JP2846129B2 - 記録媒体の初期化方法 - Google Patents
記録媒体の初期化方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光等の記録用ビー
ムによって、たとえば映像や音声などのアナログ信号を
ＦＭ変調したものや、たとえば電子計算機のデータや、
ファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号などのデ
ィジタル情報を、リアルタイムで記録することが可能な
情報の記録用薄膜を初期化する方法に関するものであ
る。
ムによって、たとえば映像や音声などのアナログ信号を
ＦＭ変調したものや、たとえば電子計算機のデータや、
ファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号などのデ
ィジタル情報を、リアルタイムで記録することが可能な
情報の記録用薄膜を初期化する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】結晶−非晶質間の相変化を利用して情報
の記録を行う相変化型光ディスクにおいて、記録するレ
ーザ照射時間とほぼ同じ程度の時間で結晶化が行える高
速消去が可能な記録膜を用いた場合には、１つのエネル
ギービームのパワーを、いずれも読み出しパワーレベル
より高い２つのレベル、すなわち高いパワーレベルと中
間のパワーレベルとの間で変化させることにより、既存
の情報を消去しながら新しい情報を記録する、いわゆる
オーバーライト（重ね書きによる書き換え）が可能であ
る。このような記録膜を真空蒸着法およびスパッタリン
グ法などで形成した直後（as depo.状態）は少なくとも
一部分が非晶質状態となっているか、または準安定な結
晶状態となっている。このようなasdepo.状態は書き換
えを繰り返した後の状態と異なり、記録を行うと記録の
繰り返し回数や記録場所による記録感度などの記録・消
去・再生特性の違いが生じてくる可能性がある。そこで
記録膜を予め一様な状態にしておく（初期化）ことによ
り、安定な記録が行える。従来は、この初期化の手段と
して、全体を加熱して結晶化させたり、特開昭62−2015
3 のように基板加熱とＡｒレーザ照射との組み合わせな
どにより全面結晶化を行う方法により行われていた。
の記録を行う相変化型光ディスクにおいて、記録するレ
ーザ照射時間とほぼ同じ程度の時間で結晶化が行える高
速消去が可能な記録膜を用いた場合には、１つのエネル
ギービームのパワーを、いずれも読み出しパワーレベル
より高い２つのレベル、すなわち高いパワーレベルと中
間のパワーレベルとの間で変化させることにより、既存
の情報を消去しながら新しい情報を記録する、いわゆる
オーバーライト（重ね書きによる書き換え）が可能であ
る。このような記録膜を真空蒸着法およびスパッタリン
グ法などで形成した直後（as depo.状態）は少なくとも
一部分が非晶質状態となっているか、または準安定な結
晶状態となっている。このようなasdepo.状態は書き換
えを繰り返した後の状態と異なり、記録を行うと記録の
繰り返し回数や記録場所による記録感度などの記録・消
去・再生特性の違いが生じてくる可能性がある。そこで
記録膜を予め一様な状態にしておく（初期化）ことによ
り、安定な記録が行える。従来は、この初期化の手段と
して、全体を加熱して結晶化させたり、特開昭62−2015
3 のように基板加熱とＡｒレーザ照射との組み合わせな
どにより全面結晶化を行う方法により行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の初期化方法で
は、as depo.状態の膜をそのまま結晶状態にさせてい
た。しかし、as depo.状態から結晶化させた場合の結晶
状態と、多数回書き換えを行なった後の結晶状態とが異
なるケースが多く、これにより反射率差やＣＮ比の大き
さに差が生じていた。
は、as depo.状態の膜をそのまま結晶状態にさせてい
た。しかし、as depo.状態から結晶化させた場合の結晶
状態と、多数回書き換えを行なった後の結晶状態とが異
なるケースが多く、これにより反射率差やＣＮ比の大き
さに差が生じていた。
【０００４】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解決し、良好な書き換え特性を得るための初期化
方法および装置を提供することにある。
題点を解決し、良好な書き換え特性を得るための初期化
方法および装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した従来技術におけ
る問題点を解決するために、本発明の初期化方法におい
ては、短時間の内に光線（赤外，可視，紫外の少なくと
