JPH01232559A - 光情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光情報記録媒体の製造方法に係り、より詳しく
は、基板の信号パターン形成面と記録膜との間に形成さ
れる有機溶剤に対する不溶膜の形成方法に関する。

〔従来の技術〕

従来より、記録膜が有機色素系のヒートモード用記録材
料によって形成された光情報記録媒体が知られている。

この光情報記録媒体は、記録膜をスピンコード法によっ
て形成することができることから置屋性に優れるという
利点がある。

然るに、有機色素系のヒートモード用記録材料を基板上
にスピンコードするためには、有機色素を有機溶媒に溶
解しなくてはならない。このため、例えばポリカーボネ
ートやアクリルなどの樹脂製基板に直接この溶液を塗布
すると、基板が有機溶剤によって侵され、基板に形成さ
れた案内トラックやプリピット等の信号パターンが変形
して、正常な情報の記録／再生が阻害されるといった不
都合を生じる。

かかる不都合を未然に防止するため、先に、樹脂製基板
として、有Ｎ溶媒に対して不溶化処理されたものを用い
ることが提案された（特開昭５９−２１７２４１号公Ｉ
ｇ）０ この不溶化処理としては、例えば、基板の信号パターン
形成面に有機溶媒に対して不溶な樹脂、あるいはガラス
質、もしくは無機質の膜をスピンコーティングする方法
が提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、この種の光情報記録媒体は、基板の反対側か
ら記録膜上に放射線ビームを照射したとき、信号パター
ンがない部分では、放射線ビームが記録膜によって全反
射されて反射光路中に配置された光検出器に入射する光
量が多くなる。一方、信号パターンがある部分では、信
号パターン面がらの反射光とその周辺面がらの反射光が
干渉して光検出器に入射する光量が低下することを利用
して信号パターンを読み出すものであるから、信号パタ
ーンの形状やサイズがＳＮ比に重大な影響を与える。

詳細な計算は省略するが、プリピットに関しては、幅が
放射線スポットの直径の約１／３で、深さが放射線ビー
ムの波長の約１／４としたときに放射線ビームの干渉が
最大になり、景品のＳＮ比を得ることができる。案内ト
ラックに関しては、プリピットとの光学滴コントラスト
を得るため、深さがプリピットの深さの約１／２に形成
される。

具体的には、これらの信号パターンは、幅が０．３μｍ
〜１．０μｍＳ深さがｏ、　０４　ｕ　ｍ−０−９７’
　ｍ　−、トラックピッチが１．３μｍ〜４μｍという
微細な形状に形成される。

基板上にこのような微細な信号パターンを形成する技術
は既に確立されており、信号パターン上に直接記録膜を
形成するタイプの光情報記録媒体においては、実用上問
題がない程度のエラー率で信号パターンを形成すること
ができる。しかしながら、信号パターン形成面に有機溶
剤に対する不溶膜を形成すると、不溶膜の表面（記録膜
との界面）の形状が信号パターンとして認識されるから
、その厚さの分だけ基板上に形成されたものより信号パ
ターンの形状、寸法が変化し、読み出し信号のＳＮ比が
劣化する。特に、不溶膜に厚さむらがある場合にはその
不具合が顕著になり、また、不溶膜が厚すぎる場合には
、信号パターンの読み出しが不可能になる場合もある。

基板上に前記のような寸法の信号パターンが形成されて
いる場合、実用上ＳＮ比の劣化が問題にならないように
するためには、不溶膜の平均膜厚を０．０３５　／Ｊ　
ｒｎ　〜０．１５　ｐ　ｍに、また、厚さむら（最大膜
厚／最小膜厚）を１．１以下に調整する必要がある。

不溶膜の膜厚および厚さむらは、不溶膜材料の種類およ
び濃度、それに基板の回転数などのスピンコード条件に
よって顕著に変動する。従って、前記のような極薄にし
て均一な不溶膜を形成するためには、スピンコード条件
が明確に把握されていなくてはならない。しかしながら
、従来、このような不溶膜を形成するための適正なスピ
ンコード条件が明らかにされておらず、光情報記録媒体
を実用化、量産化する上で技術上のネックになっている
。

本発明は、このような従来技術の問題点に対処するため
になされたものであって、信号の読み出しに悪影響を与
えることのない不溶膜を実現し、光情報記録媒体の実用
化、量産化の道を拓くことを目的とするものである。

ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明は、前記の目的を達成するため、不溶膜を形成す
る工程が、基板の信号パターン形成面に濃度が０．５重
量％〜５．０重量％に調整された水溶性ポリマーを滴下
する工程と、その後に当該基板を３００ｒｐＩＩｌ〜５
０００ｒｐｆｆｌに回転して基板上の余剰の水溶性ポリ
マーを振り切って除去する工程とを含んでいることを特
徴とするものである。

〔作　　　用〕

前記のような条件の下で水溶性ポリマーをスピンコード
すると、基板の信号パターン形成面に平均膜厚が０．０
３５μｍ〜０．１５μｍで、最小膜厚と最大膜厚の比が
１．１以下の不溶膜を形成することができる。よって、
トラッキングエラーや記録／再生エラーの少ない光情報
記録媒体を量産することができる。

〔実　施　例〕

次に本発明の実施例を図とともに説明する。第１図は実
施例に係る光ディスクの断面図、第２図はその光ディス
クの拡大断面図である。

本発明の光情報記録媒体の製造方法は、主として、基板
の製造工程と、基板の信号パターン形成面に不溶膜を形
成する工程と、この不溶膜上に記録膜を形成する工程と
から成る。

基Ｆｉ、ｌは、例えばポリカーボネート、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルペンテン、エポキシ等の透明
な樹脂材料によって形成される。該基板１の片面には、
それぞれトラッキング信号に対応する案内トラックやア
ドレス信号に対応するプリピットなどの信号パターンが
形成される。

信号パターンの形成手段としては、前記基板１の材質に
よって適宜の方法が適用される０例えば、基板ｌがポリ
カーボネートやポリメチルメタクリレート、ポリメチル
ペンテンなどの熱可塑性樹脂にて形成される場合には、
射出成形用金型内に溶融した基板材料を射出して基板１
と信号パターンとを一体に成形する所謂インジェクショ
ン法が適する。また、この基板材料に関しては、射出成
形用金型内に溶融した基板材料を射出したのちに圧力を
加える、所謂コンプレッション法あるいはインジェクシ
ョン−コンプレッション法といった公知に属する形成手
段を適用することもできる。さらに、基板１がエポキシ
などの熱硬化性樹脂にて形成される場合には、所望の信
号パターンの反転パターンが形成されたスタンパ（金型
）と基板１との間で光硬化性樹脂を展伸し、スタンパの
反転パターンを基板ｌに転写する所謂２Ｐ法（Ｐｈｏｔ
ｏｐ−ｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ　；光硬化性樹脂法
）が適する。また、この樹脂材料に関しては、金型内に
溶融状態にある基板材料を静注して基板ｌと信号パター
ンとを一体に成形する所謂注型法を適用することもでき
る。

次に、前記のようにして製造された基板の信号パターン
形成面に、有機溶剤に対する不溶膜２を形成する方法に
ついて説明する。

この不溶膜２は、基板１の信号パターン形成面に水溶性
ポリマーを滴下する工程と、基板１を所定の回転モード
で回転駆動する工程とを含んで構成されるスピンコード
法によって形成される。

水溶性ポリマーとしては、公知に属する任意のものを用
いることができるが、以下にその数例を掲げる。

■ポリビニルアルコール ■ポリエチレンオキシド ■ポリアクリル酸 ■ポリスチレンスルホン酸ナトリウム ■ポリビニルピロリドン ■ポリメタクリル酸 ■ポリプロピレングーリコール ■メチルセルロース ■ポリビニルナイトレート スピンコート条件は以下の通りである。

水溶性ポリマーの濃度は０．５重量％〜５．０重量％に
調整される。濃度が５．０重量％を超えると、不溶膜２
の膜厚が厚くなり過ぎて溝状に形成された信号パターン
の溝深さが浅くなり、トラッキングエラーや記録／再生
エラーを生じ易くなる０反対に、濃度が０．５重置％よ
り低いと、ピンホールなどの欠陥が生じ易くなり、記録
膜３をスピンコードする際にこの欠陥を通して有機溶剤
が基板側に侵入して基板１が侵される。

