JP2002092981A - スタンパ製造方法及び光記録媒体製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】均一なピット形状を有するスタンパ及び光記録
媒体を製造することができるスタンパ製造方法及び光記
録媒体製造方法を提供する。 【解決手段】光記録媒体製造方法において、スタンパ製
造工程は、金属基板の一方の面に０℃以上、１２０℃以
下の温度範囲における熱伝導率（ｋ／（Ｗ×ｍ^-1×
Ｋ^-1））が０．５以上、２．０以下の範囲にある材料か
らなる断熱層を形成する工程と、断熱層上に密着層を形
成する工程と、フォトレジスト層を形成する工程と、フ
ォトレジスト層を露光する工程と、フォトレジスト層の
露光された部分をアルカリ不溶性にするために加熱する
工程と、フォトレジスト層を室温に冷却する工程と、フ
ォトレジスト層を現像する工程と、現像されたフォトレ
ジスト層をマスク部材として金属基板をエッチングする
工程と、エッチングされた金属基板から密着層、断熱層
及びフォトレジスト層を除去する工程とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、オーディオ情報及
びビデオ情報等を記録した光記録媒体の製造方法及び当
該光記録媒体の製造方法において使用するスタンパの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３は、従来の光記録媒体の製造工程に
おけるスタンパの製造工程を説明する模式図である。図
中、３０１はガラス原盤、３０２は密着層、３０３はフ
ォトレジスト層、３０４は露光部、３０５はレジストパ
ターン、３０６は導電膜、３０７は電鋳層、３０８はス
タンパである。

【０００３】図３（ａ）に示す工程では、ガラス原盤３
０１と後述するフォトレジスト層３０３との密着力を高
めるために、ガラス原盤３０１上にヘキサメチルジシラ
ザン（以下、ＨＭＤＳという。）又はシラン系カップリ
ング剤を塗布して単分子膜の密着層３０２を形成し、続
いて密着層３０２上にポジ型のフォトレジスト層３０３
を形成する。フォトレジスト層３０３が形成されたガラ
ス原盤３０１は、クリーンオーブン内で、９０℃の温度
で３０分間加熱（プリベーク）され、フォトレジスト層
３０３内に残存している溶媒が除去される。

【０００４】図３（ｂ）に示す工程では、フォトレジス
ト層３０３が形成されたガラス原盤３０１を図示しない
カッティングマシンのターンテーブルに取付け、記録情
報に応じて変調されたレーザ光を照射しフォトレジスト
層３０３を露光し、露光部３０４を形成する。図３
（ｃ）に示す工程では、現像液によりフォトレジスト層
３０３を現像する。露光部３０４のフォトレジスト層３
０３が除去され、ガラス原盤３０１上にレジストパター
ン３０５が形成される。

【０００５】図３（ｄ）に示す工程では、ガラス原盤３
０１をスパッタリング装置に設置し、スパッタリングに
より、レジストパターン３０５の表面にニッケル、クロ
ム等の導電膜３０６を形成する。図３（ｅ）に示す工程
では、導電膜３０６が形成されたガラス原盤３０１を電
鋳槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を行い、ガラス原盤
３０１の導電膜３０６上に電鋳層３０７を形成する。

【０００６】図３（ｆ）に示す工程では、ガラス原盤３
０１からレジストパターン３０５が転写された電鋳層３
０７を剥離する。電鋳層３０７には、レジストパターン
３０５によるパターンを反転させたパターンが転写され
る。図３（ｇ）に示す工程では、電鋳層３０７に付着し
たレジストパターン３０５を酸素アッシング等により除
去し、電鋳層３０７を所望の形状に加工し、電鋳層３０
７の裏面を鏡面研磨することによりスタンパ３０８を得
る。スタンパ３０８を射出成形機の金型に取付け、樹脂
基板を成形することにより光記録媒体のレプリカ基板が
得られる。

【０００７】ところで、光記録媒体製造工程に対する要
求の一つに、光記録媒体製造工程の時間短縮がある。現
在、光記録媒体製造工程の迅速化の妨げとなっているの
は、図３の（ｅ）に示すスタンパ製造工程における電鋳
工程である。一般的に、コンパクトディスクの製造プロ
セスにおいて電鋳工程には、約４時間から約６時間の時
間が費やされている。

【０００８】上述した問題点を解決するために、特開平
３−１５０７３８号公報、特開平５−６２２５４号公報
に電鋳工程を含まない光記録媒体製造工程が開示されて
いる。図４は、従来の電鋳工程を含まない光記録媒体製
造工程におけるスタンパの製造工程を説明する模式図で
ある。図中、４０１は金属基板、４０２はフォトレジス
ト層、４０３は露光部、４０４はレジストパターン、４
０５はピット、４０６はスタンパである。

【０００９】図４（ａ）に示す工程では、ニッケル等の
金属からなる金属基板４０１上にネガ型のフォトレジス
ト層４０２を形成する。ここで、ネガ型のフォトレジス
ト層４０２を使用する理由は、金属基板４０１に直接ピ
ットを形成し、金属基板４０１自身をスタンパとして用
いるため、図３のガラス原盤３０１から電鋳工程によっ
てスタンパ３０８を得る場合のレジストパターン３０５
と比較して、反転したパターンのレジストパターンを形
成する必要があるためである。

【００１０】図３の製造工程で用いたＨＭＤＳやシラン
カップリング剤は、ガラス原盤３０１とフォトレジスト
層３０３との密着力を高めるためのものであり、金属基
板４０１とフォトレジスト層４０２との密着力を高める
作用はないため、図４に示す製造工程では用いない。フ
ォトレジスト層４０２が形成された金属基板４０１は、
クリーンオーブン内で、９０℃の温度で３０分間加熱
（プリベーク）され、フォトレジスト層４０２内に残存
している溶媒が除去される。

【００１１】図４（ｂ）に示す工程では、フォトレジス
ト層４０２が形成された金属基板４０１を図示しないカ
ッティングマシンのターンテーブルに取付け、記録情報
に応じて変調されたレーザ光を照射しフォトレジスト層
４０２を露光し、露光部４０３を形成する。フォトレジ
スト層４０２の露光が終わった金属基板４０１は、クリ
ーンオーブン内で、１１０℃の温度で２０分間加熱し
て、反転ベークを行い、フォトレジスト層４０２の露光
部４０３をアルカリ不溶性にする。更に、フォトレジス
ト層４０２にｉ線露光を行い、露光部４０３以外の未露
光部分をアルカリ可溶性にする。

【００１２】図４（ｃ）に示す工程では、現像液により
フォトレジスト層４０２を現像する。未露光部分のフォ
トレジスト層が除去され、金属基板４０１上にレジスト
パターン４０４が形成される。

【００１３】図４（ｄ）及び（ｅ）に示す工程では、金
属基板４０１上に形成されたレジストパターン４０４を
マスク部材としてエッチング処理を行う。金属基板４０
１に所定の深さのピット４０５が得られたら、エッチン
グ処理を終了する。図３（ｅ）に示した電鋳工程が約４
〜６時間かかるのに対し、本工程におけるエッチング処
理は２０分間から４０分間で終了する。

【００１４】図４（ｆ）に示す工程では、金属基板４０
１に付着したレジストパターン４０４を酸素アッシング
等により除去し、金属基板４０１を所望の形状に加工す
ることによりスタンパ４０６を得る。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】図４に示した電鋳工程
を含まない製造方法によれば、ネガ型のフォトレジスト
を使用する必要がある。ネガ型フォトレジストは、ポジ
型フォトレジストと異なり、反転ベークを行うことによ
り露光部分をアルカリ不溶性にするために、フォトレジ
ストの成分であるノボラック樹脂と架橋剤とを熱的に架
橋反応させるための触媒を含んでいる。この触媒は、図
４（ｂ）の露光工程においてフォトレジストに含まれる
感光剤が分解されることにより生成する。

【００１６】しかしながら、金属基板４０１はガラス原
盤３０１に比べ約８０倍程度高い熱伝導率を有してい
る。そのため、図４（ａ）のフォトレジスト層４０２を
金属基板４０１に形成した後のプリベーク工程において
熱せられた金属基板４０１に蓄えられた熱が、ガラス原
盤を用いた場合よりも多くフォトレジスト層４０２に伝
導し、フォトレジスト層４０２が過剰に熱せられる。そ
の結果、露光工程前にも拘わらず、一部の感光剤が分解
し、触媒が発生し、一部のノボラック樹脂と架橋剤とが
架橋反応を起こす虞がある。

【００１７】すなわち、露光工程前に一部の感光剤が分
解してしまうので、図４（ｂ）の露光工程において、フ
ォトレジスト層４０２のレーザ光に対する感度が不均一
となり、結果として、スタンパ及び光記録媒体に形成さ
れるピット形状が乱れるという課題がある。

【００１８】また、フォトレジスト層４０２の露光部４
０３をアルカリ不溶性にするための加熱工程において、
金属基板４０１の高い熱伝導により、一部のノボラック
樹脂と架橋剤とが架橋反応を起こすため、露光部４０３
以外の未露光部の一部がアルカリ不溶性となる虞があ
る。その結果、図４（ｃ）の現像工程において、露光部
４０３以外の一部の未露光部が現像液に溶解せずに残っ
てしまい、レジストパターン４０４が所望のパターンと
異なったものとなり、結果として、スタンパ及び光記録
媒体に形成されるピット形状が乱れるという課題があ
る。

【００１９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、ニッケル等の金属基板をエッチング処
理することによりスタンパを製造するスタンパ製造方法
及び当該スタンパを用いて光記録媒体を製造する光記録
媒体製造方法において、均一なピット形状を有するスタ
ンパ及び光記録媒体を製造することができるスタンパ製
造方法及び光記録媒体製造方法を提供することを目的と
する。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願の請求項１記載の発明は、スタンパ製造方法に
おいて、金属基板の一方の面に０℃以上、１２０℃以下
の温度範囲における熱伝導率（ｋ／（Ｗ×ｍ^-1×
Ｋ^-1））が０．５以上、２．０以下の範囲にある材料か
らなる断熱層を形成する工程と、前記断熱層上に前記断
熱層とフォトレジスト層との密着力を高める密着層を形
成する工程と、前記密着層上にフォトレジスト層を形成
する工程と、前記フォトレジスト層を記録情報に応じて
露光する工程と、前記フォトレジスト層の露光された部
分をアルカリ不溶性にするために前記フォトレジスト層
を加熱する工程と、前記フォトレジスト層を室温に冷却
する工程と、前記フォトレジスト層を現像液で現像する
工程と、現像された前記フォトレジスト層をマスク部材
として前記金属基板をエッチングする工程と、エッチン
グされた前記金属基板から前記密着層、前記断熱層及び
前記フォトレジスト層を除去する工程とを備えたことを
特徴とする。

【００２１】本願の請求項２記載の発明は、記録情報が
凹凸のピット列として記録されたスタンパを作製するス
タンパ作製工程と、前記スタンパから前記ピット列を転
写したレプリカ基板を作製する工程と、前記レプリカ基
板の前記ピット列が転写された面上に反射膜を形成する
工程とを備えた光記録媒体製造方法において、前記スタ
ンパ作製工程は、金属基板の一方の面に０℃以上、１２
０℃以下の温度範囲における熱伝導率（ｋ／（Ｗ×ｍ^-1
×Ｋ^-1））が０．５以上、２．０以下の範囲にある材料
からなる断熱層を形成する工程と、前記断熱層上に前記
断熱層とフォトレジスト層との密着力を高める密着層を
形成する工程と、前記密着層上にフォトレジスト層を形
成する工程と、前記フォトレジスト層を記録情報に応じ
て露光する工程と、前記フォトレジスト層の露光された
部分をアルカリ不溶性にするために前記フォトレジスト
層を加熱する工程と、前記フォトレジスト層を室温に冷
却する工程と 露光された前記フォトレジスト層を現像液で現像する工
程と、現像された前記フォトレジスト層をマスク部材と
して前記金属基板をエッチングする工程と、エッチング
された前記金属基板から前記密着層、前記断熱層及び前
記フォトレジスト層を除去する工程とを備えたことを特
徴とする。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について具体的に説明する。図１は、本発明の
光記録媒体製造方法を用いた製造工程の一実施例を説明
する図である。図２は、本発明の光記録媒体製造方法を
用いた製造工程のカッティング工程及びスタンパ製造工
程の一実施例を説明する図である。図中、２０１はニッ
ケル基板、２０２は断熱層、２０３は密着層、２０４は
フォトレジスト層、２０５は露光部、２０６はレジスト
パターン、２０７はピット、２０８はスタンパである。

【００２３】まず、図１（ａ）は、プリマスタリング工
程である。この工程では、スタジオ等で録音された楽曲
データに、リードイン、リードアウト、インデックス及
びアドレス等の情報が付加された情報が、光ディスクや
マスターテープ等に記録される。

【００２４】図１（ｂ）のカッティング工程及び図１
（ｃ）のスタンパ製造工程については、図２を用いて具
体的に説明する。図２（ａ）に示す工程では、片面が約
２０μｍの平坦度に鏡面研磨された、厚さが約０．３ｍ
ｍのニッケル基板２０１をスパッタリング装置に取り付
ける。ニッケル基板２０１は、後述する射出成形工程に
おいてスタンパとして用いるため、機会特性及び成形特
性等を考慮して約０．３ｍｍの厚さとした。

【００２５】ニッケル基板２０１が約０．３ｍｍより厚
くなると、成形する樹脂への熱の伝わり方が不均一とな
り、ピットを均一な形状で成形できない。また、射出成
形中は、ニッケル基板２０１の温度が７０〜２００℃の
範囲で変化するため、基板厚が厚いと歪みによるクラッ
クが発生しやすくなる。ニッケル基板２０１の厚さが約
０．３ｍｍより薄いと機械的な強度を保つことができな
くなる。

【００２６】基板材料としては、ニッケルの他に、銅、
アルミニウム等の金属または合金を用いることができ
る。基板材料として、従来の光記録媒体のスタンパとし
て用いられているニッケルを用いれば、従来の光記録媒
体の製造工程における射出成形条件と同じ条件で射出成
形を行うことができる。

【００２７】スパッタリング法によりＳｉＯ₂膜、Ｓｉ
Ｏ膜またはＳｉＮ膜等の無機誘電体材料からなる断熱層
２０２をニッケル基板２０１の鏡面研磨された面に形成
する。本実施例で用いる無機誘電体材料は、０℃以上、
１２０℃以下の温度範囲における熱伝導率（ｋ／（Ｗ×
ｍ^-1×Ｋ^-1））が０．５以上、２．０以下の範囲にある
もの、すなわち、従来の光記録媒体の製造工程で用いて
いたガラス原盤と同等の熱伝導率を有するものとする。
断熱層２０２の膜厚は、後述するフォトレジスト層への
断熱効果及び成膜時間等を考慮すると約３０〜１００ｎ
ｍが好ましい。

【００２８】図２（ｂ）に示す工程では、ニッケル基板
２０１の断熱層２０２が形成された面に、ＨＭＤＳ又は
シラン系カップリング剤の単分子膜を密着層２０３とし
てスピンコート法により形成する。ＨＭＤＳ又はシラン
系カップリング剤からなる密着層２０３を形成すること
により、断熱層２０２と後述するフォトレジスト層２０
４との密着性を高めることができる。本実施例の製造方
法では、ニッケル基板２０１と後述するフォトレジスト
層２０４との間に、ガラスと同等の性質を有するＳｉＯ
₂膜等の断熱層２０２を設けるため、ＨＭＤＳ又はシラ
ン系カップリング剤からなる密着層２０３を用いること
により、ニッケル基板２０１とフォトレジスト層２０４
との密着力を高めることができる。したがって、製造工
程中にフォトレジスト層２０４が剥離する欠陥の発生を
減少させることができる。

【００２９】図２（ｃ）に示す工程では、ニッケル基板
２０１上に形成された密着層２０３上にフォトレジスト
層２０４をスピンコート法により形成する。フォトレジ
スト層２０４の膜厚は、後述するエッチング処理の条件
（フォトレジスト層２０４及びニッケル基板２０１のエ
ッチングレートと、エッチング処理により形成するピッ
トの深さ）により決定する。

【００３０】フォトレジスト層２０４としては、ネガ型
フォトレジストを用いる。フォトレジスト層２０４が形
成されたニッケル基板２０１は、クリーンオーブン内に
おいて、９０℃の温度で３０分間プリベークされ、フォ
トレジスト層２０４内に残存している溶媒が除去され
る。

【００３１】本実施例では、ニッケル基板２０１とフォ
トレジスト層２０４との間に、熱伝導率がガラス原盤と
同等の断熱層２０２が形成されているため、ベーキング
処理により熱せられたニッケル基板２０１に蓄えられた
熱によりフォトレジスト層２０４の架橋構造等が変化
し、露光感度が低下することがない。

【００３２】図２（ｄ）に示す工程では、フォトレジス
ト層２０４が形成されたニッケル基板２０１を図示しな
いカッティングマシンのターンテーブルに取付け、記録
情報に従って変調されたレーザ光を照射しフォトレジス
ト層２０４を露光する。露光が終わったニッケル基板２
０１を、クリーンオーブン内に設置し、１００℃の温度
で１０分間反転ベークを行い、フォトレジスト層２０４
の露光部２０５をアルカリ不溶性にする。更に、フォト
レジスト層２０４にｉ線露光を行い、露光部２０５以外
の未露光部分をアルカリ可溶性にする。

【００３３】本実施例では、ニッケル基板２０１とフォ
トレジスト層２０４との間に、熱伝導率がガラス原盤と
同等の断熱層２０２が形成されているため、ベーキング
処理により熱せられたニッケル基板２０１に蓄えられた
熱によりフォトレジスト層２０４の架橋構造等が変化
し、露光部２０５以外の未露光部分がアルカリ不溶性に
なることがない。

【００３４】また、図２（ｅ）に示す工程では、反転ベ
ークにより１２０℃に熱したフォトレジスト層２０４を
室温（１８℃以上３０℃以下）まで冷却する。これは、
本実施例の製造工程では、ニッケル基板２０１上に断熱
層２０２を設けた構成としたため、断熱層２０２が蓄え
た熱が逃げにくい構成となっている。フォトレジスト層
２０４が室温より高い温度にある状態で、後述する現像
処理を行うと、現像が速く進むため、現像処理の停止の
タイミングがとりずらくなり、所望のピット形状を得る
ことが困難となる。そのため、本実施例では、適切な現
像停止のタイミングを得るために、反転ベーク後にフォ
トレジスト層２０４を室温まで冷却する。冷却方法とし
ては、室内に放置して冷却する方法でもよいし、ファン
等を用いた空冷又は冷却水を用いた水冷等の方法であっ
てもよい。

【００３５】以上、図２（ａ）〜（ｅ）迄の工程が、図
１（ｂ）のカッティング工程にあたる。

【００３６】図２（ｆ）に示す工程では、ニッケル基板
２０１を現像装置に取り付け、有機アルカリ現像液を用
いてスピン現像を行い、フォトレジスト層２０４を現像
する。その後有機アルカリ現像液の塗布を停止し、スピ
ン乾燥を行う。フォトレジスト層２０４が現像され、ニ
ッケル基板２０１上にレジストパターン２０６が形成さ
れる。

【００３７】図２（ｇ）及び（ｈ）に示す工程では、ニ
ッケル基板２０１上に形成されたレジストパターン２０
６をマスク部材としてエッチング処理（反応性イオンエ
ッチング又はイオンミリング）を行う。ニッケル基板２
０１に所定の深さのピット２０７が得られたら、エッチ
ング処理を終了する。

【００３８】図２（ｉ）に示す工程では、ニッケル基板
２０１に付着したレジストパターン２０６、密着層２０
３及び断熱層２０２をアセトン洗浄及び酸素アッシング
等により除去し、ニッケル基板２０１を所望の形状に加
工することによりスタンパ２０８を得る。以上、図２
（ｆ）〜（ｉ）迄の工程が、図１（ｃ）のスタンパ製造
工程にあたる。

【００３９】次に、図１（ｄ）に示す射出成形工程で
は、スタンパ２０８を射出成形機の金型に取り付け、ポ
リカーボネート等の樹脂を成形し、レプリカ基板を得
る。図１（ｅ）に示す反射膜、保護膜形成工程では、レ
プリカ基板をスパッタリング装置に取り付け、スパッタ
リング法により、アルミニウム、金等の反射膜をレプリ
カ基板のピットが転写されている面に５０〜１００ｎｍ
の厚さに形成する。反射膜が形成されたレプリカ基板を
スピンコート装置に取り付け、スピンコート法により紫
外線硬化樹脂等の保護膜を反射膜上に形成する。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、ニッケル等の金属基板
をエッチング処理することによりスタンパを製造するス
タンパ製造方法及び当該スタンパを用いて光記録媒体を
製造する光記録媒体製造方法において、均一なピット形
状を有するスタンパ及び光記録媒体を製造することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体製造方法を用いた製造工程
の一実施例を説明する模式図。

【図２】本発明の光記録媒体製造方法を用いた製造工程
のカッティング工程及びスタンパ製造工程の一実施例を
説明する模式図。

【図３】従来のスタンパの製造工程を説明する模式図。

【図４】従来の電鋳工程を含まない光ディスク製造工程
におけるスタンパの製造工程を説明する模式図。

【符号の説明】

２０１ ニッケル基板 ２０２ 断熱層 ２０３ 密着層 ２０４ フォトレジスト層 ２０５ 露光部 ２０６ レジストパターン ２０７ ピット ２０８ スタンパ ３０１ ガラス原盤 ３０２ 密着層 ３０３ フォトレジスト層 ３０４ 露光部 ３０５ レジストパターン ３０６ 導電膜 ３０７ 電鋳層 ３０８ スタンパ ４０１ 基板 ４０２ フォトレジスト層 ４０３ 露光部 ４０４ レジストパターン ４０５ ピット ４０６ スタンパ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属基板の一方の面に０℃以上、１２０℃
   以下の温度範囲における熱伝導率（ｋ／（Ｗ×ｍ^-1×Ｋ
   ^-1））が０．５以上、２．０以下の範囲にある材料から
   なる断熱層を形成する工程と、 前記断熱層上に前記断熱層とフォトレジスト層との密着
   力を高める密着層を形成する工程と、 前記密着層上にフォトレジスト層を形成する工程と、 前記フォトレジスト層を記録情報に応じて露光する工程
   と、 前記フォトレジスト層の露光された部分をアルカリ不溶
   性にするために前記フォトレジスト層を加熱する工程
   と、 前記フォトレジスト層を室温に冷却する工程と、 前記フォトレジスト層を現像液で現像する工程と、 現像された前記フォトレジスト層をマスク部材として前
   記金属基板をエッチングする工程と、 エッチングされた前記金属基板から前記密着層、前記断
   熱層及び前記フォトレジスト層を除去する工程とを備え
   たことを特徴とするスタンパ製造方法。
2. 【請求項２】記録情報が凹凸のピット列として記録され
   たスタンパを作製するスタンパ作製工程と、 前記スタンパから前記ピット列を転写したレプリカ基板
   を作製する工程と、 前記レプリカ基板の前記ピット列が転写された面上に反
   射膜を形成する工程とを備えた光記録媒体製造方法にお
   いて、 前記スタンパ作製工程は、 金属基板の一方の面に０℃以上、１２０℃以下の温度範
   囲における熱伝導率（ｋ／（Ｗ×ｍ^-1×Ｋ^-1））が０．
   ５以上、２．０以下の範囲にある材料からなる断熱層を
   形成する工程と、 前記断熱層上に前記断熱層とフォトレジスト層との密着
   力を高める密着層を形成する工程と、 前記密着層上にフォトレジスト層を形成する工程と、 前記フォトレジスト層を記録情報に応じて露光する工程
   と、 前記フォトレジスト層の露光された部分をアルカリ不溶
   性にするために前記フォトレジスト層を加熱する工程
   と、 前記フォトレジスト層を室温に冷却する工程と露光され
   た前記フォトレジスト層を現像液で現像する工程と、 現像された前記フォトレジスト層をマスク部材として前
   記金属基板をエッチングする工程と、 エッチングされた前記金属基板から前記密着層、前記断
   熱層及び前記フォトレジスト層を除去する工程とを備え
   たことを特徴とする光記録媒体製造方法。