も一種。赤外には遠赤外も含む）を瞬間的に照射するフ
ラッシュ光照射あるいはフラッシュ光照射とレーザ光照
射の両者により初期化を行なう。両者を行う方が好まし
い。
る問題点を解決するために、本発明の初期化方法におい
ては、短時間の内に光線（赤外，可視，紫外の少なくと
も一種。赤外には遠赤外も含む）を瞬間的に照射するフ
ラッシュ光照射あるいはフラッシュ光照射とレーザ光照
射の両者により初期化を行なう。両者を行う方が好まし
い。
【０００６】たとえばＧｅ，Ｔｅ及びＳｂを主成分とす
る薄膜を、複数の蒸発源からの回転蒸着によって形成し
た場合、蒸着直後にはＧｅ，Ｔｅ及びＳｂがうまく結合
していない場合が多い。また、スパッタリングによって
形成した場合も原子配列が極めて乱れた状態になる。こ
のような場合は、まず、パワー密度の高いレーザ光を照
射して、記録膜を融解させて非晶質化させるのがよい。
これにより結晶化しやすい原子配列となる。そしてさら
にフラッシュ光による光線照射を行なって結晶化させる
ことにより、ディスク全面にわたって短時間で反射率を
均一にすることができる。また、as depo.状態からレー
ザ光照射により結晶化しさらにフラッシュ光照射を行っ
たり、最初にフラッシュ光照射を行い次にレーザ光照射
を行ってより確実な結晶状態にしてもよい。特に、結晶
状態と非晶質状態の反射率差を大きくとるためにディス
クの構造によってはas depo.状態の反射率を低くする場
合があり、このためにトラッキングがかかりにくい時に
は、最初に、フラッシュ光による光線照射を行ない、反
射率を高くした後、レーザ光照射による非晶質化を行な
ったほうが良い。場合によっては、その後さらにフラッ
シュ光あるいはレーザ光照射で結晶化させても良い。こ
の場合も結晶化するパワーレベルと非晶質に近い状態に
するパワーレベルとの間でパワー変調したレーザ光で記
録しても、多数回書き換えによる結晶化部の反射率変化
は生じない。
る薄膜を、複数の蒸発源からの回転蒸着によって形成し
た場合、蒸着直後にはＧｅ，Ｔｅ及びＳｂがうまく結合
していない場合が多い。また、スパッタリングによって
形成した場合も原子配列が極めて乱れた状態になる。こ
のような場合は、まず、パワー密度の高いレーザ光を照
射して、記録膜を融解させて非晶質化させるのがよい。
これにより結晶化しやすい原子配列となる。そしてさら
にフラッシュ光による光線照射を行なって結晶化させる
ことにより、ディスク全面にわたって短時間で反射率を
均一にすることができる。また、as depo.状態からレー
ザ光照射により結晶化しさらにフラッシュ光照射を行っ
たり、最初にフラッシュ光照射を行い次にレーザ光照射
を行ってより確実な結晶状態にしてもよい。特に、結晶
状態と非晶質状態の反射率差を大きくとるためにディス
クの構造によってはas depo.状態の反射率を低くする場
合があり、このためにトラッキングがかかりにくい時に
は、最初に、フラッシュ光による光線照射を行ない、反
射率を高くした後、レーザ光照射による非晶質化を行な
ったほうが良い。場合によっては、その後さらにフラッ
シュ光あるいはレーザ光照射で結晶化させても良い。こ
の場合も結晶化するパワーレベルと非晶質に近い状態に
するパワーレベルとの間でパワー変調したレーザ光で記
録しても、多数回書き換えによる結晶化部の反射率変化
は生じない。
【０００７】記録方法によっては、フラッシュ光照射の
みの初期化でも良い。ただしこの場合は、初期の繰り返
し書き換えによる反射率変化が少しある。
みの初期化でも良い。ただしこの場合は、初期の繰り返
し書き換えによる反射率変化が少しある。
【０００８】また、同じ反射率（同じ結晶状態）にする
場合は、ディスクのダメージを少なくするためフラッシ
ュ光の照射を２回以上に分けて行うのが好ましい。
場合は、ディスクのダメージを少なくするためフラッシ
ュ光の照射を２回以上に分けて行うのが好ましい。
【０００９】ここで述べた種々の初期化方法は、本発明
の記録用部材ばかりでなく、他の組成の記録用部材に対
しても有効である。
の記録用部材ばかりでなく、他の組成の記録用部材に対
しても有効である。
【００１０】
【作用】本発明における初期化方法では、書き換えを繰
り返しても結晶化部の反射率が大きく変化しないような
初期化を行なう。これを実現するには、結晶化を完全に
行っても良いが、as depo.状態の記録膜を一度は融解さ
せ非晶質化させるのがより好ましい。これは、書き換え
時に高いパワーレベルの記録パルスが照射され非晶質化
されたのと同じ状態を作るためである。このように一度
は非晶質化させておくことにより、書き換えを繰り返し
ても結晶化された部分の原子状態はいつも同じになり、
反射率変化も生じない。
り返しても結晶化部の反射率が大きく変化しないような
初期化を行なう。これを実現するには、結晶化を完全に
