JP2001307386A - スタンパ製造方法及び光記録媒体製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】エッチング工程においてマスクパターンの形状
を容易に制御することができ、良好な形状のピットを備
えたスタンパ及び光記録媒体を得ることができるスタン
パ製造方法及び光記録媒体製造方法を提供する。 【解決手段】 基板にネガ型フォトレジスト層を形成す
る工程と、ネガ型フォトレジスト層を露光する工程と、
ネガ型フォトレジスト層の露光部の現像液に対する溶解
性を低下させるリバーサルベイク工程と、ネガ型フォト
レジスト層を現像する工程と、現像後のネガ型フォトレ
ジスト層をマスクパターンとして前記基板をエッチング
する工程と、基板からフォトレジスト層を除去する工程
とを備え、リバーサルベイク工程は、基板側及びネガ型
フォトレジスト層側の両側に配置された熱源から放射さ
れる熱によりネガ型フォトレジスト層をリバーサルベイ
クする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、オーディオ情報及
びビデオ情報等を記録した光記録媒体の製造方法及びス
タンパ製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４は、従来のスタンパの製造工程を説
明する図である。図中、４０１はガラス原盤、４０２は
密着層、４０３はフォトレジスト層、４０４は露光部、
４０５はレジストパターン、４０６は導電膜、４０７は
電鋳層、４０８はスタンパである。

【０００３】図４（ａ）に示す工程では、ガラス原盤４
０１と後述するフォトレジスト層４０３との密着力を高
めるために、ガラス原盤４０１上にヘキサメチルジシラ
ザン（以下、ＨＭＤＳという。）又はシラン系カップリ
ング剤を塗布して単分子膜の密着層４０２を形成し、続
いて密着層４０２上にフォトレジスト層４０３を形成す
る。

【０００４】図４（ｂ）に示す工程では、フォトレジス
ト層４０３が形成されたガラス原盤４０１を図示しない
カッティングマシンのターンテーブルに取付け、記録情
報に従って変調されたレーザ光を照射しフォトレジスト
層４０３を露光し、露光部４０４を形成する。図４
（ｃ）に示す工程では、現像液によりフォトレジスト層
４０３を現像する。露光部４０４のフォトレジスト層が
除去され、ガラス原盤４０１上にレジストパターン４０
５が形成される。

【０００５】図４（ｄ）に示す工程では、ガラス原盤４
０１をスパッタリング装置に設置し、スパッタリングに
より、レジストパターン４０５の表面にニッケル、クロ
ム等の導電膜４０６を形成する。図４（ｅ）に示す工程
では、導電膜４０６が形成されたガラス原盤４０１を電
鋳槽の陰極に設置し、ニッケル電鋳を行い、ガラス原盤
４０１の導電膜４０６上に電鋳層４０７を形成する。

【０００６】図４（ｆ）に示す工程では、ガラス原盤４
０１からレジストパターン４０５が転写された電鋳層４
０７を剥離する。図４（ｇ）に示す工程では、電鋳層４
０７に付着したレジストパターン４０５を酸素アッシン
グ等により除去し、電鋳層４０７を所望の形状に加工
し、電鋳層４０７の裏面を鏡面研磨することによりスタ
ンパ４０８を得る。スタンパ４０８を射出成形機の金型
に取付け、樹脂基板を成形することによりレプリカ基板
が得られる。

【０００７】ところで、光記録媒体製造工程に対する要
求の一つに、光記録媒体製造工程の時間短縮がある。現
在、光記録媒体製造工程の時間短縮の最大の妨げとなっ
ているのは、図４の（ｅ）に示すスタンパ製造工程にお
ける電鋳工程である。一般的に、コンパクトディスクの
製造プロセスにおいて電鋳工程には、約２時間の時間が
費やされている。

【０００８】上述した問題点を解決するために、特開昭
５９−２２４３２０号公報、特開平３−１５０７３８号
公報及び特開平５−６２２５４号公報に電鋳工程を含ま
ない光記録媒体製造工程が開示されている。図５は、従
来の電鋳工程を含まない光ディスク製造工程におけるス
タンパの製造工程を説明する図である。図中、５０１は
基板、５０２はネガ型フォトレジスト層、５０３は露光
部、５０４はマスクパターン、５０５はピット、５０６
はスタンパである。

