JP2786895B2

JP2786895B2 - 光情報記録媒体の製造装置

Info

Publication number: JP2786895B2
Application number: JP1211463A
Authority: JP
Inventors: 久光亀崎; 治斎藤; 欣胤円谷
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1988-08-19
Filing date: 1989-08-18
Publication date: 1998-08-13
Anticipated expiration: 2013-08-13
Also published as: JPH0332882A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、有機色素系の記録材料にて形成された記録
層を備える光情報記録媒体の製造装置に関する。

〔従来技術〕

従来より、有機色素系のヒートモード記録材料をもつ
て記録層が形成された光情報記録デイスクが知られてい
る。この光情報記録デイスクは、記録層をスピンコート
法によつて形成することができるので、真空成膜装置を
用いる場合に比べて生産設備を簡略化することができ、
しかも生産性が高いという利点がある。

第47図は、この種の光情報記録デイスクの製造に適用
されるスピンコート装置の一例を示す斜視図である。

垂直に配設された回転スピンドル101に基板102が水平
に取り付けられており、この基板102に向けて先端部103
が垂直に折り曲げられたノズル104が配設されている。
このノズル104は、その先端部103が前記基板102の内周
部から外周部に至る範囲に亘つて自由に移動できるよう
に保持されており、ノズル104の先端部103を基板102の
内周部から外周部に移送しつつ所定流量の成膜材料を噴
射することによつて、基板102上に成膜材料を均一に置
くことができるようになつている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、光情報記録デイスクの記録層には、２〜3n
mのオーダの均厚性が要求される。

然るに、前記した従来のスピンコート装置によると、
例えば基板の回転数、基板の回転モード、記録層材料の
種類、記録層材料塗布液の粘性、周囲の雰囲気条件など
のスピンコート条件を最適に設定したとしても、少なく
とも８〜10nmに厚さむらを生じる。これは以下の理由に
よるものと推定される。

すなわち、回転している基板102に例えば記録層材料
の塗布液を滴下すると、まず、重力および表面張力、そ
れに基板表面のぬれ性のバランスのもとに溶液が基板10
2上を拡がり、その後、遠心力によつて基板102の外周に
溶液が移動する。前記のスピンコート装置は、ノズル10
4の先端部 103が基板102に対して垂直に配置されてい
るので、まず、滴下位置を中心としてその周囲に溶液が
均等に拡がり、その後、遠心力によつて基板102の外周
に溶液が移動する。従つて、溶液の滴下時、遠心力と反
対の方向に流動する溶液の量が比較的多く、溶液の流れ
が複雑になるため、成膜された記録層の均厚性が悪くな
る。

なお、前述の例では記録層のスピンコートを例にとつ
て説明したが、記録層の下地層や基板表面のハードコー
ト層など他の薄膜層をスピンコートする際にも同様の問
題を生じる。

本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消
し、均一な厚さを有する薄層が容易に得られる光情報記
録媒体の製造装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

前記目的を達成するため、本発明は、基板上に所要の
液剤を供給するノズルを基板の内周部と対向する位置に
配置し、基板の平面方向から見てノズルの先端部を基板
の外周方向に向けると共に、ノズルの側面方向から見て
基板とのなす角度が90度よりも小さい角度になるように
ノズルの先端部を傾斜したことを特徴とするものであ
る。

〔作用〕

前記のようにすると、ノズルの先端部が遠心力の方向
に向けて配置されているので、溶液を滴下したとき遠心
力の方向に多くの溶液が拡がり、遠心力と反対の方向に
拡がる溶液の量が相対的に少なくなる。よつて、基板の
外周方向に向かう溶液の流れが円滑になる。

また、ノズルを基板の半径方向に移動する必要がない
ので、ノズル設定部をコンパクトに形成することができ
る。よつて、小容積の密封ケース内に基板およびノズル
を内装することができる。

〔実施例〕

本発明に係る製造装置の実施例を説明するに先立ち、
本発明に係る製造装置で製造される光ディスクの第１例
を説明する。

第１図はエアサンドイッチ型光デイスクの縦断面図、
第２図はその光デイスクの要部拡大断面図である。

図中の１は円板状のデイスク基板、２（第２図参照）
は下地層、３は記録層、４は中心孔、５は通気孔で、第
１図に示すように２枚の光デイスクを貼り合わせること
によつて内側に空隙６が形成されている。なお、７はデ
イスク基板１上に形成されたプリグループやプリピツト
などの信号パターンである。

前記デイスク基板１には、例えばポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、エポ
キシ樹脂、ガラスなどの透明材料が用いられる。

前記下地層２には、例えばポリビニルナイトレートな
どの自己酸化性物質が用いられている。

記録層３の有機色素系ヒートモード記録材料として
は、例えばポリメチン系色素、アントラキノン系色素、
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、キサンテン系
色素、トリフエニルメタン系色素、ピリリウム系色素、
アズレン系色素、含金属アゾ染料、また、フオトクロミ
ツク材料としては、フルギド、スピロピラン、テトラベ
ンゾペンタセン、チオインジゴなどの色素を用いること
ができる。

また、必要に応じてこれらの色素に、例えばニトロセ
ルロース等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ポリ
アミド等の熱可塑性樹脂を含有したものなどの色素組成
物を用いることができる。記録材料の組成物を、例えば
ケトン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲ
ン化物系、アルコール系、脂肪族系、脂環式系、石油
系、水等の溶媒に溶解し、前記基板上にスピンコートす
る。

前記有機色素のうち、特にメチン鎖を有するインドー
ル系シアニンは、光，熱に対して安定しているため好適
である。この有機色素は下記のような一般構造式を有し
ている。

一般構造式式中のは、メチン鎖を構成するための炭素鎖で、C₃
〜C₁₇の直鎖あるいは多員環からなり、炭素原子につい
た水素原子は、ハロゲン元素、（Ｒ″は、C₁〜C₆の直鎖あるいは芳香環）で置換されて
もよい。

ＡおよびＡ′は同じかまたは異なつてもよく、それぞ
れ芳香環を表し、炭素原子についた水素原子は、−I,−
Br,−Cl,−C_nH_2n+1 （ｎ＝１〜22），−OCH₃, −NO₂, （Ｒは、直鎖炭化水素鎖または芳香環）で置換されて
もよい。

