JP2765421B2 - 光ディスク用スタンパ及びその製造方法 - Google Patents
光ディスク用スタンパ及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オ−ディオ又はビデオ
用光ディスクを製造するためのブランク原盤、スタンパ
及びその製造方法に関するものである。
用光ディスクを製造するためのブランク原盤、スタンパ
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、添付図面を参照して、従来の光デ
ィスクの製造工程の概略を説明する。図２は、従来の光
ディスクの製造工程の第一の例を説明するための概略流
れ図である。まず、図２に示すように、プリマスタリン
グ工程がある。ここでは、ソフトハウスから供給された
ソフトに対し、リ−ドイン、リ−ドアウト、インデック
ス、アドレス等の情報が付加されて、光ディスクに記録
される信号の形態に整えられる。
ィスクの製造工程の概略を説明する。図２は、従来の光
ディスクの製造工程の第一の例を説明するための概略流
れ図である。まず、図２に示すように、プリマスタリン
グ工程がある。ここでは、ソフトハウスから供給された
ソフトに対し、リ−ドイン、リ−ドアウト、インデック
ス、アドレス等の情報が付加されて、光ディスクに記録
される信号の形態に整えられる。
【０００３】マスタリング工程では、この信号を、ブラ
ンク原盤に物理的に記録する。ブランク原盤は、基板と
基板上に形成された感光性樹脂（フォトレジスト）とか
ら構成されている。信号により変調されたレ−ザ光線に
より、フォトレジストを感光することにより、信号は、
信号に対応したピットとして記録される。基板上のフォ
トレジストは、現像工程を経て、信号に対応したピット
のみになる。これがマスタリング盤になる。この記録
は、リアルタイムで行われている。そのため、記録時間
は、例えば、ＣＤに音楽を記録する場合、最大７４分、
平均約６０分である。
ンク原盤に物理的に記録する。ブランク原盤は、基板と
基板上に形成された感光性樹脂（フォトレジスト）とか
ら構成されている。信号により変調されたレ−ザ光線に
より、フォトレジストを感光することにより、信号は、
信号に対応したピットとして記録される。基板上のフォ
トレジストは、現像工程を経て、信号に対応したピット
のみになる。これがマスタリング盤になる。この記録
は、リアルタイムで行われている。そのため、記録時間
は、例えば、ＣＤに音楽を記録する場合、最大７４分、
平均約６０分である。
【０００４】次に、図２で示されている、導電膜形成工
程から、スタンパ仕上げ工程までは、スタンパ製造の工
程になる。まず、ピットのみになったフォトレジストの
表面を導電膜で覆い（導電膜形成工程）、次ぎに、この
導電膜を電極として、ニッケルでメッキする（電鋳工
程）。前者の工程は、スパッタリング法によってニッケ
ル膜が付着され、所要時間は約２時間である。後者の所
要時間は約６時間である。
程から、スタンパ仕上げ工程までは、スタンパ製造の工
程になる。まず、ピットのみになったフォトレジストの
表面を導電膜で覆い（導電膜形成工程）、次ぎに、この
導電膜を電極として、ニッケルでメッキする（電鋳工
程）。前者の工程は、スパッタリング法によってニッケ
ル膜が付着され、所要時間は約２時間である。後者の所
要時間は約６時間である。
【０００５】図２に示される、スタンパ仕上げ工程以降
は、迅速に行われる。スタンパ仕上げ工程の所要時間は
約１時間、スタンパを金型とする射出成型工程の所要時
間は、１枚当たり約３０秒、反射膜、保護膜成膜工程
は、枚葉処理の場合で、ＣＤについては、その所要時間
は、それぞれ約３０秒である。以上、従来の光ディスク
の製造方法の第一の例により、光ディスクを製造する場
合には、合計所要時間として約１０時間必要である。そ
のうち、マスタリング工程から電鋳工程終了までに、約
９時間必要である。
は、迅速に行われる。スタンパ仕上げ工程の所要時間は
約１時間、スタンパを金型とする射出成型工程の所要時
間は、１枚当たり約３０秒、反射膜、保護膜成膜工程
は、枚葉処理の場合で、ＣＤについては、その所要時間
は、それぞれ約３０秒である。以上、従来の光ディスク
の製造方法の第一の例により、光ディスクを製造する場
合には、合計所要時間として約１０時間必要である。そ
