JP2003338091A - 光ディスク用スタンパとその製造方法及び光ディスク - Google Patents
光ディスク用スタンパとその製造方法及び光ディスクInfo
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- JP2003338091A JP2003338091A JP2002147010A JP2002147010A JP2003338091A JP 2003338091 A JP2003338091 A JP 2003338091A JP 2002147010 A JP2002147010 A JP 2002147010A JP 2002147010 A JP2002147010 A JP 2002147010A JP 2003338091 A JP2003338091 A JP 2003338091A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子ビームの後方散乱によるレジストへの露光
を小さくして微細なパターンを形成する。 【解決手段】平坦な基板２の表面に電子ビームの散乱が
小さい物質例えばＤＬＣで低散乱層３を形成し、低散乱
層３の表面にレジスト層５を形成する。レジスト層５を
電子ビームで露光し現像してレジストパターン６を形成
するとき、電子ビームを照射したときのレジスト層が受
ける電子ビームの散乱の影響を低散乱層３で小さくし
て、レジスト層５に微細なレジストパターン６を形成す
る。レジストパターン６をマスクにして低散乱層３の表
面に微細な凹凸パターン４を形成する。
を小さくして微細なパターンを形成する。 【解決手段】平坦な基板２の表面に電子ビームの散乱が
小さい物質例えばＤＬＣで低散乱層３を形成し、低散乱
層３の表面にレジスト層５を形成する。レジスト層５を
電子ビームで露光し現像してレジストパターン６を形成
するとき、電子ビームを照射したときのレジスト層が受
ける電子ビームの散乱の影響を低散乱層３で小さくし
て、レジスト層５に微細なレジストパターン６を形成す
る。レジストパターン６をマスクにして低散乱層３の表
面に微細な凹凸パターン４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスクを成
形するスタンパとその製造方法及び光ディスク、特に微
細なパターンの形成に関するものである。
形するスタンパとその製造方法及び光ディスク、特に微
細なパターンの形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクに対する高記録密度化
と高記録容量化が要求されている。具体的には、記録容
量が４．７ＧＢ相当の容量をもつＤＶＤが実用化されて
いるが、次世代の光ディスクとして記録容量が２０ＧＢ
以上のものが要求されている。ＤＶＤにおいては、トラ
ックピッチが０．７４μｍ、最短ピット長が０．４μｍ
であることから考えると、次世代の光ディスクとしてト
ラックピッチを０．３μｍ、最短ピット長を０．２μｍ
にまで微細化する必要がある。
と高記録容量化が要求されている。具体的には、記録容
量が４．７ＧＢ相当の容量をもつＤＶＤが実用化されて
いるが、次世代の光ディスクとして記録容量が２０ＧＢ
以上のものが要求されている。ＤＶＤにおいては、トラ
ックピッチが０．７４μｍ、最短ピット長が０．４μｍ
であることから考えると、次世代の光ディスクとしてト
ラックピッチを０．３μｍ、最短ピット長を０．２μｍ
にまで微細化する必要がある。
【０００３】この光ディスクの高密度化は、半導体作製
プロセスの光リソグラフィ技術と同様に、露光時の対物
レンズの高開口数化と露光波長の短波長化によって実現
されてきた。しかし、光ディスクのガラス原盤の作製に
使用される対物レンズの開口数ＮＡは０．９と事実上の
限界値に近くなっている。したがって光ディスクの高密
度化を図るためには露光波長を短波長化することが必須
である。この露光波長をλとすると、対物レンズで集光
されるビームサイズｗの限界は、一般に光の回折限界に
より次式で表される。 ｗ＝ｋ・λ／ＮＡ （ｋ＝０．８〜０．９） このビームサイズｗは形成可能なピット幅とグルーブ幅
あるいは最短ピット長に相当する。例えば、波長λが２
５０ｎｍ前後の短波長紫外線レーザ光を使用した場合、
最短ピット長は０．２３μｍになる。これではトラック
ピッチが０．３μｍ、最短ピット長が０．２μｍである
容量が２０ＧＢ以上の光ディスクを作製するには、スポ
ットサイズが若干大きく、高精度なピットを形成するこ
とが不可能である。
プロセスの光リソグラフィ技術と同様に、露光時の対物
レンズの高開口数化と露光波長の短波長化によって実現
されてきた。しかし、光ディスクのガラス原盤の作製に
使用される対物レンズの開口数ＮＡは０．９と事実上の
限界値に近くなっている。したがって光ディスクの高密
度化を図るためには露光波長を短波長化することが必須
である。この露光波長をλとすると、対物レンズで集光
されるビームサイズｗの限界は、一般に光の回折限界に
より次式で表される。 ｗ＝ｋ・λ／ＮＡ （ｋ＝０．８〜０．９） このビームサイズｗは形成可能なピット幅とグルーブ幅
あるいは最短ピット長に相当する。例えば、波長λが２
５０ｎｍ前後の短波長紫外線レーザ光を使用した場合、
最短ピット長は０．２３μｍになる。これではトラック
ピッチが０．３μｍ、最短ピット長が０．２μｍである
容量が２０ＧＢ以上の光ディスクを作製するには、スポ
ットサイズが若干大きく、高精度なピットを形成するこ
とが不可能である。
【０００４】そこで電子ビームを使用してガラス原盤を
作製し、ガラス原盤の転写を行い、２０ＧＢ以上の容量
の光ディスク用スタンパを作製する技術が提案されてい
る。電子ビームの波長は紫外線レーザ光の波長に比べて
短く、回折現象を無視できるので微少な集光スポットを
得ることができ、高精度な微細なパターンを形成するこ
とができる。
作製し、ガラス原盤の転写を行い、２０ＧＢ以上の容量
の光ディスク用スタンパを作製する技術が提案されてい
る。電子ビームの波長は紫外線レーザ光の波長に比べて
短く、回折現象を無視できるので微少な集光スポットを
得ることができ、高精度な微細なパターンを形成するこ
とができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体作製プロセスに
おいて、電子ビームを用いてパターンの描画を行う場
合、電子ビームは支持台上に設置されたウエハーやマス
ク上に電磁偏向されながら照射される。実用化されてい
る電子ビーム用レジストは、感度や解像度が半導体作製
プロセスに最適化されている。一般的に電子ビームの加
速電圧とレジストの感度は、図８Ａの特性図に示すよう
に、加速電圧が小さいほどレジストが電子を吸収するエ
ネルギー吸収率が大きくなる。したがって電子ビームの
加速電圧が小さいほどレジストの感度が大きくなる。ま
た、図９に示すように、Ｓｉや石英の基板２に形成され
たレジスト層５に電子ビームを照射した場合、電子ビー
ムの加速電圧が小さい場合、Ｃに示すように、電子のレ
ジスト層５中での散乱の影響が大きいためビームの拡が
りが大きく、レジスト層５と基板２の界面に近い領域で
後方散乱２０が発生する。また、電子ビームの加速電圧
が大きい場合、Ｄに示すように、電子のレジスト層５中
での散乱の影響が小さいためビームの拡がりが小さく、
基板２の中心付近まで電子が到達してから後方散乱２０
が発生する。全体でみれば、加速電圧が大きい方が電子
の散乱している領域２０が広いが、レジスト層５でみれ
ば加速電圧が小さい方が電子の散乱の影響が大きくな
る。したがって電子ビーム用レジストにおいて、レジス
