之黏度宜為3厘泊(cp)至5厘泊(cp)，於圖示之實施形態中，設定為3.8厘泊。前述空氣供給機構744係構成為供給0.4Mp之空氣，另，於前述噴霧噴嘴740之支持部742會插通的未圖示之插通孔周緣裝設有密封構件(未圖示)，且該密封構件係密封與支持部742間。又，圖示之保護膜被覆裝置7係包含有使前述噴霧噴嘴740搖動且可正轉‧逆轉之電動馬達745，該電動馬達745係構成為使噴霧噴嘴740之支持部742旋動。
圖示之保護膜被覆裝置7係具備液狀樹脂供給機構75，且該液狀樹脂供給機構75係於構成業已保持於前述旋轉機台711之加工前之被加工物的半導體晶圓10表面(加工面)之中央領域滴下液狀樹脂。樹脂液供給機構75係具備樹脂液供給噴嘴750，且該樹脂液供給噴嘴750係朝業已保持於旋轉機台711之加工前之晶圓表面供給液狀樹脂。樹脂液供給噴嘴750係由呈水平延伸且前端部朝下方彎曲之噴嘴部751；及自該噴嘴部751之基端朝下方延伸之支持部752所構成，並配置成支持部752會插通未圖示之插通孔，且該插通孔係設置於構成前述收納容器721之底壁721b。如第6圖所示，樹脂液供給噴嘴750之噴嘴部751係包含有液狀樹脂通路751a，且該液狀樹脂通路751a係與第2液狀樹脂供給機構753連接。第2液狀樹脂供給機構753係供給作為液狀樹脂之聚乙烯醇，且該聚乙烯醇之黏度宜為50厘泊至70厘泊，於圖示之實施形態中，設定為60厘泊。另，於前述樹脂液供給噴嘴750之支持部752會插通的未圖示之插通孔周緣裝設有密封構件(未圖示)，且該密封構件係密封與支持部752間。又，圖示之保護膜被覆裝置7係包含有使前述樹脂液供給噴嘴750搖動且可正轉‧逆轉之電動馬達755，該電動馬達755係構成為使樹脂液供給噴嘴750之支持部752旋動。
其次，參照第7至9圖，說明前述洗淨機構8。
於圖示之實施形態中的洗淨機構8係具備旋轉機台機構81及配置成包圍該旋轉機台機構81之洗淨水接收機構82。與前述保護膜被覆裝置7之旋轉機台機構71相同，旋轉機台機構81係具備：旋轉機台811；電動馬達812，係旋轉驅動該旋轉機台811者；及支持機構813，係將該電動馬達812支持為可朝上下方向移動者。旋轉機台811係具備由多孔性材料所形成之吸附夾頭811a，且該吸附夾頭811a係與未圖示之吸引機構連通，因此，旋轉機台811係將構成被加工物之晶圓載置於吸附夾頭811a，並藉由未圖示之吸引機構使負壓作用，藉此，將晶圓保持於吸附夾頭811上。另，於旋轉機台811配置有用以固定前述環狀框架11之夾具814，且電動馬達812係於其驅動軸812a之上端連結前述旋轉機台811。前述支持機構813係由複數隻(於圖示之實施形態中為三隻)支持腳813a；及分別連結該支持腳813a且安裝於電動馬達812之複數隻(於圖示之實施形態中為三隻)氣缸813b所構成。依此所構成的支持機構813係藉由使氣缸813b作動，而將電動馬達812及旋轉機台811定位在構成第8圖所示之上方位置的被加工物搬入‧搬出位置，與構成第9圖所示之下方位置的作業位置。
前述洗淨水接收機構82係具備：洗淨水接收容器821；三隻(於第7圖中顯示二隻)支持腳822，係支持該洗淨水接收容器821者；及蓋構件823，係裝設於前述電動馬達812之驅動軸812a者。如第7及8圖所示，洗淨水接收容器821係由圓筒狀之外側壁821a、底壁821b及內側壁821c所構成。於底壁821b之中央部設置有前述電動馬達812之驅動軸812a可插通之孔821d，並形成自該孔821d之周緣朝上方突出之內側壁821c。又，如第7圖所示，於底壁821b設置有排液口821e，且於該排液口821e連接排放軟管824。前述蓋構件823係形成為圓盤狀，並包含有自其外周緣朝下方突出之蓋部823a。若電動馬達812及旋轉機台811定位在第8圖所示之作業位置，則依此所構成的蓋構件823會定位成蓋部823a與構成前述洗淨水接收容器821之內側壁821c的外側有間隙地疊合。
圖示之洗淨機構8係具備洗淨水供給機構84，且該洗淨水供給機構84係用以將構成業已保持於前述旋轉機台811之加工後之被加工物的晶圓洗淨。洗淨水供給機構84包含有：洗淨水噴嘴841，係朝業已保持於旋轉機台811之加工後之晶圓噴出洗淨水者；及電動馬達842，係使該洗淨水噴嘴841搖動且可正轉‧逆轉者，又，該洗淨水噴嘴841係與未圖示之洗淨水供給源連接。洗淨水噴嘴841係由呈水平延伸且前端部朝下方彎曲之噴嘴部841a；及自該噴嘴部841a之基端朝下方延伸之支持部841b所構成，並配置成支持部841b會插通未圖示之插通孔，且與未圖示之洗淨水供給源連接，而該插通孔係設置於構成前述洗淨水接收容器821之底壁821b。另，於洗淨水噴嘴841之支持部841b會插通的未圖示之插通孔周緣裝設有密封構件(未圖示)，且該密封構件係密封與支持部841b間。