ＢおよびＢ′は同じかまたは異なつてもよく、−Ｏ
−，−Ｓ−，−Se−，−CH＝CH−，または（Ｒ′はC₁〜C₄のアルキル基）を表す。

ＲおよびＲ′は同じかまたは異なつてもよく、C₁〜C
₂₂のアルキル基を表し、スルホニル基もしくはカルボキ
シル基で置換されてもよい。

Ｘは、PF₆ ^-,ClO₄ ^-,I^-,CF₃SO₃ ^-,SCN^-などの陰イオン
を表す。

ｍおよびｎは、それぞれ０または１〜３の整数で、ｍ
＋ｎ≦３の関係を有している。

第５図は前記一般構造式中のの代表例を示した図
で、この例示以外のものも使用可能である。

また第６図は前記一般構造式中のA,A′の代表例を示
した図で、この例示以外のものも使用可能である。

第７図，第８図ならびに第９図に示す各種有機色素を
1,2−ジクロロエタンに１重量％溶解し、この溶解をポ
リメチルメタクリレートからなるデイスク基板上にスピ
ンナー法によつて塗布して記録層を形成し、後は常法に
従つて光デイスクを組み立てた。なおこれらの図面中、
第７図と第８図（化合物No.1〜29）は本発明の各具体例
に係る有機色素、第９図（化合物No.30〜35）は比較例
の有機色素をそれぞれ示している。

このようにして製作した各光デイスクに対して記録・
再生試験、記録層の熱安定性試験ならびに耐リード光試
験を行い、それらの結果を第10図，第11図ならびに第12
図に示す。

なお、記録・再生試験の条件として、信号の書込は83
0nmのレーザ光を用い、パワー8mW、パルス幅100nS、線
速度6.0m/secで行つた。また信号の書き込みは、830nm
のレーザ光を用い、パワー1mWで測定し、C/N値を求め
た。

記録層の熱安定性は、日本分光社製UVIDEC−430Bスペ
クトロメータを用い、試験前の830nmにおける光吸収強
度を求めてそれを100としたときの、80℃、1500時間加
熱後の830nmにおける残存光吸収強度の割合を、図中の
残存光吸収率（％）の欄に示す。

また耐リード光試験として、830nm、パワー0.5mWのレ
ーザ光によつて信号の読み出しを行い、反射率が10％低
下するまでの読み出し回数を測定した。

諸種の実験結果から第７図ならびに第８図において、
前記一般構造式中のが−CH＝CH−CH＝またはであると、記録層の耐熱性ならびに記録感度を向上する
ことができる。

また、前記一般構造式中のＡならびにＡ′がであると、記録層の反射率を高めることができる。

さらに、前記一般構造式中のＢならびにＢ′が（Ｒ′はC₁〜C₄のアルキル基）であると、有機色素の
溶解性を増すことができる。

さらにまた、前記一般構造式中のＲならびにＲ′が、
C₃〜C₅のアルキル基であると、記録層の反射率を高める
ことができる。

特に第７図の化合物No.6またはNo.10に示されている
ように、一般構造式中のが −CH＝CH−CH＝で、ＡならびにＡ′がＲならびにＲ′がC₂H₅またはC₃H₇で、かつX^-がPF₆ ^-であ
るシアニン色素は、耐熱性、記録感度、反射率ならびに
溶解性に優れているため賞用できる。

次に１−メチル−２−〔７−（１−メチル−3,3−ジ
プロピル−２−インドリニデン）−1,3,5−ヘプタトリ
エニル〕−3,3−ジプロピル−インドリウムからなるイ
ンドール系シアニン色素を合成し、陰イオンとしてヨウ
素イオンI^-,過塩素酸イオンClO₄ ^-ならびに六フツ化リン
酸イオンPF₆ ^-をそれぞれ配置する。これら各種有機色素
の熱重量分析を行い、その結果を第13図に示した。同図
においてI^-を用いたものは点線で、ClO₄ ^-を用いたもの
は−点鎖線で、PF₆ ^-を用いたものは実線で、それぞれ重
量変化の状態を示した。

なお、測定機器は理学電気社製TAS−100の示差走査熱
量計を用い、100ml/分の流速を有する窒素気流中で毎分
20℃の昇温速度で加熱し、試料の重量が減少し始める温
度を測定した。

第３図ならびに第４図は、本発明に係る製造装置で製
造される光ディスクの第２例ならびに第３例を示す要部
拡大断面図である。第３図に示す第２例の場合は、記録
層３の上に保護層8aが設けられており、第４図に示す第
３例の場合はディスク基板１の表面側にも保護層8bが設
けられている。

前記保護層8aとしては、例えばポリビニルアルコー
ル、ポリエチレンオキサイド、ポリスチレンスルホン酸
ナトリウム、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル
酸、ポリプロピレングリコール、メチルセルロースなど
の水溶性高分子化合物、あるいは紫外線硬化性樹脂、ア
クリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂のごとき
合成樹脂などが用いられる。

記録層が有機溶剤に可溶性であるから、特に保護層と
して前記水溶性高分子化合物あるいは前記合成樹脂のデ
イスパージヨンを用いれば、記録層に対する悪影響がな
いため好適である。

前記保護層8bには、例えば、紫外線硬化性樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂などが用いられる。次に記録層
をスピンナー法で形成する場合の条件等について説明す
る。

以下、本発明に係る光情報記録媒体の製造装置につい
て説明する。

（第１実施例）第16図は、スピンナー塗布装置の概略断面図である。
図中の９はモータ、10は塗布ノズル、11はデイスク基板
１を載置、固定するターンテーブル、12はスピンナー本
体、13は色素溶液、14は加圧ポンプ、15はハウジングで
あり、これには前記ノズル10が貫通しているが、ターン
テーブル11の周囲がハウジング15によつて外気と遮断さ
れて、内部がほぼ完全に気密状態に保持されている。

スピン塗布装置の外気遮断気密室15は、例えば、塗布
液ノズル10と気密室15外壁と接触部分のガス洩れ程度の
通気性は許容されうる。

前記ノズル10は、第16a図、第16b図、第16c図及び第1
6d図に示すように配置することができる。

基板１の回転数、すなわち余剰の色素、または色素組
成物、および溶剤を振り切るための基板１の回転数は35
0rpmに調整される。350rpm以下では、遠心力不足であ
り、前記の各種液剤を乾燥できない。

さらに、ターンテーブル11の周囲を密封状態、または
実際にはターンテーブル11を回転させながら色素また
は、その組成物を滴下するため完全に密封することはで
きないが、密封に非常に近い状態にする必要がある。こ
れにより、ごみのないクリーンな環境でスピンコートが
可能になる。

