JPH0332882A - 光情報記録媒体の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機色素系の記録材料にて形成された記録層
を備える光情報記録媒体の製造装置ならびにその製造方
法に関する。

〔従来の技術■〕

最近、底膜に回転塗布法いわゆるスピンコード法を用い
ることにより、生産性の向上が図れる有機色素を記録材
料とした光ディスクが開発されている。

〔発明が解決しようとする課題Ｉ〕

このスピンコードに関する従来技術としては、特開昭６
１−１２９７４７号公報がある。これは、記録層の平均
膜厚が０．０３５〜０．１４μｍの範囲においての製造
技術であり、膜厚のコントロールをスピンコードの回転
数と塗布溶液の濃度のみで行っている。

しかし、スピンコードの回転数と塗布溶液の濃度のみで
膜厚や均一性をコントロールするのは非常に困難である
。つまり、沸点の低い溶媒を選択した場合などスピンコ
ード中に溶媒の蒸発が急速に進行し、不均一な膜となっ
てしまう。そして光ディスクの内外周の膜厚の違いが、
反射率や透過率のばらつきとなり、トラッキングエラー
などが発生する。

本発明の第１の目的は、このような従来技術の欠点を解
消し、均一な厚さの記録層が得られる光情報記録媒体の
製造装置を提供することにある。

〔従来技術■〕

従来より、有機色素系のヒートモード記録材料をもって
記録層が形成された光情報記録ディスクが知られている
。この光情報記録ディスクは、記録層をスピンコード法
によって形成することができるので、真空成膜装置を用
いる場合に比べて生産設備を簡略化することができ、し
かも生産性が高いという利点がある。

第４７図は、この種の光情報記録ディスクの製造に適用
されるスピンコード装置の一例を示す斜視図である。

垂直に配設された回転スピンドル１０１に基板１０２が
水平に取り付けられており、この基板１０２に向けて先
端部１０３が垂直に折り曲げられたノズル１０４が配設
されている。このノズル１０４は、その先端部１０３が
前記基板１０２の内周部から外周部に至る範囲に亘って
自由に移動できるように保持されており、ノズル１０４
の先端部１０３を基板１０２の内周部から外周部に移送
しつつ所定流量の成膜材料を噴射することによって、基
板１０２上に成膜材料を均一に置くことができるように
なっている。

〔発明が解決しようとする課題■〕

ところで、光情報記録ディスクの記録層には、２〜３ｎ
ｍのオーダの均厚性が要求される。、然るに、前記した
従来のスピンコード装置によると、例えば基板の回転数
、基板の回転モード、記録層材料の種類、記録層材料塗
布液の粘性、周囲の雰囲気条件などのスピンコード条件
を最適に設定したとしても、少なくとも８〜ｌＱｎｍに
厚さむらを生じる。これは以下の理由によるものと推定
される。

すなわち、回転している基板１０２に例えば記録層材料
の塗布液を滴下すると、まず、重力および表面張力、そ
れに基板表面のぬれ性のバランスのもとに溶液が基板１
０２上を拡がり、その後、遠心力によって基板１０２の
外周に溶液が移動する。前記のスピンコード装置は、ノ
ズル１０４の先端部　１０３が基板１０２に対して垂直
に配置されているので、まず、滴下位置を中心としてそ
の周囲に溶液が均等に拡がり、その後、遠心力によって
基板１０２の外周に溶液が移動する。従って、溶液の滴
下時、遠心力と反対の方向に流動する溶液の量が比較的
多く、溶液の流れが複雑になるため、成膜された記録層
の均厚性が悪くなる。

なお、前述の例では記録層のスピンコードを例にとって
説明したが、記録層の下地層や基板表面のハードコート
層など他の薄膜層をスピンコードする際にも同様の問題
を生じる。

本発明の第２の目的は、このような従来技術の欠点を解
消し、前記第１の目的と同様に均一な厚さを有する薄層
が容易に得られる光情報記録媒体の製造装置を提供する
ことにある。

〔従来の技術■］ 現在、音楽再生用としてＣＤ（コンパクトディスク）が
広く普及しているが、これは再生専用であり、所謂ＤＲ
ＡＷ　（ダイレクトリードアフターライト）機能をもた
ないので、ユーザが記録９編集を行なうことが出来ない
。そこで、ＤＲＡＷ機能を有するＣＤの出現が望まれて
いる。また、ＣＤ以外の用途の光ディスクにおいても、
ＤＲＡＷ機能をもつ安価な光ディスクの実現が期待され
ている。

ところで、ＤＲＡＷ機能をもつ光記録材料としては、穴
あけ型のＴｅ系等の金属材料、或いは、結晶−非結晶転
位を行なう所謂相変化型のＩｎ系等の金属材料が有望視
されているが、これらの金属系の記録材料による記録層
の成膜は、何れも蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術
を用いるため、量産性並びにコストの点で問題が残る。

そこで、成膜にスピンコーティング法を用いる方法が、
生産性の点でより有力視されている。

〔発明が解決しようとする課題■〕

ススピンコーティング法は、中心部滴下法と、ダウンフ
ロー法と、中間分にドーナツ状に滴下し、その後、高速
回転で振り切る方法（特公昭６１−５７９４号公報）と
がある。

中心部滴下法というのは、第４９図、第５０図に示すよ
うに、まずディスク状光記録媒体の基板１０２の中心部
付近に溶液１０５を滴下しく第４９図）、直ちに高速回
転させて余分な溶液１０５を遠心力で振り切りながら膜
を形成する方法である（第５０図）。

しかしこの中心部滴下法では、溶液１０５が基板１０２
の中心部付近に滴下し、その後に遠心力で溶液１０５を
基板１０２上で延伸しながら膜を形成する方法であるか
ら、基板１０２の内周部側では溶液１０５が不足気味に
なり、そのために均一に拡散されず、基板１０２の内周
部側と外周部側とでは、膜厚にむらが発生するという欠
点を有している。

また、ダウンフロー法は、基板１０２を回転させながら
、それの外周から内周（または内周から外周）に向けて
ノズルを直進移動させ溶液１０５を滴下し、余分な溶液
１０５を振り切って被膜を形成する方法である。

この他第５１図、第５２図、第５３図に示すように、基
板１０２を低速回転あるいは静止させた状態で、それの
クランプエリアＡの外周位置に溶液１０５をドーナツ状
に滴下する。しかる後、高速で基板１０２を回転させ、
余分な溶液１０５を振り切って被膜を形成する方法であ
る。

この２つの方法は前記中心部滴下法の欠点を解消するこ
とはできるが、問題がない訳ではない。

すなわち、基板１０２の表面に形成されているプリピッ
トや案内溝の信号パターンの大きさ（幅。

深さ）が実際極めて微細であり、また溶液１０５はある
程度の粘性を有しており、さらに基板１０２に対する溶
液１０５（特に水溶液の場合）のなじみが悪いことなど
から、基板表面の微小な凹部（プリピットや案内溝）に
溶液１０５が良好に充填されない。そのために膜厚が不
均一になったり、ピンホールを生じたりして、記録、再
生特性に悪影響をおよぼす。

本発明の第３の目的は、このような従来技術の欠点を解
消し、ピンホールがなく均一な膜厚を有し、記録、再生
特性に優れた光情報記録媒体の製造方法を提供すること
にある。

〔従来の技術■〕

基板１０２の表面に転写されたプリピット〔幅λ ０６４〜０．５μｍ、深さ約　　　（λ：光の波長）〕
やプリグループ（幅約０．４〜０．５μｍ、深さ約λ の案内溝）のレプリカ面（転写層）にスピフコ−ティン
グ法によって記録層材料の塗布液層を形成した場合、あ
るいは該塗布液を乾燥して成膜化した記録層面にスピン
コーティング法によって保護層材料の塗布液を塗布した
場合には、該スピンコーティングによって形成された塗
布液層も、あるいは該塗布液層を乾燥した後の塗布層が
第５３図なｈ＋Ｕ第５第５４図うな形になることは一般
によく知られている。

すなわちプリピットやプリグループの凹部１１０は記録
Ｎ３によってうめられ、記録層３および保護層８ａの両
層に凹部のできない第５３図のような形状の場合、ある
いは記録層３に凹部はできるが保護層８ａに凹部ができ
ないような場合などがよく知られている。

〔発明が解決しようとする課題■〕

しかるに第５３図および第５４図のようなプリピットか
らなる光ディスクにおいては、再生レーザビームを該プ
リピットに照射することによって得られる、該プリピッ
トからの情報再生信号の変調度が一般に極めて低く、例
えば記録層３がインドールシアニン形の色素を用い、保
護層８ａにポリビニルアルコールを用いた有機色素系記
録膜からなる光ディスクでは実、用に供することができ
なかった。すなわち、該プリピットからの再生信号はエ
ラーの発生が多く、最悪の場合には信号がまったく読み
とれなくなるなどの問題があった。

本発明の第４の目的は上記のような従来技術の欠点を解
消し、記録情報の再生用レーザビームの照射によって変
調度の高い、エラーの極めて少ない、プリピットおよび
プリグループからの再生信号が得られるような、スピン
コーテイング膜から形成されるプリピットとプリグルー
プを備えた光記録媒体を提供することにある。

本発明の第５の目的は上記該プリピットと該プリグルー
プを形成することのできるスピンコーティングの操作条
件およびスピンコーティング装置の制御方法を提供する
ことにある。

〔課題を解決するための手段！〕

前記第１の目的を達成するため、本発明は、基板を支持
するターンテーブルと、その基板上に塗布液を滴下する
ノズルとを備え、基板上に滴下した塗布液をターンテー
ブルの回転力により基板上に拡げて塗膜を形成するスピ
ンナー塗布による光情報記録媒体の製造装置において、 前記ターン、テーブルの回転によって一般に基板上の気
流の流れが基板のほぼ中央部に向けて流れ、さらにそれ
から基板の表面に沿って基板外周部に向けて流れる対流
となるが、この流れを抑制する気流抑制手段を設けたこ
とを特徴とするものである。