ト感度が大きくなるように低加速電圧で露光すると、電
子の散乱が大きくなってパターンサイズが大きくなる。
おいて、電子ビームを用いてパターンの描画を行う場
合、電子ビームは支持台上に設置されたウエハーやマス
ク上に電磁偏向されながら照射される。実用化されてい
る電子ビーム用レジストは、感度や解像度が半導体作製
プロセスに最適化されている。一般的に電子ビームの加
速電圧とレジストの感度は、図８Ａの特性図に示すよう
に、加速電圧が小さいほどレジストが電子を吸収するエ
ネルギー吸収率が大きくなる。したがって電子ビームの
加速電圧が小さいほどレジストの感度が大きくなる。ま
た、図９に示すように、Ｓｉや石英の基板２に形成され
たレジスト層５に電子ビームを照射した場合、電子ビー
ムの加速電圧が小さい場合、Ｃに示すように、電子のレ
ジスト層５中での散乱の影響が大きいためビームの拡が
りが大きく、レジスト層５と基板２の界面に近い領域で
後方散乱２０が発生する。また、電子ビームの加速電圧
が大きい場合、Ｄに示すように、電子のレジスト層５中
での散乱の影響が小さいためビームの拡がりが小さく、
基板２の中心付近まで電子が到達してから後方散乱２０
が発生する。全体でみれば、加速電圧が大きい方が電子
の散乱している領域２０が広いが、レジスト層５でみれ
ば加速電圧が小さい方が電子の散乱の影響が大きくな
る。したがって電子ビーム用レジストにおいて、レジス
ト感度が大きくなるように低加速電圧で露光すると、電
子の散乱が大きくなってパターンサイズが大きくなる。
【０００６】光ディスクの原盤を作製する場合、電子ビ
ームを５００〜４０００ｒｐｍ程度の高速で回転する基
板上に設けた電子ビーム用レジストに照射するので、電
子ビームスポットの線速度は１〜８ｍ／ｓｅｃとなる。
このような条件で現在実用化されている電子ビーム用レ
ジストを使用すると、線速度が半導体作製プロセスに対
し大きいためレジストの感度が不足する。このレジスト
の感度を補うため、低加速電圧で露光すると、電子の散
乱の影響が大きくなり、微細なパターンを形成すること
が不可能になる。
ームを５００〜４０００ｒｐｍ程度の高速で回転する基
板上に設けた電子ビーム用レジストに照射するので、電
子ビームスポットの線速度は１〜８ｍ／ｓｅｃとなる。
このような条件で現在実用化されている電子ビーム用レ
ジストを使用すると、線速度が半導体作製プロセスに対
し大きいためレジストの感度が不足する。このレジスト
の感度を補うため、低加速電圧で露光すると、電子の散
乱の影響が大きくなり、微細なパターンを形成すること
が不可能になる。
【０００７】この発明は、このような問題を解消し、電
子ビームの後方散乱によるレジストへの露光を小さくし
て微細なパターンを形成するとともに転写性と耐久性に
優れた光ディスク用スタンパとその製造方法及び光ディ
スクを提供することを目的とするものである。
子ビームの後方散乱によるレジストへの露光を小さくし
て微細なパターンを形成するとともに転写性と耐久性に
優れた光ディスク用スタンパとその製造方法及び光ディ
スクを提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光ディス
ク用スタンパは、平坦な基板と、基板の表面に形成さ
れ、電子ビームの散乱が小さい物質からなる低散乱層と
を有し、低散乱層の表面には電子ビームにより凹凸パタ
ーンが形成され、凹凸パターンを微細化したことを特徴
とする。
ク用スタンパは、平坦な基板と、基板の表面に形成さ
れ、電子ビームの散乱が小さい物質からなる低散乱層と
を有し、低散乱層の表面には電子ビームにより凹凸パタ
ーンが形成され、凹凸パターンを微細化したことを特徴
とする。
【０００９】この発明に係る第２の光ディスク用スタン
パは、平坦な基板と、基板の表面に形成され、熱伝導率
の小さな物質からなる熱伝導層と、熱伝導層の表面に形
成され、電子ビームの散乱が小さい物質からなる低散乱
層とを有し、低散乱層の表面には電子ビームにより凹凸
パターンが形成され、光ディスクを成形するときに、溶
融樹脂から放出される熱を熱伝導層に一時的に蓄積し
て、低拡散層に形成されている微細な凹凸パターンに樹
脂を充填しやすくすることを特徴とする。
パは、平坦な基板と、基板の表面に形成され、熱伝導率
の小さな物質からなる熱伝導層と、熱伝導層の表面に形
成され、電子ビームの散乱が小さい物質からなる低散乱
層とを有し、低散乱層の表面には電子ビームにより凹凸
パターンが形成され、光ディスクを成形するときに、溶
融樹脂から放出される熱を熱伝導層に一時的に蓄積し
て、低拡散層に形成されている微細な凹凸パターンに樹
脂を充填しやすくすることを特徴とする。
【００１０】前記熱伝導層はポリイミド又はポリアミド
イミドで形成し、光ディスクを成形するときの転写性を
向上させる。
イミドで形成し、光ディスクを成形するときの転写性を
向上させる。
【００１１】また、低散乱層はダイヤモンドライクカー
ボン（ＤＬＣ）や表面に酸化物あるいは窒化物が形成さ
れたアルミニュームで形成し、電子ビームを照射したと
きのレジスト層が受ける電子ビームの散乱の影響を小さ
くして、レジスト層に微細なパターンを形成する。
ボン（ＤＬＣ）や表面に酸化物あるいは窒化物が形成さ
れたアルミニュームで形成し、電子ビームを照射したと
きのレジスト層が受ける電子ビームの散乱の影響を小さ
くして、レジスト層に微細なパターンを形成する。
【００１２】この発明の光ディスク用スタンパの製造方
法は、平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が小さい物
質からなる低散乱層を形成し、該低散乱層の表面に電子
ビーム用レジスト層を形成し、該レジスト層を電子ビー
ムで露光し現像してレジストパターンを形成し、該レジ
ストパターンをマスクとして低散乱層にドライエッチン
グにより所定の深さの凹凸パターンを形成し、前記レジ
ストパターンを除去することを特徴とする。
法は、平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が小さい物
質からなる低散乱層を形成し、該低散乱層の表面に電子
ビーム用レジスト層を形成し、該レジスト層を電子ビー
ムで露光し現像してレジストパターンを形成し、該レジ
ストパターンをマスクとして低散乱層にドライエッチン
グにより所定の深さの凹凸パターンを形成し、前記レジ
ストパターンを除去することを特徴とする。
【００１３】この発明の光ディスク用スタンパの第２の
製造方法は、平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が小
さい物質からなる第１の低散乱層を形成し、該第１の低
散乱層の表面に、第１の低散乱層を形成する物質と異な
り、電子ビームの散乱が小さい物質かなる第２の低散乱
層を形成し、該第２の低散乱層の表面に電子ビーム用レ
ジスト層を形成し、該レジスト層を電子ビームで露光し
現像してレジストパターンを形成し、該レジストの現像
によりレジストにパターンの形成を行い、該レジストパ
ターンをマスクとして第２の低散乱層をドライエッチン
グして凹凸パターンを形成し、前記レジストパターンを
除去してから第２の低散乱層に形成された凹凸パターン
をマスクとして前記第１の低散乱層にドライエッチング
により所定の深さの凹凸パターンを形成し、前記第２の
低散乱層を除去することを特徴とする。
製造方法は、平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が小
さい物質からなる第１の低散乱層を形成し、該第１の低
散乱層の表面に、第１の低散乱層を形成する物質と異な
り、電子ビームの散乱が小さい物質かなる第２の低散乱
層を形成し、該第２の低散乱層の表面に電子ビーム用レ
ジスト層を形成し、該レジスト層を電子ビームで露光し
現像してレジストパターンを形成し、該レジストの現像
によりレジストにパターンの形成を行い、該レジストパ
ターンをマスクとして第２の低散乱層をドライエッチン
グして凹凸パターンを形成し、前記レジストパターンを
除去してから第２の低散乱層に形成された凹凸パターン
をマスクとして前記第１の低散乱層にドライエッチング
により所定の深さの凹凸パターンを形成し、前記第２の
低散乱層を除去することを特徴とする。
【００１４】この発明の光ディスク用スタンパの第３の
製造方法は、平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が小
さい物質からなる低散乱層を形成し、該低散乱層の表面
に電子ビーム用レジスト層を形成し、該レジスト層を電
子ビームで露光し現像してレジストパターンを形成し、
該レジストパターンの表面と低散乱層の露出した面にマ
スク層を形成し、レジストパターンを除去してマスク層
をマスクとして低散乱層にドライエッチングにより所定
の深さの凹凸パターンを形成し、前記マスク層を除去す
ることを特徴とする。
製造方法は、平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が小
さい物質からなる低散乱層を形成し、該低散乱層の表面
に電子ビーム用レジスト層を形成し、該レジスト層を電
子ビームで露光し現像してレジストパターンを形成し、
該レジストパターンの表面と低散乱層の露出した面にマ
スク層を形成し、レジストパターンを除去してマスク層
をマスクとして低散乱層にドライエッチングにより所定
の深さの凹凸パターンを形成し、前記マスク層を除去す
ることを特徴とする。
【００１５】また、前記各製造方法において、平坦な基
板の表面に熱伝導率の小さな物質からなる熱伝導層を形
成し、該熱伝導層の表面に電子ビームの散乱が小さい物
質からなる低散乱層を形成することを特徴とする。
板の表面に熱伝導率の小さな物質からなる熱伝導層を形
成し、該熱伝導層の表面に電子ビームの散乱が小さい物
質からなる低散乱層を形成することを特徴とする。
【００１６】さらに、熱伝導層の表面を真空中で加熱処
理又は逆スパッタ処理して表面を不純物がない状態にし
て、低散乱層との密着性を高める。
理又は逆スパッタ処理して表面を不純物がない状態にし
て、低散乱層との密着性を高める。
【００１７】さらに、前記凹凸パターンを有する低散乱
層の表面に酸化処理又は窒化処理を施し、凹凸パターン
が形成された表面を硬化させ、スタンパの耐久性を向上
させる。
層の表面に酸化処理又は窒化処理を施し、凹凸パターン
が形成された表面を硬化させ、スタンパの耐久性を向上
させる。
【００１８】この発明の光ディスクは、前記スタンパに
より凹凸パターンが転写され、転写面に微細な凹凸パタ
ーンを形成し、高記録密度化と高記録容量化を図ること
を特徴とする。
より凹凸パターンが転写され、転写面に微細な凹凸パタ
ーンを形成し、高記録密度化と高記録容量化を図ること
を特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の光ディスクを作
製するためのスタンパの構成を示す断面図である。図に
示すように、光ディスクを作製に使用するスタンパ１
は、ＮｉやＣｒあるいはＳｉの基板２と、基板２の表面
に形成され、電子ビームの散乱が小さい物質からなる低
散乱層３とを有し、低散乱層３の表面には電子ビームに
より凹凸パターン４が形成されている。この低散乱層３
を形成する物質は原子番号が小さく、耐久性がある物
質、例えばダイアモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣ
という）や表面がＡｌ２Ｏ３又はＡｌＮに変化している
Ａｌを使用する。このように低散乱層３として原子番号
が小さい物質を使用することにより、電子ビームの散乱
確率を小さくすることができる。すなわち電子が物質に
入射したときに発生する散乱はＲｕｔｈｅｒｆｏｒｄ
（ラザーフォード）散乱がほとんどである。ラザーフォ
ード散乱の散乱確率は次式で与えられる。 ｄσi/ｄΩ＝[Ｚi(Ｚi＋１)・ｅ４]/［４Ｅ２(１−cos
θ＋βi)２］ ここでσiは微分散乱断面積、Ωは立体角、Ｚiは原子番
号、βiは原子iの遮蔽パラメータ、ｅは電子の電荷、Ｅ
は入射電子のエネルギ、θは電子の散乱角である。この
式から明らかなように、原子番号Ｚiが小さい物質ほど
散乱確率が小さくなる。
製するためのスタンパの構成を示す断面図である。図に
示すように、光ディスクを作製に使用するスタンパ１
は、ＮｉやＣｒあるいはＳｉの基板２と、基板２の表面
に形成され、電子ビームの散乱が小さい物質からなる低
散乱層３とを有し、低散乱層３の表面には電子ビームに
より凹凸パターン４が形成されている。この低散乱層３
を形成する物質は原子番号が小さく、耐久性がある物
質、例えばダイアモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣ
という）や表面がＡｌ２Ｏ３又はＡｌＮに変化している
Ａｌを使用する。このように低散乱層３として原子番号
が小さい物質を使用することにより、電子ビームの散乱
確率を小さくすることができる。すなわち電子が物質に
入射したときに発生する散乱はＲｕｔｈｅｒｆｏｒｄ
（ラザーフォード）散乱がほとんどである。ラザーフォ
ード散乱の散乱確率は次式で与えられる。 ｄσi/ｄΩ＝[Ｚi(Ｚi＋１)・ｅ４]/［４Ｅ２(１−cos
θ＋βi)２］ ここでσiは微分散乱断面積、Ωは立体角、Ｚiは原子番
号、βiは原子iの遮蔽パラメータ、ｅは電子の電荷、Ｅ
は入射電子のエネルギ、θは電子の散乱角である。この
式から明らかなように、原子番号Ｚiが小さい物質ほど
散乱確率が小さくなる。
【００２０】このスタンパ１の低散乱層３としてＤＬＣ
又はＡｌを使用した場合の各種の製造方法について説明
する。
又はＡｌを使用した場合の各種の製造方法について説明
する。
【００２１】［第１の製造方法］ 低散乱層３としてＤ
ＬＣを使用した場合、図２の（ａ）に示すように、平坦
なＮｉ基板２の洗浄を行い、（ｂ）に示すように、基板
２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法により0.5μｍの
厚さで蒸着して低散乱層３を形成する。この低散乱層３
の表面に、（ｃ）に示すように電子ビーム用レジスト層
５を２μｍの厚さで形成する。この電子ビーム用レジス
ト層５は、例えば日本ゼオン（株）製の電子ビーム用レ
ジストＺＥＰ−５２０等のポジ型電子線レジストを使用
する。このレジスト層５の表面に加速電圧30ＫｅＶの電
子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、（ｄ）
に示すように、レジスト層５の露光した部分を除去して
レジストパターン６を形成する。このレジスト層５を電
子ビームで露光するとき、低散乱層３を形成するＤＬＣ
は炭素原子から構成されているので、電子を後方散乱す
る割合が小さくてすむ。また、照射した電子は基板２で
後方散乱が発生するが、レジスト層５と基板２の間に低
散乱層３があるので基板２の後方散乱がレジスト層５に
及ぼす影響を小さくすることができる。したがってレジ
スト層５に形成されるパターン形状は、基板２にレジス
ト層５を直接形成したときよりも微細で逆テーパの小さ
いパターンを形成することができる。
ＬＣを使用した場合、図２の（ａ）に示すように、平坦
なＮｉ基板２の洗浄を行い、（ｂ）に示すように、基板