のうち、マスタリング工程から電鋳工程終了までに、約
９時間必要である。
【０００６】ところで、光ディスク装置に対する要求に
は２種類ある。一つは、記録の高密度化であり、大容量
化であり、もう一つは、光ディスク供給の迅速化であ
る。再生専用型ディスクであるＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ等が
ユ−ザ−に速やかに供給されていないことが、ディスク
システムの普及と共に問題となってきた。すなわち、記
録されている情報及びアプリケ−ションソフトには短期
間しか有効でない情報が多量にあるからである。
は２種類ある。一つは、記録の高密度化であり、大容量
化であり、もう一つは、光ディスク供給の迅速化であ
る。再生専用型ディスクであるＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ等が
ユ−ザ−に速やかに供給されていないことが、ディスク
システムの普及と共に問題となってきた。すなわち、記
録されている情報及びアプリケ−ションソフトには短期
間しか有効でない情報が多量にあるからである。
【０００７】このため、光ディスクの製造工程を短縮す
るために種々の検討が行われてきた。 マスタリング盤
がそのまま使用できれば、導電膜形成工程と電鋳工程が
不用となるため、光ディスクの製造工程は大幅に短縮さ
れる。しかし、マスタリング盤にピットとして形成され
ているフォトレジストは脆弱であるため、外力が加わる
と簡単に破壊されてしまうこと、さらに、ピット部の凹
凸が、スタンパと逆であるため、マスタリング盤をその
ままスタンパとして使用することは出来ない。
るために種々の検討が行われてきた。 マスタリング盤
がそのまま使用できれば、導電膜形成工程と電鋳工程が
不用となるため、光ディスクの製造工程は大幅に短縮さ
れる。しかし、マスタリング盤にピットとして形成され
ているフォトレジストは脆弱であるため、外力が加わる
と簡単に破壊されてしまうこと、さらに、ピット部の凹
凸が、スタンパと逆であるため、マスタリング盤をその
ままスタンパとして使用することは出来ない。
【０００８】一方、上述の従来の光ディスクの製造工程
を改善したものとして、特開平３−１３６６９号に開示
された高密度記録ディスク用スタンパとその製造方法が
ある。 以下、図面を参照して、この改善された従来の
技術を説明する。図３は、従来の光ディスク用ブランク
及びスタンパの製造方法の第二の例を説明するための製
造工程図である。図３において、１１はガラス基板を、
１２はポジレジスト層を、１２Ａはポジレジスト層の未
露光部を、１３はレ−ザ光を、１４はポジレジスト層の
露光部を、それぞれ示す。
を改善したものとして、特開平３−１３６６９号に開示
された高密度記録ディスク用スタンパとその製造方法が
ある。 以下、図面を参照して、この改善された従来の
技術を説明する。図３は、従来の光ディスク用ブランク
及びスタンパの製造方法の第二の例を説明するための製
造工程図である。図３において、１１はガラス基板を、
１２はポジレジスト層を、１２Ａはポジレジスト層の未
露光部を、１３はレ−ザ光を、１４はポジレジスト層の
露光部を、それぞれ示す。
【０００９】まず、高精度に研磨された石英ガラス基板
１１の表面上にポジタイプのフォトレジスト１２（ＡＺ
５２０６Ｅレジスト、ヘキストジャパン（株））をスピ
ンコ−ト法により１０００オングストロ−ムの厚みで均
一に塗布し、これをホットプレ−トにより９０℃で３０
分プリベ−クした（図３（Ａ））。次に、このポジレジ
スト層１２上に４１３ｎｍのＫｒレ−ザ、ＮＡ０．９４
のレンズを用い、レ−ザパワ−４．６ｍＷのレ−ザ光１
３を用いて、所望形状の溝を記録した（図３（Ｂ））。
所要時間は約１時間であった。次に、これをホットプレ
−トにより１１５℃で５分間ベ−キング（リバ−スベ−
ク）し、ポジレジスト層の露光部１４を架橋させる（図
３（Ｃ））。
１１の表面上にポジタイプのフォトレジスト１２（ＡＺ
５２０６Ｅレジスト、ヘキストジャパン（株））をスピ
ンコ−ト法により１０００オングストロ−ムの厚みで均
一に塗布し、これをホットプレ−トにより９０℃で３０
分プリベ−クした（図３（Ａ））。次に、このポジレジ
スト層１２上に４１３ｎｍのＫｒレ−ザ、ＮＡ０．９４
のレンズを用い、レ−ザパワ−４．６ｍＷのレ−ザ光１
３を用いて、所望形状の溝を記録した（図３（Ｂ））。