圖示之洗淨機構8係具備空氣供給機構85，且該空氣供給機構85係將空氣吹到業已保持於旋轉機台811之洗淨後之晶圓表面。空氣供給機構85包含有：空氣噴嘴851，係朝業已保持於旋轉機台811之晶圓噴出空氣者；及電動馬達(未圖示)，係使該空氣噴嘴851搖動且可正轉‧逆轉者，又，該空氣噴嘴851係與未圖示之空氣供給源連接。空氣噴嘴851係由呈水平延伸且前端部朝下方彎曲之噴嘴部851a；及自該噴嘴部851a之基端朝下方延伸之支持部851b所構成，並配置成支持部851b會插通未圖示之插通孔，且與未圖示之空氣供給源連接，而該插通孔係設置於構成前述洗淨水接收容器821之底壁821b。另，於空氣噴嘴851之支持部851b會插通的未圖示之插通孔周緣裝設有密封構件(未圖示)，且該密封構件係密封與支持部851b間。
其次，參照第1圖，說明前述第1搬送機構16及第2搬送機構17。
第1搬送機構16係相對於暫置台15、保護膜被覆裝置7與洗淨機構8而配置在等距離之位置。該第1搬送機構16可為與一般所使用的搬送機構相同之構造，且由吸引保持前述環狀框架11之保持機構161；及將該保持機構161支持為可朝上下方向升降且可旋繞之支持機構162所構成。依此所構成的第1搬送機構16係將業已搬出至暫置台15之加工前之半導體晶圓10(黏貼於業已裝設在環狀框架11之保護膠帶12之表面的狀態)搬送至保護膜被覆裝置7，同時將業已藉由洗淨機構8洗淨之加工後之半導體晶圓10(黏貼於業已裝設在環狀框架11之保護膠帶12之表面的狀態)搬送至暫置台15。
前述第2搬送機構17係相對於前述夾頭台3、保護膜被覆裝置7與洗淨機構8而配置在等距離之位置。該第2搬送機構17可為與前述第1搬送機構16實質上呈相同之構造，且由吸引保持前述環狀框架11之保持機構171；及將該保持機構171支持為可朝上下方向升降且可旋繞之支持機構172所構成。依此所構成的第2搬送機構17係將業已藉由保護膜被覆裝置7被覆保護膜之加工前之半導體晶圓10(黏貼於業已裝設在環狀框架11之保護膠帶12之表面的狀態)搬送至夾頭台3，同時將業已保持於夾頭台3之加工後之半導體晶圓10(黏貼於業已裝設在環狀框架11之保護膠帶12之表面的狀態)搬送至洗淨機構8。
於圖示之實施形態中的雷射加工機係依前述所構成，以下說明其作動。
如第1圖所示，透過保護膠帶12支持於環狀框架11之加工前之半導體晶圓10(以下僅稱作半導體晶圓10)係將構成加工面之表面10a作成上側而收納於卡匣13之預定位置。業已收納於卡匣13之預定位置的加工前之半導體晶圓10係藉由利用未圖示之升降機構使卡匣台131上下運動而定位在搬出位置。其次，被加工物搬出搬入機構14係進退作動而將業已定位在搬出位置之半導體晶圓10搬出至暫置台15，業已搬出至暫置台15之半導體晶圓10係實施對應中心位置之中心位置對應程序。其次，業已藉由暫置台15對應中心位置之加工前之半導體晶圓10係藉由第1搬送機構16之保持機構161吸引保持，並藉由以支持機構162為中心之旋繞動作，搬送至構成保護膜被覆裝置7之旋轉機台711之吸附夾頭711a上，且由該吸附夾頭711a吸引保持(晶圓保持程序)。又，環狀框架11係藉由夾具714固定，此時，旋轉機台711係定位在第3圖所示之被加工物搬入搬出位置，且如第2及3圖所示，樹脂供給噴嘴741係定位在與旋轉機台711之上方分隔之待機位置。
若業已實施將加工前之半導體晶圓10保持於保護膜被覆裝置7之旋轉機台711上的晶圓保持程序，則實施噴霧塗覆程序，且該噴霧塗覆程序係將保持有半導體晶圓10之旋轉機台711以第1旋轉速度旋轉，並將液狀樹脂作成霧狀而塗布於半導體晶圓10之加工面。即，將旋轉機台711定位在第4圖所示之作業位置，且使噴霧機構74之電動馬達745作動而以支持部742為中心來搖動噴霧噴嘴740，並將噴嘴部741之前端定位在構成業已保持於旋轉機台711上之半導體晶圓10之加工面的表面10a之中央領域上方。其次，使電動馬達712作動而將旋轉機台711以50rpm至60rpm之旋轉速度(第1旋轉速度)旋轉，因此，業已保持於旋轉機台711之半導體晶圓10(黏貼於業已裝設在環狀框架11之保護膠帶12之表面的狀態)係朝第11圖中以箭頭記號70所示之方向旋轉。依此，於半導體晶圓10旋轉之狀態下，使第5圖所示之第1液狀樹脂供給機構743作動，同時使空氣供給機構744作動，藉此，將液狀樹脂作成霧狀而自噴霧噴嘴740之噴嘴部741噴霧，並塗布於構成半導體晶圓10之加工面的表面10a(噴霧塗覆程序)。