JPS6333210B2 - - Google Patents
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- JPS6333210B2 JPS6333210B2 JP53085891A JP8589178A JPS6333210B2 JP S6333210 B2 JPS6333210 B2 JP S6333210B2 JP 53085891 A JP53085891 A JP 53085891A JP 8589178 A JP8589178 A JP 8589178A JP S6333210 B2 JPS6333210 B2 JP S6333210B2
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザー光などの加工用ビームによ
つて所定の基板上に設けた記録用薄膜に、たとえ
ば映像、音声信号又は電子計算機のデータなどの
情報を記録することのできる記録部材及びその製
造方法に関する。
つて所定の基板上に設けた記録用薄膜に、たとえ
ば映像、音声信号又は電子計算機のデータなどの
情報を記録することのできる記録部材及びその製
造方法に関する。
従来、このような記録部材として、ガラス基板
上に記録用薄膜を設けたものが知られている。こ
の記録用薄膜への情報の記録は、レーザー光など
の加工用ビームによつて記録用薄膜に穴又は凹部
を形成させるか、あるいは露光部の性質を変化さ
せてアルカリ溶液などに可溶とし、エツチングに
より露光部を除去するなどの方法により行なわれ
ていた。
上に記録用薄膜を設けたものが知られている。こ
の記録用薄膜への情報の記録は、レーザー光など
の加工用ビームによつて記録用薄膜に穴又は凹部
を形成させるか、あるいは露光部の性質を変化さ
せてアルカリ溶液などに可溶とし、エツチングに
より露光部を除去するなどの方法により行なわれ
ていた。
このような記録部材については、たとえば特願
昭50−141309号明細書（特開昭52−64905号公報）
などにより詳しく記載されている。
昭50−141309号明細書（特開昭52−64905号公報）
などにより詳しく記載されている。
しかしながら、かかるガラス基板を用いた記録
部材は、保管中あるいは情報の記録又は読出の際
破損しやすい欠点がある。そのため、基板として
プラスチツク材料を用いることも行なわれてい
る。しかし、ガラス基板は、表面を鏡面仕上げに
より平滑化することが容易であるが、プラスチツ
ク基板は、鏡面仕上げをすることができないの
で、その表面は、微細な凹凸があり、そのため記
録用薄膜の表面にも微細な凹凸が生じ、再生信号
のＳ／Ｎを低下させる原因となる。
部材は、保管中あるいは情報の記録又は読出の際
破損しやすい欠点がある。そのため、基板として
プラスチツク材料を用いることも行なわれてい
る。しかし、ガラス基板は、表面を鏡面仕上げに
より平滑化することが容易であるが、プラスチツ
ク基板は、鏡面仕上げをすることができないの
で、その表面は、微細な凹凸があり、そのため記
録用薄膜の表面にも微細な凹凸が生じ、再生信号
のＳ／Ｎを低下させる原因となる。
本発明の目的は光デイスク基板の品質向上を図
るため、プラスチツク基板の表面粗さが再生信号
のＳ／Ｎを左右しないように、プラスチツク基板
に表面処理した記録部材及びその製造方法を提供
するものである。
るため、プラスチツク基板の表面粗さが再生信号
のＳ／Ｎを左右しないように、プラスチツク基板
に表面処理した記録部材及びその製造方法を提供
するものである。
本発明の記録部材は、第１図に示すようにプラ
スチツク基板１上に高分子層２を形成させ、この
上に記録用薄膜３を形成させたものである。その
ためプラスチツク基板１の表面に凹凸があつた場
合でも第２図に示すように高分子層２の介在によ
り記録用薄膜３の表面は、平滑な表面とすること
ができる。情報の記録は、通常の方法により行な
い、たとえば第３図に示したような情報の記録さ
れた記録部材を得ることができる。
スチツク基板１上に高分子層２を形成させ、この
上に記録用薄膜３を形成させたものである。その
ためプラスチツク基板１の表面に凹凸があつた場
合でも第２図に示すように高分子層２の介在によ
り記録用薄膜３の表面は、平滑な表面とすること