【０００９】図５（ａ）に示す工程では、ニッケル、シ
リコン等からなる基板５０１上にネガ型フォトレジスト
層５０２を形成する。図４の製造工程で用いたＨＭＤＳ
やシランカップリング剤は、ガラス原盤とフォトレジス
ト層との密着力を高めるためのものであり、金属基板と
フォトレジスト層との密着力を高める作用はないため用
いない。ネガ型フォトレジストを用いるのは、後述する
エッチング工程後の基板５０１の凹凸パターンを、図４
に示した凹凸パターンと同じにするためである。

【００１０】図５（ｂ）に示す工程では、ネガ型フォト
レジスト層５０２が形成された基板５０１を図示しない
カッティングマシンのターンテーブルに取付け、記録情
報に従って変調されたレーザ光を照射しネガ型フォトレ
ジスト層５０２を露光し、露光部５０３を形成する。

【００１１】図５（ｃ）に示す工程では、露光部５０３
の現像液に対する溶解性を低下させるために、循環式オ
ーブンやホットプレートによりネガ型フォトレジスト層
５０２のリバーサルベイク（加熱処理）を行う。ネガ型
フォトレジストは、露光された部分の感光剤が分解して
酸となる。ネガ型フォトレジストが加熱されるとこの酸
が触媒となり、ネガ型フォトレジストの組成物であるノ
ボラック樹脂は架橋反応を起こし、現像液に対する溶解
性が著しく低い組成物に変化する。すなわち、ネガ型フ
ォトレジスト層５０２をリバーサルベイクすると、露光
部５０３の現像液に対する溶解性が低下する。

【００１２】図５（ｄ）に示す工程では、現像液により
リバーサルベイクを施したネガ型フォトレジスト層５０
２を現像する。露光部５０３以外の部分のネガ型フォト
レジスト層５０２が除去され、基板５０１上にマスクパ
ターン５０４が形成される。

【００１３】図５（ｅ）に示す工程では、基板５０１上
に形成されたマスクパターン５０４を用いてエッチング
を行う。基板５０１に所定の深さのピット５０５が得ら
れたら、エッチングを終了する。図４（ｅ）に示した電
鋳工程が約２時間かかるのに対し、本工程におけるエッ
チング時間は１０分間から３０分間で終了する。

【００１４】図５（ｆ）及び（ｇ）に示す工程では、基
板５０１に付着したマスクパターン５０４を酸素アッシ
ング等により除去し、基板５０１を所望の形状に加工す
ることによりスタンパ５０６を得る。

【００１５】図６は、ネガ型フォトレジストを用いた場
合のリバーサルベイク方法とエッチングにより得られる
スタンパのピット形状との関係を示す図である。図中、
図５で示した箇所と同様の箇所には同じ符号を付し、説
明を省略する。６０１は循環式オーブン、６０２は熱
源、６０３はホットプレートである。

【００１６】図６（ａ）に示すように、リバーサルベイ
ク工程において循環式オーブン６０１を用いた場合は、
基板５０１は両側から均等に熱せられるため、ネガ型フ
ォトレジスト層５０２全体に熱が均等に行き渡る。ネガ
型フォトレジスト層５０２の露光部は、均一に架橋反応
を起こす。したがって、図６（ｂ）に示すように、ネガ
型フォトレジスト層５０２の現像後、基板５０１に形成
されるマスクパターン５０４はエッジの立った矩形とな
る。エッチングはマスクパターンの形状にほぼ依存して
進行するため、基板５０１に形成されるピット５０５は
矩形となる。スタンパ（基板５０１）に形成されたピッ
ト５０５が矩形に近い形状であると、射出成形時にレプ
リカ基板へピットが正確に転写されなかったり、スタン
パからレプリカ基板を剥離する時に欠陥が多く発生す
る。

【００１７】図６（ｃ）に示すように、リバーサルベイ
クにおいてホットプレート６０３を用い、基板５０１側
からネガ型フォトレジスト層５０２を熱処理した場合、
ネガ型フォトレジスト層５０２の露光部の架橋反応は、
基板５０１側が表面側よりも進行が早い。したがって、
図６（ｄ）に示すように、ネガ型フォトレジスト層の５
０２現像後、基板５０１に形成されるマスクパターン５
０４は上底が下底よりも短い台形となる。このマスクパ
ターン５０４を用いて基板５０１のエッチングを行う
と、ネガ型フォトレジスト層５０２がない部分（ランド
部）の中央付近はエッチングが早く進み、ランド部のエ
ッジ部分は、ネガ型フォトレジスト層５０２の底面の膜
厚が薄い部分からエッチングが進む（ネガ型フォトレジ
スト層５０２は膜厚が薄い部分からエッチングされて除
去され、その後、基板５０１がエッチングされる。）た
め、ピット５０５はエッジ部分がだれた形状となる。