藉由使該第1液狀樹脂供給機構743作動，黏度為3.8厘泊之聚乙烯醇係以0.05毫升/秒之比例供給至噴霧噴嘴740，且藉由使空氣供給機構744作動，0.4Mp之空氣係供給至噴霧噴嘴740，其結果，供給至噴霧噴嘴740之黏度為3.8厘泊之聚乙烯醇係於噴嘴部741構成霧狀而進行噴霧。於該噴霧塗覆程序中，使電動馬達745作動，且使噴霧噴嘴740於噴出自噴嘴部741之噴出口的霧狀聚乙烯醇碰觸到業已保持於旋轉機台711之半導體晶圓10之中心的位置至碰觸到外周部的位置之所需角度範圍搖動。又，將該噴霧塗覆程序實施例如60秒鐘至90秒鐘(於實施形態中為80秒鐘)，因此，於噴霧塗覆程序中，會噴霧4毫升之聚乙烯醇，其結果，由於在構成半導體晶圓10之加工面的表面10a會均一地塗布霧狀之聚乙烯醇，因此親和性會變得良好。
若業已實施前述噴霧塗覆程序，則實施液狀樹脂供給程序，且該液狀樹脂供給程序係將保持有業已實施噴霧塗覆程序之半導體晶圓10的旋轉機台711以低於前述第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉，並於半導體晶圓10之加工面之中央領域滴下預定量之液狀樹脂。即，使噴霧機構74之電動馬達745作動而將噴霧噴嘴740定位在第4圖所示之待機位置，同時使液狀樹脂供給機構75之電動馬達755作動而以支持部752為中心來搖動樹脂液供給噴嘴750，並將噴嘴部751之前端定位在構成業已保持於旋轉機台711上之半導體晶圓10之加工面的表面10a之中央領域上方。其次，使電動馬達712作動而將旋轉機台711以5rpm至15rpm(於實施形態中為10rpm)之旋轉速度旋轉，因此，業已保持於旋轉機台711之半導體晶圓10(黏貼於業已裝設在環狀框架11之保護膠帶12之表面的狀態)係朝第12圖中以箭頭記號70所示之方向旋轉。依此，於半導體晶圓10旋轉之狀態下，使第6圖所示之第2液狀樹脂供給機構753作動，藉由使該第2液狀樹脂供給機構753作動，黏度為60厘泊之聚乙烯醇係以5毫升/秒之比例供給至樹脂液供給噴嘴750，並自噴嘴部751，於半導體晶圓10之表面10a(加工面)之中央領域滴下預定量之液狀樹脂100(液狀樹脂供給程序)。又，將該液狀樹脂供給程序實施例如2秒鐘至4秒鐘(於實施形態中為3秒鐘)，因此，於液狀樹脂供給程序中，會供給15毫升之聚乙烯醇。
若業已實施前述液狀樹脂供給程序，則實施旋轉塗覆程序，且該旋轉塗覆程序係將保持有半導體晶圓10之旋轉機台711以高於前述第1旋轉速度之第3旋轉速度旋轉，並擴大業已供給至半導體晶圓10之加工面之液狀樹脂。該旋轉塗覆程序係將旋轉機台711以400rpm至600rpm(於實施形態中為500rpm)之旋轉速度旋轉，並實施20秒鐘至40秒鐘(於實施形態中為30秒鐘)，其結果，如第13圖所示，於半導體晶圓10之表面(加工面)形成保護膜110。於直徑為300mm之半導體晶圓10實施前述噴霧塗覆程序與液狀樹脂供給程序及旋轉塗覆程序時，該保護膜110之厚度會構成5μm。另，於旋轉塗覆程序中，由於可藉由實施前述噴霧塗覆程序而使親和性變得良好，因此，即使相較於前述習知方法而減緩保持有半導體晶圓10之旋轉機台711之旋轉速度，亦可於半導體晶圓10之表面10a(加工面)均一地形成保護膜110且不會不均，故，可提升所供給的液狀樹脂之使用於保護膜之貢獻率，且可減少液狀樹脂之使用量。
若業已實施前述旋轉塗覆程序，則實施乾燥程序，且該乾燥程序係將保持有半導體晶圓10之旋轉機台711以2000rpm至3000rpm之旋轉速度旋轉乾燥50秒鐘至70秒鐘。藉由實施該旋轉乾燥，業已被覆於半導體晶圓10之表面10a(加工面)的保護膜110可早期乾燥。另，保護膜110之乾燥亦可為自然乾燥。
若業已實施前述乾燥程序，則將旋轉機台711定位在第3圖所示之被加工物搬入‧搬出位置，同時解除保持於旋轉機台711之半導體晶圓10之吸引保持。又，旋轉機台711上之半導體晶圓10係藉由第2搬送機構17之保持機構171吸引保持，並藉由以支持機構172為中心之旋繞動作，搬送至夾頭台3之吸附夾頭32上，且由該吸附夾頭32吸引保持。依此作成而吸引保持有半導體晶圓10之夾頭台3係藉由未圖示之移動機構，定位在業已配置於雷射光線照射機構4之拍攝機構5之正下方。