行っても良いが、as depo.状態の記録膜を一度は融解さ
せ非晶質化させるのがより好ましい。これは、書き換え
時に高いパワーレベルの記録パルスが照射され非晶質化
されたのと同じ状態を作るためである。このように一度
は非晶質化させておくことにより、書き換えを繰り返し
ても結晶化された部分の原子状態はいつも同じになり、
反射率変化も生じない。
【００１１】また、初期化後の状態は、必ずしも結晶状
態である必要は無い。すなわち、初期化後が非晶質に近
い状態であったとしても、中間のパワーレベルと高いパ
ワーレベルとの間でパワー変調したレーザ光で記録すれ
ば、中間のパワーレベルが照射された部分は結晶状態に
なるからである。
態である必要は無い。すなわち、初期化後が非晶質に近
い状態であったとしても、中間のパワーレベルと高いパ
ワーレベルとの間でパワー変調したレーザ光で記録すれ
ば、中間のパワーレベルが照射された部分は結晶状態に
なるからである。
【００１２】本発明の記録膜の少なくとも一方の面は他
の物質で密着して保護されているのが好ましい。両側が
保護されていればさらに好ましい。これらの保護層は、
たとえばアクリル樹脂，ポリカーボネート，ポリオレフ
ィン，エポキシ樹脂，ポリイミドなどのフッ素樹脂など
の有機物より形成されていてもよく、これらは基板であ
ってもよい。また紫外線硬化樹脂で形成されても良い。
酸化物，弗化物，窒化物，硫化物，セレン化物，炭化
物，ホウ化物，ホウ素，炭素、あるいは金属などを主成
分とする無機物より形成されていてもよい。また、これ
らの複合材料でもよい。有機物，無機物のうちでは無機
物と密着している方が耐熱性の面で好ましい。無機物保
護層の例を挙げると、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｂｉ，Ｔｅ，
Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒよりなる群より選ばれた少なくとも一
元素の酸化物、Ｚｎ，Ｇａよりなる群より選ばれた少な
くとも一元素の硫化物、またはセレン化物，Ｃａなどの
弗化物，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａなどの窒化物，ホウ素，炭素
より成るものであって、たとえば主成分が，ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2 ，Ｂｉ2Ｏ3，Ｔｅ
Ｏ2 ，Ｔａ2Ｏ5，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＺｎＳ，ＺｎＳ
ｅ，Ｇａ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＣａＦ2 ，ＴａＮ，Ｓｉ3
Ｎ4，ＡｌＮ，ＡｌＳｉＮ2 ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃのうちの一
者に近い組成をもったもの及びこれらの混合物である。
これらのうち、硫化物ではＺｎＳに近いものが、屈折率
が適当な大きさで膜が安定である点で好ましい。窒化物
では表面反射率があまり高くなく、膜が安定であり、強
固である点で、ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＳｉＮ2 または
ＡｌＮ（窒化アルミニウム）に近い組成のものが好まし
い。酸化物で好ましいのは，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ
2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＳｉＯ、またはＳｉＯ2 に近い組成の
ものである。
の物質で密着して保護されているのが好ましい。両側が
保護されていればさらに好ましい。これらの保護層は、
たとえばアクリル樹脂，ポリカーボネート，ポリオレフ
ィン，エポキシ樹脂，ポリイミドなどのフッ素樹脂など
の有機物より形成されていてもよく、これらは基板であ
ってもよい。また紫外線硬化樹脂で形成されても良い。
酸化物，弗化物，窒化物，硫化物，セレン化物，炭化
物，ホウ化物，ホウ素，炭素、あるいは金属などを主成
分とする無機物より形成されていてもよい。また、これ
らの複合材料でもよい。有機物，無機物のうちでは無機
物と密着している方が耐熱性の面で好ましい。無機物保
護層の例を挙げると、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｂｉ，Ｔｅ，
Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒよりなる群より選ばれた少なくとも一
元素の酸化物、Ｚｎ，Ｇａよりなる群より選ばれた少な
くとも一元素の硫化物、またはセレン化物，Ｃａなどの