〔作用■〕

このように気流抑制手段を設けることにより、ターンテ
ーブルの回転によって発生するターンテーブル上方の気
流の悪影響を防止することによって、均一な厚さの膜を
形成することができる。

〔課題を解決するための手段■〕

前記第２の目的を達成するため、本発明は、基板上に薄
膜形成用塗布材料を供給するノズルを基板の内周部と対
向する位置に配置し、基板の平面方向から見てノズルの
先端部を基板の外周方向に向けると共に、ノズルの側面
方向から見て基板とのなす角度が９０度よりも小さい角
度になるようにノズルの先端部を傾斜したことを特徴と
するものである。

〔作用■〕

前記のようにすると、ノズルの先端部が遠心力の方向に
向けて配置されているので、溶液を滴下したとき遠心力
の方向に多くの溶液が拡がり、遠心力と反対の方向に拡
がる溶液の量が相対的に少なくなる。よって、基板の外
周方向に向かう溶液の流れが円滑になり、均厚性の高い
薄膜が形成される。

また、ノズルを基板の半径方向に移動する必要がないの
で、ノズル設定部をコンパクトに形成することができる
。よって、小容積の密封ケース内に基板およびノズルを
内装することができ、この点からも均厚性の高い薄膜を
形成することができる。

〔課題を解決するための手段■〕

前記第３の目的を達成するため、本発明は、基板の記録
エリア全域にわたって例えばポリビニルアルコール水溶
液などの塗布液膜を形成して、その基板上に凹凸として
形成したプリピットからなる記録エリアの信号パターン
凹部内に塗布液を充填した後、基板を高速回転させ基板
上の余分な塗布液を振り切って被膜を形成することを特
徴とするものである。

〔作用■〕

基板の記録エリア全域にわたって塗布液膜を形成して、
その状態で静止または極低速回転することにより、記録
エリアの信号パターン（案内溝。

プリピット等）の凹部内に塗布液を充分に充填すること
ができ、結果的にはピンホールのない均一な膜厚を有す
る被膜を形成することができる。

〔課題を解決するための手段■〕

前記第４の目的を達成するため、本発明は前記〔課題を
解決するための手段Ｉ〕に記載したスピンナー塗布によ
る光情報記録媒体の製造装置において、後述する第１６
図、第１６ｂ図、第１６ｃ図、第１６ｄ図、第３０図、
第３５図など、に示すようにモータ９の回転軸に接続し
たターンテーブル１１、ディスク基板１、塗布液射出ノ
ズル１０が内部に設置され、外気から遮断された気密状
態に保持されるハウジング１５を備えたスピンナー塗布
装置を用いることが特徴である。

さらに本発明においては、外気から遮断された該ハウジ
ング１５内でターンテーブル１１上にプリピット、プリ
グループが片面に転写形成された基板を該プリピット、
プリグループ形成面を上向にして固定し、該基板の回転
が停止されているか、又はゆるやかな回転の状態にて塗
布液を該基板のプリピット、プリグループ形成面の塗布
の必要な領域全面にまんべんなく塗布し、該基板のプリ
ピット、プリグループの凹部内に塗布液が充填するまで
放置し、その後、該基板を高速回転させ基板上の余分な
塗布液を振り切って被膜を形成する。

塗布液が有機色素材などの記録層材である場合は第２０
図に示すモードにてスピン塗布を行うことによって、第
５７図に示す断面凹部層を形成する。記録層上にさらに
保護層を重ねて塗布する場合は、まず第５７図の形状の
塗布層を乾燥する。

つぎに第４３図、第４４図、第４５図などのモードにて
保護層用の塗布液を塗布し、第５６図に示すような断面
凹部層を形成する。

保護層のスピン塗布は、ディスク基板の塗布面を内側か
ら外側へ拡張する工程と、塗布層の放置浸透工程と、余
分な塗布液のふり切り工程の順序によって保護層が形成
される。上記ディスク基板の塗布面を内側から外側へ拡
張する時間ｔ、と塗布層の放置浸透時間ｔＥは保護層塗
布液の成分によって異なる。例えば■非水溶性、阻水性
のシアニン色素記録膜層にポリビニルアルコール（ＰＶ
Ａ）水溶液を塗布する場合の時間１１は１〜１０秒程度
あれば記録層中のシアニン色素が塗布液中へ分散するの
を防止できる。■ポリビニルアルコールの水溶液に重ク
ロム酸アンモニウムなどの添加物を添加した塗布液を用
いて、シアニン色素の記録膜層上に塗布する場合におい
ては、ｔ１時間は１秒〜３０分程の時間にわたって記録
膜成分の分散。

溶出の悪い問題は発生しなくなる。

〔作用■〕

本発明のスピンコード法を用いることにより、第５６図
、第５７図に示すピットを形成することができる。

その作用を第５８を用いて説明する。同図は、エネルギ
ー反射率Ｒの説明図である。

光が媒質１から媒質２に進むときの振幅反射率をｒｌ！
＋振幅透過率を１．□とすると、垂直入射の場合の振幅
反射率ｒＩ！＋振幅透過率ｔ＋ｚは、媒質１．２の屈折
率ｎｌ、ｎ！を使って、下記の式で表わされる。

ｎｔ＋ｎｚ またエネルギー反射率Ｒは、振幅反射率ｒを用いて下式
で表わされる。

Ｒ＝　　ｒ　　” すなわち、入射波をａ。ｃｏｓθとして、反射した波の
合成波をａ　’　ｃｏｓ（θ＋Δ）とするとき、エネル
ギー反射率Ｒは下式によって表わされる。

このことを利用して、第５８図に示す各界面での反射光
ＡＩ　、ＡＩ　、Ａｚ　、Ａｓ　、Ａｓ　、Ａ６を下式
によって表わすことができる。図中ならびに式中の各記
号の内容は下記の通りである。

ｎｏ　：空気の屈折率（ｎｏ＝１） ｎｌ　：ポリカーボネート製基板の屈折率（ｎｔ＝１．
６） ｎ２　：有機色素製記録層の屈折率 （ｎｚ＝２．７） ｎｚ：ＰＶＡ製薄層の屈折率（ｎ、、＝１．５ｄ１　：
ピット部底における記録層の厚さｄ２　：ビット部底に
おける薄層の厚さｄｓ　：ピットの深さ ｄ４　二ランド部における記録層の厚さｄｓ　：ランド
部における薄層の厚さ λ　：８３０ｎｍ Ａｓ　　５ｒ、　２　ｃｏｓθ Ａ。

＝ｔＩ２ ２ｊ ３０ ｆｆＺ ｈ＋ ｃｏｓ（θ＋ λ 従って各界面の反射光Ａｓ　＋ＡＺ　＋Ａ３　＋Ａ４十
Ａｓ　＋Ａｂ　＝ａ　’　ｃｏｓ（θ＋Δ）と表わすこ
とができ、このａ′を求めることによりエネルギー反射
率Ｒを算出することができる（ａｏ＝１）。

その−例を以下に示す。プリピット部を例に考えると、
ランド部での層の厚さｄ４．ｄｓはそれぞれ最適値（最
も反射率が高く、記録感度が高い値）になるようにｄ４
＝４０　ｎｍ、　　ｄｓ　＝２５　ｎｍ、プリピット部
の深さｄｓ＝２００ｎｍとしである。この条件でのピッ
ト部底の厚さｄ、、ｄ２のエネルギー反射率Ｒに与える
影響を考える。

本発明のスピンコード法を用いた場合でも、プリピット
都度の厚さｄｌ、ｄｚの方がランド部の厚さｄ４．ｄｓ
よりも多少厚くなる（ｄｌ＞ｃＬ　。

ｄｉ＞ｄｓ）。

これらのことを考慮して、ｄ、とＲの関係を第５９図に
示す。この図から明らかなように、ｄｌ−２００ｎｍ付
近で反射が高くなり、コントラストが悪くなる（これは
従来例に相当する）。

これに対してｄ＋　＝１００ｎｍで最もコントラストが
良くなるが、実際にはコントラストの比が相対値で６０
％以上程度あればよく、ピット部の底部から１２％程度
の反射があってもよい。従ってｄ＋　＝６０ｎｍ付近が
最適となる。

またｄ２についても、Ｒとの関係を第６０図に示す。こ
のときのｄ、を６０ｎｍとして、ｄ、＞７５ｎｍで良好
なコントラストが得られることが分かる。

言うまでもないが、ピットの深さｄ、＝２００ｎｍと設
定したため、ｄ、＋ｄ、＞２００　ｎｍとなることはな
い。

以上第５９図、第６０図について説明したが、これらは
−例であり、導入するファクターｎ６〜ｎ＝　ｌ　　ｄ
　ｌ　”’ｄｓ　ｒ　　λによって変化する。しかし第
５９図、第６０図に示す例が最も好適で、ピット形状は
第５６図、第５７図に示す形状が好適である。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を図面とともに説明する。

（第１実施例） 第１図は第１実施例に係るエアサンドイッチ型光ディス
クの縦断面図、第２図はその光ディスクの要部拡大断面
図である。

図中の１は円板状のディスク基板、２（第２図参照）は
下地層、３は記録層、４は中心孔、５は通気孔で、第１
図に示すように２枚の光ディスクを貼り合わせることに
よって内側に空隙６が形成されている。なお、７はディ
スク基板１上に形成されたプリグループやプリピットな
どの信号パターンである。

前記ディスク基板ｌには、例えばポリカーボネート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、エポキ
シ樹脂、ガラスなどの透明材料が用いられる。

前記下地層２には、例えばポリビニルナイトレートなど
の自己酸化性物質が用いられている。

記録層３の有機色素系ヒートモード記録材料としては、
例えばポリメチン系色素、アントラキノン系色素、シア
ニン系色素、フタロシアニン系色素、キサンチン系色素
、トリフェニルメタン系色素、ピリリウム系色素、アズ
レン系色素、含金属アゾ染料、また、フォトクロミック
材料としては、フルギド、スピロピラン、テトラベンゾ
ペンタセン、チオインジゴなどの色素を用いることがで
きる。