【００１８】図６（ｆ）に示すように、リバーサルベイ
クにおいてホットプレート６０３を用い、ネガ型フォト
レジスト層５０２側から熱処理した場合、ネガ型フォト
レジスト層５０２の露光部の架橋反応は、表面側が基板
５０１側よりも進行が早い。したがって、図６（ｇ）に
示すように、ネガ型フォトレジスト層５０２の現像後、
基板５０１に形成されるマスクパターン５０４は下底が
上底よりも短い台形となる。このマスクパターン５０４
を用いて基板５０１のエッチングを行うと、ネガ型フォ
トレジスト層５０２がない部分（ランド部）の中央付近
はエッチングが早く進み、ランド部のエッジ部分は、図
６（ｄ）と同様に、ネガ型フォトレジスト層５０２の底
面の膜厚が薄い部分からエッチングが進む（ネガ型フォ
トレジスト層５０２は膜厚が薄い部分からエッチングさ
れて除去され、その後、基板５０１がエッチングされ
る。）ため、ピット５０５はエッジ部分がだれた形状と
なる。また、現像後、基板５０１上に残存したレジスト
パターン５０４は、下底が上底よりも短い台形となるの
で、衝撃等により転倒しやすい。また、レジストパター
ン５０４と基板５０１との接触面積が小さいため、レジ
ストパターン５０４が剥離しやすい。

【００１９】このように、従来の製造方法においては、
リバーサルベイク工程におけるネガ型フォトレジスト層
５０２の熱処理が、レジストパターン５０４の形状に大
きな影響を与える。

【００２０】図７は、「エッジ角度α」を示す図であ
る。図７に示すように、「エッジ角度α」は、ネガ型フ
ォトレジスト層５０２の露光部５０３であるマスクパタ
ーン５０４の底面と側面とがなす角度αを示す。経験
上、マスクパターン５０４の形状は、エッジ角度αが４
０〜７０°のとき、エッチング工程により得られたスタ
ンパ或いは当該スタンパを使用して得られた光ディスク
におけるピット形状が良好となる。

【００２１】したがって、スタンパ及び光ディスクに形
成されるピット形状を良好なものとするために、ネガ型
フォトレジスト層の露光部であるマスクパターンの形状
（エッジ角度α）を制御できることが望ましい。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ネガ型フォトレジストを用い、エッチングにより基板に
直接ピットを形成してスタンパを製造する方法及び当該
スタンパを用いて光ディスクを製造する方法において、
マスクパターンの形状に影響を与えるリバーサルベイク
工程において、ネガ型フォトレジスト層をリバーサルベ
イクする際に、マスクパターンの形状（エッジ角度α）
を制御することが困難であった。

【００２３】本発明は、ネガ型フォトレジストを用い、
エッチングにより基板に直接ピットを形成するスタンパ
製造方法及び当該スタンパを用いて光記録媒体を製造す
る光記録媒体製造方法において、マスクパターンの形状
を容易に制御することができ、良好な形状のピットを備
えたスタンパ及び光記録媒体を得ることができるスタン
パ製造方法及び光記録媒体製造方法を提供することを目
的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本願の請求項１記載の発明は、スタンパ製造方法にお
いて、基板の一方の面にネガ型フォトレジスト層を形成
するレジスト形成工程と、前記ネガ型フォトレジスト層
を記録情報に応じて露光する露光工程と、露光された前
記ネガ型フォトレジスト層の露光部の現像液に対する溶
解性を低下させるリバーサルベイクを行うリバーサルベ
イク工程と、リバーサルベイクされた前記ネガ型フォト
レジスト層を現像する現像工程と、現像された前記ネガ
型フォトレジスト層をマスクパターンとして前記基板を
エッチングするエッチング工程と、エッチングされた前
記基板から前記フォトレジスト層を除去する洗浄工程と
を備え、前記リバーサルベイク工程は、前記基板側及び
前記ネガ型フォトレジスト層側の両側に配置された熱源
から放射される熱により前記ネガ型フォトレジスト層を
リバーサルベイクすることを特徴とする。