弗化物，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａなどの窒化物，ホウ素，炭素
より成るものであって、たとえば主成分が，ＳｉＯ，Ｓ
ｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2 ，Ｂｉ2Ｏ3，Ｔｅ
Ｏ2 ，Ｔａ2Ｏ5，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＺｎＳ，ＺｎＳ
ｅ，Ｇａ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＣａＦ2 ，ＴａＮ，Ｓｉ3
Ｎ4，ＡｌＮ，ＡｌＳｉＮ2 ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃのうちの一
者に近い組成をもったもの及びこれらの混合物である。
これらのうち、硫化物ではＺｎＳに近いものが、屈折率
が適当な大きさで膜が安定である点で好ましい。窒化物
では表面反射率があまり高くなく、膜が安定であり、強
固である点で、ＴａＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＳｉＮ2 または
ＡｌＮ（窒化アルミニウム）に近い組成のものが好まし
い。酸化物で好ましいのは，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ
2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＳｉＯ、またはＳｉＯ2 に近い組成の
ものである。
【００１３】一般に薄膜に光を照射すると、その反射光
は薄膜表面からの反射光と薄膜裏面からの反射光との重
ね合わせになるため干渉をおこす。反射率の変化で信号
を読みとる場合には、記録膜に近接して光反射（吸収）
層を設けることにより、干渉の効果を大きくし、読みだ
し信号を大きくできる。干渉の効果をより大きくするた
めには記録膜と反射層の間に中間層（上記と同様の保護
層）を設けるのが好ましい。この中間層は保護膜として
の役目もある。反射層としては、金属，半金属及び半導
体が使用可能であるが、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏの単体、またはこれらを主成分とする合金、あるい
はこれら同志の合金の層、これらと酸化物などの他の物
質との複合層などが好ましい。特に、書き換え特性に有
利なＮｉ−Ｃｒ系膜やＡｌ合金系膜などが好ましい。
は薄膜表面からの反射光と薄膜裏面からの反射光との重
ね合わせになるため干渉をおこす。反射率の変化で信号
を読みとる場合には、記録膜に近接して光反射（吸収）
層を設けることにより、干渉の効果を大きくし、読みだ
し信号を大きくできる。干渉の効果をより大きくするた
めには記録膜と反射層の間に中間層（上記と同様の保護
層）を設けるのが好ましい。この中間層は保護膜として
の役目もある。反射層としては、金属，半金属及び半導
体が使用可能であるが、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，
Ｍｏの単体、またはこれらを主成分とする合金、あるい
はこれら同志の合金の層、これらと酸化物などの他の物
質との複合層などが好ましい。特に、書き換え特性に有
利なＮｉ−Ｃｒ系膜やＡｌ合金系膜などが好ましい。
【００１４】基板上に保護層，光記録膜，中間層，反射
層の順に形成し、さらに紫外線硬化樹脂の保護層を塗布
した構造の光記録媒体と保護板とを紫外線硬化樹脂等の
接着剤あるいはホットメルト法などにより密着貼りあわ
せを行なった後に、フラッシュ光照射あるいはフラッシ
ュ光照射とレーザ光照射を行なうのが好ましい。また、
前記光記録媒体同志の密着貼りあわせを行なったあとで
照射を行ってもよい。場合によっては、中間層は無くて
もよい。
層の順に形成し、さらに紫外線硬化樹脂の保護層を塗布
した構造の光記録媒体と保護板とを紫外線硬化樹脂等の
接着剤あるいはホットメルト法などにより密着貼りあわ
せを行なった後に、フラッシュ光照射あるいはフラッシ
ュ光照射とレーザ光照射を行なうのが好ましい。また、
前記光記録媒体同志の密着貼りあわせを行なったあとで
照射を行ってもよい。場合によっては、中間層は無くて
もよい。
【００１５】記録媒体としてもディスク状のみならず、
カード状などの他の形態の記録媒体にも適用可能であ
る。
カード状などの他の形態の記録媒体にも適用可能であ
る。
【００１６】
【実施例】実施例１ 以下、本発明の実施例を図１と図２により説明する。
【００１７】図１は、本実施例に用いたディスクの構造
断面図の一例を示したものである。まず、案内溝(トラ
ック)を有する直径１３cm，厚さ１.２mm のポリカーボ
ネート基板１上に、マグネトロンスパッタリング法によ