また、必要に応じてこれらの色素に、例えばニトロセル
ロース等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ポリア
ミド等の熱可塑性樹脂を含有したものなどの色素組成物
を用いることができる。記録材料の組成物を、例えばケ
トン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン
化物系、アルコール系、脂肪族系、脂環式系、石油系、
水等の溶媒に溶解し、前記基板上にスピンコードする。

前記有機色素のうち、特にメチン鎖を有するインドール
系シアニンは、光、熱に対して安定しているため好適で
ある。この有機色素は下記のような一般構造式を有して
いる。

一般構造式 式中の■は、メチン鎖を構成するための炭素鎖で、Ｃ１
〜Ｃ１ｆｆの直鎖あるいは多員環からなり、炭素原子に
ついた水素原子は、ハロゲン元素、るいは芳香環）で置
換されてもよい。

ＡおよびＡｏは同じかまたは異なってもよく、それぞれ
芳香環を表し、炭素原子についた水素原子は、　　Ｉ　
、　　　Ｂ　ｒ　、　　　Ｃｆ　、　　　Ｃｆ１Ｈｔ＋
ｓ＋１鎖または芳香環）で置換されてもよい。

ＢおよびＢ′は同じかまたは異なってもよく、−Ｏ−−
３−−３ｅ　−−ＣＨ＝ＣＨ−アルキル基）を表す。

ＲおよびＲｏは同しかまたは異なってもよく、Ｃ３〜Ｃ
２□のアルキル基を表し、スルホニル基もしくはカルボ
キシル基で置換されてもよい。

Ｘｅは、Ｐ　Ｆｂ−、Ｃ１２０ａ−９Ｉ−、ＣＦｓＳ　
Ｏｓ−。

５ＣＮ−などの陰イオンを表す。

ｍおよびｎは、それぞれＯまたは１〜３の整数で、ｍ十
ｎ≦３の関係を有している。

第５図は前記−殻構造式中のΦの代表例を示した図で、
この例示以外のものも使用可能である。

また第６図は前記−殻構造式中のＡ、　Ａ’−の代表例
を示した図で、この例示以外のものも使用可能である。

第７図、第８図ならびに第９図に示す各種有機色素を１
．２−ジクロロエタンに１重量％溶解し、この溶液をポ
リメチルメタクリレートからなるディスク基板上にスピ
ンナー法によって塗布して記録層を形威し、後は常法に
従って光ディスクを組み立てた。なおこれらの図面中、
第７図と第８図（・化合物Ｎｏ、１〜２９）は本発明の
各具体例に係る有機色素、第９図（化合物Ｎｏ、３０〜
３５）は比較例の有機色素をそれぞれ示している。

このようにして製作した各光ディスクに対して記録・再
生試験、記録層の熱安定性試験ならびに耐す−ド光試験
を行い、それらの結果を第１０図。

第１１図ならびに第１２図に示す。

なお、記録・再生試験の条件として、信号の書込は８３
０ｎｍのレーザ光を用い、パワー８ｍＷ、パルス幅１０
０ｎＳ、線速度６．０ｍ／ｓｅｃで行った。また信号の
書き込みは、８３０ｎｍのレーザ光を用い、パワー１ｍ
Ｗで測定し、Ｃ／Ｎ値を求めた。

記録層の熱安定性は、日本分光社製ＵＶ　Ｉ　ＤＥＣ−
４３０Ｂスペクトロメータを用い、試験前の８３０ｎｍ
における光吸収強度を求めてそれを１００としたときの
、８０°Ｃ１１５００時間加熱後の８３０　ｎｍにおけ
る残存光吸収強度の割合を、図中の残存光吸収率（％）
の欄に示す。

また耐す−ド光試験として、８３０ｎｍ、パワーＯ，５
ｍ　Ｗのレーザ光によって信号の読み出しを行い、反射
率が１０％低下するまでの読み出し回数を測定した。

諸種の実験結果から第７図ならびに第８図において、前
記−殻構造式中の■が＝ＣＨ（＝ＣＨ−ＣＨ＝または であると、記録層の耐熱性ならびに記録感度を向上する
ことができる。

また、 前記−殻構造式中のＡならびにＡ゛ が とができる。

さらに、前記−殻構造式中のＢならびにＢ“がであると
、有機色素の熔解性を増すことができる。

さらにまた、前記−殻構造式中のＲならびにＲｏが、Ｃ
５〜Ｃ３のアルキル基であると、記録層の反射率を高め
ることができる。

特に第７図の化合物Ｎｏ、６またはＮｏ、　１０に示さ
れているように、−殻構造式中のΦが一〇Ｈ冨ＣＨ＝Ｃ
Ｈ＝で、Ａならびにへ゛がＲならびにＲ゛がＣｚＨｓま
たはＣ，Ｈ，で、かつＸ−がＰ　Ｆ　ｂ−であるシアニ
ン色素は、耐熱性、記録感度、反射率ならびに溶解性に
優れているため賞月できる。

次にｌ−メチル−２−（７−（１−メチル−３゜３−ジ
プロピル−２−インドリウムン）−１，３゜５−ヘプタ
トリエニル）−３，３−ジプロピル−インドリウムから
なるインドール系シアニン色素を合威し、陰イオンとし
てヨウ素イオン「、過塩素酸イオンＣｆ！０４−ならび
に六フッ化リン酸イオンＰＦ６−をそれぞれ配置する。

これら各種有機色素の熱重量分析を行い、その結果を第
１３図に示した。同図において「を用いたものは点線で
、Ｃｌ０ａ−を用いたものは一点鎖線で、ＰＦ、−を用
いたものは実線で、それぞれ重量変化の状態を示した。

なお、測定機器は理学電気社製ＴＡＳ−ｌｏｏの示差走
査熱量計を用い、１００ｍ１１分の流速を有する窒素気
流中で毎分２０°Ｃの昇温速度で加熱し、試料の重量が
減少し始める温度を測定した。

（第２実施例、第３実施例） 第３図ならびに第４図は第２実施例ならびに第３実施例
を示す要部拡大断面図である。第３図に示す第２実施例
の場合は、記録層３の上に保護層８ａが設けられており
、第４図に示す第３実施例の場合はディスク基板１の表
面側にも保護層８ｂが設けられている。

前記保護層８ａとしては、例えばポリビニルアルコール
、ポリエチレンオキサイド、ポリスチレンスルホン酸ナ
トリウム、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、
ポリプロピレングリコール、メチルセルロースなどの水
溶性高分子化合物、あるいは紫外線硬化性樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂のごとき合成
樹脂などが用いられる。

記録層が有機溶剤に可溶性であるから、特に保護層とし
て前記水溶性高分子化合物あるいは前記合成樹脂のディ
スバージョンを用いれば、記録層に対する悪影響がない
ため好適である。

前記保護Ｎ８ｂには、例えば、紫外線硬化性樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂などが用いられる。次に記録層
をスピンナー法で形成する場合の条件等について説明す
る。

第１６図は、スピンナー塗布装置の概略断面図である。

図中の９はモータ、１０は塗布ノズル、１１はディスク
基板１を載置、固定するターンテーブル、１２はスピン
ナー本体、１３は色素溶液、１４は加圧ポンプ、１５は
ハウジングであり、これには前記ノズルＩＯが貫通して
いるが、ターンテーブル１１の周囲がハウジング１５に
よって外気と遮断されて、内部がほぼ完全に気密状態に
保持されている。

スピン塗布装置の外気遮断気密室１５は、例えば、塗布
液ノズル１０と気密室１５外壁と接触部分のガス洩れ程
度の通気性は許容されうる。

第１６図、第１６ｂ図に示すスピンナー塗布装置の気密
室１５における塗布基板１と気密室工５の天井との間隔
ｄの値が、ディスク基板１の直径りの値に比較してｄ≦
１．５　Ｘ　Ｄの範囲であれば、すなわち、該基板ｌの
スピン塗布液層の外表面が均質平滑な面で、かつ該塗布
液層の厚みおよび乾燥後の厚みが内周、中周、外周のい
ずれにおいても均一なものが得られる。

しかし第１６ｃ図のようにｄ　＞　１．５　Ｄの場合に
は、塗布基板１の外面からｄ２≦１．５Ｄの位置に、該
塗布基板１の上部空間で塗布基板１の中央上部から下方
への気流、さらに塗布基板１の塗布面近接部を内周から
外周に向う気流を抑制するための、気流抑制板２４を設
けることによって第１６図。

第１６ｂ図でスピン塗布したものと同等の塗布層が得ら
れる。

ターンテーブル１１上のスピンナー塗布を行う基′Ｆｉ
１の外径りが小さなものを用いる場合は、第１６ｄ図に
示す気密室１５のｄの値は、ｄ３≦１．５Ｄになるよう
に気密室内容積調整可能な上蓋２４ｂによって調節すれ
ば、第１６図および第１６ｂ図によって得られる塗布層
と同等の良好な基板塗布層が得られる。

基板ｌの回転数、すなわち余剰の色素、または色素組成
物、および溶媒を振り切るための基板１の回転数は３５
０〜６５００ｒｐｍに調整される３５０ｒｐｍ以下では
、遠心力不足であり、記録層の内周と外周の間で乾燥速
度の差が生じて膜厚が不均一になる。反対に６５００ｒ
ｐｍ以上になると膜厚が薄くなり過ぎて所望の膜厚を得
ることができない。

さらに、ターンテーブル１１の周囲を密封状態または実
際にはターンテーブル１１を回転させながら色素または
、その組成物を滴下するため完全に密封することはでき
ないが、密封に非常に近い状態にする必要がある。これ
により、ターンテーブル１１を回転させたことにより起
こる対流Ｇを小さくすることができる。この対流Ｇは第
１６図において点線で示されており、気流の発生状態は
基板１と密封状態の最高部１６との長さに大きく影響さ
れることを解明し、本発明者らの諸種の実験結果からこ
の長さｄを基板１の直径りの１．５倍以下とした。

