JPH0677211A - スピンオングラス塗布方法及びその装置 - Google Patents
スピンオングラス塗布方法及びその装置Info
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- JPH0677211A JPH0677211A JP13643092A JP13643092A JPH0677211A JP H0677211 A JPH0677211 A JP H0677211A JP 13643092 A JP13643092 A JP 13643092A JP 13643092 A JP13643092 A JP 13643092A JP H0677211 A JPH0677211 A JP H0677211A
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板８の配線間における陥沿部を埋め平
坦化に支障を起さない厚さのＳＯＧ塗布膜を形成する。 【構成】半導体基板にＳＯＧ溶液を滴下する位置を変え
ずに一本のノズル２ａを配置し、このノズル２ａにそれ
ぞれバルブ４ａ，４ｂ，４ｃを介して、槽１ａ，１ｂ，
１ｃを接続し、槽１ａ及び１ｂにはヒータ５を備え、最
初に槽１ａより加熱して粘度の低いＳＯＧ溶液６ａを滴
下し、前記陥沿部にＳＯＧ溶液６ａで埋めるとともに他
面に薄い塗布膜を形成し、順次槽１ｂ，１ｃと粘度の高
いＳＯＧ溶液６ｂ，６ｃを滴下し、薄い前記塗布膜に上
塗りし、所要の厚さの塗布膜を形成する。
坦化に支障を起さない厚さのＳＯＧ塗布膜を形成する。 【構成】半導体基板にＳＯＧ溶液を滴下する位置を変え
ずに一本のノズル２ａを配置し、このノズル２ａにそれ
ぞれバルブ４ａ，４ｂ，４ｃを介して、槽１ａ，１ｂ，
１ｃを接続し、槽１ａ及び１ｂにはヒータ５を備え、最
初に槽１ａより加熱して粘度の低いＳＯＧ溶液６ａを滴
下し、前記陥沿部にＳＯＧ溶液６ａで埋めるとともに他
面に薄い塗布膜を形成し、順次槽１ｂ，１ｃと粘度の高
いＳＯＧ溶液６ｂ，６ｃを滴下し、薄い前記塗布膜に上
塗りし、所要の厚さの塗布膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置における層
間絶緑膜の平坦化を行うためにケイ素化合物を塗布する
スピンオングラス（以下単にＳＯＧと呼ぶ）塗布方法及
びその装置に関する。
間絶緑膜の平坦化を行うためにケイ素化合物を塗布する
スピンオングラス（以下単にＳＯＧと呼ぶ）塗布方法及
びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のＳＯＧ塗布装置の一例にお
ける概略を示す図である。
ける概略を示す図である。
【０００３】従来、この槽のＳＯＧ塗布装置は、例え
ば、図３に示すように、ＳＯＧ溶液６を貯える槽１と、
この槽１に取付けられるノズル２と、半導体基板８を保
持するチャック３ａと、このチャック３ａ及び半導体基
板８を回転する回転機構３とを有している。
ば、図３に示すように、ＳＯＧ溶液６を貯える槽１と、
この槽１に取付けられるノズル２と、半導体基板８を保
持するチャック３ａと、このチャック３ａ及び半導体基
板８を回転する回転機構３とを有している。
【０００４】このようなＳＯＧ塗布装置を用いて、半導
体基板にＳＯＧ溶液をスピンコートし、焼成することに
よってＳＯＧ塗布膜を形成していた。
体基板にＳＯＧ溶液をスピンコートし、焼成することに
よってＳＯＧ塗布膜を形成していた。
【０００５】図４は従来のＳＯＧ塗布方法の一例を説明
するための半導体基板の断面図である。次に、上述した
ＳＯＧ塗布装置を使用して従来のＳＯＧ塗布方法を説明
する。まず、図４に示すように、半導体基板８に形成さ
れる第１の酸化膜２１及び配線２３の上に予めＣＶＤ装
置で第２の酸化膜２２を形成する。次に、図３のＳＯＧ
塗布装置のチャック３ａに半導体基板８を載置する。次
に、回転機構３により半導体基板８を回転させ、ノズル
２によりＳＯＧ溶液６を半導体基板に滴下して、図４に
示すように、ＳＯＧ塗布膜２４を形成する。次に、焼成
炉に半導体基板を収納し、ＳＯＧ塗布膜２４を焼成しＳ
ＯＧ焼成膜を形成する。
するための半導体基板の断面図である。次に、上述した