って厚さ約１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 保護層２を形
成した。次にＺｎＳ−ＳｉＯ2 保護層２上にＧｅ13Ｓｂ
30Ｔｅ57の組成の記録膜３を約３０ｎｍの膜厚に形成し
た。次にZnS−ＳｉＯ2 中間層４を約２２０ｎｍの膜厚
に形成した。さらに、この上にＡｌ−Ｃｕ反射層５を約
１００ｎｍ形成した。これらの膜形成は同一スパッタリ
ング装置内で順次行った。その後、この上に紫外線硬化
樹脂層６を塗布した後、ホットメルト接着剤７で、同じ
構造のもう一枚のディスクとの密着貼りあわせを行っ
た。
断面図の一例を示したものである。まず、案内溝(トラ
ック)を有する直径１３cm，厚さ１.２mm のポリカーボ
ネート基板１上に、マグネトロンスパッタリング法によ
って厚さ約１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 保護層２を形
成した。次にＺｎＳ−ＳｉＯ2 保護層２上にＧｅ13Ｓｂ
30Ｔｅ57の組成の記録膜３を約３０ｎｍの膜厚に形成し
た。次にZnS−ＳｉＯ2 中間層４を約２２０ｎｍの膜厚
に形成した。さらに、この上にＡｌ−Ｃｕ反射層５を約
１００ｎｍ形成した。これらの膜形成は同一スパッタリ
ング装置内で順次行った。その後、この上に紫外線硬化
樹脂層６を塗布した後、ホットメルト接着剤７で、同じ
構造のもう一枚のディスクとの密着貼りあわせを行っ
た。
【００１８】上記のようにして作製したディスクの初期
化は次のようにして行った。まず、このディスクを１８
００rpm で回転させ、記録トラック上に１ｍＷの半導体
レーザ光（波長７８０ｎｍの連続光）を照射し、自動焦
点合わせおよびトラッキングを行った。そして、らせん
状にディスク内周から外周に向かいながら記録膜が溶融
して非晶質化するパワー（１２ｍＷ）の照射を行った。
この記録膜は１０ｍＷ以上のレーザ照射で非晶質化し、
as depo.時よりも反射率が低下した（１４％から１１％
へ低下）。このようにして、ディスクの内周から外周に
向かって全記録トラックを非晶質化した。次に、図２に
示したフラッシュ光照射装置によって全面結晶化を行っ
た。まず、図１に示したディスク８を透明なガラス板９
の上に置き、キセノンランプ１０を発光させてディスク
８にフラッシュ光を１回照射した。この時のフラッシュ
光は反射鏡１１で反射され、ディスク全体に比較的一様
に照射される。キセノンランプ１０の発光時間は、半値
幅で２ｍｓと短いため、基板が変形することは無い。こ
の時の、フラッシュ光のエネルギーとディスクの基板側
から光を入射させた場合のディスクの反射率との関係を
次に示した。ここでフラッシュ光のエネルギーとは、キ
セノンランプ１０への投入エネルギーの値を示してい
る。また（ ）内の値は、キセノンランプ１０の発光効
率を９０％、反射鏡１１での反射率を８０％、ガラス板
９の透過率を９６％とした場合の、ディスク面における
平方cmあたりの平均照射エネルギー値（Ｐ）を示してい
る。ただし、これらの値は反射鏡の反射率などの値が正
確にはわからないので誤差を含んだ値である。式で表わ
すと、Ｐ＝［（投入エネルギー）×（キセノンランプの
発光効率）×（０.５＋０.５×反射鏡の反射率）×（ガ
ラス板の透過率）］／ディスクの表面積、となる。
化は次のようにして行った。まず、このディスクを１８
００rpm で回転させ、記録トラック上に１ｍＷの半導体
レーザ光（波長７８０ｎｍの連続光）を照射し、自動焦
点合わせおよびトラッキングを行った。そして、らせん
状にディスク内周から外周に向かいながら記録膜が溶融
して非晶質化するパワー（１２ｍＷ）の照射を行った。
この記録膜は１０ｍＷ以上のレーザ照射で非晶質化し、
as depo.時よりも反射率が低下した（１４％から１１％
へ低下）。このようにして、ディスクの内周から外周に
向かって全記録トラックを非晶質化した。次に、図２に
示したフラッシュ光照射装置によって全面結晶化を行っ
た。まず、図１に示したディスク８を透明なガラス板９
の上に置き、キセノンランプ１０を発光させてディスク
８にフラッシュ光を１回照射した。この時のフラッシュ
光は反射鏡１１で反射され、ディスク全体に比較的一様
に照射される。キセノンランプ１０の発光時間は、半値
幅で２ｍｓと短いため、基板が変形することは無い。こ
の時の、フラッシュ光のエネルギーとディスクの基板側
から光を入射させた場合のディスクの反射率との関係を
次に示した。ここでフラッシュ光のエネルギーとは、キ
セノンランプ１０への投入エネルギーの値を示してい
る。また（ ）内の値は、キセノンランプ１０の発光効
率を９０％、反射鏡１１での反射率を８０％、ガラス板
９の透過率を９６％とした場合の、ディスク面における
平方cmあたりの平均照射エネルギー値（Ｐ）を示してい