【００２５】本願の請求項２記載の発明は、記録情報が
凹凸のピット列として記録されたスタンパを作製するス
タンパ作製工程と、前記スタンパから前記ピット列を転
写したレプリカ基板を作製する工程と、前記レプリカ基
板の前記ピット列が転写された面上に反射膜を形成する
工程とを備えた光記録媒体製造方法において、前記スタ
ンパ作製工程は、基板の一方の面にネガ型フォトレジス
ト層を形成するレジスト形成工程と、前記ネガ型フォト
レジスト層を記録情報に応じて露光する露光工程と、露
光された前記ネガ型フォトレジスト層の露光部の現像液
に対する溶解性を低下させるリバーサルベイクを行うリ
バーサルベイク工程と、リバーサルベイクされた前記ネ
ガ型フォトレジスト層を現像する現像工程と、現像され
た前記ネガ型フォトレジスト層をマスクパターンとして
前記基板をエッチングするエッチング工程と、エッチン
グされた前記基板から前記フォトレジスト層を除去する
洗浄工程とを備え、前記リバーサルベイク工程は、前記
基板側及び前記ネガ型フォトレジスト層側の両側に配置
された熱源から放射される熱により前記ネガ型フォトレ
ジスト層をリバーサルベイクすることを特徴とする。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について具体的に説明する。図１は、本発明の
光記録媒体製造方法を用いた製造工程の一実施例を説明
する図である。図２は、本発明の光記録媒体製造方法を
用いた製造工程のカッティング工程及びスタンパ製造工
程の一実施例を説明する図である。図２中、２０１はニ
ッケル基板、２０２はネガ型フォトレジスト層、２０３
は露光部、２０４はマスクパターン、２０５はピット、
２０６はスタンパ、２０７はレジスト側ホットプレー
ト、２０８は基板側ホットプレートである。

【００２７】まず、図１（ａ）は、プリマスタリング工
程である。この工程では、スタジオ等で録音された楽曲
データに対し、リードイン、リードアウト、インデック
ス及びアドレス等の情報が付加されて、光ディスクやマ
スターテープ等に記録される。

【００２８】図１（ｂ）のカッティング工程及び図１
（ｃ）のスタンパ製造工程については、図２を用いて具
体的に説明する。図２（ａ）に示す工程では、片面が表
面粗さＲmax０．０２μｍに鏡面研磨され、厚さが約
０．３ｍｍのニッケル基板２０１上にネガ型フォトレジ
スト層２０２をスピンコート法により形成する。ニッケ
ル基板２０１は、後述する射出成形工程においてスタン
パとして用いるため、成形装置の金型とのマッチング及
び成形特性を考慮して約０．３ｍｍの厚さとした。ニッ
ケル基板２０１が約０．３ｍｍより厚くなると金型との
マッチングが悪くなり、成形する樹脂への熱の伝わり方
が不均一になるため、ピットを均一な形状で成形できな
い。また、射出成形中は、ニッケル基板２０１の温度が
７０〜２００℃の範囲で変化するため、基板厚が厚いと
歪みによるクラックが発生しやすくなる。ニッケル基板
２０１の厚さが約０．３ｍｍより薄いと機械的な強度を
保つことができなくなる。

【００２９】基板材料としては、ニッケルの他に、銅、
アルミニウム、シリコン等を用いることができる。基板
材料として、従来の光記録媒体のスタンパとして用いら
れているニッケルを用いれば、従来の光記録媒体の製造
工程における射出成形条件と同じ条件で射出成形を行う
ことができる。

【００３０】ネガ型フォトレジスト層２０２の膜厚は、
後述するエッチング処理の条件（ネガ型フォトレジスト
層２０２及びニッケル基板２０１のエッチングレート
と、エッチング処理により形成するピットの深さ）によ
り決定する。

【００３１】ネガ型フォトレジスト層２０２が形成され
たニッケル基板２０１は、クリーンオーブン内におい
て、９０℃の温度で３０分間プリベイクされ、ネガ型フ
ォトレジスト層２０２内に残存している溶媒が除去され
る。