所要時間は約１時間であった。次に、これをホットプレ
−トにより１１５℃で５分間ベ−キング（リバ−スベ−
ク）し、ポジレジスト層の露光部１４を架橋させる（図
３（Ｃ））。
【００１０】次に、全面を一括露光し、レ−ザ露光が行
われていなかった部分をアルカリ可溶とする（図３
（Ｄ））。続いて、３０秒現像することによって凸のパ
タ−ンを得る（図３（Ｅ））。これをマスクとして、
６．０×１０-2Ｔｏｒｒ（ガスはＣＨＦ3 ）、２００Ｗ
の条件で２分間ドライエッチングする（図３（Ｆ））。
続いて、残存しているフォトレジストを除去し所望のス
タンパを得る（図３（Ｇ））。得られたスタンパを接触
式表面粗さ計及びＳＥＭで評価したところ、高さ８５０
オングストロ−ム、ピット幅０．３μｍの凸ピットを有
するガラススタンパが得られた。
われていなかった部分をアルカリ可溶とする（図３
（Ｄ））。続いて、３０秒現像することによって凸のパ
タ−ンを得る（図３（Ｅ））。これをマスクとして、
６．０×１０-2Ｔｏｒｒ（ガスはＣＨＦ3 ）、２００Ｗ
の条件で２分間ドライエッチングする（図３（Ｆ））。
続いて、残存しているフォトレジストを除去し所望のス
タンパを得る（図３（Ｇ））。得られたスタンパを接触
式表面粗さ計及びＳＥＭで評価したところ、高さ８５０
オングストロ−ム、ピット幅０．３μｍの凸ピットを有
するガラススタンパが得られた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上説明し
た第二の従来例の光ディスク用スタンパの製造に要する
所要時間は約２時間であり、第一の従来例の光ディスク
用スタンパの製造に要する所要時間である約９時間より
は短縮されてはいるが十分ではない。そこで、本発明
は、光ディスク用スタンパにおいて、導電膜形成工程、
電鋳工程及びスタンパ仕上げ工程またはエッチング工程
及びスタンパ仕上げ工程を必要とすること無く製造でき
るようにし、それにより、短期間に且つ安価に製造でき
る光ディスク用スタンパを提供することを目的とする。
た第二の従来例の光ディスク用スタンパの製造に要する
所要時間は約２時間であり、第一の従来例の光ディスク
用スタンパの製造に要する所要時間である約９時間より
は短縮されてはいるが十分ではない。そこで、本発明
は、光ディスク用スタンパにおいて、導電膜形成工程、
電鋳工程及びスタンパ仕上げ工程またはエッチング工程
及びスタンパ仕上げ工程を必要とすること無く製造でき
るようにし、それにより、短期間に且つ安価に製造でき
る光ディスク用スタンパを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、次の構成を有する。 （１） 基板と、信号パターンに対応した形状を有し、
前記基板上に形成されたピット部とから構成される光デ
ィスク用スタンパにおいて、前記ピット部を、分子構造
中に水酸基を有する架橋性無機物もしくは分子構造中に
水酸基を有する架橋性有機物層の脱水結合による架橋部
としたこと特徴とする光ディスク用スタンパ。 （２） 基板と、信号パターンに対応した形状を有し、
前記基板上に形成されたピット部とから構成される光デ
ィスク用スタンパの製造方法において、分子構造中に水
酸基を有する架橋性無機物もしくは分子構造中に水酸基
を有する架橋性有機物層を前記基板上に形成した光ディ
スク用ブランク原盤に、信号パターンにより変調された
放射光もしくは電子線を前記層に照射することにより、
信号パターンに対応した形状の脱水結合による架橋部を
前記層の所定部に形成し、その後、この層の末架橋部を
除去することにより、前記脱水結合による架橋部を前記
ピット部としたことを特徴とする光ディスク用スタンパ
の製造方法。 （３） 基板と、信号パターンに対応した形状を有する
ピット部を形成すべく、前記基板上に形成された薄膜層
とから構成される光ディスク用ブランク原盤において、
前記薄膜層を、分子構造中に水酸基を有する架橋性無機
物もしくは分子構造中に水酸基を有する架橋性有機物層
としたことを特徴とする光ディスク用ブランク原盤。
めに、本発明は、次の構成を有する。 （１） 基板と、信号パターンに対応した形状を有し、
前記基板上に形成されたピット部とから構成される光デ
ィスク用スタンパにおいて、前記ピット部を、分子構造
中に水酸基を有する架橋性無機物もしくは分子構造中に