若夾頭台3定位在拍攝機構5之正下方，則藉由拍攝機構5及未圖示之控制機構，實行用以進行定位之型樣匹配等之影像處理，並執行雷射光線照射位置之對準，且前述定位係指在預定方向形成於半導體晶圓10之切割道101與沿著切割道101照射雷射光線之雷射光線照射機構4的聚光器42之定位。又，對於相對於形成在半導體晶圓10之前述預定方向呈直角地延伸之切割道101，亦同樣地執行雷射光線照射位置之對準，此時，雖然於半導體晶圓10之形成切割道101之表面10a會形成保護膜110，然而，在保護膜110並非透明時，可藉由紅外線來拍攝而自表面對準。
若業已依前述作成而檢測形成於被保持在夾頭台3之半導體晶圓10之切割道101，並進行雷射光線照射位置之對準，則如第14(a)圖所示，將夾頭台3移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構4之聚光器42所在的雷射光線照射領域，並將預定之切割道101定位在聚光器42之正下方。此時，如第14(a)圖所示，半導體晶圓10係定位成切割道101之一端(於第14(a)圖中為左端)位於聚光器42之正下方。其次，自雷射光線照射機構4之聚光器42照射對半導體晶圓10具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，並使夾頭台3以預定加工進給速度於第14(a)圖中以箭頭記號X1所示之方向移動(雷射光線照射程序)。又，如第14(b)圖所示，若切割道101之另一端(於第14(b)圖中為右端)到達聚光器42之正下方位置，則停止脈衝雷射光線之照射，同時停止夾頭台3之移動。於該雷射光線照射程序中，使脈衝雷射光線之聚光點P對應於切割道101之表面附近。
藉由實施前述雷射光線照射程序，如第15圖所示，於半導體晶圓10之切割道101形成雷射加工溝120，此時，如第15圖所示，即使因雷射光線之照射而產生殘屑130，該殘屑130亦會藉由保護膜110來阻斷，且不會附著在元件102及接合墊等。又，於半導體晶圓10之所有切割道101實施前述雷射光線照射程序。
另，前述雷射光線照射程序係例如藉由以下加工條件來進行。
雷射光線之光源：YVO4雷射或YAG雷射
波長：355nm
反覆頻率：20kHz
輸出：3W
聚光光點直徑：φ5μm
加工進給速度：100mm/秒
若業已沿著半導體晶圓10之所有切割道101實施前述雷射光線照射程序，則保持有半導體晶圓10之夾頭台3會回到最初吸引保持有半導體晶圓10之位置，且在此解除半導體晶圓10之吸引保持。又，半導體晶圓10係藉由第2搬送機構17之保持機構171吸引保持，並藉由以支持機構172為中心之旋繞動作，搬送至構成洗淨機構8之旋轉機台811之吸附夾頭811a上，且由該吸附夾頭811a吸引保持。此時，如第7及8圖所示，洗淨水噴嘴841及空氣噴嘴851係定位在與旋轉機台811之上方分隔之待機位置。
若加工後之半導體晶圓10業已保持於洗淨機構8之旋轉機台811上，則實行洗淨程序。即，將旋轉機台811定位在第9圖所示之作業位置，同時驅動洗淨水供給機構86之電動馬達842，並將洗淨水供給噴嘴841之噴嘴部841a之噴出口定位在業已保持於旋轉機台811上之半導體晶圓10之中心部上方。又，將旋轉機台811以例如300rpm至500rpm之旋轉速度旋轉，並自噴嘴部841a之噴出口噴出由純水及空氣所構成的洗淨水。即，噴嘴部841a係藉由所謂二流體噴嘴來構成，並供給0.2MPa之純水，同時供給0.3MPa至0.5MPa之空氣，且純水係藉由空氣之壓力噴出而洗淨構成半導體晶圓10之加工面的表面10a。此時，電動馬達842會驅動，且使噴出自洗淨水供給噴嘴841之噴嘴部841a之噴出口的洗淨水於碰觸到業已保持於旋轉機台811之半導體晶圓10之中心的位置至碰觸到外周部的位置之所需角度範圍搖動，其結果，如前所述，由於被覆於半導體晶圓10之表面10a的保護膜110係藉由水溶性樹脂來形成，因此可輕易地洗去保護膜110，同時亦可除去雷射加工時所產生之殘屑130。
若業已結束前述洗淨程序，則實施乾燥程序。即，將洗淨水供給噴嘴841定位在待機位置，同時將構成空氣供給機構85之空氣噴嘴851的噴嘴部851a之噴出口定位在業已保持於旋轉機台811上之半導體晶圓10之中心部上方。又，將旋轉機台811以例如2000rpm至3000rpm之旋轉速度旋轉，並自噴嘴部851a之噴出口將空氣噴出15秒。此時，使空氣噴嘴851於作成噴嘴部851a之噴出口的空氣碰觸到業已保持於旋轉機台811之半導體晶圓10之中心的位置至碰觸到外周部的位置之所需角度範圍搖動，其結果，半導體晶圓10之表面會乾燥。