このスピンナー塗布装置１７は、第１７図に示されてい
るようにドラフト１８内に入れられて、前述のようなス
ピンナー塗布が行われる。このドラフト１８は図に示さ
れているようにスピンナー塗布装置ｆ１７の上方から常
時清浄な空気１９が降下し、塗布装置１７から濡れる有
機溶媒蒸気などを同伴して、排気筒２０から排出される
ようになっている。

色素または色素組成物濃度は０．４重量％〜５．０重量
％とする。濃度が５．０重量％を超えると色素膜の膜厚
が厚くなり過ぎ、記録の際の反応、ヒートモードの場合
は穴あけ、フォトソモードの場合はスペクトルの変化が
体積が律速になりうまく進行しない。

また、濃度が０．４重量％より低いと形成した膜にピン
ホールなどの欠陥が生じる。

前述のように、密封または密封に近い状態にすることに
より、気相中の溶媒の分圧を上げることができ、溶媒の
基Ｆｉｌへのぬれ性を向上させることができる。これに
より、膜の均一性は著しく向上する。密封状態にした場
合と、従来技術のようにオープンにして成膜した場合の
光学特性（反射率、透過率）の半径方向のばらつき状態
を第１４図に示す。

第１４図からも分かるように、従来技術では、光学特性
のばらつきが平均値に対して相対値で±１０％以上見ら
れたが、本発明により平均値に対して相対値で±５％以
下にすることができる。このことは均一な記録、読み出
し特性が得られることを意味する。

スピンコード時間、すなわち色素またはその組成物の溶
液を滴下したのちの基板の回転時間はｌ０秒以上とする
。スピンコード時間が１０秒より短いと信号パターン形
成面に色素またはその組成物を十分に拡散することがで
きない。

また必要に応してスピンコードは、数段階に回転数を変
えて設定することもできる。これは、均一な成膜に適し
た回転数と、はぼ成膜が充放した段階で乾燥を目的とし
た回転数が必要となるためであり、低速の１段階と、そ
の後、前記１段階より高速で回転させる２段階の回転法
を用いる。

スピンコードの後の乾燥条件は、乾燥温度が１０℃〜１
１５’Ｃで乾燥時間は３０秒以上とする。

乾燥温度×乾燥時間の積がこの値よりも小さすぎると乾
燥が不充分になり、反対にこれが大きすぎると基板に熱
変形などの不具合を発生することになる。

なお、色素または、その組ｔｃ物の溶液を滴下する工程
で、基板の回転モードなどは任意に調整することができ
る。例えば、静止している基板に色素またはその組成物
の溶液をほぼ均一にコーティングしたのち、基板を一気
に最高回転速度まで加速するモードと、または既に適当
な回転数で回転している基板上にクランピングエリアよ
り外周部に、色素または、その組成物の溶液を滴下する
モード、その他を取ることができる。

また必要に応じて、色素記録層の上に水溶性ポリマー分
子よりなる薄層を設けることができる。

この水溶性ポリマーとしては、公知に属する任意のもの
を用いることができるが、以下にその数例を挙げる。

■ポリビニルアルコール ■ポリエチレンオキシド ■ポリアクリル酸 ■ポリスチレンスルホン酸ナトリウム ■ポリビニルピロリドン ■ポリメタクリル酸 ■ポリプロピレングリコール ■メチルセルロース この薄層もスピンコーティング法により底膜する。

スピンコード条件は以下の通りである。

水溶性ポリマーの濃度は０．５重量％〜５．０重量％に
調整される。濃度が５．０重量％を超えると、膜厚が厚
くなり過ぎる。反対に、濃度が０．５重量％より低いと
、ピンホールなどの欠陥が生じ易くなる。

基板の最高回転数、すなわち余剰の水溶性ポリマーを振
り切るための基板の回転数は、３００ｒｐｍ　〜５００
０ｒｐｍに調整される。３００ｒｐｍ以下では薄層の内
周と外周の間で乾燥速度の差が生じて膜厚が不均一にな
る。反対に５０００ｒｐｍ以上になると膜厚が薄くなり
過ぎて、所望の膜厚を得ることができない。

前記した水溶性ポリマーの濃度と、基板の回転速度と、
基板上に形成される薄層の厚さとの関係を第１５図に基
づいて説明する。この第１５図に示すように、回転速度
が高いほど、また水溶性ポリマーの濃度が低いはどＢＩ
Ｊ厚が薄くなる。

ただし、濃度を一定とした場合には、回転速度がある一
定の値以上になると膜厚がサチレートする。

第１５図より、水溶性ポリマーの濃度を０，５重量％〜
５．０重量％に、また、基板の回転数を３０Ｏｒｐｍ〜
５０００ｒｐｍに調整することによって所望の膜厚が得
られることが判る。

スピンコード時間、すなわち水溶性ポリマーを滴下した
のちの基板の回転時間は、１０秒以上とする。

スピンコード後の乾燥条件は、乾燥温度が１０”Ｃ−１
１５°Ｃで、乾燥時間が約１分以上とする。

乾燥温度×乾燥時間の積がこの値よりも小さ過ぎると薄
層の乾燥が不充分になり、反対にこれが大き過ぎると基
板の熱変形などの不具合を発生することになる。

なお、薄層をスピンコードする際の基板の回転モードは
、水溶性ポリマーを滴下する工程との関係で任意に調整
することができる。例えば、静止している基板に水溶性
ポリマーをほぼ均一にコーティングしたのち、基板を一
気に最高回転速度まで加速して余剰の水溶性ポリマーを
振り切っても良い。また、基板を低速で回転しつつ水溶
性ポリマーをほぼ均一にコーティングし、その後基板を
最高回転速度まで加速して余剰の水溶性ポリマーを振り
切るようにすることもできる。

また、乾燥工程後に、例えば水溶性ポリマーの架橋処理
など、膜の耐湿性や透湿性を改善する処理を行うことも
できる。具体的には、光照射による架橋反応や、加熱に
よる架橋反応、それに熱処理などの手段を採ることがで
きるが、基板に熱変形等の悪影響を与えることがなく、
作業性にも優れることから、光照射による架橋反応が最
適である。

以下、ポリビニルアルコールを例に採って、架橋手段の
具体例を示す。

■無機系架橋剤の添加。

無機系架橋剤としては、銅、ホウ素、アル〔ニウム、チ
タン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、クロムなどが
ある。

■アルデヒドを用いたアセタール化。

■水酸基のアルデヒド化。

■活性化ビニル化合物の添加。

■エポキシ化合物を添加してのエーテル化。

■酸触媒のもとでジカルボン酸を反応。

■コハク酸および硫酸の添加。

■トリエチレングリコールおよびアクリル酸メチルの添
加。

■ポリアクリル酸およびメチルビニルエーテル−マレイ
ン酸共重合体のブレンド。

第１８図は、本発明の実施例に係る光ディスクの製造工
程を説明するための図である。次に、この図を用いて光
ディスクの製造順序を説明する。

Ｓ１ニガラス円盤を研磨、洗浄する。

Ｓｌガラス円盤上にフォトレジスタをスピンコードし、
所定の膜厚を有するレジスト層を形成する。

Ｓ３ニレジスト層に集光レンズを介してレーザ光を照射
する（カッティング）。

Ｓ４：この露光済みのガラス円盤を現像処理する。

Ｓ５ニガラス円盤の凹凸面に電鋳によって金属層を形成
し、それを剥離することでスタンパを得る。

Ｓ６：スタンパの表面にレプリカ剤をスピンコートシ、
所定の膜厚を有するレプリカ層を形成する。

Ｓ７：透明基板の片面にスピンコード法により下地層を
形成する。

Ｓ８：下地層の上面にスピンコード法により記録層を形
成する。

Ｓ９：記録層の上面にスピンコード法により薄層を形成
する。

ＳＸＯ：光ディスクとして各種の試験を行い、良否の評
価を行う。

この一連の製造工程において、Ｓ２のレジスト層を形成
する工程、Ｓ６のレプリカ層を形成する工程、Ｓ７の下
地層を形成する工程、ならびにＳ９の薄層を形成する工
程においても、第１６図に示した気密式スピンコード装
置を用いることができる。この装置を使用することによ
り、溶剤の発散が伸性でき、さらに気泡の発生を抑え、
膜厚のむらのない均一なレジスト層、レプリカ層、下地
層ならびに薄層が形成され、信頼性の高い光ディスクが
製造できる。

第１９図は、第１８図のフローチャートにおける記録層
形成（Ｓ８）と保護層形成（Ｓ９）の詳細を示すフロー
チャートである。

Ｓ２１：レプリカ層、下地層（省略する場合もある）な
どを形成した基板（円盤）を準備する。

Ｓ２２ニジアニン色素と安定剤としての赤外線吸収剤を
溶解したメタノールを基板上にスピンコードして、記録
層を形成する。

３２３：６０〜８０″Ｃの温度で５０〜７０秒記録層を
アニールする。

Ｓ２４：ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）と重クロム酸
アンモニウム（架橋剤）の水溶液を記録層上にスピンコ
ードする。

Ｓ２５：ＰＶＡの塗布膜上に紫外線を５０〜７０秒照射
して、ＰＶＡの架橋を行う。

５２６：架橋後、少量の水を架橋ＰＶＡ塗膜上にスピン
コードし、架橋反応に関与しなかった架橋剤（重クロム
酸アンモニウム）。

ＰＶＡを洗い流して、記録層上に薄層を形成する。

記録層の材料ならびにスピンコードの回転モードなどの
具体例を示せば次の通りである。

〈具体例１〉 まず１．射出成形法によって直径１３０ｍｍのポリカー
ボネート製基板を作成した。色素溶液の調整法では以下
の通りである。

下記のシアニン色素をメタノールに溶解し、濃度０．５
重量％の溶液を調整した。

スピンコード条件は以下の通りである。

基板を５０Ｏｒｐｍで回転させながら、その中心部に上
記調整した溶液を滴下し、その後、５秒回転させた後、
さらに３０００ｒｐｍで１００秒回転せた。ターンテー
ブルの雰囲気は、基板ｌから密封状態の最高部１６（第
１６図参照）における長さｄは１２ｃｍとした。体積は
５０００ｃｍ’で、密封状態とした。乾燥は常温で１分
以上とした。これにより得られた記録膜の均一性は、光
学特性、反射率、透過率が平均値に対して相対値でばら
つき、０．１％以内となった。