水酸基を有する架橋性有機物層の脱水結合による架橋部
としたこと特徴とする光ディスク用スタンパ。 （２） 基板と、信号パターンに対応した形状を有し、
前記基板上に形成されたピット部とから構成される光デ
ィスク用スタンパの製造方法において、分子構造中に水
酸基を有する架橋性無機物もしくは分子構造中に水酸基
を有する架橋性有機物層を前記基板上に形成した光ディ
スク用ブランク原盤に、信号パターンにより変調された
放射光もしくは電子線を前記層に照射することにより、
信号パターンに対応した形状の脱水結合による架橋部を
前記層の所定部に形成し、その後、この層の末架橋部を
除去することにより、前記脱水結合による架橋部を前記
ピット部としたことを特徴とする光ディスク用スタンパ
の製造方法。 （３） 基板と、信号パターンに対応した形状を有する
ピット部を形成すべく、前記基板上に形成された薄膜層
とから構成される光ディスク用ブランク原盤において、
前記薄膜層を、分子構造中に水酸基を有する架橋性無機
物もしくは分子構造中に水酸基を有する架橋性有機物層
としたことを特徴とする光ディスク用ブランク原盤。
【００１３】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。図１は、本発明の光ディスク用ブランク及び
スタンパの製造方法の一実施例を説明するための製造工
程図である。図１において、１はニッケル基板を、２は
架橋性無機物または有機物層を、３はレ−ザ光を、４は
架橋性無機物または有機物層の架橋部を、それぞれ示
す。
説明する。図１は、本発明の光ディスク用ブランク及び
スタンパの製造方法の一実施例を説明するための製造工
程図である。図１において、１はニッケル基板を、２は
架橋性無機物または有機物層を、３はレ−ザ光を、４は
架橋性無機物または有機物層の架橋部を、それぞれ示
す。
【００１４】（実施例１）基板として、形状が外径１２
８ｍｍ、内径３５．６ｍｍ及び厚さ０．２６ｍｍである
鏡面に仕上げられたニッケル基板１を用意した。架橋性
無機物としてテトラヒドロキシシラノ−ルを用いた。こ
のテトラヒドロキシシラノ−ルは、１５０〜４５０℃に
加熱されると、水を脱離し、ＳｉＯ2 を生成する事が知
られている。
８ｍｍ、内径３５．６ｍｍ及び厚さ０．２６ｍｍである
鏡面に仕上げられたニッケル基板１を用意した。架橋性
無機物としてテトラヒドロキシシラノ−ルを用いた。こ
のテトラヒドロキシシラノ−ルは、１５０〜４５０℃に
加熱されると、水を脱離し、ＳｉＯ2 を生成する事が知
られている。
【００１５】まず、０．２μｍのフィルタで濾過したテ
トラヒドロキシシラノ−ルのメタノ−ル溶液（２０％濃
度）を調製し、この溶液を１０００ｒｐｍの塗布条件の
スピンコ−ト法により、ニッケル基板１上に塗布し、ニ
ッケル基板１上にテトラヒドロキシシラノ−ル層を形成
した。その後、８０℃に加熱されているホットプレ−ト
を用いて、このニッケル基板１を５分間ベ−キングし、
テトラヒドロキシシラノ−ル層中の溶媒を除去した。接
触式表面粗さ計を用いて測定した結果、テトラヒドロキ
シシラノ−ル層の層厚は、０．１６μｍであった（図１
（Ａ））。
トラヒドロキシシラノ−ルのメタノ−ル溶液（２０％濃
度）を調製し、この溶液を１０００ｒｐｍの塗布条件の
スピンコ−ト法により、ニッケル基板１上に塗布し、ニ
ッケル基板１上にテトラヒドロキシシラノ−ル層を形成
した。その後、８０℃に加熱されているホットプレ−ト
を用いて、このニッケル基板１を５分間ベ−キングし、
テトラヒドロキシシラノ−ル層中の溶媒を除去した。接
触式表面粗さ計を用いて測定した結果、テトラヒドロキ
シシラノ−ル層の層厚は、０．１６μｍであった（図１
（Ａ））。
【００１６】次に、このニッケル基板１をＫｒレ−ザの
装着されたカッティングマシ−ンに装着し、信号により
変調されたレ−ザ光３をテトラヒドロキシシラノ−ル層
に照射し、テトラヒドロキシシラノ−ル層を露光する
（図１（Ｂ））。すると、テトラヒドロキシシラノ−ル
層の露光部は、局部的に加熱されて架橋し、ＳｉＯ2 の
網目構造を持ったピットを形成する。テトラヒドロキシ
シラノ−ル層の未露光部は、未架橋のままである（図１
（Ｃ））。
装着されたカッティングマシ−ンに装着し、信号により
変調されたレ−ザ光３をテトラヒドロキシシラノ−ル層
に照射し、テトラヒドロキシシラノ−ル層を露光する