２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法により0.5μｍの
厚さで蒸着して低散乱層３を形成する。この低散乱層３
の表面に、（ｃ）に示すように電子ビーム用レジスト層
５を２μｍの厚さで形成する。この電子ビーム用レジス
ト層５は、例えば日本ゼオン（株）製の電子ビーム用レ
ジストＺＥＰ−５２０等のポジ型電子線レジストを使用
する。このレジスト層５の表面に加速電圧30ＫｅＶの電
子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、（ｄ）
に示すように、レジスト層５の露光した部分を除去して
レジストパターン６を形成する。このレジスト層５を電
子ビームで露光するとき、低散乱層３を形成するＤＬＣ
は炭素原子から構成されているので、電子を後方散乱す
る割合が小さくてすむ。また、照射した電子は基板２で
後方散乱が発生するが、レジスト層５と基板２の間に低
散乱層３があるので基板２の後方散乱がレジスト層５に
及ぼす影響を小さくすることができる。したがってレジ
スト層５に形成されるパターン形状は、基板２にレジス
ト層５を直接形成したときよりも微細で逆テーパの小さ
いパターンを形成することができる。
【００２２】その後、（ｅ）に示すように、レジストパ
ターン６をマスクにして低散乱層３をＲＩＥでドライエ
ッチングを酸素ガスにより20ｎｍ〜30ｎｍ行う。この酸
素ガスによるＲＩＥは、低散乱層３を形成するＤＬＣだ
けでなくレジストもエッチングするが、レジストの膜厚
は２μｍあるので、低散乱層３を20〜30ｎｍエッチング
してもレジストは残っていてマスクとしての機能を果た
している。次に、レジストパターン６の全面に紫外線を
照射し、ＤＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいはＮ
ＭＰ（１−Methlyl−２−pyrrolidinone）液でリンスし
て、レジストパターン６を除去し、最終的に内径および
外径を所定の寸法にカットして、（ｆ）に示すように、
低散乱層３に微細な凹凸パターン４を有する光ディスク
用のスタンパ１を作製する。
ターン６をマスクにして低散乱層３をＲＩＥでドライエ
ッチングを酸素ガスにより20ｎｍ〜30ｎｍ行う。この酸
素ガスによるＲＩＥは、低散乱層３を形成するＤＬＣだ
けでなくレジストもエッチングするが、レジストの膜厚
は２μｍあるので、低散乱層３を20〜30ｎｍエッチング
してもレジストは残っていてマスクとしての機能を果た
している。次に、レジストパターン６の全面に紫外線を
照射し、ＤＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいはＮ
ＭＰ（１−Methlyl−２−pyrrolidinone）液でリンスし
て、レジストパターン６を除去し、最終的に内径および
外径を所定の寸法にカットして、（ｆ）に示すように、
低散乱層３に微細な凹凸パターン４を有する光ディスク
用のスタンパ１を作製する。
【００２３】［第２の製造方法］ 図３の（ａ）に示す
ように、平坦なＮｉ基板２の洗浄を行い、（ｂ）に示す
ように、基板２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法によ
り0.5μｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成する。こ
の低散乱層３の表面に、（ｃ）に示すように、スパッタ
法により１０ｎｍの厚さでＡｌ層７を形成し、Ａｌ層７
の表面に、（ｄ）に示すように、ポジ型電子線レジスト
により電子ビーム用レジスト層５を0.5μｍの厚さで形
成する。このレジスト層５の表面に加速電圧30ＫｅＶの
電子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、
（ｅ）に示すように、レジスト層５の露光した部分を除
去してレジストパターン６を形成する。このレジスト層
５を電子ビームで露光するとき、低散乱層３を形成する
ＤＬＣは炭素原子から構成されているので、電子を後方
散乱する割合が小さくてすみ、Ａｌ層７を構成するＡｌ
もＳｉよりも原子番号が小さいので、電子を後方散乱す
る割合が小さくてすむ。また、照射した電子は基板２で
後方散乱が発生するが、レジスト層５と基板２の間に低
散乱層３とＡｌ層７５あるので基板２の後方散乱がレジ
スト層５に及ぼす影響を小さくすることができ、レジス
ト層５に微細で逆テーパの小さいレジストパターン６を
形成することができる。また、Ａｌ層７を設けることに
より、電子ビームを連続して照射することによるレジス
ト面のチャージアップを防止することができる。このチ
ャージアップがあると、照射する電子ビームがレジスト
面の電荷からクーロン力を受けて偏位してしまい、目標
の位置に電子ビームを照射することができなくなるがこ
れを防ぐことができる。
ように、平坦なＮｉ基板２の洗浄を行い、（ｂ）に示す
ように、基板２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法によ
り0.5μｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成する。こ
の低散乱層３の表面に、（ｃ）に示すように、スパッタ
法により１０ｎｍの厚さでＡｌ層７を形成し、Ａｌ層７
の表面に、（ｄ）に示すように、ポジ型電子線レジスト
により電子ビーム用レジスト層５を0.5μｍの厚さで形
成する。このレジスト層５の表面に加速電圧30ＫｅＶの
電子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、
（ｅ）に示すように、レジスト層５の露光した部分を除
去してレジストパターン６を形成する。このレジスト層
５を電子ビームで露光するとき、低散乱層３を形成する
ＤＬＣは炭素原子から構成されているので、電子を後方
散乱する割合が小さくてすみ、Ａｌ層７を構成するＡｌ
もＳｉよりも原子番号が小さいので、電子を後方散乱す
る割合が小さくてすむ。また、照射した電子は基板２で
後方散乱が発生するが、レジスト層５と基板２の間に低
散乱層３とＡｌ層７５あるので基板２の後方散乱がレジ
スト層５に及ぼす影響を小さくすることができ、レジス
ト層５に微細で逆テーパの小さいレジストパターン６を
形成することができる。また、Ａｌ層７を設けることに
より、電子ビームを連続して照射することによるレジス
ト面のチャージアップを防止することができる。このチ
ャージアップがあると、照射する電子ビームがレジスト
面の電荷からクーロン力を受けて偏位してしまい、目標
の位置に電子ビームを照射することができなくなるがこ
れを防ぐことができる。
【００２４】次に（ｆ）に示すように、レジストパター
ン６をマスクにしてＡｌ層７をドライエッチングする。
このドライエッチングにより異方性エッチングが可能に
なり、等方的にエッチングすることによってＡｌ層７の
全てがなくなるといった現象を防止することができる。
このドライエッチングを平行平板電極型のＲＩＥで、反
応ガスをＣＣｌ４とＣｌ２の条件で行う。ＣＣｌ４でエ
ッチング反応が進行し、Ｃｌ２でエッチング残留物を低
減している。次に、レジストパターン６の全面に紫外線
を照射し、ＤＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいは
ＮＭＰ（１−Methlyl−２−pyrrolidinone）液でリンス
して、（ｇ）に示すようにレジストパターン６を除去す
る。その後、（ｈ）に示すように、エッチングしたＡｌ
層７をマスクとして、低散乱層３をＲＩＥでドライエッ
チングを酸素ガスにより20ｎｍ〜30ｎｍ行う。この低散