このスピンナー塗布装置17は、第17図に示されている
ようにドラフト18内に入れられて、前述のようなスピン
ナー塗布が行われる。このドラフト18は図に示されてい
るようにスピンナー塗布装置17の上方から常時清浄な空
気19が降下し、塗布装置17から濡れる有機溶媒蒸気など
を同伴して、排気筒20から排出されるようになつてい
る。

色素または色素組成物濃度は0.4重量％〜5.0重量％と
する。濃度が5.0重量％を超えると色素膜の膜厚が厚く
なり過ぎ、記録の際の反応、ヒートモードの場合は穴あ
け、フオトソモードの場合はスペクトルの変化が体積が
律速になりうまく進行しない。

また、濃度が0.4重量％より低いと形成した膜にピン
ホールなどの欠陥が生じる。

前述のように、密封または密封に近い状態にすること
により、気相中の溶媒の分圧を上げることができ、溶媒
の基板１へのぬれ性を向上させることができる。これに
より、膜の均一性は著しく向上する。密封状態にした場
合と、従来技術のようにオープンにして成膜した場合の
光学特性（反射率，透過率）の半径方向のばらつき状態
を第14図に示す。

第14図からも分かるように、従来技術では、光学特性
のばらつきが平均値に対して相対値で±10％以上見られ
たが、本発明により平均値に対して相対値で±５％以下
にすることができる。このことは均一な記録、読み出し
特性が得られることを意味する。

スピンコート時間、すなわち色素またはその組成物の
溶液を滴下したのちの基板の回転時間は10秒以上とす
る。スピンコート時間が10秒より短いと信号パターン形
成面に色素またはその組成物を十分に拡散することがで
きない。

また必要に応じてスピンコートは、数段階に回転数を
変えて設定することもできる。これは、均一な成膜に適
した回転数と、ほぼ成膜が完成した段階で乾燥を目的と
した回転数が必要となるためであり、低速の１段階と、
その後、前記１段階より高速で回転させる２段階の回転
法を用いる。

スピンコートの後の乾燥条件は、乾燥温度が10℃〜11
5℃で乾燥する。

なお、色素または、その組成物の溶液を滴下する工程
で、基板の回転モードなどは任意に調整することができ
る。例えば、静止している基板に色素またはその組成物
の溶液をほぼ均一にコーテイングしたのち、基板を一気
に最高回転速度まで加速するモードと、または既に適当
な回転数で回転している基板上にクランピングエリアよ
り外周部に、色素または、その組成物の溶液を滴下する
モード、その他を取ることができる。

また必要に応じて、色素記録層の上に水溶性ポリマー
分子よりなる薄層を設けることができる。

この水溶性ポリマーとしては、公知に属する任意のも
のを用いることができるが、以下にその数例を挙げる。

ポリビニルアルコールポリエチレンオキシドポリアクリル酸ポリスチレンスルホン酸ナトリウムポリビニルピロリドンポリメタクリル酸ポリプロピレングリコールメチルセルロースこの薄層もスピンコーテイング法により成膜する。

スピンコート条件は以下の通りである。

水溶性ポリマーの濃度は0.5重量％〜5.0重量％に調整
される。濃度が5.0重量％を超えると、膜厚が厚くなり
過ぎる。反対に、濃度が0.5重量％より低いと、ピンホ
ールなどの欠陥が生じ易くなる。

基板の最高回転数、すなわち余剰の水溶性ポリマーを
振り切るための基板の回転数は、300rpm〜5000rpmに調
整される。300rpm以下では薄層の内周と外周の間で乾燥
速度の差が生じて膜厚が不均一になる。反対に5000rpm
以上になると膜厚が薄くなり過ぎて、所望の膜厚を得る
ことができない。

前記した水溶性ポリマーの濃度と、基板の回転速度
と、基板上に形成される薄層の厚さとの関係を第15図に
基づいて説明する。この第15図に示すように、回転速度
が高いほど、また水溶性ポリマーの濃度が低いほど膜厚
が薄くなる。

ただし、濃度を一定とした場合には、回転速度がある
一定の値以上になると膜厚がサチレートする。

第15図より、水溶性ポリマーの濃度を0.5重量％〜5.0
重量％に、また、基板の回転数を300rpm〜5000rpmに調
整することによつて所望の膜厚が得られることが判る。

スピンコート時間、すなわち水溶性ポリマーを滴下し
たのちの基板の回転時間は、10秒以上とする。

スピンコート後の乾燥条件は、乾燥温度が10℃〜115
℃で、乾燥時間が約１分以上とする。乾燥温度×乾燥時
間の積がこの値よりも小さ過ぎると薄層の乾燥が不充分
になり、反対にこれが大き過ぎると基板の熱変形などの
不具合を発生することになる。

なお、薄層をスピンコートする際の基板の回転モード
は、水溶性ポリマーを滴下する工程との関係で任意に調
整することができる。例えば、静止している基板に水溶
性ポリマーをほぼ均一にコーテイングしたのち、基板を
一気に最高回転速度まで加速して余剰の水溶性ポリマー
を振り切つても良い。また、基板を低速で回転しつつ水
溶性ポリマーをほぼ均一にコーテイングし、その後基板
を最高回転速度まで加速して余剰の水溶性ポリマーを振
り切るようにすることもできる。

また、乾燥工程後に、例えば水溶性ポリマーの架橋処
理など、膜の耐湿性や透湿性を改善する処理を行うこと
もできる。具体的には、光照射による架橋反応や、加熱
による架橋反応、それに熱処理などの手段を採ることが
できるが、基板に熱変形等の悪影響を与えることがな
く、作業性にも優れることから、光照射による架橋反応
が最適である。

以下、ポリビニルアルコールを例に採つて、架橋手段
の具体例を示す。

無機系架橋剤の添加。

無機系架橋剤としては、銅、ホウ素、アルミニウム、
チタン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、クロムなど
がある。