ＳＯＧ塗布装置を使用して従来のＳＯＧ塗布方法を説明
する。まず、図４に示すように、半導体基板８に形成さ
れる第１の酸化膜２１及び配線２３の上に予めＣＶＤ装
置で第２の酸化膜２２を形成する。次に、図３のＳＯＧ
塗布装置のチャック３ａに半導体基板８を載置する。次
に、回転機構３により半導体基板８を回転させ、ノズル
２によりＳＯＧ溶液６を半導体基板に滴下して、図４に
示すように、ＳＯＧ塗布膜２４を形成する。次に、焼成
炉に半導体基板を収納し、ＳＯＧ塗布膜２４を焼成しＳ
ＯＧ焼成膜を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５（ａ）及び（ｂ）
は従来のＳＯＧ塗布方法の課題を説明するための半導体
基板を示す断面図である。上述した従来のＳＯＧ塗布方
法では、比較的粘度が高いＳＯＧ溶液で塗布した場合
は、図５（ａ）に示すように、２本の配線２３の間の陥
沿部にＳＯＧ液が入り込まず、この陥沿部には塗布膜２
４ａが形成されないという問題があった。また図５
（ｂ）に示すように、粘度の低いＳＯＧ液で塗布しよう
とすると、半導体基板に塗布される塗布膜２４ｂが薄く
平坦化の効果が少ないという問題が生じた。
は従来のＳＯＧ塗布方法の課題を説明するための半導体
基板を示す断面図である。上述した従来のＳＯＧ塗布方
法では、比較的粘度が高いＳＯＧ溶液で塗布した場合
は、図５（ａ）に示すように、２本の配線２３の間の陥
沿部にＳＯＧ液が入り込まず、この陥沿部には塗布膜２
４ａが形成されないという問題があった。また図５
（ｂ）に示すように、粘度の低いＳＯＧ液で塗布しよう
とすると、半導体基板に塗布される塗布膜２４ｂが薄く
平坦化の効果が少ないという問題が生じた。
【０００７】本発明の目的は、半導体基板表面の配線間
における陥沿部を埋めるとともに平坦化に支障を起すこ
とのない厚さで塗布膜を形成出来るＳＯＧ塗布方法及び
その装置を提供することである。
における陥沿部を埋めるとともに平坦化に支障を起すこ
とのない厚さで塗布膜を形成出来るＳＯＧ塗布方法及び
その装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＳＯＧ塗布方法
は、表面に形成される配線間における陥沿部をもつ半導
体基板の所定位置に加熱によって低粘度される塗布用溶
液を回転させながら滴下し、引き続き順次、温度によっ
てより高い粘度される塗布用溶液を滴下し、重ね塗布し
て塗布膜を形成することを特徴としている。
は、表面に形成される配線間における陥沿部をもつ半導
体基板の所定位置に加熱によって低粘度される塗布用溶
液を回転させながら滴下し、引き続き順次、温度によっ
てより高い粘度される塗布用溶液を滴下し、重ね塗布し
て塗布膜を形成することを特徴としている。
【０００９】本発明のＳＯＧ塗布装置は、前記半導体基
板を保持し回転させるチャック及び回転機構と、前記半
導体基板上にあって前記塗布用溶液を前記半導体基板の
所定位置に滴下するノズルと、このノズルにそれぞれ開
閉バルブを介して接続されるとともに前記塗布用溶液を
貯える複数の槽と、これら槽の前記塗布用溶液の温度を
変える温度制御手段とを備えている。
板を保持し回転させるチャック及び回転機構と、前記半
導体基板上にあって前記塗布用溶液を前記半導体基板の
所定位置に滴下するノズルと、このノズルにそれぞれ開
閉バルブを介して接続されるとともに前記塗布用溶液を
貯える複数の槽と、これら槽の前記塗布用溶液の温度を
変える温度制御手段とを備えている。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明のＳＯＧ塗布方法の一
実施例を説明するための半導体基板を工程順に示す断面
図、図２は本発明の一実施例におけるＳＯＧ塗布装置の
構成を示す図である。このＳＯＧ塗布方法は、温度を変
ることによりＳＯＧ溶液の粘度が変えることを利用して
なされたもので、ＳＯＧ塗布装置は、図２に示すよう
に、一本のノズル２ａにＳＯＧ溶液６ａ，６ｂ，６ｃを
供給する温度の異なる槽１ａ，１ｂ及び１ｅを設けたこ
とである。すなわち、槽１ｃには常温のＳＯＧ溶液６ｃ
を貯え、槽１ａ及１ｂにはヒータ５を設け、それぞれの