（図１（Ｂ））。すると、テトラヒドロキシシラノ−ル
層の露光部は、局部的に加熱されて架橋し、ＳｉＯ2 の
網目構造を持ったピットを形成する。テトラヒドロキシ
シラノ−ル層の未露光部は、未架橋のままである（図１
（Ｃ））。
【００１７】次に、ニッケル基板１をメタノ−ルに浸漬
すると、テトラヒドロキシシラノ−ル層の未露光部は溶
解し除去され、ニッケル基板１上にはＳｉＯ2 の網目構
造を持ったピットのみが残る。その後、３００℃に加熱
されているホットプレ−トを用いて、ニッケル基板１を
５分間ベ−キングし、ＳｉＯ2 を焼きしめた。ニッケル
基板１を冷却後、接触式表面粗さ計によって測定した結
果、ピットの高さは、０．１２μｍであった（図１
（Ｄ））。
すると、テトラヒドロキシシラノ−ル層の未露光部は溶
解し除去され、ニッケル基板１上にはＳｉＯ2 の網目構
造を持ったピットのみが残る。その後、３００℃に加熱
されているホットプレ−トを用いて、ニッケル基板１を
５分間ベ−キングし、ＳｉＯ2 を焼きしめた。ニッケル
基板１を冷却後、接触式表面粗さ計によって測定した結
果、ピットの高さは、０．１２μｍであった（図１
（Ｄ））。
【００１８】このようにして得られた、ピットの形成さ
れたニッケル基板１は、そのままスタンパになる。この
スタンパを製造するための所要時間は、１時間１０分で
あった。
れたニッケル基板１は、そのままスタンパになる。この
スタンパを製造するための所要時間は、１時間１０分で
あった。
【００１９】（実施例２）架橋性無機物としてオルガノ
ヒドロキシシラノ−ルを用いた。０．２μｍのフィルタ
で濾過したオルガノヒドロキシシラノ−ルの酢酸エチル
溶液（３０％濃度）を調製し、これをオルガノヒドロキ
シシラノ−ル層を作製するための塗布液とした。上記以
外は、全て実施例１において説明した方法によって、ス
タンパを製造した。このスタンパを製造するための所要
時間は、１時間１０分であった。
ヒドロキシシラノ−ルを用いた。０．２μｍのフィルタ
で濾過したオルガノヒドロキシシラノ−ルの酢酸エチル
溶液（３０％濃度）を調製し、これをオルガノヒドロキ
シシラノ−ル層を作製するための塗布液とした。上記以
外は、全て実施例１において説明した方法によって、ス
タンパを製造した。このスタンパを製造するための所要
時間は、１時間１０分であった。
【００２０】（実施例３）基板として、形状が外径１２
８ｍｍ、内径３５．６ｍｍ及び厚さ０．２６ｍｍである
鏡面に仕上げられたニッケル基板１を用意した。架橋性
有機物としてピロメリティックジエンヒドリドとパラフ
ェニリンジアミンとの縮重合物を用いた。このピロメリ
ティックジエンヒドリドとパラフェニリンジアミンとの
縮重合物はポリアミド酸を生成するが、これは、１５０
〜４５０℃に加熱されると、水を脱離し、ポリイミドを
生成する事が知られている。
８ｍｍ、内径３５．６ｍｍ及び厚さ０．２６ｍｍである
鏡面に仕上げられたニッケル基板１を用意した。架橋性
有機物としてピロメリティックジエンヒドリドとパラフ
ェニリンジアミンとの縮重合物を用いた。このピロメリ
ティックジエンヒドリドとパラフェニリンジアミンとの
縮重合物はポリアミド酸を生成するが、これは、１５０
〜４５０℃に加熱されると、水を脱離し、ポリイミドを
生成する事が知られている。
【００２１】まず、１μｍのフィルタで濾過したピロメ
リティックヒドリドとパラフェニリンジアミドとの縮重
合物のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（１０％濃度）
を調製し、この溶液を１０００ｒｐｍの塗布条件のスピ
ンコ−ト法により、ニッケル基板１上に塗布し、ニッケ
ル基板１上にポリアミド酸層を形成した。その後、８０
℃に加熱されているホットプレ−トを用いて、このニッ
ケル基板１を５分間ベ−キングし、ポリアミド酸層中の
溶媒を除去した。接触式表面粗さ計を用いて測定した結
果、ポリアミド酸層の層厚は、０．１８μｍであった
（図１（Ａ））。
リティックヒドリドとパラフェニリンジアミドとの縮重
合物のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（１０％濃度）
を調製し、この溶液を１０００ｒｐｍの塗布条件のスピ
ンコ−ト法により、ニッケル基板１上に塗布し、ニッケ
ル基板１上にポリアミド酸層を形成した。その後、８０
℃に加熱されているホットプレ−トを用いて、このニッ