〈具体例２〉 具体例１と同様の基板を作製した。上記のシアニン色素
を１．２−ジクロロエタンに溶解し、濃度１．２重量％
の溶液を調整した。

また、下地膜材料としてポリビニルナイトレート２．５
重量％の水溶液を用いて基板を５５０゜ｒｐｍで回転し
て成膜し、その後、重クロム酸アンモニウムを添加し、
ＵＶ照射を行って架橋処理をした。膜厚は６０ｎｍであ
る。この下地膜上に上記色素１．２−ジクロロエタン溶
液を基板を５０゜ｒｐｍで回転させながら滴下、その後
３０００ｆｐｍに変更した。ターンテーブルの雰囲気お
よび得られた特性は具体例１と同様である。

第２０図は記録層にシアニン色素の溶液を用いた前記具
体例のコーティングモードを説明するための図、第２１
図はそのコーティングモードにおける記録層の形成順序
を説明するための図である。

前記具体例１で説明したように、基板１を５０Ｏｒｐｍ
で回転させながら色素溶液を基板１の内周部に滴下する
ことにより、溶液は遠心力の作用で外周部に向けて拡が
り均一な液膜２１（第２１図参照）を形成し、この回転
を５秒間続行する。この第１の段階（Ｔ）で記録Ｎ３の
膜厚がほぼ決まるが、まだほとんど未乾燥の状態で液膜
２１を指で触れると液が指に付着する状態である。

この第１の段階（１）の終りごろになると、第２１図に
示すように液膜２１の外周部に液の盛上がり部２２が形
成されるとともに、液膜２１の内周部２３が今までより
も高粘度の状態となる。この状態になると０．１秒間で
回転数を３００Ｏｒｐｍまでに急上昇させる。この回転
数の急変により前記盛上がり部２２がとれて、破線で示
すようにフラットになる。このように回転数を急変して
も、前述のように内周部２３は高粘度になっているため
、回転にともなう遠心力により内周部２３の膜厚が変化
する（薄くなる）ことはない。この第２の段階（Ｉｆ）
において主に乾燥が起こり、液膜２１中の有機溶媒が揮
散するが膜厚の変化はほとんど認められない。３００Ｇ
ｒｐｍで１０秒回転すると、基板１の回転を一気に停止
する。

このようにスピンナー塗布方法によって、溶液が基板上
に拡がって液膜を形成し〔第１の段階（２））、その後
この液膜が乾燥して〔第２０段階（２）〕所定の記録層
が形成される訳であるが、この一連の工程中、特に前記
第１の段階（１）において、基板ｌの上方に形成される
対流Ｇ（第１６図参照）の影響が大きく現われる。この
対流Ｇは、ターンテーブル１１の回転により、基板ｌの
ほぼ中央部に向って流れ、それから基板１の表面に沿っ
て基板１の外周部に向けて流れ、それが循環流となって
いる。前記液膜２１を乾燥（高粘度化）するためにはあ
る程度の対流Ｇは必要であるが、対流Ｇが大きく生しる
と記録層の膜厚が不均一になるから好ましくない。その
ため第１６図の例ではハウジング１５を用いて、対流Ｇ
の流れを抑制した訳であるが、この対流抑制手段の他の
例を第２２図ないし第２９図に示す。

第２２図に示す例の場合、基板１よりも広い面積を有す
る平板状の対流抑制部材２４が、基板ｌの上方に接近し
て配置されており、塗布ノズル１０がこの抑制部材２４
を貫通して基板１側に延びている。

第２３図に示す例の場合、前記第２２図の例と相異する
点は、塗布ノズル１０が抑制部材２４を貫通しないで、
横側から水平方向に基板１と抑制部材２４の間に挿入さ
れている点で、塗布ノズル１０は抜き差し可能にするこ
とができる。

第２４図に示す例の場合、傘状の抑制部材２４が用いら
れている。

第２５図に示す例の場合、断面路■字状の抑制部材２４
が用いられている。

第２６図に示す例の場合、第２５図の例と相異する点は
、抑制部材２４の中央部にフラット部２５が設けられて
いる点である。

第２７図に示す例の場合、略皿状の抑制部材２４が用い
られている。

第２８図に示す例の場合、基板１と対向する下面に環状
の突壁２６が１つまたは２つ以上同心円状に付設した抑
制部材２４が用いられている。

（第４実施例） 第３０図は第４実施例に係る光情報記録ディスクの製造
装置の縦断面図であり、第３１図はその製造装置の一部
を断面した平面図である。

これらの図に示すように、この光情報記録ディスクの製
造装置は、主として、基板３１を回転駆動する回転装置
３２と、所定量の成膜材料を供給するデイスペンサ３３
と、基ｖｉ３１上に成膜材料を噴射するノズル３４と、
これらの各装置を収納する密封ケース３５とから威る。

回転装置３２は、密封ケース３５の下部を構成する底板
３５ａの下面に取り付けられたモータ３６と、底板３５
ａに垂直に貫通され、回転自在に保持されたモータ軸３
６ａと、底板３５ａの上方に突出したモータ軸３６ａの
先端部に水平に取り付けられたターンテーブル３７とか
ら成る。

ターンテーブル３７の上面中央部には、基板３１に開設
されたセンタ孔り１ａ内に嵌挿可能な直径を有する位置
決め突起３８が突設されており、基板３１を同心状に取
り付けられるようになっている。ター、ンテーブル３７
上に配置された基板３１は、前記位置決め突起３８に嵌
着されたディスクホルダ３９によって固着される。

ノズル３４は、デイスペンサ３３より延出されており、
基板３１の内周部と対向する位置に設定されている。前
記ノズル３４の先端部３４ａは、第３１図に示すように
、基板３１の内周部から外周部に向かう半径方向Ｘ−Ｘ
に向けられており、また、第３０図に示すようにノズル
３４の側面方、向から見たとき、基板３１に対して９０
度よりも小さい角度θをなして傾斜するように向けられ
ている。基板３１に対するノズル先端部３４ａの最適設
定角度θは、基板３１の回転数や成膜材料の粘度等によ
って定まる。

第３２図は、厚さむらが５％以内の薄膜層を成膜するに
好適な基板３１に対するノズル先端部３４ａの設定角度
θと基板３１の回転数との関係を示す特性図である。縦
軸に基板３１に対するノズル先端部３４ａの設定角度θ
が、横軸に基板３１の回転数が目盛られている。図中の
棒線は、回転数以外のファクタによるばらつきの範囲を
示しており、黒丸はそれらの平均値を示している。

この図から明らかなように、基板３１の回転数が高いほ
ど基板３１に対するノズル先端部３４ａの設定角度θを
小さく設定する。また、最適設定角度は最大±ＩＯ度程
度のばらつきがあり、成膜に際して適宜調整する必要が
ある。

前記ノズル３４の先端部３４ａは、第３３図ならびに第
３４図に詳細に示すように、基板３１との対向側が長く
その反対側が短かい斜面形に形成されており、前記基板
３１との対向側の先端近傍に液だれ防止用の小孔４０が
開設されている。なおこの小孔４０は、貫通していても
〔第３３図参照〕、貫通してなくてもよい〔第３４図参
照〕。

密封ケース３５は、前記底板３５ａとデイスペンサ３３
およびノズル３４の上方を包被するカバー３５ｂとから
成る。密封ケース３５は、当該ケース３５内の空気流を
安定に保持するためのものであって、可能な限り小容量
に形成することが好ましい。

この実施例に係る製造装置は、ノズル３４の先端部３４
ａを基板の半径方向、すなわち成膜材料の溶液に作用す
る遠心力の方向に向けて配置したので、溶液を滴下した
とき遠心力の方向に多くの溶液が拡がり、遠心力と反対
の方向に拡がる溶液の量が相対的に少なくなる。よって
、基板３１の外周方向に向かう溶液の流れが円滑になり
、均厚性の高い薄膜層が形成される。

また、デイスペンサ３３およびノズル３４を一定位置に
定置したので、これらの部材の設定スペースをコンパク
トに設定することができる。よって、密封ケース３５を
小容積化することができ、この点からも薄膜層の均厚性
を高めることができる。

さらに、ノズル３４の先端部３４ａを基板３１側が長く
その反対側が短かい斜面形に形成すると共に、基板３１
例の先端近傍に液だれ防止用の小孔４０を開設したので
、薄膜形成後に液だれを起して不良品を生じるといった
ことがなく、良品の歩留りが高い。

この光情報記録ディスクの製造装置は、基板３１を所定
の回転数で回転駆動したのち、デイスペンサ３３を駆動
してノズル３４より成膜材料を供給するようにすること
ができる。

（第５実施例） 次に、本発明の第５実施例を第３５図および第３６図に
基づいて説明する。

本実施例の製造装置は、ノズル３４の先端部３４ａを第
３５図に示すように、基板３１に対して９０度よりも小
さい角度θ１をなして傾斜すると共に、第３６図に示す
ように、基板３１の半径方向線Ｘ−Ｘに対しても、基板
３１の回転方向Ａの方向に、９０度よりも小さい角度θ
２をなして傾斜しである。

このようにすると、ノズル３４より成膜材料の溶液を滴
下したとき、遠心力および基板３１の回転力が作用する
方向に多くの溶液が拡がり、基板３１の外周方向および
円周方向に向かう溶液の流れが円滑になって、より均厚
性の高い薄膜層が形成される。

（第６実施例） 次に、本発明の第６実施例を第３７図に基づいて説明す
る。

本実施例の製造装置は、前記デイスペンサ３３が前記密
封ケース３５のカバー３５ｂに回動可能に取り付けられ
た回転軸４２に固着されており、カバー３５ｂの外面に
設定されたモータなどの動力源４３を駆動することによ
って、ノズル３４の先端部３４ａを基Ｆｉ３１の内周部
から外周部に向けて適宜揺動できるようになっている。

このようにすると、基板３１の表面全体に成膜材料を速
やかに塗布することができ、薄膜層の均厚性を一層向上
することができる０本実施例の装置は、大径の光情報記
録ディスクに薄膜層をスピンコードするに特に好適であ
る。なお、デイスペンサ３３およびノズル３４自体は一
定位置に保持されるので、これらの部材の設定スペース
が大きくなることはなく、密封ケース３５の大容積化、
およびこれに伴う薄膜層の均厚性の劣化を生じることが
ない。

この光情報記録ディスクの製造装置は、基板３１を所定
の回転数で回転駆動したのち、デイスペンサ３３を駆動
してノズル３４より成膜材料を供給しつつ、動力源４３
を駆動してノズル３４の先端部３４ａを基板３１の内周
部から外周部に向けて揺動するようにすることができる
。

以下、本発明に係る装置のより具体的な実施例と、これ
を用いた光情報記録ディスクの製造方法の一例を説明し
、本発明の効果に言及する。

本実施例の装置では、孔径が１ｍｍで先端部が６０度に
カットされたノズルを基板の半径方向に向け、その先端
部を基板に対して４５度に傾斜した。また、ターンテー
ブルには直径が１２０ｍｍのポリカーボネート製基板を
装着し、容積が５０００ｃｍ３の密封ケースで被着した
。

記録層の成膜に際しては、前記基板を５０Ｏｒｐｍで回
転駆動したのち、前記ノズルより前記基板の中心から半
径２７ｍｍの位置に、以下の分子構造式で表わされるシ
アニン色素の０．５重量％メタノール溶液を０．５ｋｇ
／ｃｍ”の圧力で噴射した。

なお、溶媒であるメタノールの粘度は０．００６ｋ　ｇ
　／　ｓ　ｍである。シアニン色素の溶媒としては、メ
タノールのほか、メチルエチルケトン（粘度０．００４
４１　ｋ　ｇ／ｓｍ）、１．２−ジクｏｏエタン（粘度
０．００８ｋｇ／ｓｍ）、ニトロヘンゼン（粘度０．０
２０１ｋｇ／ｓｍ）などを用いることができる。

前記の装置および方法で成膜されたシアニン色素系のヒ
ートモード記録層は、第３８図に黒丸で示すように、記
録エリア（基板の中心から半径２７ｍｍ以上のエリア）
に関してはほとんど厚さ′むらがない。

比較例として、第４７図に示した従来のスピンコード装
置を用いて成膜された記録層の厚さ分布を、第３８図に
白丸で示す。スピンコード装置以外の諸条件については
、前記実施例と全て同しである。

この図に示すように、従来のスピンコード装置によると
、最内周部において膜厚が最も厚くなり中間エリアから
外周エリアにかけては膜厚がほぼ均一になっている。最
厚部と最薄部の膜厚め差は約８ｎｍもある。

このように本発明の装置によると、基板上の均厚性の高
い記録層を形成できることが判る。

なお、前記実施例においては、基板上に記録層を形成す
る場合を例にとって説明したが、その他記ｔ（Ｈの下地
層を形成する場合、あるいは基板の表面に薄層を形成す
る場合など、あらゆる種類の薄膜のスピンコードに応用
することができる。

また、ノズルの形状や直径、ターンテーブルの形状や回
転数、それに成膜材料の種類や噴射圧力なと°について
は前記実施例に限定されるものではなく、必要に応じて
適宜設計することができる。

（第７実施例） 第３９図は第７実施例に係るエアサンドイッチ型光ディ
スクの縦断面図、第４０図はその光ディスクの要部拡大
断面図である。

これらの図において、５１は、透光性材料よりなる円板
状の基板で、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリメチルペンテン、エポキシ等の透明樹脂材料
、或いはガラス等の透明セラよツクス等を用いることが
出来るが、該実施例においてはポリカーボネイト基板が
用いられている。なお、５１ａは、基板５１の中心孔で
ある。

この基板５１０片面には、それぞれトラッキング信号に
対応する案内トラックやアドレス信号に対応するプリピ
ットなどの信号パターン５２が形成される（第４１図参
照）。

信号パターン５２の形成手段としては、前記基板５Ｉの
材質によって適宜の方法が適用される。

例えば、基板５１がポリカーボネイトやポリメチルメタ
クリレート、ポリメチルペンテンなどの熱可塑性樹脂に
て形成される場合には、射出成形用金型内に溶融した基
板材料を射出して、基板５１と信号パターン５２とを一
体に成形する所謂インジェクション法が適する。また、
この基板材料に関しては、射出成形用金型内に溶融した
基板材料を射出したのちに圧力を加える、所謂コンプレ
ッション法あるいはインジェクション−コンプレッショ
ン法といった形成手段を適用することもできる。さらに
、基′ｊＩｉ５１がエポキシなどの熱硬化性樹脂にて形
成される場合には、所望の信号パターンノ反転パターン
が形成されたスタンパ（金型）と基Ｆｉ５１との間で光
硬化性樹脂を展伸し、スタンパの反転パターンを基板５
１に転写する所謂２Ｐ法（Ｐ　ｈｏｔｏｐｏｌｙ−ｍｅ
ｒｉｚａｔｉｏｎ　；光硬化性樹脂）が適する。また、
この樹脂材料に関しては、金型内に溶融状態にある基板
材料を静注して、基板５１と信号パターン５２とを一体
に成形する所謂注型法を適用することもできる。

５３は、例えば前記２Ｐ法によって表面上に成膜された
記録層であり、第３９図ならびに第４０図では図示して
いないが、表面に微細な凹凸を有する信号パターン５２
が形成されている。

記録層５３の材質としては、例えばポリメチン系色素、
アントラキノン系色素、シアニン系色素、フタロシアニ
ン系色素、キサンチン系色素、トリフェニルメタン系色
素、ビリリウム系色素、アズレン系色素、含金属アゾ染
料等を用いることができる。該本実施例ではシアニン系
色素材料を用い、このシアニン系色素のメタノール溶液
を、基板５１上にスピンコードして、記録層５３を成膜
した。

シアニン系有機色素のうち特に下記のような一般構造式
を有しているインドール系シアニンが好適である。

一般構造式 式中の■は、メチン鎖を構成するための炭素鎖で、Ｃ３
〜Ｃａｔの直鎖あるいは多員環がらなり、炭素原子に付
いた水素原子は、ハロゲン原子、るいは芳香環）で置換
されてもよい。

ＡおよびＡ”は、同じかまたは異なってもよく、それぞ
れは芳香環を表わし、炭素原子に付いて水素原子は、　
　Ｉ　、　　　Ｂ　ｒ　、　　　Ｃ４１！、　　Ｃｌ１
Ｈｚｎ＋を鎖または芳香環）で置換されてもよい。

ＢおよびＢ′は、同じかまたは異なってもよく、−〇−
、−３−、−３ｅ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または （Ｒ−は、ＣＨ３、Ｃ＊　Ｈｓ　、　　Ｃ３Ｈ？　、　
　Ｃａ　Ｈ９などのＣ２〜Ｃ４のアルキル基）を表わす
。

ＲおよびＲ゛は、同じかまたは異なってもよく、Ｃ１〜
Ｃ１Ｚのアルキル基を表わし、スルホニル基もしくはカ
ルボキシル基で置換されてもよい。

Ｘｅは、例エバＰ　Ｆ　ｂ−、Ｉ　−、ＣＩ　０ａ−Ｃ
Ｆ３ＳＯ３−，５ＣＮ−などの陰イオンを表わす。

ｍおよびｎは、それぞれ０または１〜３の整数であり、
ｎ＋ｎ≦３の関係を有している。

ディスク基板上に下地層を介しであるいは介さずに記録
層を形成する方法は、溶液スピンコード法、蒸着法ある
いはラングミニア・プロゼットによる積層法を用いても
よく、これらの方法を適宜組み合わせてもよい。

このシアニン系有機色素の好適な具体例を示せば次の通
りである。

５４は、前記記録層５３上にスピンコーティング法によ
って成膜した水溶性樹脂（親水性高分子材料）よりなる
薄層で、例えば以下に示すような水溶性樹脂を用いるこ
とができる。

■ポリビニルアルコール ■ポリエチレンオキシド ■ポリアクリル酸 ■ポリスチレンスルホン酸ナトリウム ■ポリビニルピロリドン ■ポリメタクリル酸 ■ポリプロピレングリコール ■メチルセルロース ■ポリビニルナイトレート また薄層５４として、下記のような熱可塑性合成樹脂も
使用できる。

■　ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフロ
オロエチレン、フッ化ビニリデン、テトラフニオロエチ
レンーヘキサフルオロプロピレン共重合体、フッ化ビニ
リデン−へキサフルオロプロピレン共重合体、フッ化ビ
ニリデン−クロロトリフロオロエチレン共重合体、テト
ラフルオロエチレン−ペロフルオロアルキルビニールエ
ーテル共重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共
重合体などのフッ素樹脂。

■　ボリイξド、ボリアくトイミド、ポリエステルイミ
ドなどのイミドなどの樹脂 ■　６−ナイロン、１１−ナイロン、１２−１−イロン
、６ローナイロン、６１０−ナイロン、６１０−ナイロ
ンと６ナイロンと６ローナイロンの混合物などのアミド
樹脂 ■　ポリエチレン、架橋ポリエチレン、エチレン−アク
リル酸エステル共重合、マイオノマーなとのエチレン樹
脂 ■　ボワプロピレン ■　ポリスチレン、スチレンーアクリ口ニトリル共重合
体、スチレン−アクリロニトリル−ブタジェン共重合体
などのスチレン樹脂 ■　ポリ塩化ビニル ■　ポリ塩化ビニリデン ■　ポリ酢酸ビニル ［相］　ポリビニルアセタール ■　ポリカーボネート ■　ポリアセクール ■　ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレートなどの飽和ポリエステル樹脂［相］　ポリフェ
ニレンオキシド ■　ポリスルホン さらに薄層５４として、下記のようなゴム質のものも使
用できる。