ができる。情報の記録は、通常の方法により行な
い、たとえば第３図に示したような情報の記録さ
れた記録部材を得ることができる。
高分子層２は、非感光性ポリマーよりなる。感
光性ポリマーを用いると、製作当時はＳ／Ｎが向
上するが、自然光や環境照明により、高分子が感
光し、架橋反応を生じ、収縮や膨潤を起こすため
前記Ｓ／Ｎの向上の効果を確保できなくなる。ま
た、本発明では基板としてプラスチツクを用いる
ため、高分子層２を形成する時にプラスチツク基
板を変形させないようにする必要があるので、非
感光性ポリマーのうち熱可塑性ポリマーを用い
る。
光性ポリマーを用いると、製作当時はＳ／Ｎが向
上するが、自然光や環境照明により、高分子が感
光し、架橋反応を生じ、収縮や膨潤を起こすため
前記Ｓ／Ｎの向上の効果を確保できなくなる。ま
た、本発明では基板としてプラスチツクを用いる
ため、高分子層２を形成する時にプラスチツク基
板を変形させないようにする必要があるので、非
感光性ポリマーのうち熱可塑性ポリマーを用い
る。
好ましいポリマーは、ゴム系ポリマー、ビニル
系ポリマー、炭酸エステル系ポリマーからなる群
から選ばれた少なくとも一種のポリマーであり、
これらのポリマーは非感光性であると共に熱可塑
性である。
系ポリマー、炭酸エステル系ポリマーからなる群
から選ばれた少なくとも一種のポリマーであり、
これらのポリマーは非感光性であると共に熱可塑
性である。
上記ゴム系ポリマーとしては、環化ゴム系ポリ
マーがとくに好ましい。このようなポリマーは、
たとえば環化天然ゴム、環化ポリイソプレンなど
がある。
マーがとくに好ましい。このようなポリマーは、
たとえば環化天然ゴム、環化ポリイソプレンなど
がある。
上記ビニル系ポリマーとしては、たとえばポリ
ビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリビニル
ブチラールなどがある。
ビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリビニル
ブチラールなどがある。
上記炭酸エステル系ポリマーとしては、たとえ
ばビスフエノールＡのポリカーボネートなどがあ
る。
ばビスフエノールＡのポリカーボネートなどがあ
る。
上記したポリマーは、その構成モノマーと他の
モノマーとからの共重合体も含む広義の意味のポ
リマーである。
モノマーとからの共重合体も含む広義の意味のポ
リマーである。
上記のポリマーのうち、ゴム系ポリマーは、プ
ラスチツク基板と記録用薄膜との熱膨張係数が異
なるとき、緩衝作用をなすのでとくに好ましいポ
リマーである。
ラスチツク基板と記録用薄膜との熱膨張係数が異
なるとき、緩衝作用をなすのでとくに好ましいポ
リマーである。
高分子層２の厚みは、好ましくは0.1〜1μｍも
つとも好ましくは0.2〜1μｍである。
つとも好ましくは0.2〜1μｍである。
その理由は、高分子層の厚みが0.01μｍ以上あ
れば基板の凹部などは十分埋めることができ、効
果が認められる。しかし一般に市販のプラスチツ
ク板は、傷を除けば、0.1μｍ程度の表面凹凸を持
つているから、高分子層の厚みは、0.1μｍ以上が
より好ましく、さらにある程度の余裕をもつて
0.2μｍ以上とするのがもつとも好ましい。
れば基板の凹部などは十分埋めることができ、効
果が認められる。しかし一般に市販のプラスチツ
ク板は、傷を除けば、0.1μｍ程度の表面凹凸を持
つているから、高分子層の厚みは、0.1μｍ以上が
より好ましく、さらにある程度の余裕をもつて
0.2μｍ以上とするのがもつとも好ましい。
また厚みの上限としては、高分子層の厚みを均
一に保つなどの理由から10μｍ以下が好ましく、
1μｍ以下がより好ましい。
一に保つなどの理由から10μｍ以下が好ましく、
1μｍ以下がより好ましい。
プラスチツク基板は、いかなる材質のものであ
つてもよいが、軟化点が40℃以上のものが好まし
い。とくにメタアクリル系の樹脂塩化ビニル、ポ
リスチレンなどよりなるものが好ましい。
つてもよいが、軟化点が40℃以上のものが好まし
い。とくにメタアクリル系の樹脂塩化ビニル、ポ
リスチレンなどよりなるものが好ましい。
記録用薄膜には、金属、半金属、これらの合金
