JP2550357B2 - 情報の記録用媒体 - Google Patents
情報の記録用媒体Info
- Publication number
- JP2550357B2 JP2550357B2 JP62181116A JP18111687A JP2550357B2 JP 2550357 B2 JP2550357 B2 JP 2550357B2 JP 62181116 A JP62181116 A JP 62181116A JP 18111687 A JP18111687 A JP 18111687A JP 2550357 B2 JP2550357 B2 JP 2550357B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- information
- substrate
- erasing
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアナログ信号やデイジタル信号を記録するこ
とが可能な情報の記録用薄膜を有する記録媒体に係り、
特に、ノイズおよび情報書き換え時の消え残りを低減し
た光デイスクに用いて好適な記録媒体に関する。
とが可能な情報の記録用薄膜を有する記録媒体に係り、
特に、ノイズおよび情報書き換え時の消え残りを低減し
た光デイスクに用いて好適な記録媒体に関する。
従来、結晶−非晶質間相変化型等、原子配列の変化に
より光学定数が変化することを利用する１回書き込みま
たは書き換え可能な光デイスクに用いる基板としては、
特願昭59−208261、同61−149503に開示されているよう
に、デイスク状の化学強化硝子板の表面にトラツキング
用の案内溝を有する紫外線硬化樹脂層を形成したレプリ
カ基板を用いていた。
より光学定数が変化することを利用する１回書き込みま
たは書き換え可能な光デイスクに用いる基板としては、
特願昭59−208261、同61−149503に開示されているよう
に、デイスク状の化学強化硝子板の表面にトラツキング
用の案内溝を有する紫外線硬化樹脂層を形成したレプリ
カ基板を用いていた。
しかしながら、レーザ光等のエネルギービームの照射
により相変化等の原子配列変化を起こさせて情報の記録
・消去を行う場合、記録膜の温度は原子配列変化を起こ
す温度（通常約600℃）以上となるため、無機保護層等
の熱拡散層を設けてもレプリカ基板表面では200℃以上
の高温となる。また、通常用いられている紫外線硬化樹
脂は、ガラス転移点が200℃以下であるため、従来使用
されているレプリカ基板を用いると、記録・消去時に紫
外線硬化樹脂層が変形するため、ノイズが増大し、情報
書き換え時の消え残りが大きい。
により相変化等の原子配列変化を起こさせて情報の記録
・消去を行う場合、記録膜の温度は原子配列変化を起こ
す温度（通常約600℃）以上となるため、無機保護層等
の熱拡散層を設けてもレプリカ基板表面では200℃以上
の高温となる。また、通常用いられている紫外線硬化樹
脂は、ガラス転移点が200℃以下であるため、従来使用
されているレプリカ基板を用いると、記録・消去時に紫
外線硬化樹脂層が変形するため、ノイズが増大し、情報
書き換え時の消え残りが大きい。
この発明は上述の問題点を解決するためになされたも
ので、記録・消去時のノイズが小さく、情報書き換え時
の消え残りが小さい情報の記録用媒体を提供することを
目的とする。
ので、記録・消去時のノイズが小さく、情報書き換え時
の消え残りが小さい情報の記録用媒体を提供することを
目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては、エネ
ルギービームの照射による原子配列の変化を利用する情
報の記録用媒体に用いる基板としては、トラツキング用
のガイドが直接形成してあり、昇温速度毎分５℃でのガ
ラス転移点（Tg）が350℃以上の高耐熱材料を用いる。
上記基板上に熱拡散層を介して記録膜を形成し、記録膜
の上に保護層を設ける。
ルギービームの照射による原子配列の変化を利用する情
報の記録用媒体に用いる基板としては、トラツキング用
のガイドが直接形成してあり、昇温速度毎分５℃でのガ
ラス転移点（Tg）が350℃以上の高耐熱材料を用いる。
上記基板上に熱拡散層を介して記録膜を形成し、記録膜
の上に保護層を設ける。
上記高耐熱材料としては、硝子を用いてもよいし、高
耐熱樹脂あるいはガラスファイバー等の無機骨材を充填
した高耐熱複合樹脂を用いてもよい。
耐熱樹脂あるいはガラスファイバー等の無機骨材を充填
した高耐熱複合樹脂を用いてもよい。
本発明の情報の記録媒体においてはエネルギービーム
の照射による情報の記録・消去の際に、基板が変形する
ことがない。従つて、情報の記録・消去の際にノイズの
増大がなく、情報書き換え時の消え残りも非常に小さ
い。
の照射による情報の記録・消去の際に、基板が変形する
ことがない。従つて、情報の記録・消去の際にノイズの