■　スチレン−ブタジェンゴム、ブタジェンゴム、イソ
プレンゴム、アクリロニトリル−ブタジェンゴム、クロ
ロプレンゴムなどのジエン系ゴム■　ブチルゴム、エチ
レン−プロピレンゴム、アクリルゴム、クロロスルホン
化ポリエチレンゴム、フッ素ゴムなどのオレフィン系ゴ
ム ■　シリコーンゴム ■　ウレタンゴム ■　多硫化ゴム 本実施例においては、薄Ｎ５４の材料としてポリビニル
アルコール（ＰＶＡ）を用いており、該ＰＶＡの水溶液
をスピンコードし、膜厚６０ｎｍ薄層５４を成膜してい
る。

この薄層５４の形成も第１６図に示したスピンナー塗布
装置１７を用いて行なう。

第４！図および第４２図は、スピンナー塗布途中の状態
を示す断面図および平面図である。同図に示すように薄
層５４を形成するための塗布液５５を基板５１上の記録
エリアＢ全域にむらなく滴下する。

ここで記録エリアＢの全域に塗布液５５を滴下する方法
について、以下４つの方法について第４３図ないし第４
５図を用いて説明するが、本発明の方法はこれらに限定
されるものではない。

第■方法（第４３図参照〉 まず、光記録媒体の中間部分（但し、クランピングエリ
アＡの外側）にドーナツ状に塗布液５５を滴下し、その
後、ｌｒｐｍ以下の低速で回転させ塗布液１６が記録エ
リアＢ全域に広がった後、高速（ｍａχ４０００ｒｐｍ
）で光記録媒体を回転させ余分な塗布液５５を振り切っ
て成膜を行う。

第■方法（第４４図参照） まず、光記録媒体の中間部分（但し、クランピングエリ
アＡの外側）にドーナツ状に塗布液５５を滴下し、その
後、ｌｒｐｍ以下の低速で回転させ塗布液５５が記録エ
リアＢ全域に広がった後、５秒間以上光記録媒体を静止
させ、その後高速（ｍａｘ４０００ｒｐｍ）で光記録媒
体を回転させ余分な塗布液５５を振り切って成膜を行う
。

第■方法（第４５図参照） 光記録媒体を静止させた状態で、ノズルを回転させ記録
エリアＢ全域に塗布液５５を滴下し、その後、光記録媒
体を高速で回転させ、余分な塗布液５５を振り切って成
膜を行う。

第■方法（第４５図参照） 光記録媒体を静止させた状態で記録エリアＢ全域にスプ
レ一方式で塗布液５５を吹きつけ、その後、光記録媒体
を高速で回転させ余分な塗布液５５を振り切って成膜を
行う。

ところで、前記薄１ｉ５４はＰＶＡ等の水溶性樹脂から
なっているため、耐湿性が劣化する。このため、薄層５
４を架橋処理等して耐水性（耐湿性、透湿）、並びに耐
熱性をもたせている。具体的には、水溶性樹脂の水溶液
に架橋剤等を添加しておき薄層５４を成膜後、例えば紫
外線などの光照射による架橋反応や加熱による架橋反応
を起こさせたり、或いは、架橋剤の添加のない薄ｆｉ１
５４を熱処理して結晶化（例えば該実施例ではＰＶＡを
用いているので、変性ＰＶＡ化）することによって、耐
水・耐熱性をもたせることが出来る。

しかしながら、基＋＆５１、記録１ｉ５３への熱的悪影
響を考慮しなくても済む、上述した光照射による架橋反
応が、作業性の点でも優れているので、該実施例におい
ては、架橋剤として重クロム酸アンモニウムを添加し、
光照射により薄層、５４を架橋反応させる手法が採られ
ている。

以下に示すのは架橋手段の具体例で、必要に応じ任意の
手段が採用可能である。

■　無機系架橋剤としての、例えば銅、ホウ素、アルミ
ニウム、チタン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、ク
ロム等の添加。

■　アルデヒドを用いたアセタール化。

■　水酸基のアルデヒド化。

■　活性化ビニル化合物の添加。

■　エポキシ化合物を添加してのエーテル化。

■　酸触媒のものとジカルボン酸を反応。

■　コハク酸および硫酸の添加。

■　トリエチレングリコールおよびアクリル酸メチルの
添加。

■　ポリアクリル酸およびメチルビニルエーテルマレイ
ン酸共重合体のブレンド。

第４６図は、本発明の実施例において薄層形成からその
後のプロセスを示すフローチャートである。同図におい
て、 Ｓ３１：架橋剤として所定濃度の重クロム酸アン−１−
−ムラ（（ＮＨｎ）ｚｃｒｚＯｔ　）を添加したポリビ
ニルアルコール水溶液を調整する。

Ｓ３２ニスピンコーテイング法によって薄層を形成する
。

Ｓ３３：薄層に紫外線を照射することにより架橋反応を
行なわせて、薄層に耐水性を付与する。

Ｓ３４：基板を回転させなから薄層の上から洗浄剤を滴
下して、薄層中の架橋剤ならびに未架橋化部分を洗浄、
除去する。

なお洗浄剤としては、水、温水、アル コール類などの有機液体の単独あるいは混合物が用いら
れる。

Ｓ３５：８０’Ｃで１時間３０分ベータ処理して完成品
とする。

前記３３４の洗浄処理を行なった場合と行なわない場合
の反射率の劣化を次の表に示す。なおこの試験は、６０
°Ｃ１９０％ＲＨの雰囲気で行なったものである。

〔単位二％〕

この表から明らかなように、洗浄処理して架橋剤あるい
は未架橋化部分を薄層から除去することにより、高温多
湿下においても高い反射率を維持することができる。洗
浄処理しない場合に高温多湿下で反射率が低下する原因
としては、薄層中に架橋剤や未架橋部分が残存すると、
吸湿によって’ｉｉｌＷＭが膨潤し、そのため記録層と
の密着が悪くなるためであると考えられる。

前記実施例ではエアサンドイッチ構造の光ディスクにつ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えば１枚の光ディスクからなる単板状のもの、あ
るいは２枚の光ディスクを密着するように接合した密着
構造のものなど、他の構造のものにも適用可能である。

〔発明の効果〕

本発明は前述したように気流抑制手段を設けることによ
り、記録層の反射率、透過率のばらつきが少なく、均一
な性能を有する光情報記録媒体が得られる製造装置を提
供することができる。

また前述のようノズルの先端を遠心力の方向に向けて配
置したので、溶液を滴下したとき遠心力の方向に多くの
溶液が拡がり、遠心力と反対の方向に拡がる溶液の量が
相対的に少なくすることができる。よって、基板の外周
方向に向かう溶液の流が円滑になり、均厚性の高い薄膜
層を形成することができる。

さらに前述のように、基板の記録エリア全域にわたって
液膜を形成し、その状態で静止または極低速回転するこ
とにより、記録エリアの信号パターンの凹部内に塗布液
を充分に充填することができ、結果的にはピンホールの
ない均一な膜厚を有する薄層を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１実施例に係るエアサンドイッチ
型光ディスクの縦断面図、 第２図は、その光ディスクの要部拡大断面図、第３図は
、本発明の第２実施例に係る光ディスクの要部拡大断面
図、 第４図は、本発明の第３実施例に係る光ディスクの要部
拡大断面図、 第５図は、実施例で用いられる有機色素の一般構造式中
での■の代表例を示す図、 第６図は、同じく一般構造式中でのＡ、Ａ’の代表例を
示す図、 第７図ならびに第８図は、実施例で用いられる有機色素
の具体例を示す図、 第９図は、有機色素の比較例を示す図、第１０図、第１
１図、第１２図ならびに第４１３図は、各種特性を示す
特性図、 第１４図は、反射率、透過率の特性図、第１５図は、各
有機色素濃度における回転数と膜厚との関係を示す特性
図、 第１６ａ図、第１６ｂ図、第１６ｃ図、第１６ｄ図は、
スピンナー塗布装置の概略断面図、第１７図は、その塗
布装置を収納するドラフトの概略構成図、 第１８図は、光ディスクの製造順序を説明するためのフ
ローチャート、 第１９図は、記録層形成と保護層形成の詳細を示すフロ
ーチャート、 第２０図は、具体例のコーティングモードを説明するた
めのモード説明図、 第２１図は、そのコーティングモードにおける記録層の
形成順序を説明するための図、第２２図ないし第２８図
は、対流抑制手段の変形例を示す概略断面図、 第２９図は、第２８図に示す変形例の概略平面図である
。 第３０図は、本発明の第４実施例に係るスピンナー塗布
装置の縦断面図、 第３１図は、そのスピンナー塗布装置の一部を断面した
平面図、 第３２図は、ノズルと基板のなす角と基板の回転数との
関係を示す特性図、 第３３図ならびに第３４図は、その塗布装置に用いられ
るノズル先端部の拡大断面図である。 第３５図は、本発明の第５実施例に係るスピンナー塗布
装置の縦断面図、 第３６図は、そのスピンナー塗布装置の一部を断面した
平面図である。 第３７図は、本発明の第６実施例に係るスピンナー塗布
装置の要部斜視図、 第３８図は、本発明の実施例と従来のものとの膜厚の特
性図である。 第３９図は、本発明の第７実施例に係るエアサンドイッ
チ型光ディスクの断面図、 第４０図は、その光ディスクの要部拡大断面図、第４１
図および第４２図は、スピンナー塗布途中の状態を示す
断面図および平面図、 第４３図、第４４図ならびに第４５図は、スピンコーテ
ィングの各コーティングモードを説明するためのモード
説明図、 第４６図は、薄層形成後からその後のプロセスを説明す
るためのフローチャートである。 第４７図は、従来のスピンナー塗布装置の斜視図、 第４８図ならびに第４９図は、中心部滴下法の説明図、 第５０図は、基板の断面図、 第５１図および第５２図は、従来の塗布方法をす拡大断
面図、 第５６図、第５７図は、本発明の実施例に係るビット形
状を示す拡大断面図、 第５８図は、反射光の説明図、 第５９図、第６０図は、本発明の実施例において、膜厚
ｄＩ、ｄｔと反射率Ｒとの関係を示す特性図である。 １・・・・・・・・・ディスク基板、３・・・・・・・
・・記録層、７・・・・・・・・・信号パターン、１０
・・・・・・・・・塗布ノズル、１１・・・・・・・・
・ターンテーブル、１２・・・・・・・・・スピンナー
本体、１３・・・・・・・・・色素溶液、１５・・・・
・・・・・ハウジング、１６・・・・・・・・・最高部
、１７・・・・・・・・・スピンナー塗布装置、２４・
・・・・・・・・対流抑制部材、２５・・・・・・・・
・フラツト部、２６・・・・・・・・・突壁、３１・・
・・・・・・・基板、３２・・・・・・・・・回転装置
、３３・・・・・・・・・デイスペンサ、３４・・・・
・・・・・ノズル、３５・・・・・・・・・密封ケース
、３７・・・・・・・・・ターンテーブル、４０・・・
・・・・・・小孔、５１・・・・・・・・・基板、５２
・・・・・・・・・信号パターン、５３・・・・・・・
・・記録層、５４・・・・・・・・・薄層、５５・・・
・・・・・・塗布液。 第 ！ 図 第３図 第４図 − 用馴 第１４図 円板；佳（ｒｎｍ） 第１５図 日傘２：蓄ズ（ｒｐｍ） ７ （１２ 第１６ｏ図 第ｔｅｃ図 第１６ｄ図 ｄ３＜１．５ＸＤ 第１７図 ８ 第１８図 第１９図 第２０図 第２Ｉ図 第ｎ図 第２７図 第２８図 第２９図 第３０図 第３２図 困耘叔 （ｒρｍ） 第３３図 ０ 第３４図 第３５図 第３６図 第３８図 暴悪″９径 （ｍｍ） 第３９図 第４０図 第４７図 第４３図 時 間 （１） 第４４図 第４５図 第４６図 第４８図 第４９図 第５０図 第５３図 第５４図 第５５図 第５６図 ０ニ