る。ただし、これらの値は反射鏡の反射率などの値が正
確にはわからないので誤差を含んだ値である。式で表わ
すと、Ｐ＝［（投入エネルギー）×（キセノンランプの
発光効率）×（０.５＋０.５×反射鏡の反射率）×（ガ
ラス板の透過率）］／ディスクの表面積、となる。
【００１９】 フラッシュ光のエネルギー ディスクの反射率（％） ２７０(１.５８)ジュール １１.０％ ３３５(１.９６)ジュール １１.９％ ４００(２.３４)ジュール １４.７％ ４６５(２.７２)ジュール ２０.２％ ５３０(３.１０)ジュール ２５.３％ ５９５(３.４８)ジュール ２７.８％ ６６０(３.８６)ジュール ２８.０％ この結果から、フラッシュ光のエネルギーが６００ジュ
ール程度以上においてディスクの反射率がほぼ一定とな
り、確実な結晶化が行えることがわかった。フラッシュ
光のエネルギーが４００ジュール以上６００ジュール以
下でも、同じエネルギーで多数回繰り返し照射すること
により同様な効果があった。しかし、フラッシュ光のエ
ネルギーが４００ジュール以下の場合には、多数回照射
を繰り返しても反射率が２８％にはならなかった。
ール程度以上においてディスクの反射率がほぼ一定とな
り、確実な結晶化が行えることがわかった。フラッシュ
光のエネルギーが４００ジュール以上６００ジュール以
下でも、同じエネルギーで多数回繰り返し照射すること
により同様な効果があった。しかし、フラッシュ光のエ
ネルギーが４００ジュール以下の場合には、多数回照射
を繰り返しても反射率が２８％にはならなかった。
【００２０】またディスクの反射率がほぼ一定（反射率
が２８％）になるまでのフラッシュ光照射の回数とエラ
ーレートとの関係を調べた。
が２８％）になるまでのフラッシュ光照射の回数とエラ
ーレートとの関係を調べた。
【００２１】 フラッシュ光のエネルギー 照射回数 エラーレート ６００ジュール １回 ２／１０5 ５８０ジュール ２回 ６／１０6 ５６０ジュール ３回 ３／１０6 ５４０ジュール ５回 ３／１０6 照射回数としては、エラーレートが１／１０5 以下と
なる２回以上が好ましく、エラーレートが一定となる３
回以上が特に好ましい。しかしあまり多く照射すると初
期化するまでの時間が長くなる問題もでてくる。
なる２回以上が好ましく、エラーレートが一定となる３
回以上が特に好ましい。しかしあまり多く照射すると初
期化するまでの時間が長くなる問題もでてくる。
【００２２】次に、レーザ光照射とフラッシュ光照射に
より充分結晶化させたディスクの書き換え回数によるＣ
／Ｎ（搬送波対雑音比）変化を調べた。
より充分結晶化させたディスクの書き換え回数によるＣ
／Ｎ（搬送波対雑音比）変化を調べた。
【００２３】 書 き 換 え 回 数 Ｃ／Ｎ 初回記録 ５３.０ｄＢ １０回 ５２.９ｄＢ １００回 ５３.０ｄＢ １０００回 ５３.２ｄＢ １万回 ５２.９ｄＢ １０万回 ５２.８ｄＢ この結果より、初回記録および多数回書き換えにおいて
もＣ／Ｎ変化はほとんどないことがわかった。また、as
depo.状態からレーザ光照射は行わずフラッシュ光照射
のみにより初期化した場合には、レーザ光照射を行った
場合よりも初回記録時のＣ／Ｎが５２.３ｄＢ と多少小
さかったが、数回書き換え以降のＣ／Ｎ変化はなかっ
た。
もＣ／Ｎ変化はほとんどないことがわかった。また、as
depo.状態からレーザ光照射は行わずフラッシュ光照射
のみにより初期化した場合には、レーザ光照射を行った
場合よりも初回記録時のＣ／Ｎが５２.３ｄＢ と多少小
さかったが、数回書き換え以降のＣ／Ｎ変化はなかっ
た。
【００２４】最初のレーザ光照射で非晶質化させず、や
やパワーの低いレーザ光で結晶化させた場合は、多数回
書き換えによる反射率変化が僅かにあったが、ほぼ同様
な効果が得られた。
やパワーの低いレーザ光で結晶化させた場合は、多数回
書き換えによる反射率変化が僅かにあったが、ほぼ同様
な効果が得られた。
【００２５】従来方法のようにフラッシュ光照射は行な
わず、レーザ光照射のみで結晶化を行なった場合には、
５回以上のレーザ光照射が必要であった。
わず、レーザ光照射のみで結晶化を行なった場合には、
５回以上のレーザ光照射が必要であった。
【００２６】本実施例では、レーザ光源として半導体レ
ーザを用いたが、スポット径の大きいＡｒレーザを用い
てもよい。この場合はディスク全面を非晶質化する時間
が短くてすむ利点がある。
ーザを用いたが、スポット径の大きいＡｒレーザを用い
てもよい。この場合はディスク全面を非晶質化する時間
が短くてすむ利点がある。
【００２７】実施例２ 実施例２に用いたディスクは実施例１と同様な構造とし
た。しかし、ここでは結晶状態と非晶質状態の反射率差
を大きくするため各膜厚を実施例１とは変えている。ま
ず、案内溝（トラック）を有する直径１３cm，厚さ１.