増大がなく、情報書き換え時の消え残りも非常に小さ
い。
以下、本発明を実施例により、詳細に説明する。
［実施例１］ 第１図はこの発明に係る情報の記録用媒体の一部を示
す断面図、第２図は従来から用いられている情報の記録
用媒体の一部を示す断面図である。第１図において、１
は直径130mm,厚さ1.1mmのデイスク状化学強化硝子の表
面に直接トラツキング用の案内溝を形成した基板であ
る。上記基板は以下の方法で作製する。すなわち、デイ
スク状化学強化硝子上にフオトレジスト（AZ−1350）を
100nmの厚さに塗布し、案内溝のパターンをAr+レーザに
より露光した後、現像により露光部分のフオトレジスト
を除去し、これをマスクとして、ドライエツチングで10
0nmの深さの溝を形成した。残留フオトレジストをアツ
シングにより除去し、基板１を得た。２は基板１の上に
形成された膜厚180nmの記録膜で、Ge,Te、およびSeをそ
れぞれ独立に蒸発させて蒸着したものである。３は記録
膜２上にマクネトロンスパツタリング法により形成され
たSiO2からなる保護層で、保護層３の厚さは200nmであ
る。
す断面図、第２図は従来から用いられている情報の記録
用媒体の一部を示す断面図である。第１図において、１
は直径130mm,厚さ1.1mmのデイスク状化学強化硝子の表
面に直接トラツキング用の案内溝を形成した基板であ
る。上記基板は以下の方法で作製する。すなわち、デイ
スク状化学強化硝子上にフオトレジスト（AZ−1350）を
100nmの厚さに塗布し、案内溝のパターンをAr+レーザに
より露光した後、現像により露光部分のフオトレジスト
を除去し、これをマスクとして、ドライエツチングで10
0nmの深さの溝を形成した。残留フオトレジストをアツ
シングにより除去し、基板１を得た。２は基板１の上に
形成された膜厚180nmの記録膜で、Ge,Te、およびSeをそ
れぞれ独立に蒸発させて蒸着したものである。３は記録
膜２上にマクネトロンスパツタリング法により形成され
たSiO2からなる保護層で、保護層３の厚さは200nmであ
る。
第２図において、４は直径130mm、厚さ1.1mmのデイス
ク状化学強化硝子の表面に紫外線硬化樹脂（ガラス転移
点130℃）によつてトラツキング用の溝を有するレプリ
カを形成した基板、５は基板４上に形成されたSiO2から
なる保護層で、保護層５の厚さは200nmである。６は保
護層５の上に形成された記録膜で、Ge,TeおよびSeをそ
れぞれ独立に蒸発させて蒸着したものである。７は記録
膜６上に形成されたSiO2からなる保護層で、保護膜７の
厚さは200nmである。
ク状化学強化硝子の表面に紫外線硬化樹脂（ガラス転移
点130℃）によつてトラツキング用の溝を有するレプリ
カを形成した基板、５は基板４上に形成されたSiO2から
なる保護層で、保護層５の厚さは200nmである。６は保
護層５の上に形成された記録膜で、Ge,TeおよびSeをそ
れぞれ独立に蒸発させて蒸着したものである。７は記録
膜６上に形成されたSiO2からなる保護層で、保護膜７の
厚さは200nmである。
上記のようにして作製した本発明に係る情報の記録用
媒体（デイスクＡ）と従来から用いられている情報の記
録用媒体（デイスクＢ）について、1200rpmで回転さ
せ、半導体レーザ（波長830nm）を用いて記録・再生・
消去を行つた。記録光には、周波数1MHz、デユーテイ50
％、強度14mW（膜面上）の矩形パルス光を、消去光には
強度7mW（膜面上）の連続光を、再生光には強度1.5mW
（膜面上）の連続光をそれぞれ用いた。
媒体（デイスクＡ）と従来から用いられている情報の記
録用媒体（デイスクＢ）について、1200rpmで回転さ
せ、半導体レーザ（波長830nm）を用いて記録・再生・
消去を行つた。記録光には、周波数1MHz、デユーテイ50
％、強度14mW（膜面上）の矩形パルス光を、消去光には
強度7mW（膜面上）の連続光を、再生光には強度1.5mW
（膜面上）の連続光をそれぞれ用いた。
記録，消去をくり返し行つた時の記録光照射後の再生
信号の搬送波対雑音化（C/N）を第３図に、消去光照射
後の消え残り分のC/Nを第４図に、それぞれ示す。第３
図および第４図に示されるようにデイスクＡでは10000
回以上記録・消去をくり返した後でも、C/Nはほとんど
低下せず、消え残り分のC/Nも15dBと大変小さい。これ
に対し、デイスクＢでは記録・消去後C/Nおよび消え残
りがデイスクＡに比べて共に悪く、かつ、記録・消去を
くり返す毎に劣化する。
信号の搬送波対雑音化（C/N）を第３図に、消去光照射
後の消え残り分のC/Nを第４図に、それぞれ示す。第３
図および第４図に示されるようにデイスクＡでは10000
回以上記録・消去をくり返した後でも、C/Nはほとんど
低下せず、消え残り分のC/Nも15dBと大変小さい。これ
に対し、デイスクＢでは記録・消去後C/Nおよび消え残
りがデイスクＡに比べて共に悪く、かつ、記録・消去を
くり返す毎に劣化する。