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板を支持するターンテーブルと、その基板上に
   塗布液を滴下するノズルとを備え、基板上に滴下した塗
   布液をターンテーブルの回転力により基板上に拡げて塗
   膜を形成するスピンナー塗布による光情報記録媒体の製
   造装置において、前記ターンテーブルの回転により、基
   板のほぼ中央部に向けて流れ、さらにそれから基板の表
   面に沿つて基板外周部に向けて流れる対流の流れを抑制
   する気流抑制手段を設けたことを特徴とする光情報記録
   媒体の製造装置。
2. （２）請求項（１）記載において、前記基板が水平状態
   に配置され、前記ノズルならびに気流抑制手段が基板の
   上方に配置されていることを特徴とする光情報記録媒体
   の製造装置。
3. （３）請求項（１）記載において、前記気流抑制手段が
   基板の平面と対向するように配置された板状部を有して
   いることを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。
4. （４）請求項（１）〜（３）記載において、前記気流抑
   制手段が、前記ターンテーブルを内装したハウジングか
   らなり、そのハウジングによつてハウジング内が外気と
   実質的に遮断されていることを特徴とする光情報記録媒
   体の製造装置。
5. （５）請求項（１）〜（４）記載において、前記ノズル
   が気流抑制手段のほぼ中央部を貫通して基板の中央部表
   面付近まで延びていることを特徴とする光情報記録媒体
   の製造装置。
6. （６）請求項（１）記載において、前記基板上に形成さ
   れる塗膜が記録層であつて、それの塗布液が０．４〜５
   重量％の範囲に規制された有機色素を含有していること
   を特徴とする光情報記録媒体の製造装置。
7. （７）請求項（１）または請求項（６）記載において、
   前記基板上に形成される塗膜が記録層であつて、それの
   塗布液がメチン鎖を有するインドール系シアニン色素を
   含有していることを特徴とする光情報記録媒体の製造装
   置。
8. （８）請求項（７）記載において、前記有機色素が下記
   の一般構造式を有していることを特徴とする光情報記録
   媒体の製造装置。 一般構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中の［Ｔ］は、メチン鎖を構成するための炭素鎖で、
   Ｃ＿３〜Ｃ＿１＿７の直鎖あるいは多員環からなり、炭
   素原子についた水素原子は、ハロゲン元素、▲数式、化
   学式、表等があります▼（Ｒ”は、Ｃ＿１〜Ｃ＿６の直
   鎖あ るいは芳香環）で置換されてもよい。 ＡおよびＡ’は同じかまたは異なつてもよく、それぞれ
   芳香環を表し、炭素原子についた水素原子は、−Ｉ、−
   Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１（ｎ＝１〜
   ２２）、−ＯＣＨ＿３、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼（Ｒ”’は、
   直鎖炭化水素 鎖または芳香環）で置換されてもよい。 ＢおよびＢ’は同じかまたは異なつてもよく、−Ｏ−、
   −Ｓ−、−Ｓｅ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または▲数式、化
   学式、表等があります▼（Ｒ””はＣ＿１〜Ｃ＿４の アルキル基）を表す。 ＲおよびＲ’は同じかまたは異なつてもよく、Ｃ＿１〜
   Ｃ＿２＿２のアルキル基を表し、スルホニル基もしくは
   カルボキシル基で置換されてもよい。 Ｘｅは、ＰＦ＿６＾−、Ｉ＾−、ＣｌＯ＿４＾−、ＣＦ
   ＿３ＳＯ＿３＾−、ＳＣＮ＾−などの陰イオンを表す。 ｍおよびｎは、それぞれ０または１〜３の整数で、ｍ＋
   ｎ≦３の関係を有している。
9. （９）請求項（１）、（４）、（６）、（７）、（８）
   記載において、前記塗布液の溶媒が水よりも沸点の低い
   揮発性有機液体であることを特徴とする光情報記録媒体
   の製造装置。
10. （１０）基板の回転装置と成膜材料の供給ノズルとを備
    えた光情報記録媒体の製造装置において、前記ノズルを
    前記基板の内周部と対向する位置に配置し、前記基板の
    平面方向から見て前記ノズルの先端部を前記基板の外周
    方向に向けると共に、前記ノズルの側面方向から見て前
    記基板とのなす角度が９０度よりも小さい角度になるよ
    うに前記ノズルの先端部を傾斜したことを特徴とする光
    情報記録媒体の製造装置。
11. （１１）請求項（１０）記載において、前記ノズルの先
    端部を前記基板の半径方向に向けて配置したことを特徴
    とする光情報記録媒体の製造装置。
12. （１２）請求項（１０）記載において、前記ノズルの先
    端部を前記基板の半径方向に対して回転方向に傾斜した
    ことを特徴とする光情報記録媒体の製造装置。
13. （１３）請求項（１０）記載において、前記ノズルを回
    転可能に保持し、このノズルの先端部と前記基板とのな
    す角度が適宜調整できるようにしたことを特徴とする光
    情報記録媒体の製造装置。
14. （１４）請求項（１０）記載において、前記回転装置に
    て前記基板を回転駆動したのち、前記ノズルより成膜材
    料を供給するようにしたことを特徴とする光情報記録媒
    体の製造装置。
15. （１５）請求項（１０）記載において、前記回転装置に
    て前記基板を回転駆動したのち、前記ノズルを前記基板
    の内周部から外周部に向けて移動しつつ、ノズルより成
    膜材料を供給するようにしたことを特徴とする光情報記
    録媒体の製造装置。
16. （１６）請求項（１０）記載において、前記ノズルの先
    端部に液だれ防止手段を設けたことを特徴とする光情報
    記録媒体の製造装置。
17. （１７）請求項（１６）記載において、前記液だれ防止
    手段として、前記ノズルの先端部を前記基板との対向側
    が長くその反対側が短かい斜面形に形成したことを特徴
    とする光情報記録媒体の製造装置。
18. （１８）請求項（１６）記載において、前記液だれ防止
    手段として、前記ノズルの先端近傍の前記基板と対向す
    る部分に、貫通または貫通していない小孔を設けたこと
    を特徴とする光情報記録媒体の製造装置。
19. （１９）基板の記録エリア全域にわたつて塗布液膜を形
    成して、その記録エリアの信号パターン凹部内に塗布液
    を充填した後、基板を高速回転させ基板上の余分な塗布
    液を振り切つて被膜を形成することを特徴とする光情報
    記録媒体の製造方法。
20. （２０）請求項（１９）記載において、前記基板を静止
    状態にして塗布液を滴下して記録エリア全域にわたつて
    塗布液膜を形成するとともに、記録エリアの信号パター
    ン凹部内に塗布液を充填することを特徴とする光情報記
    録媒体の製造方法。
21. （２１）請求項（１９）記載において、前記基板を低速
    回転しながら塗布液を滴下し、その後一旦基板の回転を
    停止して記録エリアの信号パターン凹部内に塗布液を充
    填することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
22. （２２）請求項（１９）記載において、前記塗布液の滴
    下、塗布はスプレーによつて行うことを特徴とする光情
    報記録媒体の製造方法。
23. （２３）請求項（１９）記載において、前記塗布液が水
    溶性樹脂からなることを特徴とする光情報記録媒体の製
    造方法。
24. （２４）請求項（２３）記載において、前記水溶性樹脂
    がポリビニルアルコールであることを特徴とする光情報
    記録媒体の製造方法。
25. （２５）請求項（２４）記載において、前記ポリビニル
    アルコールによつて薄層を形成したのちに架橋処理する
    ことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
26. （２６）請求項（２５）記載において、前記架橋処理後
    に薄層中の未架橋部分ならびに未反応の架橋剤を除去す
    ることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
27. （２７）請求項（２５）記載において、前記スピンコー
    ティングが大気と遮断された気密雰囲気中で行なわれる
    ことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。