アルデヒドを用いたアセタール化。

水酸基のアルデヒド化。

活性化ビニル化合物の添加。

エポキシ化合物を添加してのエーテル化。

酸触媒のもとでジカルボン酸を反応。

コハク酸および硫酸の添加。

トリエチレングリコールおよびアクリル酸メチルの添
加。

ポリアクリル酸およびメチルビニルエーテル−マレイ
ン酸共重合体のブレンド。

第18図は、本発明の実施例に係る光デイスクの製造工
程を説明するための図である。次に、この図を用いて光
デイスクの製造順序を説明する。

S1:ガラス円盤を研磨，洗浄する。

S2:ガラス円盤上にフオトレジスタをスピンコートし、
所定の膜厚を有するレジスト層を形成する。

S3:レジスト層に集光レンズを介してレーザ光を照射す
る（カツテイング）。

S4:この露光済みのガラス円盤を現像処理する。

S5:ガラス円盤の凹凸面に電鋳によつて金属層を形成
し、それを剥離することでスタンパを得る。

S6:スタンパの表面にレプリカ剤をスピンコートし、所
定の膜厚を有するレプリカ層を形成する。

S7:透明基板の片面にスピンコート法により下地層を形
成する。

S8:下地層の上面にスピンコート法により記録層を形成
する。

S9:記録層の上面にスピンコート法により薄層を形成す
る。

S10:光デイスクとして各種の試験を行い、良否の評価を
行う。

この一連の製造工程において、S2のレジスト層を形成
する工程、S6のレプリカ層を形成する工程、S7の下地層
を形成する工程、ならびにS9の薄層を形成する工程にお
いても、第16図に示した気密式スピンコート装置を用い
ることができる。この装置を使用することにより、溶剤
の発散が抑性でき、さらに気泡の発生を抑え、膜厚のむ
らのない均一なレジスト層、レプリカ層、下地層ならび
に薄層が形成され、信頼性の高い光デイスクが製造でき
る。

第19図は、第18図のフローチヤートにおける記録層形
成（S8）と保護層形成（S9）の詳細を示すフローチヤー
トである。

S21:レプリカ層、下地層（省略する場合もある）など
を形成した基板（円盤）を準備する。

S22:シアニン色素と安定剤としての赤外線吸収剤を溶
解したメタノールを基板上にスピンコートして、記録層
を形成する。

S23:60〜80℃の温度で50〜70秒記録層をアニールす
る。

24:ポリビニルアルコール（PVA）と重クロム酸アンモ
ニウム（架橋剤）の水溶液を記録層上にスピンコートす
る。

25:PVAの塗布膜上に紫外線を50〜70秒照射して、PVA
の架橋を行う。

S26:架橋後、少量の水を架橋PVA塗膜上にスピンコー
トし、架橋反応に関与しなかつた架橋剤（重クロム酸ア
ンモニウム）,PVAを洗い流して、記録層上に薄層を形成
する。

記録層の材料ならびにスピンコートの回転モードなど
の具体例を示せば次の通りである。

〈具体例１〉まず、射出成形法によつて直径130mmのポリカーボネ
ート製基板を作成した。色素溶液の調整法では以下の通
りである。

下記のシアニン色素をメタノールに溶解し、濃度0.5
重量％の溶液を調整した。

スピンコート条件は以下の通りである。

基板を500rpmで回転させながら、その中心部に上記調
整した溶液を滴下し、その後、５秒回転させた後、さら
に3000rpmで10秒回転させた。ターンテーブルの雰囲気
は、基板１から密封状態の最高部16（第16図参照）にお
ける長さｄは12cmとした。体積は5000cm³で、密封状態
とした。乾燥は常温で１分以上とした。これにより得ら
れた記録膜の均一性は、光学特性、反射率、透過率が平
均値に対して相対値でばらつき、0.1％以内となつた。

〈具体例２〉具体例１と同様の基板を作製した。上記のシアニン色
素を1.2−ジクロロエタンに溶解し、濃度1.2重量％の溶
液を調整した。

また、下地膜材料としてポリビニルナイトレート2.5
重量％の水溶液を用いて基板を5500rpmで回転して成膜
し、その後、重クロム酸アンモニウムを添加し、UV照射
を行つて架橋処理をした。膜厚は60nmである。この下地
膜上に上記色素1.2−ジクロロエタン溶液を基板を500rp
mで回転させながら滴下、その後3000rpmに変更した。タ
ーンテーブルの雰囲気および得られた特性は具体例１と
同様である。

第20図は記録層にシアニン色素の溶液を用いた前記具
体例のコーテイングモードを説明するための図、第21図
はそのコーテイングモードにおける記録層の形成順序を
説明するための図である。

前記具体例１で説明したように、基板１を500rpmで回
転させながら色素溶液を基板１の内周部に滴下すること
により、溶液は遠心力の作用で外周部に向けて拡がり均
一な液膜21（第21図参照）を形成し、この回転を５秒間
続行する。この第１の段階（Ｉ）で記録層３の膜厚がほ
ぼ決まるが、まだほとんど未乾燥の状態で液膜21を指で
触れると液が指に付着する状態である。

この第１の段階（Ｉ）の終りごろになると、第21図に
示すように液膜21の外周部に液の盛上がり部22が形成さ
れるとともに、液膜21の内周部23が今までよりも高粘度
の状態となる。この状態になると0.1秒間で回転数を300
0rpmまでに急上昇させる。この回転数の急変により前記
盛上がり部22がとれて、破線で示すようにフラツトにな
る。このように回転数を急変しても、前述のように内周
部23は高粘度になつているため、回転にともなう遠心力
により内周部23の膜厚が変化する（薄くなる）ことはな
い。この第２の段階（II）において主に乾燥が起こり、
液膜21中の有機溶媒が揮散するが膜厚の変化はほとんど
認められない。3000rpmで10秒回転すると、基板１の回
転を一気に停止する。

このようにスピンナー塗布方法によつて、溶液が基板
上に拡がつて液膜を形成し〔第１の段階（２）〕、その
後この液膜が乾燥して〔第２の段階（２）〕所定の記録
層が形成される訳であるが、この一連の工程中、特に前
記第１の段階（Ｉ）において、基板１の上方に形成され
る対流Ｇ（第16図参照）の影響が大きく現われる。この
対流Ｇは、ターンテーブル11の回転により、基板１のほ
ぼ中央部に向つて流れ、それから基板１の表面に沿つて
基板１の外周部に向けて流れ、それが循環流となつてい
る。前記液膜21を乾燥（高粘度化）するためにはある程
度の対流Ｇは必要であるが、対流Ｇが大きく生じると記
録層の膜厚が不均一になるから好ましくない。そのため
第16図の例ではハウジング15を用いて、対流Ｇの流れを
抑制した訳であるが、この対流抑制手段の他の例を第22
図ないし第29図に示す。

第22図に示す例の場合、基板１よりも広い面積を有す
る平板状の対流抑制部材24が、基板１の上方に接近して
配置されており、塗布ノズル10がこの抑制部材24を貫通
して基板１側に延びている。

第23図に示す例の場合、前記第22図の例と相異する点
は、塗布ノズル10が抑制部材24を貫通しないで、横側か
ら水平方向に基板１と抑制部材24の間に挿入されている
点で、塗布ノズル10は抜き差し可能にすることができ
る。