又はカルコゲン化物並びにこれらの多層膜が使用
される。たとえばBi、Bi−Se、As−Te系非晶
質、As−Se系非晶質、Sn−Se系非晶質、In−Se
系非晶質、As−Te−Ｓ系非晶質あるいはSe−
Te−As系非晶質などが用いられる。これらの記
録膜には、レーザビームが照射された部品の温度
が上昇して(1)記録膜に穴ができる形状変化と(2)そ
の部分の屈折率が変化する性質変化の両方が起こ
る。記録膜の加工にはレーザビームのエネルギー
を記録膜で熱に変換して行う。すなわち、記録用
薄膜が形状変化を起こすメカニズムは次の通りで
ある。先ずレーザビームのエネルギーにより、そ
の部分の温度が上昇する。
又はカルコゲン化物並びにこれらの多層膜が使用
される。たとえばBi、Bi−Se、As−Te系非晶
質、As−Se系非晶質、Sn−Se系非晶質、In−Se
系非晶質、As−Te−Ｓ系非晶質あるいはSe−
Te−As系非晶質などが用いられる。これらの記
録膜には、レーザビームが照射された部品の温度
が上昇して(1)記録膜に穴ができる形状変化と(2)そ
の部分の屈折率が変化する性質変化の両方が起こ
る。記録膜の加工にはレーザビームのエネルギー
を記録膜で熱に変換して行う。すなわち、記録用
薄膜が形状変化を起こすメカニズムは次の通りで
ある。先ずレーザビームのエネルギーにより、そ
の部分の温度が上昇する。
次に、記録膜の下にある非感光性ポリマーも温
度が上昇する。そして、温度が上昇して形状変化
するまでにその温度が維持されれば形状変化す
る。ところが、レーザビームの照射時間は、1μs
以下と非常に短いために、非感光性ポリマーの表
面は形状変化を起こさないことになる。これは、
例えば塩ビの板にガスバーナの火を瞬間的に放射
しても変形はしないことと同じである。すなわ
ち、光デイスクでは照射時間を1μs以下とするこ
とが一般的であり、このため、記録膜へのレーザ
ビームの高出力照射は瞬間時であり、相反則不軌
的効果があるため記録時の熱はほとんど非感光性
ポリマーの表面を形状変化させるという問題がな
い。
度が上昇する。そして、温度が上昇して形状変化
するまでにその温度が維持されれば形状変化す
る。ところが、レーザビームの照射時間は、1μs
以下と非常に短いために、非感光性ポリマーの表
面は形状変化を起こさないことになる。これは、
例えば塩ビの板にガスバーナの火を瞬間的に放射
しても変形はしないことと同じである。すなわ
ち、光デイスクでは照射時間を1μs以下とするこ
とが一般的であり、このため、記録膜へのレーザ
ビームの高出力照射は瞬間時であり、相反則不軌
的効果があるため記録時の熱はほとんど非感光性
ポリマーの表面を形状変化させるという問題がな
い。
本発明の記録部材は、一例としてプラスチツク
基板に、ポリマーを溶媒にとかしてスピンコーテ
イングなどの方法で塗布し、乾燥し、プラスチツ
ク基板に熱変形を与えない程度の温度でプリベー
キングを行なつた後、この上に記録用薄膜を公知
の方法、たとえば蒸着により形成して製造する。
基板に、ポリマーを溶媒にとかしてスピンコーテ
イングなどの方法で塗布し、乾燥し、プラスチツ
ク基板に熱変形を与えない程度の温度でプリベー
キングを行なつた後、この上に記録用薄膜を公知
の方法、たとえば蒸着により形成して製造する。
以下に実施例を示す。
市販のメタアクリル樹脂板１上に環化ポリイソ
プレンを溶媒にとかして塗布し、乾燥して0.5μｍ
の高分子層２とした。さらに、40℃、30分のプリ
ベーキングを行なつた後、記録用薄膜として
As20Se80を蒸着した。この記録媒体にレーザビー
ムで記録し、再生信号を得た所、Ｓ／Ｎは、従来
32dBであつたのが40dBを得ることができた。
プレンを溶媒にとかして塗布し、乾燥して0.5μｍ
の高分子層２とした。さらに、40℃、30分のプリ
ベーキングを行なつた後、記録用薄膜として
As20Se80を蒸着した。この記録媒体にレーザビー
ムで記録し、再生信号を得た所、Ｓ／Ｎは、従来
32dBであつたのが40dBを得ることができた。
再生信号を得る方法には、レーザー光などの読
出し用ビームを記録用薄膜側から入射する方法
と、逆に基板側から入射する方法と２通りある
が、いずれの場合でもＳ／Ｎは向上した。
出し用ビームを記録用薄膜側から入射する方法