２mm のポリカーボネート基板１上に、マグネトロンス
パッタリング法によって厚さ約１２５ｎｍのＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 保護層２を形成した。次にＺｎＳ−ＳｉＯ2保護
層２上にＧｅ13Ｓｂ30Ｔｅ57の組成の記録膜３を約３０
ｎｍの膜厚に形成した。次にZnS−ＳｉＯ2 中間層４を
約２０ｎｍの膜厚に形成した。さらに、この上にＡｌ−
Ｃｕ反射層５を約１００ｎｍ形成した。これらの膜形成
は同一スパッタリング装置内で順次行った。その後、ホ
ットメルト法により、同じ構造のもう一枚のディスクと
の貼りあわせを行った。
た。しかし、ここでは結晶状態と非晶質状態の反射率差
を大きくするため各膜厚を実施例１とは変えている。ま
ず、案内溝（トラック）を有する直径１３cm，厚さ１.
２mm のポリカーボネート基板１上に、マグネトロンス
パッタリング法によって厚さ約１２５ｎｍのＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 保護層２を形成した。次にＺｎＳ−ＳｉＯ2保護
層２上にＧｅ13Ｓｂ30Ｔｅ57の組成の記録膜３を約３０
ｎｍの膜厚に形成した。次にZnS−ＳｉＯ2 中間層４を
約２０ｎｍの膜厚に形成した。さらに、この上にＡｌ−
Ｃｕ反射層５を約１００ｎｍ形成した。これらの膜形成
は同一スパッタリング装置内で順次行った。その後、ホ
ットメルト法により、同じ構造のもう一枚のディスクと
の貼りあわせを行った。
【００２８】このディスクの基板側から光を入射させた
場合の、as depo.状態における反射率の波長依存性を図
３の（ａ）線で示した。このように、記録・消去・再生
に用いている半導体レーザの波長である７８０ｎｍ付近
では、反射率が５％と低く、トラッキングが非常にかか
りにくい状態である。そこで、フラッシュ光照射を行っ
て記録膜を結晶状態にすることにより、図３の（ｂ）線
に示したように反射率を高くした。これによりトラッキ
ングも安定にかかった。このディスク構造では、６３０
ジュール程度のフラッシュ光エネルギーの照射で確実に
結晶化が行えるので、ここでは６５０ジュールのフラッ
シュ光エネルギーの照射を行った。つぎに、レーザ光照
射により記録膜の非晶質化を行った。非晶質化すること
により、反射率が２４％から１２％へと低下したが、ト
ラッキングがかかるには充分な反射率である。そこで、
このディスクに記録を行ったところ、多数回書き換えに
よるＣ／Ｎ変化は認められなかった。また、レーザ光照
射により反射率が低くなりすぎた場合には、フラッシュ
光照射あるいはレーザ光照射により記録膜を結晶化させ
反射率を高くしても良い。この場合も、書き換えによる
Ｃ／Ｎ変化は認められなかった。またディスクの使用目
的によってはフラッシュ光照射のみの初期化でも良い。
フラッシュ光照射の後、レーザ光照射で非晶質化させ
ず、結晶化をさらに進めるようにしても良い。
場合の、as depo.状態における反射率の波長依存性を図
３の（ａ）線で示した。このように、記録・消去・再生
に用いている半導体レーザの波長である７８０ｎｍ付近
では、反射率が５％と低く、トラッキングが非常にかか
りにくい状態である。そこで、フラッシュ光照射を行っ
て記録膜を結晶状態にすることにより、図３の（ｂ）線
に示したように反射率を高くした。これによりトラッキ
ングも安定にかかった。このディスク構造では、６３０
ジュール程度のフラッシュ光エネルギーの照射で確実に
結晶化が行えるので、ここでは６５０ジュールのフラッ
シュ光エネルギーの照射を行った。つぎに、レーザ光照
射により記録膜の非晶質化を行った。非晶質化すること
により、反射率が２４％から１２％へと低下したが、ト
ラッキングがかかるには充分な反射率である。そこで、
このディスクに記録を行ったところ、多数回書き換えに
よるＣ／Ｎ変化は認められなかった。また、レーザ光照
射により反射率が低くなりすぎた場合には、フラッシュ
光照射あるいはレーザ光照射により記録膜を結晶化させ
反射率を高くしても良い。この場合も、書き換えによる
Ｃ／Ｎ変化は認められなかった。またディスクの使用目
的によってはフラッシュ光照射のみの初期化でも良い。
フラッシュ光照射の後、レーザ光照射で非晶質化させ
ず、結晶化をさらに進めるようにしても良い。
【００２９】記録膜と反射層との間の保護層がない構造
としても、少し再生信号が小さくなり、書き換え可能回
数が減少したが同様の効果があった。
としても、少し再生信号が小さくなり、書き換え可能回
数が減少したが同様の効果があった。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ光照射と短時間
の内に光線を瞬間的に照射するフラッシュ光照射の両者
により初期化を行なうことにより、多数回書き換えを行
っても反射率変化はなく、良好な書き換え特性を得るこ
とができた。また、本発明は、ディスク状のみならず、
カード状などの他の形態の記録膜の初期化にも適用可能
である。
の内に光線を瞬間的に照射するフラッシュ光照射の両者
により初期化を行なうことにより、多数回書き換えを行
っても反射率変化はなく、良好な書き換え特性を得るこ
とができた。また、本発明は、ディスク状のみならず、
カード状などの他の形態の記録膜の初期化にも適用可能
である。
【図１】ディスクの構造断面図。
【図２】フラッシュ光照射装置の構造図。
【図３】as depo.状態と結晶状態における反射率の波長
依存性。
依存性。
１，１′…ポリカーボネート基板、２，２′…ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 保護層、３，３′…Ｇｅ13Ｓｂ30Ｔｅ57記録
膜、４，４′…ＺｎＳ−ＳｉＯ2 中間層、５，５′…Ａ
ｌ−Ｃｕ反射層、６，６′…紫外線硬化樹脂保護層、７
…ホットメルト接着層、８…ディスク、９…透明なガラ
ス板、１０…キセノンランプ、１１…反射鏡。
ＳｉＯ2 保護層、３，３′…Ｇｅ13Ｓｂ30Ｔｅ57記録
膜、４，４′…ＺｎＳ−ＳｉＯ2 中間層、５，５′…Ａ
ｌ−Ｃｕ反射層、６，６′…紫外線硬化樹脂保護層、７
…ホットメルト接着層、８…ディスク、９…透明なガラ