【００３２】図２（ｂ）に示す工程では、ネガ型フォト
レジスト層２０２が形成されたニッケル基板２０１を図
示しないカッティングマシンのターンテーブルに取付
け、記録情報に従って変調されたレーザ光を照射しネガ
型フォトレジスト層２０２を露光する。以上、図２
（ａ）及び（ｂ）迄の工程が、図１（ｂ）のカッティン
グ工程にあたる。

【００３３】図２（ｃ）に示す工程では、個々に温度制
御された基板側ホットプレート２０８とレジスト側ホッ
トプレート２０７の２つのホットプレートにより、露光
が終わったニッケル基板２０１のリバーサルベイクを行
い、ネガ型フォトレジスト層２０２の露光部２０３をア
ルカリ不溶性にする。

【００３４】図２（ｄ）に示す工程では、ニッケル基板
２０１を現像装置に取り付け、有機アルカリ現像液を用
いてスピン現像を行い、ネガ型フォトレジスト層２０２
を現像する。その後、有機アルカリ現像液の塗布を停止
し、スピン乾燥を行う。ネガ型フォトレジスト層２０４
が現像され、ニッケル基板２０１上にマスクパターン２
０４が形成される。

【００３５】図２（ｅ）及び（ｆ）に示す工程では、ニ
ッケル基板２０１上に形成されたマスクパターン２０４
を用いてエッチング（反応性イオンエッチング又はイオ
ンミリング）を行う。ニッケル基板２０１に所定の深さ
のピット２０５が得られたら、エッチングを終了する。

【００３６】図２（ｇ）に示す工程では、ニッケル基板
２０１に付着したレジストパターン２０４をアセトン洗
浄及び酸素アッシング等により除去し、ニッケル基板２
０１を所望の形状に加工することによりスタンパ２０６
を得る。以上、図２（ｃ）〜（ｇ）迄の工程が、図１
（ｃ）のスタンパ製造工程にあたる。

【００３７】次に、図１（ｄ）に示す射出成形工程で
は、スタンパ２０６を射出成形機の金型に取り付け、ポ
リカーボネート等の樹脂を成形し、レプリカ基板を得
る。図１（ｅ）に示す反射膜、保護膜形成工程では、レ
プリカ基板をスパッタリング装置に取り付け、スパッタ
リング法により、レプリカ基板のピットが転写されてい
る面にアルミニウム、金等の反射膜を５０〜１００ｎｍ
の厚さに形成する。反射膜が形成されたレプリカ基板を
スピンコート装置に取り付け、スピンコート法により紫
外線硬化樹脂等の保護膜を反射膜上に形成する。

【００３８】図３は、本発明の一実施例である光記録媒
体製造方法におけるリバーサルベイク工程における基板
側ホットプレート及びレジスト側ホットプレートの温度
とマスクパターンの形状（エッジ角度α）の関係を説明
する図である。基板側ホットプレート２０８の温度を１
１０℃とし、レジスト側ホットプレート２０７の温度を
５０〜１１０℃の範囲で変化させた。リバーサルベイク
時間は５分間とした。ニッケル基板２０１として厚さ
０．３ｍｍのものを用い、ネガ型フォトレジストの膜厚
は２００ｎｍとした。現像はスピン現像を行い、現像時
間は２５秒間とした。また、エッチングは、イオンミリ
ング装置を用いて行い、エッチング条件は、アルゴン圧
約３×１０^-2Ｐａ、ビーム電圧約４００Ｖ、ビーム電流
約８００ｍＡとし、ニッケル基板２０１に深さ０．１２
μｍのピットを形成した（エッチング速度は約１３．５
ｎｍ／分）。上記条件の下で得られたマスクパターン２
０４のエッジ角度αは、原子間力顕微鏡において測定し
た。

【００３９】図３に示すように、レジスト側ホットプレ
ート２０７の温度が低くなるに連れ、マスクパターン２
０４のエッジ角度αは小さくなる。レジスト側ホットプ
レート２０７の温度が５０〜６５℃の範囲としたとき、
マスクパターン２０４のエッジ角度αは４０〜７０°の
範囲となった。このように、本実施例によれば、レジス
ト側ホットプレート２０７と基板側ホットプレート２０
８の温度をそれぞれ制御することにより、マスクパター
ン２０４のエッジ角度αを任意の角度に制御することが
できる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、ネガ型フォトレジスト
を用い、エッチングにより基板に直接ピットを形成する
スタンパ製造方法及び当該スタンパを用いて光記録媒体
を製造する光記録媒体製造方法において、マスクパター
ンの形状を容易に制御することができ、良好な形状のピ
ットを備えたスタンパ及び光記録媒体を得ることができ
るスタンパ製造方法及び光記録媒体製造方法を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体製造方法を用いた製造工程
の一実施例を説明する図。