第24図に示す例の場合、傘状の抑制部材24が用いられ
ている。

第25図に示す例の場合、断面略Ｖ字状の抑制部材24が
用いられている。

第26図に示す例の場合、第25図の例と相異する点は、
抑制部材24の中央部にフラツト部25が設けられている点
である。

第27図に示す例の場合、略皿状の抑制部材24が用いら
れている。

第28図に示す例の場合、基板１と対向する下面に環状
の突壁26が１つまたは２つ以上同心円状に付設した抑制
部材24が用いられている。

（第２実施例）第30図は、第２実施例に係る光情報記録ディスクの製
造装置の縦断面図であり、第31図はその製造装置の一部
を断面した平面図である。

これらの図に示すように、この光情報記録デイスクの
製造装置は、主として、基板31を回転駆動する回転装置
32と、所定量の材料を供給するデイスペンサ33と、基板
31上に成膜材料を噴射するノズル34と、これらの各装置
を収納する密封ケース35とから成る。

回転装置32は、密封ケース35の下部を構成する底板35
aの下面に取り付けられたモータ36と、底板35aに垂直に
貫通され、回転自在に保持されたモータ軸36aと、底板3
5aの上方に突出したモータ軸36aの先端部に水平に取り
付けられたターンテーブル37とから成る。

ターンテーブル37の上面中央部には、基板31に開設さ
れたセンタ孔31a内に嵌挿可能な直径を有する位置決め
突起38が突設されており、基板31を同心状に取り付けら
れるようになつている。ターンテーブル37上に配置され
た基板31は、前記位置決め突起38に嵌着されたデイスク
ホルダ39によつて固着される。

ノズル34は、デイスペンサ33より延出されており、基
板31の内周部と対向する位置に設定されている。前記ノ
ズル34の先端部34aは、第31図に示すように、基板31の
内周部から外周部に向かう半径方向Ｘ−Ｘに向けられて
おり、また、第30図に示すようにノズル34の側面方向か
ら見たとき、基板31に対して90度よりも小さい角度θを
なして傾斜するように向けられている。基板31に対する
ノズル先端部34aの最適設定角度θは、基板31の回転数
や成膜材料の粘度等によつて定まる。

第32図は、厚さむらが５％以内の薄膜層を成膜するに
好適な基板31に対するノズル先端部34aの設定角度θと
基板31の回転数との関係を示す特性図である。縦軸に基
板31に対するノズル先端部34aの設定角度θが、横軸に
基板31の回転数が目盛られている。図中の棒線は、回転
数以外のフアクタによるばらつきの範囲を示しており、
黒丸はそれらの平均値を示している。

この図から明らかなように、基板31の回転数が高いほ
ど基板31に対するノズル先端部34aの設定角度θを小さ
く設定する。また、最適設定角度は最大±10度程度のば
らつきがあり、成膜に際して適宜調整する必要がある。

前記ノズル34の先端部34aは、第33図ならびに第34図
に詳細に示すように、基板31との対向側が長くその反対
側が短かい斜面形に形成されており、前記基板31との対
向側の先端近傍に液だれ防止用の小孔40が開設されてい
る。なおこの小孔40は、貫通していても〔第33図参
照〕、貫通してなくてもよい〔第34図参照〕。

密封ケース35は、前記底板35aとデイスペンサ33およ
びノズル34の上方を包被するカバー35bとから成る。密
封ケース35は、当該ケース35内の空気流を安定に保持す
るためのものであつて、可能な限り小容量に形成するこ
とが好ましい。

この実施例に係る製造装置は、ノズル34の先端部34a
を基板の半径方向、すなわち成膜材料の溶液に作用する
遠心力の方向に向けて配置したので、溶液を滴下したと
き遠心力の方向に多くの溶液が拡がり、遠心力と反対の
方向に拡がる溶液の量が相対的に少なくなる。よつて、
基板31の外周方向に向かう溶液の流れが円滑になる。

また、デイスペンサ33およびノズル34を一定位置に定
置したので、これらの部材の設定スペースをコンパクト
に設定することができる。よつて、密封ケース35を小容
積化することができ、この点からも薄膜層の均厚性を高
めることができる。

さらに、ノズル34の先端部34aを基板31側が長くその
反対側が短かい斜面形に形成すると共に、基板31側の先
端近傍に液だれ防止用の小孔40を開設したので、薄膜形
成後に液だれを起して不良品を生じるといつたことがな
く、良品の歩留りが高い。

この光情報記録デイスクの製造装置は、基板31を所定
の回転数で回転駆動したのち、デイスペンサ33を駆動し
てノズル34より材料を供給するようにすることができ
る。

（第３実施例）次に、本発明の第３実施例を第35図および第36図に基
づいて説明する。

本実施例の製造装置は、ノズル34の先端部34aを第35
図に示すように、基板31に対して90度よりも小さい角度
θ_１をなして傾斜すると共に、第36図に示すように、基
板31の半径方向線Ｘ−Ｘに対しても、基板31の回転方向
Ａの方向に、90度よりも小さい角度θ_２をなして傾斜し
てある。

このようにすると、ノズル34より成膜材料の溶液を滴
下したとき、遠心力および基板31の回転力が作用する方
向に多くの溶液が拡がり、基板31の外周方向および円周
方向に向かう溶液の流れが円滑になつて、より均厚性の
高い薄膜層が形成される。

（第４実施例）次に、本発明の第４実施例を第37図に基づいて説明す
る。

本実施例の製造装置は、前記デイスペンサ33が前記密
封ケース35のカバー35bに回動可能に取り付けられた回
転軸42に固着されており、カバー35bの外面に設定され
たモータなどの動力源43を駆動することによつて、ノズ
ル34の先端部34aを基板31の内周部から外周部に向けて
適宜揺動できるようになつている。

このようにすると、基板31の表面全体に成膜材料を速
やかに塗布することができ、薄膜層の均厚性を一層向上
することができる。本実施例の装置は、大径の光情報記
録デイスクに薄膜層をスピンコートするに特に好適であ
る。なお、デイスペンサ33およびノズル34自体は一定位
置に保持されるので、これらの部材の設定スペースが大
きくなることはなく、密封ケース35の大容積化、および
これに伴う薄膜層の均厚性の劣化を生じることがない。

この光情報記録デイスクの製造装置は、基板31を所定
の回転数で回転駆動したのち、デイスペンサ33を駆動し
てノズル34より成膜材料を供給しつつ、動力源43を駆動
してノズル34の先端部34aを基板31の内周部から外周部
に向けて揺動するようにすることができる。