如前所述，若業已結束加工後之半導體晶圓10之洗淨及乾燥，則停止旋轉機台811之旋轉，同時將空氣供給機構85之空氣噴嘴851定位在待機位置。又，將旋轉機台811定位在第8圖所示之被加工物搬入搬出位置，同時解除保持於旋轉機台811之半導體晶圓10之吸引保持。其次，旋轉機台811上之加工後之半導體晶圓10係藉由第1搬送機構16搬出至暫置台15，且業已搬出至暫置台15之加工後之半導體晶圓10係藉由被加工物搬出機構14而收納於卡匣13之預定位置。
另，在將業已實施前述雷射光線照射程序之半導體晶圓10搬送至洗淨機構8並實施洗淨程序及乾燥程序期間，使被加工物搬出搬入機構14作動而將接著加工之加工前之半導體晶圓10自卡匣13搬出至暫置台15，且藉由第1搬送機構16將業已搬出至暫置台15之半導體晶圓10搬送至保護膜被覆裝置7。又，對業已搬送至保護膜被覆裝置7之接著加工之半導體晶圓10實施前述旋轉塗覆程序、液狀樹脂供給程序、旋轉塗覆程序及乾燥程序。業已實施此種各程序之半導體晶圓10係藉由第2搬送機構17而自保護膜被覆裝置7搬送至夾頭台3，並實施前述雷射光線照射程序。又，業已實施雷射光線照射程序之半導體晶圓10係藉由第2搬送機構17搬送至洗淨機構8，並實施前述洗淨程序及乾燥程序。
以上根據圖示之實施形態說明本發明，然而，本發明並不僅限於實施形態，可於本發明旨趣之範圍內進行各種變形，舉例言之，於前述實施形態中，顯示將保護膜被覆裝置7裝入雷射加工機之例子，然而，保護膜被覆裝置7亦可構成為一個裝置。
2．．．外罩
3．．．夾頭台
4．．．雷射光線照射機構
5．．．拍攝機構
6．．．顯示機構
7．．．保護膜被覆裝置
8．．．洗淨機構
10．．．半導體晶圓
10a．．．表面
11．．．環狀框架
12．．．保護膠帶
13．．．卡匣
13a．．．卡匣載置部
14．．．被加工物搬出搬入機構
15．．．暫置台
16．．．第1搬送機構
17．．．第2搬送機構
31．．．吸附夾頭支持台
32，711a，811a．．．吸附夾頭
33，714，814．．．夾具
41．．．套管
42．．．聚光器
70，X，X1．．．箭頭記號
71，81．．．旋轉機台機構
72．．．旋轉機台收納機構
74．．．噴霧機構
75‧‧‧液狀樹脂供給機構
82‧‧‧洗淨水接收機構
84‧‧‧洗淨水供給機構
85‧‧‧空氣供給機構
100‧‧‧液狀樹脂
101‧‧‧分割預定線(切割道)
102‧‧‧元件
110‧‧‧保護膜
120‧‧‧雷射加工溝
130‧‧‧殘屑
131‧‧‧卡匣台
161，171‧‧‧保持機構
162，172，713，813‧‧‧支持機構
711，811‧‧‧旋轉機台
712，745，755，812，842‧‧‧電動馬達
712a，812a‧‧‧驅動軸
713a，722，813a，822‧‧‧支持腳
713b，813b‧‧‧氣缸
721‧‧‧收納容器
721a，821a‧‧‧外側壁
721b，821b‧‧‧底壁
721c，821c‧‧‧內側壁
721d，821d‧‧‧孔
723，823‧‧‧蓋構件
723a，823a‧‧‧蓋部
740‧‧‧噴霧噴嘴
741，751，841a，851a‧‧‧噴嘴部
741a，751a‧‧‧液狀樹脂通路
741b‧‧‧空氣通路
742，752，841b，851b‧‧‧支持部
743‧‧‧第1液狀樹脂供給機構
744‧‧‧空氣供給機構
750‧‧‧樹脂液供給噴嘴
753‧‧‧第2液狀樹脂供給機構
821‧‧‧洗淨水接收容器
821e‧‧‧排液口
824‧‧‧排放軟管
841‧‧‧洗淨水噴嘴
851‧‧‧空氣噴嘴
P‧‧‧聚光點
第1圖係依據本發明所構成的雷射加工機之立體圖。
第2圖係切斷、顯示裝備於第1圖所示之雷射加工機的保護膜被覆裝置之局部立體圖。
第3圖係顯示將第2圖所示之保護膜被覆裝置之旋轉機台定位在被加工物搬入‧搬出位置的狀態說明圖。
第4圖係顯示將第2圖所示之保護膜被覆裝置之旋轉機台定位在作業位置的狀態說明圖。
第5圖係切斷、顯示構成第2圖所示之保護膜被覆裝置之噴霧機構的主要部分構造圖。
第6圖係切斷、顯示構成第2圖所示之保護膜被覆裝置之樹脂液供給機構的主要部分構造圖。
第7圖係切斷、顯示裝備於第1圖所示之雷射加工機的洗淨機構之局部立體圖。
第8圖係顯示將第7圖所示之洗淨機構之旋轉機台定位在被加工物搬入‧搬出位置的狀態說明圖。
第9圖係顯示將第7圖所示之洗淨機構之旋轉機台定位在作業位置的狀態說明圖。
第10圖係作為利用第1圖所示之雷射加工機來加工的被加工物之半導體晶圓立體圖。
第11圖係顯示藉由裝備於第1圖所示之雷射加工機的保護膜被覆裝置來實施的噴霧塗覆程序說明圖。
第12圖係顯示藉由裝備於第1圖所示之雷射加工機的保護膜被覆裝置來實施的液狀樹脂供給程序說明圖。
第13圖係作為業已藉由裝備於第1圖所示之雷射加工機的保護膜被覆裝置來被覆保護膜的被加工物之半導體晶圓之主要部分放大截面圖。
第14圖係顯示利用第1圖所示之雷射加工機的雷射光線照射程序說明圖。
第15圖係作為業已藉由第14圖所示之雷射光線照射程序來進行雷射加工的被加工物之半導體晶圓之主要部分放大截面圖。
10．．．半導體晶圓
10a．．．表面
11．．．環狀框架
12．．．保護膠帶
70．．．箭頭記號
740．．．噴霧噴嘴
741．．．噴嘴部

Claims (4)

  1. 一種保護膜被覆方法，係將利用樹脂之保護膜被覆於晶圓之加工面者，其特徵在於包含有以下程序：晶圓保持程序，係將晶圓保持於旋轉機台，且將加工面作成上側者；噴霧塗覆程序，係將保持有該晶圓之旋轉機台以第1旋轉速度旋轉，並將液狀樹脂作成霧狀而塗布於該晶圓之加工面者；液狀樹脂供給程序，係將保持有業已實施該噴霧塗覆程序之該晶圓的旋轉機台以低於該第1旋轉速度之第2旋轉速度旋轉，並於該晶圓之加工面之中央領域滴下預定量之液狀樹脂者；及旋轉塗覆程序，係於業已實施該液狀樹脂供給程序後，將保持有該晶圓之旋轉機台以高於該第1旋轉速度之第3旋轉速度旋轉，並擴大業已供給至該晶圓之加工面之液狀樹脂者。
  2. 如申請專利範圍第1項之保護膜被覆方法，其中於該噴霧塗覆程序中，塗布於該晶圓之加工面之液狀樹脂之黏度係3厘泊至5厘泊，液狀樹脂之塗布量係0.04毫升/秒至0.06毫升/秒，液狀樹脂之塗布時間係60秒至90秒，該旋轉機台之第1旋轉速度係50rpm至70rpm，又，於該液狀樹脂供給程序中，供給至該晶圓之加工面之液狀樹脂之黏度係50厘泊至70厘泊，液狀樹脂之供給量係4毫升/秒至6毫升/秒，液狀樹脂之供給時間係2秒至4秒，該旋轉 機台之第2旋轉速度係5rpm至15rpm，又，於該旋轉塗覆程序中，該旋轉機台之第3旋轉速度係400rpm至600rpm，且實施20秒鐘至40秒鐘。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之保護膜被覆方法，其中於業已實施該旋轉塗覆程序後，實施乾燥程序，且該乾燥程序係將保持有該晶圓之旋轉機台以2000rpm至3000rpm之旋轉速度旋轉乾燥50秒鐘至70秒鐘。
  4. 一種樹脂膜被覆裝置，係將利用樹脂之保護膜被覆於晶圓之加工面之保護膜被覆裝置，其特徵在於包含有：旋轉機台，係保持晶圓者；旋轉驅動機構，係將該旋轉機台旋轉者；噴霧機構，係將液狀樹脂作成霧狀而塗布於業已保持於該旋轉機台之晶圓者；及液狀樹脂供給機構，係於業已保持於該旋轉機台之晶圓之中央領域滴下液狀樹脂者。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102082078B (zh) * 2010-10-22 2012-10-03 上海技美电子科技有限公司 适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置
JP5715859B2 (ja) * 2011-03-18 2015-05-13 株式会社ディスコ 保護膜被覆方法及び保護膜被覆装置
JP6067404B2 (ja) * 2013-02-14 2017-01-25 株式会社ディスコ 保護皮膜の被覆方法及び被覆形成装置
JP6049597B2 (ja) * 2013-11-28 2016-12-21 Ｔｏｗａ株式会社 圧縮成形装置の樹脂材料供給方法及び供給機構、並びに圧縮成形方法及び圧縮成形装置
JP6385131B2 (ja) 2014-05-13 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2015223556A (ja) * 2014-05-28 2015-12-14 株式会社ディスコ 保護被膜の被覆方法
KR101650076B1 (ko) * 2014-06-10 2016-08-22 한국미쯔보시다이아몬드공업(주) 취성 재료 기판의 가공방법
JP2016001677A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6422702B2 (ja) * 2014-08-12 2018-11-14 東レエンジニアリング株式会社 保護膜形成方法
US9449877B2 (en) * 2014-09-17 2016-09-20 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method of protecting a mounting tape during laser singulation of a wafer