槽１ａ及び１ｂに貯えるＳＯＧ溶液６ａ，６ｂの温度を
変えることである。そして、粘度の異なるＳＯＧ溶液を
粘度の低い順に半導体基板８にノズル２ａより滴下する
ことである。
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明のＳＯＧ塗布方法の一
実施例を説明するための半導体基板を工程順に示す断面
図、図２は本発明の一実施例におけるＳＯＧ塗布装置の
構成を示す図である。このＳＯＧ塗布方法は、温度を変
ることによりＳＯＧ溶液の粘度が変えることを利用して
なされたもので、ＳＯＧ塗布装置は、図２に示すよう
に、一本のノズル２ａにＳＯＧ溶液６ａ，６ｂ，６ｃを
供給する温度の異なる槽１ａ，１ｂ及び１ｅを設けたこ
とである。すなわち、槽１ｃには常温のＳＯＧ溶液６ｃ
を貯え、槽１ａ及１ｂにはヒータ５を設け、それぞれの
槽１ａ及び１ｂに貯えるＳＯＧ溶液６ａ，６ｂの温度を
変えることである。そして、粘度の異なるＳＯＧ溶液を
粘度の低い順に半導体基板８にノズル２ａより滴下する
ことである。
【００１１】次に、本発明のＳＯＧ塗布方法を具体的に
説明する。ここで、処理用の試料として図１（ａ）に示
す半導体基板８の第１の酸化膜１０の上に配線１２を形
成し、その上に第２の酸化膜１１が形成されたものを用
いる。まず、半導体基板８を図２に示すチャック３ａに
搭載する。次に、回転機構３によりチャック３ａととも
に半導体基板８を例えば４０００回転／分に回転させ
る。そして、バルブ４ａのみ開けて、図１（ｂ）に示す
ように、例えば、５ｃｐの粘度をもＳＯＧ溶液が加熱さ
れて１ｃｐの粘度に変えられたＳＯＧ溶液６ａをノズル
２ａより滴下し、所要の膜厚の１／３程度の厚さの塗布
膜１３ａを形成する。次に、直ちにバルブ４ａを閉じる
とともにバルブ４ｂを開け、粘度が３ｃｐとやや高いＳ
ＯＧ溶液６ｂをノズル２ａより滴下し、図１（ｃ）に示
すように、前述の塗布膜に上塗りして塗布膜１３ｂを形
成する。次に、バルブ４ｂを閉じるとともにバルブ４ｃ
を開け、常温状態のＳＯＧ溶液６ｃをノズル２ａより滴
下し、図１（ｄ）に示す所要の膜厚をもつ塗布膜１３ｃ
を形成する。
説明する。ここで、処理用の試料として図１（ａ）に示
す半導体基板８の第１の酸化膜１０の上に配線１２を形
成し、その上に第２の酸化膜１１が形成されたものを用
いる。まず、半導体基板８を図２に示すチャック３ａに
搭載する。次に、回転機構３によりチャック３ａととも
に半導体基板８を例えば４０００回転／分に回転させ
る。そして、バルブ４ａのみ開けて、図１（ｂ）に示す
ように、例えば、５ｃｐの粘度をもＳＯＧ溶液が加熱さ
れて１ｃｐの粘度に変えられたＳＯＧ溶液６ａをノズル
２ａより滴下し、所要の膜厚の１／３程度の厚さの塗布
膜１３ａを形成する。次に、直ちにバルブ４ａを閉じる
とともにバルブ４ｂを開け、粘度が３ｃｐとやや高いＳ
ＯＧ溶液６ｂをノズル２ａより滴下し、図１（ｃ）に示
すように、前述の塗布膜に上塗りして塗布膜１３ｂを形
成する。次に、バルブ４ｂを閉じるとともにバルブ４ｃ
を開け、常温状態のＳＯＧ溶液６ｃをノズル２ａより滴
下し、図１（ｄ）に示す所要の膜厚をもつ塗布膜１３ｃ
を形成する。
【００１２】このように陥沿部が散在するような半導体
基板に、加熱されて粘度の低くなったＳＯＧ溶液で陥沿
部を埋めるように薄く塗布し、順次粘度の高いＳＯＧ溶
液で塗布してやれば、円滑な液膜の上を塗布液が流動
し、所定の厚さの塗布膜が得られる。なお、温度を変え
ずに上記ＳＯＧ溶液の粘膜だけを変えて行う方法が考え
られるが、この方法は、一度粘度を設定すると、途中変
えられないので、被処理基板毎に条件出しに多大な工数
を浪費するので特策ではない。また、ノズルを複数本設
け、それらのノズルにそれぞれ粘度の異なるＳＯＧ溶液
貯槽を接続する方法も考えられるが、この方法は複数本
のノズルからＳＯＧ溶液が滴下される位置が異なること
から、遠心力によって引き伸ばされて形成される塗布膜
に膜厚むら生じさせる。
基板に、加熱されて粘度の低くなったＳＯＧ溶液で陥沿
部を埋めるように薄く塗布し、順次粘度の高いＳＯＧ溶
液で塗布してやれば、円滑な液膜の上を塗布液が流動
し、所定の厚さの塗布膜が得られる。なお、温度を変え