基板１の回転数は、すなわち余剰の水溶性ポリマーを振
り切るための基板１の回転数は、３００　ｒｐ＋１〜５
０００ｒｐｍに調整される。　３００ｒｐｍ＋未満では
内周と外周の間で乾燥速度の差が生じて膜厚が不均一に
なる。反対に、５０００ｒｐａ＋を越えになると膜厚が
薄くなり過ぎて、所望の膜厚を得ることができない。

前記した水溶性ポリマーの４度と基板１の回転速度と基
板上に形成される不溶膜の厚さとの関係を、第３図に基
づいて説明する。この図に示すように、回転速度が高い
ほど、また水溶性ポリマーの濃度が低いほど不溶膜２の
膜厚が薄（なる。ただし、濃度を一定とした場合には、
回転速度がある一定の値以上になると膜厚がサチレート
する。

前記したように、幅が０．３μｍ〜１．０μｍ、深さが
０．０４μｍ　〜０．９μｍ、ピッチが１．３μｍ〜４
μｍに形成された信号パターンにおいては、不溶膜２の
平均膜厚を０．０３５μｍ〜０．１５μｍに調整する必
要がある。図より、水溶性ポリマーの４変を０．５重量
％〜５．０重量％に、また、基板１の回転数を３００ｒ
ｐａ＋〜５０００ｒｐｍに調整することによって所望の
膜厚の不溶膜２を得られることが判る。

スピンコード時間、すなわち水溶性ポリマーを滴下した
のちの基板１の回転時間は、１０秒以上とする。スピン
コード時間が１０秒より短かいと、信号パターン形成面
に水溶性ポリマーを充分に、拡散することができない。

スピンコード後の乾燥条件は、乾燥温度が１０℃〜１１
５℃で、乾燥時間が約１分以上とする。乾燥温度×乾燥
時間の積がこの値よりも小さすぎると不溶膜２の乾燥が
不充分になり、反対にこれが大きすぎると基板１に熱変
形などの不具合を発生することになる。

なお、不溶膜２をスピンコードする際の基Ｆｉ１の回転
モードは、水溶性ポリマーを滴下する工程との関係で任
意に調整することができる０例えば、静止している基板
ｌに水溶性ポリマーをほぼ均一にコーティングしたのち
、基板１を一気に最高回転速度まで加速して余剰の水溶
性ポリマーを振り切ってもよい。また、基板１を低速で
回転しっつ信号パターン形成面に水溶性ポリマーをほぼ
均一にコーティングし、その後基板１を最高回転速度ま
で加速して余剰の水溶性ポリマーを振り切るようにする
こともできる。

また、乾燥工程後においては、例えば水溶性ポリマーの
架橋処理など、不溶膜の耐湿性や透湿性を改善する処理
を行うこともできる。具体的には、光照射による架橋反
応や、加熱による架橋反応、それに熱処理などの手段を
採ることができる。なかでも基板１に熱変形等の悪影響
を与えることがなく、作業性にも優れることから、光照
射による架橋反応が最適である。

以下、ポリビニルアルコールを例に採って、架橋手段の
具体例を示す。

■無機系架橋剤の添加。

無機系架橋剤としては、銅、ホウ素、アルミニウム、チ
タン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、クロムなどが
ある。

■アルデヒドを用いたアセタール化。

■水酸基のアルデヒド化。

■活性化ビニル化合物の添加。

■エポキシ化合物を添加してのエーテル化。

■酸触媒のもとでジカルボン酸を反応。

■コハク酸および硫酸の添加。

■トリエチレングリコールおよびアクリル酸メチルの添
加。

■ポリアクリル酸およびメチルビニルエーテル−マレイ
ン酸共重合体のブレンド。

前記のようにして形成される不溶膜２は、有機色素系の
記録膜３をスピンコードする際に、記録材料の溶液中に
含まれる有機溶剤が基板１を侵すのを防止するためのも
のであるから、有機溶剤の透過性が小さく、耐有機溶剤
性に優れ、さらに有機溶剤による膨潤が小さいほど好ま
しい。