と、逆に基板側から入射する方法と２通りある
が、いずれの場合でもＳ／Ｎは向上した。
なお、環化ポリイソプレンの代りに、ポリビニ
ルアルコール、ビスフエノールＡのポリカーボネ
ート、を用いた場合もＳ／Ｎは、40dBであつた。
ルアルコール、ビスフエノールＡのポリカーボネ
ート、を用いた場合もＳ／Ｎは、40dBであつた。
以上の如く本発明によれば、0.1〜1μｍの厚さ
の高分子層によりプラスチツク基板上の微細な凹
凸を平滑化でき、再生信号のＳ／Ｎ比劣化を防ぐ
ことができる。しかも、本発明では、高分子層と
して、ゴム系ポリマー、ビニル系ポリマー又は、
炭酸エステル系ポリマーの非感光性ポリマーを用
いるので、自然光や装置のレーザ光で高分子層が
変形することがないうえ、プラスチツク基板の熱
変形温度以下で高分子層を形成できるので、プラ
スチツク基板を変形させることなく、高分子層を
短時間で形成できる。このように本発明は、プラ
スチツク基板を用いた際に大きな効果を有する。
の高分子層によりプラスチツク基板上の微細な凹
凸を平滑化でき、再生信号のＳ／Ｎ比劣化を防ぐ
ことができる。しかも、本発明では、高分子層と
して、ゴム系ポリマー、ビニル系ポリマー又は、
炭酸エステル系ポリマーの非感光性ポリマーを用
いるので、自然光や装置のレーザ光で高分子層が
変形することがないうえ、プラスチツク基板の熱
変形温度以下で高分子層を形成できるので、プラ
スチツク基板を変形させることなく、高分子層を
短時間で形成できる。このように本発明は、プラ
スチツク基板を用いた際に大きな効果を有する。
すなわち、本発明によれば、Ｓ／Ｎが向上し、
自然光に対しても変化しないため高寿命であり、
基板の変形が最小とできるので光デイスク基板の
品質向上を図ることができる。
自然光に対しても変化しないため高寿命であり、
基板の変形が最小とできるので光デイスク基板の
品質向上を図ることができる。
第１図、第２図、第３図は、本発明の説明図で
ある。
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加工用ビームの照射を受けて形状又は性質の
変化する記録用薄膜をプラスチツク基板上に設け
た記録部材において、上記記録用薄膜と上記プラ
スチツク基板との間に、ゴム系ポリマー、ビニル
系ポリマー及び炭酸エステル系ポリマーからなる
群から選ばれた少なくとも一種の非感光性ポリマ
ーよりなる高分子層を0.1〜1μｍの範囲の厚さで
設けたことを特徴とする記録部材。 ２ 上記非感光性ポリマーが、環化天然ゴム、環
化ポリイソプレン、ポリビニルアルコール、ポリ
塩化ビニル、ポリビニルブチラール及びビスフエ
ノールＡのポリカーボネートからなる群から選ば
れた少なくとも一種のポリマーである特許請求の
範囲第１項記載の記録部材。 ３ 上記高分子層が0.2〜1μｍの厚みである特許
請求の範囲第１項記載の記録部材。 ４ プラスチツク基板上に、ゴム系ポリマー、ビ
ニル系ポリマー及び炭酸エステル系ポリマーから
なる群から選ばれた少なくとも一種の非感光性ポ
リマーの溶液を乾燥時において0.1〜1μｍの厚み
となるように設けて平滑な表面の高分子層を形成
する工程と、上記高分子層の上に加工用ビームの
照射を受けて形状又は性質の変化する記録用薄膜
を形成する工程とよりなることを特徴とする記録
部材の製造方法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
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| GB7923263A GB2026346B (en) | 1978-07-14 | 1979-07-04 | Recording material and proces for the preparation thereof |
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| JP8589178A JPS5514504A (en) | 1978-07-14 | 1978-07-14 | Recording component |
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