デイスクＡとして、基板１と記録膜２の間に、SiO2等
の無機保護層を200nm形成したものを用いるとさらに耐
熱性が向上し、105回以上記録・消去をくり返した後で
もノイズレベルはほとんど増加せず、消え残りのC/Nも1
5dBと大変小さい。
の無機保護層を200nm形成したものを用いるとさらに耐
熱性が向上し、105回以上記録・消去をくり返した後で
もノイズレベルはほとんど増加せず、消え残りのC/Nも1
5dBと大変小さい。
［実施例２］ 第５図はこの発明に係る情報の記録用媒体の一部を示
す断面図である。第５図において、８は直径130mm、厚
さ1.1mm、表面に直接トラツキング用の案内溝またはプ
リピツトをインジエクシヨン法またはキヤステイング法
によつて形成した樹脂基板である。この樹脂基板の材質
としては、昇温速度毎分５℃でのガラス転移点（Tg）が
150℃のポリカーボネート、Tgが189℃のポリ２メタルア
ミノカルボニルスチレン、Tgが202℃のポリトリフルオ
ルスチレン、Tgが228℃のポリメタクリリツクアシツ
ド、Tgが261℃のポリオキシテレフタロイロキシ−1,4−
フエニレンヘキサフルオロイソプロピリデン−1,4−フ
エニレン、Tgが298℃のポリオキシ−1,4−フエニレンカ
ルボニルイミノ−1,4−フエニレンスルホニル−1,4−フ
エニレンイミノカルボニル−1,4−フエニレン、Tgが320
℃のポリ４−（４−ビフエニリル）スチレン、Tgが340
℃のポリ2,5−ジクロル−1,4−フエニレンエチレン、Tg
が365℃のポリ3,7−ジフエニレンピラジノ（2,3−ｇ）
キノザリン−2,8−デイル−1,3−フエニレン、Tgが380
℃のポリオキシカルボンロキシ−1,4−フエニレンフル
オレン−９−イリデン−1,4−フエニレン、Tgが400℃の
ポリマグネシウムアクリレート、Tgが430℃のポリ2,5−
ベンジミダゾレジル−5,2−ベンズイミダゾレジル−1,3
−フエニレン、Tgが490℃のポリマグネシウムメタクリ
レートを用いた。９は基板８の上に形成された、SiO2か
らなる保護層で、保護層９の厚さは200nmである。10は
保護層９の上に形成された薄膜の記録膜で、記録膜10は
Ge,TeおよびSeをそれぞれ独立に蒸発させて蒸着したも
のである。11は記録膜10上に形成されたSiO2からなる保
護層で、保護層11の厚さは200nmである。
す断面図である。第５図において、８は直径130mm、厚
さ1.1mm、表面に直接トラツキング用の案内溝またはプ
リピツトをインジエクシヨン法またはキヤステイング法
によつて形成した樹脂基板である。この樹脂基板の材質
としては、昇温速度毎分５℃でのガラス転移点（Tg）が
150℃のポリカーボネート、Tgが189℃のポリ２メタルア
ミノカルボニルスチレン、Tgが202℃のポリトリフルオ
ルスチレン、Tgが228℃のポリメタクリリツクアシツ
ド、Tgが261℃のポリオキシテレフタロイロキシ−1,4−
フエニレンヘキサフルオロイソプロピリデン−1,4−フ
エニレン、Tgが298℃のポリオキシ−1,4−フエニレンカ
ルボニルイミノ−1,4−フエニレンスルホニル−1,4−フ
エニレンイミノカルボニル−1,4−フエニレン、Tgが320
℃のポリ４−（４−ビフエニリル）スチレン、Tgが340
℃のポリ2,5−ジクロル−1,4−フエニレンエチレン、Tg
が365℃のポリ3,7−ジフエニレンピラジノ（2,3−ｇ）
キノザリン−2,8−デイル−1,3−フエニレン、Tgが380
℃のポリオキシカルボンロキシ−1,4−フエニレンフル
オレン−９−イリデン−1,4−フエニレン、Tgが400℃の
ポリマグネシウムアクリレート、Tgが430℃のポリ2,5−
ベンジミダゾレジル−5,2−ベンズイミダゾレジル−1,3
−フエニレン、Tgが490℃のポリマグネシウムメタクリ
レートを用いた。９は基板８の上に形成された、SiO2か
らなる保護層で、保護層９の厚さは200nmである。10は
保護層９の上に形成された薄膜の記録膜で、記録膜10は
Ge,TeおよびSeをそれぞれ独立に蒸発させて蒸着したも
のである。11は記録膜10上に形成されたSiO2からなる保
護層で、保護層11の厚さは200nmである。
上記のようにして作製した本発明に係る情報の記録媒
体について、1200rpmで回転させ、半導体レーザ（波長8
30nm）を用いて記録・再生・消去を行つた。記録，消去
の際の条件は実施例１と同じである。記録，消去を103
回くり返し行つた時の記録光照射後の再生信号の搬送波
対雑音化（C/N）を第６図に示す。
体について、1200rpmで回転させ、半導体レーザ（波長8
30nm）を用いて記録・再生・消去を行つた。記録，消去
の際の条件は実施例１と同じである。記録，消去を103
回くり返し行つた時の記録光照射後の再生信号の搬送波
対雑音化（C/N）を第６図に示す。
第６図に示されるように、樹脂基板のガラス転移点が
200℃未満のデイスクでは、記録・消去によるC/Nの劣化