JP2016115800A (ja) 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN104646248A (zh) * 2015-01-28 2015-05-27 天津森普捷科技有限公司 利用旋涂法制备薄膜材料的方法及装置
JP2016187004A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2017005158A (ja) 2015-06-12 2017-01-05 株式会社ディスコ ウエーハの裏面研削方法
JP6688695B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法
JP6767253B2 (ja) * 2016-12-13 2020-10-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7065311B2 (ja) * 2017-11-22 2022-05-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
CN108480849A (zh) * 2018-05-02 2018-09-04 江苏匠心信息科技有限公司 一种石墨烯芯片接合薄膜的烧蚀加工方法
JP7233019B2 (ja) * 2018-06-05 2023-03-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP7417411B2 (ja) * 2019-02-13 2024-01-18 株式会社ディスコ 確認方法
CN112588529B (zh) * 2020-12-01 2022-04-12 山东大学 一种制备均匀薄膜的复合涂布装置及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4917471A (en) * 1986-08-30 1990-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device
JPH0899057A (ja) * 1994-09-29 1996-04-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板へのレジスト液塗布方法および基板用レジスト液塗布装置
US5912049A (en) * 1997-08-12 1999-06-15 Micron Technology, Inc. Process liquid dispense method and apparatus
TW200832071A (en) * 2007-01-19 2008-08-01 Fujitsu Ltd Method for forming a coating with a liquid, and method for manufacturing a semiconductor device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57167762A (en) * 1981-04-09 1982-10-15 Kishimoto Akira Method and device for painting inside surface of vessel
JP2786895B2 (ja) * 1988-08-19 1998-08-13 日立マクセル株式会社 光情報記録媒体の製造装置
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
JPH0677211A (ja) * 1992-05-28 1994-03-18 Nec Corp スピンオングラス塗布方法及びその装置
US5625433A (en) * 1994-09-29 1997-04-29 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for developing resist coated on a substrate
JP3166064B2 (ja) * 1996-02-05 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