ス板、１０…キセノンランプ、１１…反射鏡。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡峯 成範 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−111092（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−250533（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−122043（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−261553（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−172019（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/00 G11B 7/26
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に直接もしくは無機物および有機物
のうち少なくとも一者からなる保護層を介して形成され
たエネルギービームの照射によって情報の記録が可能な
光記録媒体を最初に記録可能な状態にする（初期化）方
法において、レーザ光照射を行った後に少なくとも短時
間の内に光線を瞬間的に照射するフラッシュ光照射を行
うことを特徴とする記録媒体の初期化方法。 - 【請求項２】 基板上に直接もしくは無機物および有機物
のうち少なくとも一者からなる保護層を介して形成され
たエネルギービームの照射によって情報の記録が可能な
光記録媒体を最初に記録可能な状態にする（初期化）方
法において、少なくとも短時間の内に光線を瞬間的に照
射するフラッシュ光照射を行い、次にレーザ光照射を行
うことを特徴とする記録媒体の初期化方法。 - 【請求項３】 基板上に保護層を形成し、その上にエネル
ギービームの照射によって情報の記録が可能な光記録
膜，反射層の順に形成した構造の光記録媒体を用いるこ
とを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の記録
媒体の初期化方法。 - 【請求項４】 基板上に保護層を形成し、その上にエネル
ギービームの照射によって情報の記録が可能な光記録
膜，中間層，反射層の順に形成した構造の光記録媒体を
用いることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記
載の記録媒体の初期化方法。 - 【請求項５】 前記請求項３あるいは請求項４記載の光記
録媒体と、保護板あるいは前記請求項３あるいは請求項
４記載の光記録媒体とを密着貼り合わせした後、フラッ
シュ光照射を行うことを特徴とする記録媒体の初期化方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321091A JP2846129B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 記録媒体の初期化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321091A JP2846129B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 記録媒体の初期化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04281219A JPH04281219A (ja) | 1992-10-06 |
| JP2846129B2 true JP2846129B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=11826795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321091A Expired - Fee Related JP2846129B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 記録媒体の初期化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2846129B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2990036B2 (ja) * | 1995-02-13 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0991700A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Sony Corp | 光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置 |
| US6242157B1 (en) | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| JPH10241211A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Tdk Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| KR100284693B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2001-03-15 | 윤종용 | 상변화형 디스크의 초기화 방법 |
| WO2001004888A1 (fr) * | 1999-07-12 | 2001-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'information optique et procede d'initialisation correspondant |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP1321091A patent/JP2846129B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04281219A (ja) | 1992-10-06 |
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Legal Events
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