【図２】本発明の光記録媒体製造方法を用いた製造工程
のカッティング工程及びスタンパ製造工程の一実施例を
説明する図。

【図３】本発明の一実施例である光記録媒体製造方法に
おけるリバーサルベイク工程における基板側ホットプレ
ート及びレジスト側ホットプレートの温度とマスクパタ
ーンの形状（エッジ角度α）の関係を説明する図。

【図４】従来のスタンパの製造工程を説明する図。

【図５】従来の電鋳工程を含まない光ディスク製造工程
におけるスタンパの製造工程を説明する図。

【図６】ネガ型フォトレジストを用いた場合のリバーサ
ルベイク方法とエッチングにより得られるスタンパのピ
ット形状との関係を示す図。

【図７】「エッジ角度α」を示す図。

【符号の説明】

２０１ ニッケル基板 ２０２ ネガ型フォトレジスト層 ２０３ 露光部 ２０４ マスクパターン ２０５ ピット ２０６ スタンパ ２０７ レジスト側ホットプレート ２０８ 基板側ホットプレート ４０１ ガラス原盤 ４０２ 密着層 ４０３ フォトレジスト層 ４０４ 露光部 ４０５ レジストパターン ４０６ 導電膜 ４０７ 電鋳層 ４０８ スタンパ ５０１ 基板 ５０２ ネガ型フォトレジスト ５０３ 露光部 ５０４ マスクパターン ５０５ ピット ５０６ スタンパ ６０１ 循環式オーブン ６０２ 熱源 ６０３ ホットプレート

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板の一方の面にネガ型フォトレジスト層
   を形成するレジスト形成工程と、 前記ネガ型フォトレジスト層を記録情報に応じて露光す
   る露光工程と、 露光された前記ネガ型フォトレジスト層の露光部の現像
   液に対する溶解性を低下させるリバーサルベイクを行う
   リバーサルベイク工程と、 リバーサルベイクされた前記ネガ型フォトレジスト層を
   現像する現像工程と、 現像された前記ネガ型フォトレジスト層をマスクパター
   ンとして前記基板をエッチングするエッチング工程と、 エッチングされた前記基板から前記フォトレジスト層を
   除去する洗浄工程とを備え、 前記リバーサルベイク工程は、前記基板側及び前記ネガ
   型フォトレジスト層側の両側に配置された熱源から放射
   される熱により前記ネガ型フォトレジスト層をリバーサ
   ルベイクすることを特徴とするスタンパ製造方法。
2. 【請求項２】記録情報が凹凸のピット列として記録され
   たスタンパを作製するスタンパ作製工程と、 前記スタンパから前記ピット列を転写したレプリカ基板
   を作製する工程と、 前記レプリカ基板の前記ピット列が転写された面上に反
   射膜を形成する工程とを備えた光記録媒体製造方法にお
   いて、 前記スタンパ作製工程は、 基板の一方の面にネガ型フォトレジスト層を形成するレ
   ジスト形成工程と、 前記ネガ型フォトレジスト層を記録情報に応じて露光す
   る露光工程と、 露光された前記ネガ型フォトレジスト層の露光部の現像
   液に対する溶解性を低下させるリバーサルベイクを行う
   リバーサルベイク工程と、 リバーサルベイクされた前記ネガ型フォトレジスト層を
   現像する現像工程と、 現像された前記ネガ型フォトレジスト層をマスクパター
   ンとして前記基板をエッチングするエッチング工程と、
   エッチングされた前記基板から前記フォトレジスト層を
   除去する洗浄工程とを備え、前記リバーサルベイク工程
   は、前記基板側及び前記ネガ型フォトレジスト層側の両
   側に配置された熱源から放射される熱により前記ネガ型
   フォトレジスト層をリバーサルベイクすることを特徴と
   する光記録媒体製造方法。