US5773083A (en) * 1996-08-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for coating a substrate with a coating solution
US5677001A (en) * 1996-08-22 1997-10-14 Vanguard International Semiconductor Corporation Striation-free coating method for high viscosity resist coating
US5985363A (en) * 1997-03-10 1999-11-16 Vanguard International Semiconductor Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions
JP3800282B2 (ja) * 1998-11-30 2006-07-26 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法
US6376013B1 (en) * 1999-10-06 2002-04-23 Advanced Micro Devices, Inc. Multiple nozzles for dispensing resist
JP3810056B2 (ja) * 2001-03-22 2006-08-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、現像処理方法および基板処理装置
JP4193537B2 (ja) * 2003-03-24 2008-12-10 富士ゼロックス株式会社 光記録媒体及び光記録媒体の製造方法
TWI362664B (en) * 2004-02-09 2012-04-21 Panasonic Corp Method of manufacturing optical information recording medium
US20060263520A1 (en) * 2005-05-23 2006-11-23 Der-Ren Kang Method for improving high-viscosity thick film photoresist coating in UV LIGA process
JP2007313401A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Pioneer Electronic Corp フォトレジスト塗布方法
JP4805769B2 (ja) * 2006-09-14 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法
JP2008221124A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Nec Electronics Corp 回転塗布方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4917471A (en) * 1986-08-30 1990-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device
JPH0899057A (ja) * 1994-09-29 1996-04-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板へのレジスト液塗布方法および基板用レジスト液塗布装置
US5912049A (en) * 1997-08-12 1999-06-15 Micron Technology, Inc. Process liquid dispense method and apparatus
TW200832071A (en) * 2007-01-19 2008-08-01 Fujitsu Ltd Method for forming a coating with a liquid, and method for manufacturing a semiconductor device

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Publication number Publication date
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