しかしながら、これら３つの特性は、膜厚や架橋部゛理
などの後処理、それに基板上に塗布された記録材料の溶
液から有機溶剤が蒸発し終るまでの時間などと密接に関
連するものであり、必ずしも前記３つの特性の全てに優
れた水溶性ポリマーでなくては本発明に適用できないと
いうものではない。例えば、若干特性の悪い水溶性ポリ
マーであっても、その分膜厚を厚くしたり、あるいは有
機溶剤の乾燥時間を短縮するような手段を採ることによ
って、実用上充分な基板の保護効果を発揮することがで
きる。勿論、その場合にも、ＳＮ比を劣化しないため、
膜厚を０．０３５〜０．１５μｍの範囲にする必要があ
る。

かように、本発明に適用すべき水溶性ポリマーは、不溶
膜２の膜厚や記録膜３の膜厚（有機溶剤の量もしくは乾
燥時間）、それに後処理などを考慮して任意のものを選
択することができる。

次に、記録膜３の形成方法について説明する。

記録膜３は、有機色素系のヒートモード用記録材料にて
形成される。有機色素系のヒートモード用記録材料とし
ては、例えばシアニン系、フタロシアニン系、アントラ
キノ系、アゾ系、トリフェニルメタン系、ピリリウムな
いしチアピリリウム塩系などの色素や、これらの色素に
、例えばニトロセルロース等の自己酸化性の樹脂や、ポ
リスチレン、ポリアミド等の熱可塑性樹脂を含有したも
のなどの色素組成物を用いることができる。

記録膜３の形成に際しては、前記のような色素または色
素組成物を、例えばケトン系、エステル系、エーテル系
、芳香族系、ハロゲン化物系、アルコール系、脂肪族系
、脂環式系、石油系等の溶媒に溶解し、前記有機溶媒に
対する不溶膜２上にスピンコードする。

以下、具体的な実施例について説明する。

〈第１実施例〉 まず、射出成形法によって直径１３０ＩＩＩＩ１１のポ
リカーボネート製基板１を作製する。一方、重合度が２
０００、鹸化度が８８．０％のポリビニルアルコール水
）容液を１周製した。

ポリビニルアルコールの水溶液調製法は以下の通りであ
る。まず、ポリビニルアルコール中に含まれる酢酸ソー
ダを除去するため、水によるデカンテーションを数回繰
り返した０次に、加熱温度６０℃〜８０℃の下で、加熱
攪拌を２時間程度行い、水に２．５重量％のポリビニル
アルコールを完全に溶解した。さらに、このポリビニル
アルコールの水溶液に、ポリビニルアルコールに対して
約１０重量％の重クロム酸アンモニウムを添加し、完全
に溶解した。最後に、この水溶液中に混在する細かい異
物を除去するため、０．２μｍのフィルタにてろ過を行
った。

次いで、前記ポリカーボネート製基板の信号パターン形
成面に、前記のように調製されたポリビニルアルコール
と重クロム酸アンモニウムの水溶液をスピンコードした
。この場合、前記ポリカーボネート製基板が静止した状
態でその信号パターン形成面に、前記の水溶液をほぼ均
一に塗布し、その後基板を一気に４０００ｒｐｎ＋にて
回転駆動して、余剰のポリビニルアルコールの水溶液を
振り切った。これによって、膜厚が８０ｎｍで、最大膜
厚Ｔｍａｘと最小膜ｉＴｍｉｎの比Ｔ＋ｎａｘ　／　Ｔ
ｌ１ｉｎが１．１以下の不溶膜２を形成することができ
た。

次いで、前記のようにして形成された不溶膜２に超高圧
水銀ランプにて紫外線を数分間照射し、ポリビニルアル
コールを架橋処理し、その後不溶膜２の洗浄を行う。

第４図は、本発明の実施例においてＰＶＡ水溶液調製か
らその後のプロセスを示すフローチャートである。同図
において、 Ｓｌ：架橋剤として所定濃度の重クロム酸アンモニウム
（Ｎ　Ｈ２Ｏｒ　ｚＯｖ）を添加したポリビニルアルコ
ール水溶液を調整する。

Ｓ２ニスピンコーテイング法によって不溶膜を形成する
。

Ｓｌ不溶膜に紫外線を照射することにより架橋反応を行
なわせて、不溶膜に耐水性を付与する。

Ｓ４：ｊＪ板を回転させながら不溶膜の上から洗浄剤を
滴下して、不溶膜中の架橋剤ならびに未架橋化部分を洗
浄、除去する。

なお洗浄剤としては、水、温水、アル コール類などの有機液体の単独あるいは混合物が用いら
れる。

Ｓ５二８０℃で１時間３０分ベータ処理して完成品とす
る。

前記Ｓ４の洗浄処理を行なった場合と行なわない場合の
反射率の劣化を次の表に示す。なおこの試験は、６０℃
、９０％ＲＨの雰囲気で行なったものである。

表 〔単位：％〕 この表から明らかなように、洗浄処理して架橋剤あるい
は未架橋化部分を不溶膜から除去することにより、高温
多湿下においても高い反射率を維持することができる。

洗浄処理しない場合に高温多湿下で反射率が低下する原
因としては、不溶膜中に架橋剤や未架橋部分が存在する
と、吸湿によって不溶膜が膨潤し、そのため記録層との
密着が悪くなるためであると考えられる。

最後に、前記不溶１１！Ｚ上に、シアニン系のヒートモ
ード用記録材料をハロゲン化炭化水素溶媒に溶解した溶
液をスピンコードして、記録膜３を形成した。

〈第２実施例〉 第１実施例の光情報記録媒体の製造方法において、スピ
ンコードされた不溶膜２を乾燥したのち、１１０℃の雰
囲気中で約６０分間保持し、不溶膜２の耐湿性およびａ
　ｆＷ性を改善した。その他の製造工程については、前
記第１実施例と同様である。

く第３実施例〉 第１実施例の光情報記録媒体の製造方法において、基板
の信号パターン形成面にスピンコードされる水溶性ポリ
マーとして、重合度が５００、鹸化度が９８．５％のポ
リビニルアルコールを用いた。その他の製造工程につい
ては、前記第１実施例と同様である。

前記第１ないし第３実施例の光情報記録媒体は、エリプ
ソメータにて測定したところ、いずれも不溶膜２の平均
膜厚が０．０３５μｍ〜０．１５μｍに形成されており
、最大膜厚Ｔａ＋ａｘと最小膜厚Ｔｗｉｎの比Ｔｍａｘ
　／Ｔｗｉｎが、１．１以下であった。また、温度６０
℃、湿度９５％の雰囲気中に１５００時間放置して加速
腐蝕試験を行ったところ、信号パターン（プリピット）
の膨潤による形状変化の割合は１〜２％以下であり、実
用上問題ないことが判った。

また、基板１と不溶膜２との間の剥離も認められなかっ
た。

さらに、この光情報記録媒体を１８０Ｏｒｐｍで回転駆
動しながら波長が８３０ｎｍ、膜面パワーが８ｍＷ。

ビームスポット径が約１．６μｍの半導体レーザを照射
し、線速度が８．５ｍ　／ｓｅｃ　、記録パルス幅が２
２０ｎｓｅｃの条件で記録を行ったところ、５４ｄＢ（
２ＭＨｚ）のＣ／Ｎ値を得られることが判った。また、
ポリビニルアルコール製不溶膜による記ｔｉ怒度の低下
、および雑音の増加は特に認められなかった。

第５図は、本発明の他の実施例に係る光ディスクの拡大
断面図である。この実施例の場合、記録膜３の上に保ｉ
１［層４が形成されている。

この保護膜４としては、前記不溶膜２と同様に例えば以
下に示すような水溶性ポリマーを用いることができる。

■ポリビニルアルコール ■ポリエチレンオキシド ■ポリアクリル酸 ■ポリスチレンスルホン酸塩 ■ポリビニルピロリドン ■ポリメタクリル酸 ■ポリプロピレングリコール ■メチルセルロース ■ポリビニルナイトレート また保護層４として、下記のような熱可塑性合成樹脂も
使用できる。

■ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフロオ
ロエチレン、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレ
ン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、フッ化ビニリ
デン−へキサフルオロプロピレン共重合体、フッ化ビニ
リデン−クロロトリフルオロエチレン共重合体、テトラ
フルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニールエー
テル共重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共重
合体などの）゛ン素樹脂 ■ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド
などのイミド樹脂 ■６−ナイロン、１１−ナイロン、１２−ナイロン、６
ローナイロン、６１０−ナイロン、６１０−ナイロンと
６−ナイロンと６ローナイロンの混合物などのアミド樹
脂 ■ポリエチレン、架橋ポリエチレン、エチレン−アクリ
ル酸エステル共重合、アイオノマーなどのエチレン樹脂 ■ポリプロピレン ■ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体
、スチレン−アクリロニトリル−ブタジェン共重合体な
どのスチレン樹脂 ■ポリ塩化ビニル ■ポリ塩化ビニリデン ■ポリ酢酸ビニル ［相］ポリビニルアセクール ■ポリカーボネート ＠ポリアセタール ■ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタ
レートなどの飽和ポリエステル樹脂■ポリフェニレンオ
キシド ■ポリスルホン さらに保護層４として、下記のようなゴム質のものも使
用できる。

■スチレンーブタジェンゴム、ブタジェンゴム、イソプ
レンゴム、アクリロニトリル−ブタジェンゴム、クロロ
プレンゴムなどのジエン素ゴム ■ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、アクリルゴ
ム、クロロスルホン化ポリエチレンゴム、フッ素ゴムな
どのオレフィン素ゴム■シリコーンゴム ■ウレタンゴム ■多硫化ゴム 本実施例においては、保護層４の材料としてポリビニル
アルコール（ＰＶＡ）ｔ−用いてオリ、３８ＰＶＡの水
溶液をスピンコードし゛、膜厚６０ｎｍの保護層４を成
膜している。

なお、保護層４の膜厚は１２０μｍ　　（０，１２＃　
ｍ）以下とされるべきで、膜厚が１２０μｍより厚い場
合にはビット形成を阻害してしまう、また、保護層４の
上に更にオーバーコート層を設ける場合、このオーバー
コート材がピンホールを通って侵入し、記録層３を侵す
、よって保護層４の膜厚は４０ｎｍ以上とするのが望ま
しい、一方、保護層４の膜厚の上限は任意であるが、Ｃ
Ｄ用の光ディスクに適用する場合には、ＣＤ規格によっ
て基板１の厚さが定されていることから、保護層４の厚
みは４００μ−以下に限定される。（勿論、ＣＤ以外の
用途であれば４００μｍ以上とすることも可能である。

）この保護層４の膜厚の調整は、ＰＶＡをスピンコード
する際の基板１の回転モード、並びに滴下条件その地濃
度や、ターンテーブルの雰囲気の選択で任意になし得る
。

第６図は、本発明のさらに他の実施例に係る光ディスク
の断面図である。この実施例で前記第１図に示す実施例
と相違する点は、２枚の記録用単板が互に例えばエポキ
シ樹脂や紫外線硬化樹脂などの接着剤５で貼り合わされ
ている点である。

前記実施例では光ディスクの場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えば光カー
ドなど他の光情報記録媒体にも適用することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明のスピンコード条件による
と、基板の信号パターン形成面に平均膜厚が０．０３５
μｍ〜０．１５μｍで、最小膜厚と最大膜厚の比が１．
１以下の水溶性ポリマー製の不溶膜を形成することがで
きる。このため、不溶膜を形成することによって、信号
パターンから読み出される情報のＳＮ比が劣化したり、
信号パターンからの情報の読み出しが不可能になったり
することがなく、トラッキングエラーや記録／再生エラ
ーの少ない有機色素系の光情報記録媒体を実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る光ディスクの断面図、 第２図はその光ディスクの拡大断面図、第３図は不溶膜
のスピンコード条件と膜厚との関係を示す特性図、 第４図は不溶膜の形成過程を説明するためのフローチャ
ート、 第５図は他の実施例に係る光ディスクの拡大断面図、 第６図はさらに他の実施例に係る光ディスクの断面図で
ある。 １・・・基板、２・・・不溶膜、３・・・記録膜、４．
保護層。 Ｎ　　　　。 代理人　弁理士　　　武　　顕　次　部・・・し　、′
′ｌ：、、：ｚ’；７ 第６図 ｔａ　　　　　　　３　　　７ 第３図 回転数　　（ｒｐｍ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板の信号パターン形成面に有機溶剤に対する不溶膜を
   形成する工程を含む光情報記録媒体の製造方法において
   、前記不溶膜を形成する工程が、基板の信号パターン形
   成面に濃度が０．５重量％〜５．０重量％に調整された
   水溶性ポリマーを滴下する工程と、その後に当該基板を
   ３００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍにて回転して基板上の余
   剰の水溶性ポリマーを振り切つて除去する工程とを含ん
   でいることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。