ずに上記ＳＯＧ溶液の粘膜だけを変えて行う方法が考え
られるが、この方法は、一度粘度を設定すると、途中変
えられないので、被処理基板毎に条件出しに多大な工数
を浪費するので特策ではない。また、ノズルを複数本設
け、それらのノズルにそれぞれ粘度の異なるＳＯＧ溶液
貯槽を接続する方法も考えられるが、この方法は複数本
のノズルからＳＯＧ溶液が滴下される位置が異なること
から、遠心力によって引き伸ばされて形成される塗布膜
に膜厚むら生じさせる。
【００１３】以上説明したように本実施例では、ＳＯＧ
溶液を滴下する一本のノズルにそれぞれ温度によって粘
度を変えたＳＯＧ溶液貯槽を設けることによって、被処
理基板に滴下されるＳＯＧ溶液の位置を変えることがな
いので、塗布膜が基板に一様の厚さで形成される利点が
ある。また、ヒータの加熱によって各槽のＳＯＧ溶液の
温度を変えて粘度を設定出来るので、準備作業時間や条
件出しがより短時間で行え得るという利点がある。
溶液を滴下する一本のノズルにそれぞれ温度によって粘
度を変えたＳＯＧ溶液貯槽を設けることによって、被処
理基板に滴下されるＳＯＧ溶液の位置を変えることがな
いので、塗布膜が基板に一様の厚さで形成される利点が
ある。また、ヒータの加熱によって各槽のＳＯＧ溶液の
温度を変えて粘度を設定出来るので、準備作業時間や条
件出しがより短時間で行え得るという利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、高速回転
する多数の陥沿部の半導体基板に比較的に粘度の低いＳ
ＯＧ溶液を滴下し、陥沿部にＳＯＧ溶液を貯えつつ基板
表面に薄く塗布し、順次、ＳＯＧ溶液の粘度を高めて滴
下し、薄く塗布された上に上塗りするように塗布するこ
とによって、陥沿部を完全に埋めて平坦化に支障を起す
ことのない厚さで塗布出来るという効果がある。
する多数の陥沿部の半導体基板に比較的に粘度の低いＳ
ＯＧ溶液を滴下し、陥沿部にＳＯＧ溶液を貯えつつ基板
表面に薄く塗布し、順次、ＳＯＧ溶液の粘度を高めて滴
下し、薄く塗布された上に上塗りするように塗布するこ
とによって、陥沿部を完全に埋めて平坦化に支障を起す
ことのない厚さで塗布出来るという効果がある。
【図１】本発明のＳＯＧ塗布方法における一実施例を説
明するための半導体基板を工程順に示す断面図である。
明するための半導体基板を工程順に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例におけるＳＯＧ塗布装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】従来の一例におけるＳＯＧ塗布装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図４】従来のＳＯＧ塗布方法の一例を説明するための
半導体基板を示す断面図である。
半導体基板を示す断面図である。
【図５】従来のＳＯＧ塗布方法の課題を説明するための
半導体基板を示す断面図である。
半導体基板を示す断面図である。
１，１ａ，１ｂ，１ｃ 槽 ２，２ａ ノズル ３ 回転機構 ３ａ キック ４ａ，４ｂ，４ｃ バルブ ５ ヒータ ６，６ａ，６ｂ，６ｃ ＳＯＧ溶液 ８ 半導体基板 １０，２１ 第１の酸化膜 １１，２２ 第２の酸化膜 １２，２３ 配線 １３ａ，１３ｂ，１３ｃ，２４，２４ａ，２４ｂ 塗
布膜
布膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/3205 21/90 Ｑ 7514−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に形成される配線間における陥沿部
をもつ半導体基板の所定位置に加熱によって低粘度され
る塗布用溶液を回転させながら滴下し、引き続き順次、
温度によってより高い粘度される塗布用溶液を滴下し、
重ね塗布して塗布膜を形成することを特徴とするスピン
オングラス塗布方法。 - 【請求項２】 前記半導体基板を保持し回転させるチャ
ック及び回転機構と、前記半導体基板上にあって前記塗
布用溶液を前記半導体基板の所定位置に滴下するノズル