以下、本発明に係る装置のより具体的な実施例と、こ
れを用いた光情報記録デイスクの製造方法の一例を説明
し、本発明の効果に言及する。

本実施例の装置では、孔径が1mmで先端部が60度にカ
ツトされたノズルを基板の半径方向に向け、その先端部
を基板に対して45度に傾斜した。また、ターンテーブル
には直径が120mmのポリカーボネート製基板を装着し、
容積が5000cm³の密封ケースで被着した。

記録層の成膜に際しては、前記基板を500rpmで回転駆
動したのち、前記ノズルより前記基板の中心から半径27
mmの位置に、以下の分子構造式で表わされるシアニン色
素の0.5重量％メタノール溶液を0.5kg/cm²の圧力で噴射
した。

なお、溶媒であるメタノールの粘度は0.006kg/smであ
る。シアニン色素の溶媒としては、メタノールのほか、
メチルエチルケトン（粘度0.00441kg/sm）、1,2−ジク
ロロエタン（粘度0.008kg/sm）、ニトロベンゼン（粘度
0.0201kg/sm）などを用いることができる。

前記の装置および方法で成膜されたシアニン色素系の
ヒートモード記録層は、第38図に黒丸で示すように、記
録エリア（基板の中心から半径27mm以上のエリア）に関
してはほとんど厚さむらがない。

比較例として、第47図に示した従来のスピンコート装
置を用いて成膜された記録層の厚さ分布を、第38図に白
丸で示す。スピンコート装置以外の諸条件については、
前記実施例と全て同じである。

この図に示すように、従来のスピンコート装置による
と、最内周部において膜厚が最も厚くなり、中間エリア
から外周エリアにかけては膜厚がほぼ均一になつてい
る。最厚部と最薄部の膜厚の差は約8nmもある。

このように本発明の装置によると、基板上の均厚性の
高い記録層を形成できることが判る。

なお、前記実施例においては、基板上に記録層を形成
する場合を例にとつて説明したが、その他、記録層の下
地層を形成する場合、あるいは基板の表面に薄層を形成
する場合など、あらゆる種類のスピンコートに応用する
ことができる。

また、ノズルの形状や直径、ターンテーブルの形状や
回転数、それに材料の種類や噴射圧力などについては前
記実施例に限定されるものではなく、必要に応じて適宜
設計することができる。

第39図は、本発明の製造装置で製造される光ディスク
の第３例に係るエアサンドイッチ型光デイスクの縦断面
図、第40図はその光デイスクの要部拡大断面図である。

これらの図において、51は、透光性材料よりなる円板
状の基板で、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリメチルペンテン、エポキシ等の透明樹脂材
料、或いはガラス等の透明セラミツクス等を用いること
が出来るが、該実施例においてはポリカーボネイト基板
が用いられている。なお、51aは、基板51の中心孔であ
る。この基板51の片面には、それぞれトラツキング信号
に対応する案内トラツクやアドレス信号に対応するブリ
ピツトなどの信号パターン52が形成される（第41図参
照）。

信号パターン52の形成手段としては、前記基板51の材
質によつて適宜の方法が適用される。例えば、基板51が
ポリカーボネイトやポリメチルメタクリレート、ポリメ
チルペンテンなどの熱可塑性樹脂にて形成される場合に
は、射出成形用金型内に溶融した基板材料を射出して、
基板51と信号パターン52とを一体に成形する所謂インジ
エクシヨン法が適する。また、この基板材料に関して
は、射出成形用金型内に溶融した基板材料を射出したの
ちに圧力を加える、所謂コンプレツシヨン法あるいはイ
ンジエクシヨン−コンプレツシヨン法といつた形成手段
を適用することもできる。さらに、基板51がエポキシな
どの熱硬化性樹脂にて形成される場合には、所望の信号
パターンの反転パターンが形成されたスタンパ（金型）
と基板51との間で光硬化性樹脂を展伸し、スタンパの反
転パターンを基板51に転写する所謂2p法（Photopoly−m
erization;光硬化性樹脂）が適する。また、この樹脂材
料に関しては、金型内に溶融状態にある基板材料を静注
して、基板51と信号パターン52とを一体に成形する所謂
注型法を適用することもできる。

53は、例えば前記2P法によつて表面上に成膜された記
録層であり、第39図ならびに第40図では図示していない
が、表面に微細な凹凸を有する信号パターン52が形成さ
れている。

記録層53の材質としては、例えばポリメチン系色素、
アントラキノン系色素、シアニン系色素、フタロシアニ
ン系色素、キサンテン系色素、トリフエニルメタン系色
素、ピリリウム系色素、アズレン系色素、含金属アゾ染
料等を用いることができる。該本実施例ではシアニン性
色素材料を用い、このシアニン系色素のメタノール溶液
を、基板51上にスピンコートして、記録層53を成膜し
た。

シアニン系有機色素のうち特に下記のような一般構造
式を有しているインドール系シアニンが好適である。

一般構造式式中のは、メチン鎖を構成するための炭素鎖で、C₃
〜C₁₇の直鎖あるいは多員環からなり、炭素原子に付い
た水素原子は、ハロゲン原子、（Ｒ″は、C₁〜C₆の直鎖あるいは芳香環）で置換されて
もよい。

ＡおよびＡ′は、同じかまたは異なつてもよく、それ
ぞれは芳香環を表わし、炭素原子に付いて水素原子は、
−I,−Br,−Cl,−C_nH_2n+1（ｎ＝１〜22），−OCH₃, −NO₂, （Ｒは、直鎖炭化水素鎖または芳香環）で置換されて
もよい。

ＢおよびＢ′は、同じかまたは異なつてもよく、−Ｏ
−，−Ｓ−，−Se−，−CH＝CH−，または（Ｒ′は、CH₃,C₂H₅,C₃H₇,C₄H₉などのC₁〜C₄のアルキ
ル基）を表わす。

ＲおよびＲ′は、同じかまたは異なつてもよく、C₁〜
C₂₂のアルキル基を表わし、スルホニル基もしくはカル
ボキシル基で置換されてもよい。

Ｘは、例えばPF₆ ^-,I^-,ClO₄ ^-,CF₃SO₃ ^-,CSN^-などの陰
イオンを表わす。

ｍおよびｎは、それぞれ０または１〜３の整数であ
り、ｎ＋ｎ≦３の関係を有している。

デイスク基板上に下地層を介してあるいは介さずに記
録層を形成する方法は、溶液スピンコート法、蒸着法あ
るいはラングミユア・ブロゼツトによる積層法を用いて
もよく、これらの方法を適宜組み合わせてもよい。

このシアニン系有機色素の好適な具体例を示せば次の
通りである。

54は、前記記録層53上にスピンコーテイング法によつ
て成膜した水溶性樹脂（親水性高分子材料）よりなる薄
層で、例えば以下に示すような水溶性樹脂を用いること
ができる。

ポリビニルアルコールポリエチレンオキシドポリアクリル酸ポリスチレンスルホン酸ナトリウムポリビニルピロリドンポリメタクリル酸ポリプロピレングリコールメチルセルロースポリビニルナイトレートまた薄層54として、下記のような熱可塑性合成樹脂も
使用できる。

ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフロ
オロエチレン、フツ化ビニリデン、テトラフニオロエチ
レン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、フツ化ビニ
リデン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、フツ化ビ
ニリデン−クロロトリフロオロエチレン共重合体、テト
ラフルオロエチレン−ペロフルオロアルキルビニールエ
ーテル共重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共
重合体などのフツ素樹脂。

ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミ
ドなどのイミドなどの樹脂６−ナイロン、11−ナイロン、12−ナイロン、66−
ナイロン、610−ナイロン、610−ナイロンと６ナイロン
と66−ナイロンの混合物などのアミド樹脂ポリエチレン、架橋ポリエチレン、エチレン−アク
リル酸エステル共重合、マイオノマーなどのエチレン樹
脂ポリプロピレンポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合
体、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合体
などのスチレン樹脂ポリ塩化ビニルポリ塩化ビニリデンポリ酢酸ビニルポリビニルアセタールポリカーボネートポリアセタールポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレートなどの飽和ポリエステル樹脂ポリフエニレンオキシドポリスルホンさらに薄層54として、下記のようなゴム質のものも使
用できる。

スチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、イソ
プレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、クロ
ロプレンゴムなどのジエン系ゴムブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、アクリル
ゴム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、フツ素ゴム
などのオレフイン系ゴムシリコーンゴムウレタンゴム多硫化ゴム本実施例においては、薄層54の材料としてポリビニル
アルコール（PVA）を用いており、該PVAの水溶液をスピ
ンコートし、膜厚60nm薄層54を成膜している。

この薄層54の形成も第16図に示したスピンナー塗布装
置17を用いて行なう。

第41図および第42図は、スピンナー塗布途中の状態を
示す断面図および平面図である。同図に示すように薄層
54を形成するための塗布液55を基板51上の記録エリアＢ
全域にむらなく滴下する。

ここで記録エリアＢの全域に塗布液55を滴下する方法
について、以下４つの方法について第43図ないし第45図
を用いて説明するが、本発明の方法はこれらに限定され
るものではない。

第方法（第43図参照）まず、光記録媒体の中間部分（但し、クランピングエ
リアＡの外側）にドーナツ状に塗布液55を滴下し、その
後、1rpm以下の低速で回転させ塗布液16が記録エリアＢ
全域に広がつた後、速度（max4000rpm）で光記録媒体を
回転させ余分な塗布液55を振り切つて成膜を行う。

第方法（第44図参照）まず、光記録媒体の中間部分（但し、クランピングエ
ルリエＡの外側）にドーナツ状に塗布液55を滴下し、そ
の後、1rpm以下の低速で回転させ塗布液55が記録エリア
Ｂ全域に広がつた後、５秒間以上光記録媒体を静止さ
せ、その後高速（max4000rpm）で光記録媒体を回転させ
余分な塗布液55を振り切つて成膜を行う。

第方法（第45図参照）光記録媒体を静止させた状態で、ノズルを回転させ記
録エリアＢ全域に塗布液55を滴下し、その後、光記録媒
体を高速で回転させ、余分な塗布液55を振り切つて成膜
を行う。

第方法（第45図参照）光記録媒体を静止させた状態で記録エリアＢ全域にス
プレー方式で塗布液55を吹きつけ、その後、光記録媒体
を高速で回転させ余分な塗布液55を振り切つて成膜を行
う。

ところで、前記薄層54はPVA等の水溶性樹脂からなつ
ているため、耐湿性が劣化する。このため、薄層54を架
橋処理等して耐水性（耐湿性、透湿）、並びに耐熱性を
もたせている。具体的には、水溶性樹脂の水溶液に架橋
剤等を添加しておき薄層54を成膜後、例えば紫外線など
の光照射による架橋反応や加熱による架橋反応を起こさ
せたり、或いは、架橋剤の添加のない薄層54を熱処理し
て結晶化（例えば該実施例ではPVAを用いているので、
変性PVA化）することによつて、耐水・耐熱性をもたせ
ることが出来る。

しかしながら、基板51、記録層53への熱的悪影響を考
慮しなくても済む、上述した光照射による架橋反応が、
作業性の点でも優れているので、該実施例においては、
架橋剤として重クロム酸アンモニウムを添加し、光照射
により薄層54を架橋反応させる手法が採られている。

以下に示すのは架橋手段の具体例で、必要に応じ任意
の手段が採用可能である。

無機系架橋剤としての、例えば銅、ホウ素、アルミ
ニウム、チタン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、ク
ロム等の添加。

アルデヒドを用いたアセタール化。

水酸基のアルデヒド化。

活性化ビニル化合物の添加。

エポキシ化合物を添加してのエーテル化。

酸触媒のものとジカルボン酸を反応。

コハク酸および硫酸の添加。

トリエチレングリコールおよびアクリル酸メチルの
添加。

ポリアクリル酸およびメチルビニルエーテルマレイ
ン酸共重合体のブレンド。

第46図は、本発明の実施例において薄層形成からその
後のプロセスを示すフローチヤートである。同図におい
て、 S31:架橋剤として所定濃度の重クロム酸アンモニウム
〔（NH₄）₂Cr₂O₇〕を添加したポリビニルアルコール水
溶液または色素溶液を調整する。

S32:スピンコーテイング法によつて薄層を形成する。

S33:薄層に必要に応じて紫外線を照射することにより
架橋反応を行なわせて、薄層に耐水性を付与する。

S34:基板を回転させながら薄層の上から洗浄剤を滴下
して、薄層を除去する。

なお洗浄剤としては、水、温水、アルコール類などの
有機液体の単独あるいは混合物が用いられる。

S35:80℃で１時間30分ベーク処理して完成品とする。

ポリビニルアルコールを用いて前記S34の洗浄処理を
行なつた場合と行なわない場合の反射率の劣化を次の表
に示す。なおこの試験は、60℃、90％RHの雰囲気で行な
つたものである。

この表から明らかなように、洗浄処理して架橋剤ある
いは未架橋化部分を薄層から除去することにより、高温
多湿下においても高い反射率を維持することができる。
洗浄処理しない場合に高温多湿下で反射率が低下する原
因としては、薄層中に架橋剤や未架橋部分が残存する
と、吸湿によつて薄層が膨潤し、そのため記録層との密
着が悪くなるためであると考えられる。

前記実施例ではエアサンドイツチ構造の光デイスクに
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、例えば１枚の光デイスクからなる単板状のもの、
あるいは２枚の光デイスクを密着するように接合した密
着構造のものなど、他の構造のものにも適用可能であ
る。

〔発明の効果〕

本発明は、ノズルの先端を遠心力の方向に向けて配置
したので、溶液を滴下したとき遠心力の方向に多くの溶
液が拡がり、遠心力と反対の方向に拡がる溶液の量を相
対的に少なくすることができる。よって、基板の外周方
向に向かう溶液の流れが円滑になり、均厚性の高い薄膜
層を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る製造装置で製造されるエアサン
ドイツチ型光デイスクの縦断面図、第２図は、その光デイスクの要部拡大断面図、第３図は、本発明に係る製造装置で製造される光デイス
クの要部拡大断面図、第４図は、本発明に係る製造装置で製造される光デイス
クの要部拡大断面図、第５図は、有機色素の一般構造式中でのの代表例を示
す図、第６図は、同じく一般構造式中でのA,A′の代表例を示
す図、第７図ならびに第８図は、有機色素の具体例を示す図、第９図は、有機色素の比較例を示す図、第10図，第11図，第12図ならびに第13図は、各種特性を
示す特性図、第14図は、反射率，透過率の特性図、第15図は、各有機色素濃度における回転数と膜厚との関
係を示す特性図、第16a図，第16b図，第16c図，第16d図は、スピンナー塗
布装置の概略断面図、第17図は、その塗布装置を収納するドラフトの概略構成
図、第18図は、光デイスクの製造順序を説明するためのフロ
ーチヤート、第19図は、記録層形成と保護層形成の詳細を示すフロー
チヤート、第20図は、具体例のコーテイングモードを説明するため
のモード説明図、第21図は、そのコーテイングモードにおける記録層の形
成順序を説明するための図、第22図ないし第28図は、対流抑制手段の変形例を示す概
略断面図、第29図は、第28図に示す変形例の概略平面図である。第30図は、本発明に係るスピンナー塗布装置の縦断面
図、第31図は、そのスピンナー塗布装置の一部を断面した平
面図、第32図は、ノズルと基板のなす角と基板の回転数との関
係を示す特性図、第33図ならびに第34図は、その塗布装置に用いられるノ
ズル先端部の拡大断面図である。第35図は、本発明に係るスピンナー塗布装置の縦断面
図、第36図は、そのスピンナー塗布装置の一部を断面した平
面図である。第37図は、本発明に係るスピンナー塗布装置の要部斜視
図、第38図は、本発明の実施例と従来のものとの膜厚の特性
図である。第39図は、本発明に係る製造装置で製造されるエアサン
ドイツチ型光デイスクの断面図、第40図は、その光デイスクの要部拡大断面図、第41図および第42図は、スピンナー塗布途中の状態を示
す断面図および平面図、第43図，第44図ならびに第45図は、スピンコーテイング
の各コーテイングモードを説明するためのモード説明
図、第46図は、薄層形成後からその後のプロセスを説明する
ためのフローチヤートである。第47図は、従来のスピンナー塗布装置の斜視図である。１……デイスク基板、３……記録層、７……信号パター
ン、10……塗布ノズル、11……ターンテーブル、12……
スピンナー本体、13……色素溶液、15……ハウジング、
16……最高部、17……スピンナー塗布装置、24……対流
抑制部材、25……フラツト部、26……突壁、31……基
板、32……回転装置、33……デイスペンサ、34……ノズ
ル、35……密封ケース、37……ターンテーブル、40……
小孔、51……基板、52……信号パターン、53……記録
層、54……薄層、55……塗布液。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号特願平1−70398 (32)優先日平１(1989)３月24日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ） (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 7/26 B05C 11/08 B05D 1/40 G11B 5/842

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の回転装置と液剤の供給ノズルとを備
えた光情報記録媒体の製造装置において、前記ノズルを
前記基板の内周部と対向する位置に配置し、前記基板の
平面方向から見て前記ノズルの先端部を前記基板の外周
方向に向けると共に、前記ノズルの中心線と前記基板の
表面とのなす角度が90度よりも小さい角度になるように
前記ノズルの先端部を傾斜したことを特徴とする光情報
記録媒体の製造装置。
【請求項２】請求項（１）記載において、前記ノズルの
先端部を前記基板の半径方向に向けて配置したことを特
徴とする光情報記録媒体の製造装置。
【請求項３】請求項（１）記載において、前記ノズルの
先端部を前記基板の半径方向に対して回転方向に傾斜し
たことを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。
【請求項４】請求項（１）記載において、前記ノズルを
回転可能に保持し、このノズルの先端部と前記基板との
なす角度が適宜調整できるようにしたことを特徴とする
光情報記録媒体の製造装置。
【請求項５】請求項（１）記載において、前記回転装置
にて前記基板を回転駆動したのち、前記ノズルより所要
の液剤を供給するようにしたことを特徴とする光情報記
録媒体の製造装置。
【請求項６】請求項（１）記載において、前記回転装置
にて前記基板を回転駆動したのち、前記ノズルを前記基
板の内周部から外周部に向けて移動しつつ、前記ノズル
より所要の液剤を供給するようにしたことを特徴とする
光情報記憶媒体の製造装置。
【請求項７】請求項（１）記載において、前記ノズルの
先端部に液だれ防止手段を設けたことを特徴とする光情
報記録媒体の製造装置。
【請求項８】請求項（７）記載において、前記液だれ防
止手段として、前記ノズルの先端部を前記基板との対向
側が長く、その反対側が短い斜面形に形成したことを特
徴とする光情報記録媒体の製造装置。
【請求項９】請求項（７）記載において、前記液だれ防
止手段として、前記ノズルの先端近傍の前記基板と対向
する部分に、貫通又は貫通していない小孔を設けたこと
を特徴とする光情報記録媒体の製造装置。