が大きく、103回くり返した後ではC/Nは45dB以下とな
り、実用上問題がある。一方、ガラス転移点が200℃以
上のデイスクでは、記録・消去によるC/Nの劣化が小さ
く、103回くり返した後でもC/Nは45dB以上である。ま
た、ガラス転移点が300℃以上のデイスクではC/Nの劣化
分が3dB以下と小さく、ガラス転移点が350℃以上のデイ
スクでは1dB以下と実用上全く問題がない。
200℃未満のデイスクでは、記録・消去によるC/Nの劣化
が大きく、103回くり返した後ではC/Nは45dB以下とな
り、実用上問題がある。一方、ガラス転移点が200℃以
上のデイスクでは、記録・消去によるC/Nの劣化が小さ
く、103回くり返した後でもC/Nは45dB以上である。ま
た、ガラス転移点が300℃以上のデイスクではC/Nの劣化
分が3dB以下と小さく、ガラス転移点が350℃以上のデイ
スクでは1dB以下と実用上全く問題がない。
本実施例に用いた情報の記録媒体の構成（第５図）の
うち、保護層９を除いた構成とすると記録・消去を103
回くり返した後のC/Nは全体として5dBほど小さいが、ガ
ラス転移点に対しては同様な関係となつた。
うち、保護層９を除いた構成とすると記録・消去を103
回くり返した後のC/Nは全体として5dBほど小さいが、ガ
ラス転移点に対しては同様な関係となつた。
本実施例に用いた基板として、樹脂の代わりに、ガラ
スフアイバー等の無機骨材を充填する複合樹脂を用いて
も、光を基板側と反対の方向から入射させ、上述と全く
同様の結果が得られた。
スフアイバー等の無機骨材を充填する複合樹脂を用いて
も、光を基板側と反対の方向から入射させ、上述と全く
同様の結果が得られた。
上記の実施例においては、情報の記録用媒体として片
面に情報を記録する場合について説明したが第１図及び
第５図に示したものと２枚接着剤によつて貼り合わせれ
ば、情報の記録用媒体の両面に情報を記録することも可
能である。
面に情報を記録する場合について説明したが第１図及び
第５図に示したものと２枚接着剤によつて貼り合わせれ
ば、情報の記録用媒体の両面に情報を記録することも可
能である。
以上説明したように、本発明に係る情報の記録用媒体
においては、記録・消去時に基板が変形することがない
ので、記録・消去時のノイズが小さく、情報書き換え時
の消え残りが小さい。
においては、記録・消去時に基板が変形することがない
ので、記録・消去時のノイズが小さく、情報書き換え時
の消え残りが小さい。
第１図及び第５図は本発明に係る情報の記録用媒体の一
部を示す断面図、第２図は従来から用いられている情報
の記録用媒体の一部を示す断面図、第３図は記録光照射
後のノイズレベルおよび搬送波対雑音比の劣化を示す特
性図、第４図は消去光照射後の消え残り分の搬送波対雑
音比の劣化を示す図、第６図は記録・消去を103回行つ
た後の搬送波対雑音比と樹脂基板の熱変形温度との関係
を示す特性図である。 １……硝子に直接案内溝を形成した基板、４……従来の
レプリカ基板、８……樹脂に直接案内溝を形成した基
板、3,5,7,9,11……SiO2保護層、2,6,10……記録膜。
部を示す断面図、第２図は従来から用いられている情報
の記録用媒体の一部を示す断面図、第３図は記録光照射
後のノイズレベルおよび搬送波対雑音比の劣化を示す特
性図、第４図は消去光照射後の消え残り分の搬送波対雑
音比の劣化を示す図、第６図は記録・消去を103回行つ
た後の搬送波対雑音比と樹脂基板の熱変形温度との関係
を示す特性図である。 １……硝子に直接案内溝を形成した基板、４……従来の
レプリカ基板、８……樹脂に直接案内溝を形成した基
板、3,5,7,9,11……SiO2保護層、2,6,10……記録膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 恵三 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 安藤 圭吉 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−258351（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】エネルギービームの照射により、原子配列
の規則性が異なる２つの状態間で変化する現象を記録に
利用する情報の記録用媒体において、トラッキング用の
ガイドを直接に有する昇温速度毎分５℃でのガラス転移
点が350℃以上の高耐熱基板に熱拡散層を介して記録膜
を形成し、該記録膜の上に接して保護層を設けたことを
特徴とする情報の記録用媒体。 - 【請求項２】前記拡散層は無機物層であることを特徴と