乱層３をドライエッチングするとき、第１の製造方法で
示すようにレジストパターン６をマスクとしてエッチン
グすると、低散乱層３をドライエッチング中にレジスト
もエッチングされるため、あらかじめレジスト層５を厚
くするが、このようにレジスト層５を厚くすると、微細
なパターンを形成するためにアスペクト比が大きくなる
ような露光条件を設定することが必要になる。これに対
してＡｌ層７をマスクとしてエッチングしているから、
第１の製造方法で示すようにレジストパターン６をマス
クとして低散乱層３をドライエッチングすることによ
り、レジスト層５を薄くすることができ、アスペクト比
が小さい露光条件でも容易に微細なパターンを形成する
ことができる。また、Ａｌは酸素ガスでのＲＩＥではド
ライエッチングすることができず、逆に表面がドライエ
ッチングされにくいＡｌ２Ｏ３に変質するので、膜厚が
１０ｎｍでも低散乱層３をドライエッチングするときの
マスクとして機能することができる。次に、Ａｌ層７を
Ｈ３ＰＯ４液でリンスして除去し、最終的に内径および
外径を所定の寸法にカットして、（ｉ）に示すように、
低散乱層３に微細な凹凸パターン４を有する光ディスク
用のスタンパ１を完成する。
ン６をマスクにしてＡｌ層７をドライエッチングする。
このドライエッチングにより異方性エッチングが可能に
なり、等方的にエッチングすることによってＡｌ層７の
全てがなくなるといった現象を防止することができる。
このドライエッチングを平行平板電極型のＲＩＥで、反
応ガスをＣＣｌ４とＣｌ２の条件で行う。ＣＣｌ４でエ
ッチング反応が進行し、Ｃｌ２でエッチング残留物を低
減している。次に、レジストパターン６の全面に紫外線
を照射し、ＤＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいは
ＮＭＰ（１−Methlyl−２−pyrrolidinone）液でリンス
して、（ｇ）に示すようにレジストパターン６を除去す
る。その後、（ｈ）に示すように、エッチングしたＡｌ
層７をマスクとして、低散乱層３をＲＩＥでドライエッ
チングを酸素ガスにより20ｎｍ〜30ｎｍ行う。この低散
乱層３をドライエッチングするとき、第１の製造方法で
示すようにレジストパターン６をマスクとしてエッチン
グすると、低散乱層３をドライエッチング中にレジスト
もエッチングされるため、あらかじめレジスト層５を厚
くするが、このようにレジスト層５を厚くすると、微細
なパターンを形成するためにアスペクト比が大きくなる
ような露光条件を設定することが必要になる。これに対
してＡｌ層７をマスクとしてエッチングしているから、
第１の製造方法で示すようにレジストパターン６をマス
クとして低散乱層３をドライエッチングすることによ
り、レジスト層５を薄くすることができ、アスペクト比
が小さい露光条件でも容易に微細なパターンを形成する
ことができる。また、Ａｌは酸素ガスでのＲＩＥではド
ライエッチングすることができず、逆に表面がドライエ
ッチングされにくいＡｌ２Ｏ３に変質するので、膜厚が
１０ｎｍでも低散乱層３をドライエッチングするときの
マスクとして機能することができる。次に、Ａｌ層７を
Ｈ３ＰＯ４液でリンスして除去し、最終的に内径および
外径を所定の寸法にカットして、（ｉ）に示すように、
低散乱層３に微細な凹凸パターン４を有する光ディスク
用のスタンパ１を完成する。
【００２５】［第３の製造方法］ 図４（ａ）に示すよ
うに、平坦なＮｉ基板２の洗浄を行い、（ｂ）に示すよ
うに、基板２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法により
0.5μｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成する。この
低散乱層３の表面に、（ｃ）に示すようにポジ型電子線
レジストを使用してレジスト層５を２μｍの厚さで形成
する。このレジスト層５の表面に加速電圧30ＫｅＶの電
子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、（ｄ）
に示すように、レジスト層５の露光した部分を除去して
レジストパターン６を形成する。次に、（ｅ）に示すよ
うに、レジストパターン６と低散乱層３の露出した部分
にスパッタ法により0.2μｍの厚さでＳｉ層８を形成す
る。このＳｉ層８は、低散乱層３をドライエッチングす
るときマスクとして使用するので、酸素でのＲＩＥエッ
チングで耐エッチング特性を有する性質が必要である。
次に、レジストパターン６の全面に紫外線を照射し、Ｄ
ＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいはＮＭＰ（１−M
ethlyl−２−pyrrolidinone）液でリンスして、（ｆ）
に示すようにレジストパターン６を除去する。このとき
レジストパターン６の表面に形成されたＳｉ層８はレジ
ストパターン６の除去と一緒に剥離される。次に、
（ｇ）に示すように、低散乱層３の表面のＳｉ層８をマ
スクとして、低散乱層３をＲＩＥでドライエッチングを
酸素ガスにより20ｎｍ〜30ｎｍ行う。このドライエッチ
ングでＳｉ層８はエッチングしないが、表面がＳｉＯ２
に変化する。その後、Ｓｉ層８をエッチングして除去
し、最終的に内径および外径を所定の寸法にカットし
て、（ｈ）に示すように、低散乱層３に微細な凹凸パタ
ーン４を有する光ディスク用スタンパ１を完成する。こ
のＳｉ層８をドライエッチングで除去するときは、ＣＦ
４やＣ２Ｆ６などのガスでＲＩＥにより行い、ウェット
エッチングで行うときは、ＨＦ、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯ
ＯＨの混合液でエッチングを行う。
うに、平坦なＮｉ基板２の洗浄を行い、（ｂ）に示すよ
うに、基板２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法により
0.5μｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成する。この
低散乱層３の表面に、（ｃ）に示すようにポジ型電子線
レジストを使用してレジスト層５を２μｍの厚さで形成
する。このレジスト層５の表面に加速電圧30ＫｅＶの電
子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、（ｄ）
に示すように、レジスト層５の露光した部分を除去して
レジストパターン６を形成する。次に、（ｅ）に示すよ
うに、レジストパターン６と低散乱層３の露出した部分
にスパッタ法により0.2μｍの厚さでＳｉ層８を形成す
る。このＳｉ層８は、低散乱層３をドライエッチングす
るときマスクとして使用するので、酸素でのＲＩＥエッ
チングで耐エッチング特性を有する性質が必要である。
次に、レジストパターン６の全面に紫外線を照射し、Ｄ
ＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいはＮＭＰ（１−M
ethlyl−２−pyrrolidinone）液でリンスして、（ｆ）
に示すようにレジストパターン６を除去する。このとき
レジストパターン６の表面に形成されたＳｉ層８はレジ
ストパターン６の除去と一緒に剥離される。次に、
（ｇ）に示すように、低散乱層３の表面のＳｉ層８をマ
スクとして、低散乱層３をＲＩＥでドライエッチングを
酸素ガスにより20ｎｍ〜30ｎｍ行う。このドライエッチ
ングでＳｉ層８はエッチングしないが、表面がＳｉＯ２
に変化する。その後、Ｓｉ層８をエッチングして除去
し、最終的に内径および外径を所定の寸法にカットし
て、（ｈ）に示すように、低散乱層３に微細な凹凸パタ
ーン４を有する光ディスク用スタンパ１を完成する。こ
のＳｉ層８をドライエッチングで除去するときは、ＣＦ
４やＣ２Ｆ６などのガスでＲＩＥにより行い、ウェット
エッチングで行うときは、ＨＦ、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯ
ＯＨの混合液でエッチングを行う。
【００２６】低散乱層３にＡｌを使用する場合は、前記
第１の製造方法又は第３の製造方法において、洗浄した
基板２の表面にＤＬＣの代わりにＡｌをスパッタ法によ
り100ｎｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成すれば良
い。そして図５Ａ，Ｂの（ａ）に示すように、低散乱層
３に微細な凹凸パターン４を形成した後、低散乱層３に
約１ＭｅＶのエネルギで酸素又は窒素を注入し、低散乱
層３を構成するＡｌの表面をＡｌ２Ｏ３又はＡｌＮに変
化させてセラミック層９を形成して硬化させ、最終的に
内径および外径を所定の寸法にカットして、（ｂ）に示
すように、低散乱層３のセラミック層９に微細な凹凸パ
ターン４を有する光ディスク用スタンパ１を完成する。
このようにＡＬを使用した低散乱層３の表面を酸化した
り窒化して硬化することにより、スタンパ１の耐久性を
向上することができる。
第１の製造方法又は第３の製造方法において、洗浄した
基板２の表面にＤＬＣの代わりにＡｌをスパッタ法によ
り100ｎｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成すれば良
い。そして図５Ａ，Ｂの（ａ）に示すように、低散乱層
３に微細な凹凸パターン４を形成した後、低散乱層３に
約１ＭｅＶのエネルギで酸素又は窒素を注入し、低散乱
層３を構成するＡｌの表面をＡｌ２Ｏ３又はＡｌＮに変
化させてセラミック層９を形成して硬化させ、最終的に
内径および外径を所定の寸法にカットして、（ｂ）に示
すように、低散乱層３のセラミック層９に微細な凹凸パ
ターン４を有する光ディスク用スタンパ１を完成する。
このようにＡＬを使用した低散乱層３の表面を酸化した
り窒化して硬化することにより、スタンパ１の耐久性を
向上することができる。
【００２７】前記スタンパ１は基板２と表面に凹凸パタ
ーン４を有する低散乱層３で形成した場合について説明
したが、図６の断面図に示すように、基板２と低散乱層
３の間に熱伝導率が小さな物質、例えばポリイミド又は
ポリアミドイミドで形成された熱伝導層１０を設けると
良い。この熱伝導層１０を有するスタンパ１を作製する
ときは、洗浄した基板２の表面に、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンで所定の粘度に調合したポリイミド又はポリア
ミドイミドをスピンコート法で塗布し、２００℃でキュ
アを行い、約30μｍの熱伝導層１０を形成する。このポ
リアミドイミドにより熱伝導層１０を形成した基板２を
真空中で300℃の加熱処理あるいは基板１を電極として
プラズマを発生させ熱伝導層１０の表面の逆スパッタを
行い、熱伝導層１０の表面に不純物がない状態にする。
この熱伝導層１０の表面に低散乱層３を形成する。この
低散乱層３をＤＬＣで形成する場合、図７の（ａ）に示
すように、熱伝導層１０の表面にスパッタ法で膜厚が数
10ÅのＴｉＯｘ膜１１を形成し、このＴｉＯｘ膜１１の
表面に、（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法で膜厚
が数10ÅのＤＬＣ膜１２を形成する。このＴｉＯｘ膜１
１とＤＬＣ膜１２を順次繰り返し積層し、ＤＬＣ膜１２
の比率を次第に大きくし、最終的にＤＬＣ膜１２のみを
形成するようにすると、ＤＬＣだけで低散乱層３を形成
するときよりも熱伝導層１０に対する密着性を向上する
ことができる。この低散乱層３の表面に前記製造方法に
より微細な凹凸パターン４を形成する。
ーン４を有する低散乱層３で形成した場合について説明
したが、図６の断面図に示すように、基板２と低散乱層
３の間に熱伝導率が小さな物質、例えばポリイミド又は
ポリアミドイミドで形成された熱伝導層１０を設けると
良い。この熱伝導層１０を有するスタンパ１を作製する
ときは、洗浄した基板２の表面に、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンで所定の粘度に調合したポリイミド又はポリア
ミドイミドをスピンコート法で塗布し、２００℃でキュ
アを行い、約30μｍの熱伝導層１０を形成する。このポ
リアミドイミドにより熱伝導層１０を形成した基板２を
真空中で300℃の加熱処理あるいは基板１を電極として
プラズマを発生させ熱伝導層１０の表面の逆スパッタを
行い、熱伝導層１０の表面に不純物がない状態にする。
この熱伝導層１０の表面に低散乱層３を形成する。この
低散乱層３をＤＬＣで形成する場合、図７の（ａ）に示
すように、熱伝導層１０の表面にスパッタ法で膜厚が数
10ÅのＴｉＯｘ膜１１を形成し、このＴｉＯｘ膜１１の
表面に、（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法で膜厚
が数10ÅのＤＬＣ膜１２を形成する。このＴｉＯｘ膜１
１とＤＬＣ膜１２を順次繰り返し積層し、ＤＬＣ膜１２
の比率を次第に大きくし、最終的にＤＬＣ膜１２のみを
形成するようにすると、ＤＬＣだけで低散乱層３を形成
するときよりも熱伝導層１０に対する密着性を向上する
ことができる。この低散乱層３の表面に前記製造方法に
より微細な凹凸パターン４を形成する。
【００２８】このスタンパ１を使用して光ディスクを成
形するとき、低散乱層３に形成させた微細な凹凸パター
ン４のを転写性を向上させるためには、射出成型時の金
型温度を高く設定することが必要になる。このように金
型温度を高くすると、成形した光ディスクをスタンパ１
から剥離するまでの冷却時間が長くなり、射出成型タク
トが長くなるが、基板２と低散乱層３の間に熱伝導層１
０を設けることにより、このスタンパ１を使用して光デ
ィスクを射出成型するとき、溶融樹脂充填直後に溶融樹
脂から放出される熱が熱伝導層１０に一時的に蓄積する
ことができ、低拡散層３に形成されている微細な凹凸パ
ターン４に樹脂が充填されやすくなり、成形金型の温度
を高くしなくても凹凸パターン４の転写性を向上させる
ことができる。したがってスタンパ１から成形した光デ
ィスクを剥離するまでの冷却時間を長くしないですみ、
効率良く光ディスクを成形することができる。
形するとき、低散乱層３に形成させた微細な凹凸パター
ン４のを転写性を向上させるためには、射出成型時の金
型温度を高く設定することが必要になる。このように金
型温度を高くすると、成形した光ディスクをスタンパ１
から剥離するまでの冷却時間が長くなり、射出成型タク
トが長くなるが、基板２と低散乱層３の間に熱伝導層１
０を設けることにより、このスタンパ１を使用して光デ
ィスクを射出成型するとき、溶融樹脂充填直後に溶融樹
脂から放出される熱が熱伝導層１０に一時的に蓄積する
ことができ、低拡散層３に形成されている微細な凹凸パ
ターン４に樹脂が充填されやすくなり、成形金型の温度
を高くしなくても凹凸パターン４の転写性を向上させる
ことができる。したがってスタンパ１から成形した光デ
ィスクを剥離するまでの冷却時間を長くしないですみ、
効率良く光ディスクを成形することができる。
【００２９】この微細な凹凸パターン４を転写した光デ
ィスクは、高記録密度化と高記録容量化を図ることがで
きる。
ィスクは、高記録密度化と高記録容量化を図ることがで
きる。
【００３０】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、平坦な
基板の表面に、電子ビームの散乱が小さい物質からなる
低散乱層とを有し、低散乱層の表面には電子ビームによ
り凹凸パターンを形成することにより、凹凸パターンを
形成するためにレジスト層を電子ビームで露光すると
き、レジスト層が受ける電子ビームの散乱の影響を小さ
くして、レジスト層に微細なパターンを形成することが
でき、微細な凹凸パターンを精度良く形成することがで
きる。
基板の表面に、電子ビームの散乱が小さい物質からなる
低散乱層とを有し、低散乱層の表面には電子ビームによ
り凹凸パターンを形成することにより、凹凸パターンを
形成するためにレジスト層を電子ビームで露光すると
き、レジスト層が受ける電子ビームの散乱の影響を小さ
くして、レジスト層に微細なパターンを形成することが
でき、微細な凹凸パターンを精度良く形成することがで
きる。
【００３１】また、基板と凹凸パターンを有する低散乱
層の間に熱伝導率の小さな物質からなる熱伝導層を設け
ることにより、光ディスクを成形するときに、溶融樹脂
から放出される熱を熱伝導層に一時的に蓄積して、低拡
散層に形成されている微細な凹凸パターンに樹脂を充填
しやすくし、凹凸パターンの転写性を向上するととも
に、効率良く転写することができる。
層の間に熱伝導率の小さな物質からなる熱伝導層を設け
ることにより、光ディスクを成形するときに、溶融樹脂
から放出される熱を熱伝導層に一時的に蓄積して、低拡
散層に形成されている微細な凹凸パターンに樹脂を充填
しやすくし、凹凸パターンの転写性を向上するととも
に、効率良く転写することができる。
【００３２】さらに、伝導層をポリイミド又はポリアミ
ドイミドで形成することにより、光ディスクを成形する
ときの転写性を向上させることができる。
ドイミドで形成することにより、光ディスクを成形する
ときの転写性を向上させることができる。
【００３３】また、低散乱層をダイヤモンドライクカー
ボン（ＤＬＣ）や表面に酸化物あるいは窒化物が形成さ
れたアルミニュームで形成することにより、電子ビーム
を照射したときのレジスト層が受ける電子ビームの散乱
の影響を小さくして、レジスト層に微細なパターンを形
成することができる。
ボン（ＤＬＣ）や表面に酸化物あるいは窒化物が形成さ
れたアルミニュームで形成することにより、電子ビーム
を照射したときのレジスト層が受ける電子ビームの散乱
の影響を小さくして、レジスト層に微細なパターンを形
成することができる。
【００３４】また、平坦な基板の表面に電子ビームの散
乱が小さい物質からなる低散乱層を形成し、低散乱層の
表面に電子ビーム用レジスト層を形成し、レジスト層を
電子ビームで露光し現像してレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとして低散乱層にドライ
エッチングにより所定の深さの凹凸パターンを形成し、
レジストパターンを除去することにより、微細な凹凸パ
ターンを有するスタンパを精度良く作製することができ
る。
乱が小さい物質からなる低散乱層を形成し、低散乱層の
表面に電子ビーム用レジスト層を形成し、レジスト層を
電子ビームで露光し現像してレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとして低散乱層にドライ
エッチングにより所定の深さの凹凸パターンを形成し、
レジストパターンを除去することにより、微細な凹凸パ
ターンを有するスタンパを精度良く作製することができ
る。
【００３５】また、平坦な基板の表面に電子ビームの散
乱が小さい物質からなる第１の低散乱層を形成し、第１
の低散乱層の表面に、第１の低散乱層を形成する物質と
異なり、電子ビームの散乱が小さい物質かなる第２の低
散乱層を形成し、第２の低散乱層の表面に電子ビーム用
レジスト層を形成し、該レジスト層を電子ビームで露光
し現像してレジストパターンを形成することにより、電
子ビームを照射したときのレジスト層が受ける電子ビー
ムの散乱の影響を小さくして、レジスト層に微細なパタ
ーンを形成することができ、微細な凹凸パターンを有す
るスタンパを精度良く作製することができる。
乱が小さい物質からなる第１の低散乱層を形成し、第１
の低散乱層の表面に、第１の低散乱層を形成する物質と
異なり、電子ビームの散乱が小さい物質かなる第２の低
散乱層を形成し、第２の低散乱層の表面に電子ビーム用
レジスト層を形成し、該レジスト層を電子ビームで露光
し現像してレジストパターンを形成することにより、電
子ビームを照射したときのレジスト層が受ける電子ビー
ムの散乱の影響を小さくして、レジスト層に微細なパタ
ーンを形成することができ、微細な凹凸パターンを有す
るスタンパを精度良く作製することができる。
【００３６】さらに、平坦な基板の表面に電子ビームの
散乱が小さい物質からなる低散乱層を形成し、該低散乱
層の表面に電子ビーム用レジスト層を形成し、レジスト
層を電子ビームで露光し現像してレジストパターンを形
成し、レジストパターンの表面と低散乱層の露出した面
にマスク層を形成し、レジストパターンを除去してマス
ク層をマスクとして低散乱層にドライエッチングにより
所定の深さの凹凸パターンを形成することにより、微細
な凹凸パターンを有するスタンパを精度良く作製するこ
とができる。
散乱が小さい物質からなる低散乱層を形成し、該低散乱
層の表面に電子ビーム用レジスト層を形成し、レジスト
層を電子ビームで露光し現像してレジストパターンを形
成し、レジストパターンの表面と低散乱層の露出した面
にマスク層を形成し、レジストパターンを除去してマス
ク層をマスクとして低散乱層にドライエッチングにより
所定の深さの凹凸パターンを形成することにより、微細
な凹凸パターンを有するスタンパを精度良く作製するこ
とができる。
【００３７】また、熱伝導層の表面を真空中で加熱処理
又は逆スパッタ処理して表面を不純物がない状態にする
ことにより、低散乱層との密着性を高めることができ、
良質なスタンパを安定して作製することができる。
又は逆スパッタ処理して表面を不純物がない状態にする
ことにより、低散乱層との密着性を高めることができ、
良質なスタンパを安定して作製することができる。
【００３８】さらに、凹凸パターンを有する低散乱層の
表面に酸化処理又は窒化処理を施し、凹凸パターンが形
成された表面を硬化させることにより、スタンパの耐久
性を向上させることができる。
表面に酸化処理又は窒化処理を施し、凹凸パターンが形
成された表面を硬化させることにより、スタンパの耐久
性を向上させることができる。
【００３９】また、前記スタンパにより凹凸パターンが
転写され、転写面に微細な凹凸パターンを形成した光デ
ィスクは高記録密度化と高記録容量化を図ることができ
る。
転写され、転写面に微細な凹凸パターンを形成した光デ
ィスクは高記録密度化と高記録容量化を図ることができ
る。
【図１】この発明のスタンパの構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】スタンパの第１の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図３】スタンパの第２の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図４】スタンパの第３の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図５】凹凸パターンを有する低散乱層の表面処理を示
す工程図である。
す工程図である。
【図６】第２のスタンパの構成を示す断面図である。
【図７】第２のスタンパの低拡散層の形成方法を示す工
程図である。
程図である。
【図８】電子ビームの加速電圧に対するレジスト感度の
特性図である。
特性図である。
【図９】電子ビームの加速電圧により後方散乱を示す模
式図である。
式図である。
１；スタンパ、２；基板、３；低散乱層、４；凹凸パタ
ーン、５；レジスト層、１０；熱伝導層。
ーン、５；レジスト層、１０；熱伝導層。
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(72)発明者 藤田 滋
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
Ｆターム(参考） 2H097 AA03 AB07 BA06 CA16 FA01
JA03
5D121 BA03 BA05 BB03 BB05 BB07
BB33 BB34 GG03 GG04 GG07
Claims (12)
- 【請求項１】 平坦な基板と、基板の表面に形成され、
電子ビームの散乱が小さい物質からなる低散乱層とを有
し、低散乱層の表面には電子ビームにより凹凸パターン
が形成されていることを特徴とする光ディスク用スタン
パ。 - 【請求項２】 平坦な基板と、基板の表面に形成され、
熱伝導率の小さな物質からなる熱伝導層と、熱伝導層の
表面に形成され、電子ビームの散乱が小さい物質からな
る低散乱層とを有し、低散乱層の表面には電子ビームに
より凹凸パターンが形成されていることを特徴とする光
ディスク用スタンパ。 - 【請求項３】 前記熱伝導層はポリイミド又はポリアミ
ドイミドである請求項２記載の光ディスク用スタンパ。 - 【請求項４】 前記低散乱層はダイヤモンドライクカー
ボン（ＤＬＣ）からなる請求項１，２又は３記載の光デ
ィスク用スタンパ。 - 【請求項５】 前記低散乱層は、表面に酸化物あるいは
窒化物が形成されたアルミニュームからなる請求項１，
２又は３記載の光ディスク用スタンパ。 - 【請求項６】 平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が
小さい物質からなる低散乱層を形成し、該低散乱層の表
面に電子ビーム用レジスト層を形成し、該レジスト層を
電子ビームで露光し現像してレジストパターンを形成
し、該レジストパターンをマスクとして低散乱層にドラ
イエッチングにより所定の深さの凹凸パターンを形成
し、前記レジストパターンを除去することを特徴とする
光ディスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項７】 平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が
小さい物質からなる第１の低散乱層を形成し、該第１の
低散乱層の表面に、第１の低散乱層を形成する物質と異
なり、電子ビームの散乱が小さい物質かなる第２の低散
乱層を形成し、該第２の低散乱層の表面に電子ビーム用
レジスト層を形成し、該レジスト層を電子ビームで露光
し現像してレジストパターンを形成し、該レジストの現
像によりレジストにパターンの形成を行い、該レジスト
パターンをマスクとして第２の低散乱層をドライエッチ
ングして凹凸パターンを形成し、前記レジストパターン
を除去してから第２の低散乱層に形成された凹凸パター
ンをマスクとして前記第１の低散乱層にドライエッチン
グにより所定の深さの凹凸パターンを形成し、前記第２
の低散乱層を除去することを特徴とする光ディスク用ス
タンパの製造方法。 - 【請求項８】 平坦な基板の表面に電子ビームの散乱が
小さい物質からなる低散乱層を形成し、該低散乱層の表
面に電子ビーム用レジスト層を形成し、該レジスト層を
電子ビームで露光し現像してレジストパターンを形成
し、該レジストパターンの表面と低散乱層の露出した面
にマスク層を形成し、レジストパターンを除去してマス
ク層をマスクとして低散乱層にドライエッチングにより
所定の深さの凹凸パターンを形成し、前記マスク層を除
去することを特徴とする光ディスク用スタンパの製造方
法。 - 【請求項９】 請求項６乃至８のいずれかに記載の光デ
ィスク用スタンパの製造方法において、平坦な基板の表
面に熱伝導率の小さな物質からなる熱伝導層を形成し、
該熱伝導層の表面に電子ビームの散乱が小さい物質から
なる低散乱層を形成することを特徴とする光ディスク用
スタンパの製造方法。 - 【請求項１０】 前記熱伝導層の表面を真空中で加熱処
理又は逆スパッタ処理する請求項９記載の光ディスク用
スタンパの製造方法。 - 【請求項１１】 前記凹凸パターンを有する低散乱層の
表面に酸化処理又は窒化処理を施す請求項６乃至１０の
いずれかに記載の光ディスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１乃至５のいずれかに記載の光
ディスク用スタンパの凹凸パターンが転写されたことを
特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002147010A JP2003338091A (ja) | 2002-05-22 | 2002-05-22 | 光ディスク用スタンパとその製造方法及び光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002147010A JP2003338091A (ja) | 2002-05-22 | 2002-05-22 | 光ディスク用スタンパとその製造方法及び光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338091A true JP2003338091A (ja) | 2003-11-28 |
Family
ID=29705769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002147010A Pending JP2003338091A (ja) | 2002-05-22 | 2002-05-22 | 光ディスク用スタンパとその製造方法及び光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003338091A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1457979A2 (en) * | 2003-02-28 | 2004-09-15 | Pioneer Corporation | Electron beam recording substrate |
| US7341825B2 (en) | 2006-05-25 | 2008-03-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for producing high resolution nano-imprinting masters |
| CN100555076C (zh) * | 2004-07-26 | 2009-10-28 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 用于纳米压印的压模及其制备方法 |
| JP2009252323A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Pioneer Electronic Corp | 凸状構造体作製方法 |
-
2002
- 2002-05-22 JP JP2002147010A patent/JP2003338091A/ja active Pending
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