ケル基板１を５分間ベ−キングし、ポリアミド酸層中の
溶媒を除去した。接触式表面粗さ計を用いて測定した結
果、ポリアミド酸層の層厚は、０．１８μｍであった
（図１（Ａ））。
【００２２】次に、このニッケル基板１をＫｒレ−ザの
装着されたカッティングマシ−ンに装着し、信号により
変調されたレ−ザ光３をポリアミド酸層に照射し、ポリ
アミド酸層を露光する（図１（Ｂ））。すると、ポリア
ミド酸層の露光部は、局部的に加熱されて架橋し、ポリ
イミドのピットを形成する。ポリアミド酸層の未露光部
は、未架橋のままである（図１（Ｃ））。
装着されたカッティングマシ−ンに装着し、信号により
変調されたレ−ザ光３をポリアミド酸層に照射し、ポリ
アミド酸層を露光する（図１（Ｂ））。すると、ポリア
ミド酸層の露光部は、局部的に加熱されて架橋し、ポリ
イミドのピットを形成する。ポリアミド酸層の未露光部
は、未架橋のままである（図１（Ｃ））。
【００２３】次に、ニッケル基板１をＮ−メチル−２−
ピロリドンに浸漬すると、ポリアミド酸層の未露光部は
溶解し除去され、ニッケル基板１上にはポリイミドのピ
ットのみが残る。その後、３００℃に加熱されているホ
ットプレ−トを用いて、ニッケル基板１を５分間ベ−キ
ングし、架橋反応を促進すると共に十分に硬化させた。
ニッケル基板１を冷却後、測定した結果、ピットの高さ
は、０．１１μｍであった（図１（Ｄ））。
ピロリドンに浸漬すると、ポリアミド酸層の未露光部は
溶解し除去され、ニッケル基板１上にはポリイミドのピ
ットのみが残る。その後、３００℃に加熱されているホ
ットプレ−トを用いて、ニッケル基板１を５分間ベ−キ
ングし、架橋反応を促進すると共に十分に硬化させた。
ニッケル基板１を冷却後、測定した結果、ピットの高さ
は、０．１１μｍであった（図１（Ｄ））。
【００２４】このようにして得られた、ピットの形成さ
れたニッケル基板１は、そのままスタンパになる。この
スタンパを製造するための所要時間は、１時間１０分で
あった。
れたニッケル基板１は、そのままスタンパになる。この
スタンパを製造するための所要時間は、１時間１０分で
あった。
【００２５】なお、上述の本発明の実施例では、基板の
材質をニッケルとしたときの結果について述べたが、基
板の材質はニッケルに限定されるものではなく、ニッケ
ル以外の金属、ガラス、セラミックスあるいは例えばポ
リイミドのような耐熱性樹脂でも、同様の結果が得られ
ることは言うまでもない。また、上述の本発明の実施例
では、架橋性無機物または有機物単体のときの結果につ
いて述べたが、架橋性無機物または有機物単体に限定さ
れるものではなく、レ−ザ光に対する吸収感度を高める
ために、レ−ザ光に対する吸収帯をもつ例えば４−エト
キシアゾベンゼンのような染料または例えば１−ヒドロ
キシアントラキノンのような顔料、あるいはレ−ザ光に
より分解または発熱する材料を架橋性無機物または有機
物に加えても、同様の結果が得られることは言うまでも
ない。
材質をニッケルとしたときの結果について述べたが、基
板の材質はニッケルに限定されるものではなく、ニッケ
ル以外の金属、ガラス、セラミックスあるいは例えばポ
リイミドのような耐熱性樹脂でも、同様の結果が得られ
ることは言うまでもない。また、上述の本発明の実施例
では、架橋性無機物または有機物単体のときの結果につ
いて述べたが、架橋性無機物または有機物単体に限定さ
れるものではなく、レ−ザ光に対する吸収感度を高める
ために、レ−ザ光に対する吸収帯をもつ例えば４−エト
キシアゾベンゼンのような染料または例えば１−ヒドロ
キシアントラキノンのような顔料、あるいはレ−ザ光に
より分解または発熱する材料を架橋性無機物または有機
物に加えても、同様の結果が得られることは言うまでも
ない。
【００２６】さらに、上述の本発明の実施例では、基板
上に架橋性無機物または有機物層を形成したときの結果
について述べたが、基板と架橋性無機物または有機物層
との密着力を高めるために、例えばヘキサメチルジシラ
ザンのようなシランカップリング材あるいはチタネ−ト
系カップリング材などの接着層を、基板と架橋性無機物
または有機物層との間に介在させても良いし、射出成型
時のスタンパと被成型材との離型性を高めるために、例
えばフロロカ−ボン系あるいはシリコン系離型材を、架
橋性無機物または有機物に添加したり、架橋性無機物ま
たは有機物物質層の表面に塗布しても良い。一方、上述
の本発明の実施例では、架橋反応を起こす手段としてレ
−ザ光を用いた結果について述べたが、レ−ザ光に限定
されるものではなく、架橋反応は加熱反応であることよ
り、電子線あるいはＸ線を用いても、同様の結果が得ら
れることは言うまでもない。
上に架橋性無機物または有機物層を形成したときの結果
について述べたが、基板と架橋性無機物または有機物層
との密着力を高めるために、例えばヘキサメチルジシラ
ザンのようなシランカップリング材あるいはチタネ−ト
系カップリング材などの接着層を、基板と架橋性無機物
または有機物層との間に介在させても良いし、射出成型
時のスタンパと被成型材との離型性を高めるために、例
えばフロロカ−ボン系あるいはシリコン系離型材を、架
橋性無機物または有機物に添加したり、架橋性無機物ま
たは有機物物質層の表面に塗布しても良い。一方、上述
の本発明の実施例では、架橋反応を起こす手段としてレ
−ザ光を用いた結果について述べたが、レ−ザ光に限定
されるものではなく、架橋反応は加熱反応であることよ
り、電子線あるいはＸ線を用いても、同様の結果が得ら
れることは言うまでもない。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、特
に、光ディスク用スタンパにおけるピット部を、分子構
造中に水酸基を有する架橋性無機物もしくは分子構造中
に水酸基を有する架橋性有機物層の脱水結合による架橋
部とし、また、前記したピット部を形成するための光デ
ィスク用ブランク原盤の薄膜層を、分子構造中に水酸基
を有する架橋性無機物もしくは分子構造中に水酸基を有
する架橋性有機物層としたことによって、例えばレーザ
光を、前記したブランク原盤の薄膜層に直接照射加熱す
るだけで、この照射部分の薄膜層を脱水結合による架橋
部として、この架橋部をピット部としたスタンパを得る
ことができるのである。換言すれば、例えばレーザ光に
よるブランク原盤の露光工程だけで、前記したピット部
の露光及び硬化を共に行うことができるという顕著な効
果を奏する。
に、光ディスク用スタンパにおけるピット部を、分子構
造中に水酸基を有する架橋性無機物もしくは分子構造中
に水酸基を有する架橋性有機物層の脱水結合による架橋
部とし、また、前記したピット部を形成するための光デ
ィスク用ブランク原盤の薄膜層を、分子構造中に水酸基
を有する架橋性無機物もしくは分子構造中に水酸基を有
する架橋性有機物層としたことによって、例えばレーザ
光を、前記したブランク原盤の薄膜層に直接照射加熱す
るだけで、この照射部分の薄膜層を脱水結合による架橋
部として、この架橋部をピット部としたスタンパを得る
ことができるのである。換言すれば、例えばレーザ光に
よるブランク原盤の露光工程だけで、前記したピット部
の露光及び硬化を共に行うことができるという顕著な効
果を奏する。
【図１】本発明の光ディスク用ブランク及びスタンパの
製造方法の一実施例を説明するための製造工程図であ
る。
製造方法の一実施例を説明するための製造工程図であ
る。
【図２】従来の光ディスクの製造工程の第一の例を説明
するための概略流れ図である。
するための概略流れ図である。
【図３】従来の光ディスク用ブランク及びスタンパの製
造方法の第二の例を説明するための製造工程図である。
造方法の第二の例を説明するための製造工程図である。
１ ニッケル基板 ２ 架橋性無機物または有機物層 ４ 架橋性無機物または有機物層の架橋部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/26
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、信号パターンに対応した形状を有
し、前記基板上に形成されたピット部とから構成される
光ディスク用スタンパにおいて、 前記ピット部を、分子構造中に水酸基を有する架橋性無
機物もしくは分子構造中に水酸基を有する架橋性有機物
層の脱水結合による架橋部としたこと特徴とする光ディ
スク用スタンパ。 - 【請求項２】基板と、信号パターンに対応した形状を有
し、前記基板上に形成されたピット部とから構成される
光ディスク用スタンパの製造方法において、 分子構造中に水酸基を有する架橋性無機物もしくは分子
構造中に水酸基を有する架橋性有機物層を前記基板上に
形成した光ディスク用ブランク原盤に、信号パターンに
より変調された放射光もしくは電子線を前記層に照射す
ることにより、信号パターンに対応した形状の脱水結合
による架橋部を前記層の所定部に形成し、 その後、この層の未架橋部を除去することにより、前記
脱水結合による架橋部を前記ピット部としたことを特徴
とする光ディスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項３】基板と、信号パターンに対応した形状を有
するピット部を形成すべく、前記基板上に形成された薄
膜層とから構成される光ディスク用ブランク原盤におい
て、 前記薄膜層を、分子構造中に水酸基を有する架橋性無機
物もしくは分子構造中に水酸基を有する架橋性有機物層
としたことを特徴とする光ディスク用ブランク原盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353955A JP2765421B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 光ディスク用スタンパ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353955A JP2765421B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 光ディスク用スタンパ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180867A JPH06180867A (ja) | 1994-06-28 |
| JP2765421B2 true JP2765421B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=18434343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4353955A Expired - Fee Related JP2765421B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 光ディスク用スタンパ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765421B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927016B2 (en) | 2001-10-23 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Blank disc and direct stamper and its manufacturing method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251451A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 光ディスク基板の製造法 |
| JP2735569B2 (ja) * | 1988-06-29 | 1998-04-02 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 光ディスク原盤の製造方法 |
| JPH0758566B2 (ja) * | 1988-07-18 | 1995-06-21 | 日本電気株式会社 | 光ディスク基板および媒体の製造方法 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP4353955A patent/JP2765421B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927016B2 (en) | 2001-10-23 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Blank disc and direct stamper and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06180867A (ja) | 1994-06-28 |
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