する請求項１記載の記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181116A JP2550357B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 情報の記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181116A JP2550357B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 情報の記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6425327A JPS6425327A (en) | 1989-01-27 |
| JP2550357B2 true JP2550357B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=16095128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62181116A Expired - Lifetime JP2550357B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 情報の記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550357B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2737401B2 (ja) * | 1990-12-19 | 1998-04-08 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258351A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Hitachi Ltd | 光デイスク |
| JPS63184413U (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 |
-
1987
- 1987-07-22 JP JP62181116A patent/JP2550357B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6425327A (en) | 1989-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003532248A (ja) | 光記録媒体及びその使用 | |
| JPS61171389A (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| JP3162234B2 (ja) | 情報記録用部材および記録再生装置 | |
| JP2550357B2 (ja) | 情報の記録用媒体 | |
| JPH06187662A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0570213B2 (ja) | ||
| JP2846129B2 (ja) | 記録媒体の初期化方法 | |
| JP2765938B2 (ja) | 情報の書き換え方法 | |
| JPH08153340A (ja) | 光ディスク基板及び光ディスク | |
| JPH11259909A (ja) | 光記録媒体用基板、光記録媒体、光記録媒体用基板の製造方法、及び光記録媒体の製造方法 | |
| JP2741101B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP3099275B2 (ja) | 光情報記録媒体およびその記録方法 | |
| JPH07153126A (ja) | 光磁気記録用媒体及びその製造方法並びに光磁気記録装置 | |
| JP3549804B2 (ja) | 情報記録用部材および記録再生装置 | |
| JP2512045B2 (ja) | 光記録媒体及び光記録方法 | |
| JPH07334869A (ja) | 情報の記録用部材 | |
| JPH11328738A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH06111369A (ja) | 情報の記録用部材および記録再生方法 | |
| JP3549780B2 (ja) | 情報記録再生装置 | |
| JP3214183B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPS5982645A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPH0558048A (ja) | 情報の記録・再生方法 | |
| JPH0296941A (ja) | 光学的情報記録媒体とそれを用いる光学的情報記録方式 | |
| JPH07169101A (ja) | 高密度再生専用相変化光ディスク | |
| JPS6329341A (ja) | 情報担体デイスク |