と、このノズルにそれぞれ開閉バルブを介して接続され
るとともに前記塗布用溶液を貯える複数の槽と、これら
槽の前記塗布用溶液の温度を変える温度制御手段とを備
えることを特徴とするスピンオングラス塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13643092A JPH0677211A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | スピンオングラス塗布方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13643092A JPH0677211A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | スピンオングラス塗布方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677211A true JPH0677211A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=15174965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13643092A Withdrawn JPH0677211A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | スピンオングラス塗布方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677211A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003066238A1 (fr) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | Tokyo Electron Limited | Appareil d'enduction et procede afferent |
| JP2010125351A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の被覆方法および保護膜被覆装置 |
| JP2014113527A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の被覆方法 |
| US10571611B2 (en) | 2013-10-11 | 2020-02-25 | Transitions Optical, Inc. | Spin coater for applying multiple coatings to an optical substrate |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13643092A patent/JPH0677211A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003066238A1 (fr) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | Tokyo Electron Limited | Appareil d'enduction et procede afferent |
| JP2010125351A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の被覆方法および保護膜被覆装置 |
| JP2014113527A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の被覆方法 |
| US10571611B2 (en) | 2013-10-11 | 2020-02-25 | Transitions Optical, Inc. | Spin coater for applying multiple coatings to an optical substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |