KR100284557B1 - 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법 - Google Patents

레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100284557B1
KR100284557B1 KR1019940020788A KR19940020788A KR100284557B1 KR 100284557 B1 KR100284557 B1 KR 100284557B1 KR 1019940020788 A KR1019940020788 A KR 1019940020788A KR 19940020788 A KR19940020788 A KR 19940020788A KR 100284557 B1 KR100284557 B1 KR 100284557B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
resist
wafer
edge
liquid
Prior art date
Application number
KR1019940020788A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950007025A (ko
Inventor
노부오 고니시
겐지 세키구치
Original Assignee
히가시 데쓰로
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시 데쓰로, 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 히가시 데쓰로
Publication of KR950007025A publication Critical patent/KR950007025A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100284557B1 publication Critical patent/KR100284557B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

기판의 테두리 근방 하면을 향하여 소정의 각도로 바깥방향으로 경사져서 용해액을 분사하는 용해액노즐과, 기판의 상방향으로부터 용해액을 회수하는 흡인 회수수단을 구비하고 있다. 용해액노즐로부터의 용해액은 분사가 세면 기판의 회전에 의한 원심력에 의하여 테두리부 하면의 도포막 제거에 이용되고 또, 테두리를 통하여 상면측으로 돌아 들어가고 상면 테두리부의 도포막 제거에 이용된다. 용해액의 점성을 고려하여 그 유량 내지 흡인량을 적절하게 조절함으로써 제거폭을 조절한다. 기판의 하면측에 설치한 용해액노즐로부터 용해액을 공급하여 상하 양면의 필요 없는 도포막을 제거하며, 기판의 테두리의 수직면의 필요없는 도포막에 대해서도 확실하게 제거한다.

Description

레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법
제1도는 본 발명의 일실시예에 관한 레지스트 처리장치를 나타내는 개략평면도.
제2도는 상기 레지스트 처리장치의 레지스트액 도포기구를 나타내는 개략평면도.
제3도는 상기 레지스트액 도포기구의 개략 단면도.
제4도는 상기 레지스트액 도포기구의 개략 단면도.
제5도는 상기 레지스트 처리장치의 도포막 제거기구를 나타내는 개략 단면도.
제6도는 상기 도포막 제거기구의 용해액 공급계 및 배출계를 나타내는 구성도.
제7도는 상기 도포막 제거기구의 다른 실시예를 나타내는 개략 단면도.
제8도는 상기 도포막 제거기구의 용해액노즐의 다른 실시예를 나타내는 개략단면도.
제9(a)도 및 제9(b)도는 상기 도포막 제거기구의 용해액노즐의 다른 실시예를 나타내는 개략 단면도.
제10(a)도∼제10(c)도는 상기 도포막 제거기구의 흡인관의 흡입구의 다른 실시예를 나타내는 개략 평면도.
제11도는 상기 도포막 제거기구의 흡인관의 흡입구의 다른 실시예를 나타내는 개략 단면도.
제12도는 제4도에 있어서의 처리컵의 승강이동에 관한 다른 실시예를 나타내는 개략 단면도.
제13도는 제5도의 도포막 제거기구의 다른 실시예를 나타내는 개략 단면도.
제14도는 상기 도포막 제거기구에서 기판을 처리하는 작용을 나타내는 개략사시도.
제15(a)도∼제15(d)도는 상기 도포막 제거기구에서 기판을 처리하는 작용을 나타내는 개략 평면도.
제16(a)도 및 제16(b)도는 상기 도포막 제거기구에서 기판을 처리하는 작용의 다른 실시예를 나타내는 개략 평면도.
제17도는 기판을 처리하는 작용의 공정을 나타내는 개략 흐름도.
제18도는 상기 도포막 제거기구에서 다른 기판을 처리하는 작용을 나타내는 개략사시도.
제19도는 제18도의 도포막 제거기구에서 기판을 처리하는 작용의 공정을 나타내는 개략 흐름도.
제20도는 제18도의 도포막 제거기구에서 기판을 처리하는 다른 작용의 공정을 나타내는 개략 흐름도.
제21도는 제18도의 기판을 처리하는 다른 실시예를 나타내는 개략 평면도.
제22도는 제21도의 도포막 제거기구에서 기판을 처리하는 작용의 공정을 나타내는 개략 흐름도.
제23도는 제21도의 기판을 처리하는 다른 실시예를 나타내는 개략 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반입반출 유니트부 2,3 : 웨이퍼 캐리어
4 : 아암 5 : 이동기구
6 : 얼라이먼트 스테이지 10 : 처리 유니트부
11 : 반송로 12 : 반송기구
13 : 메인아암 14 : 어드히젼 처리 유니트
15 : 프리베이크 처리유니트 16 : 냉각처리 유니트
17 : 레지스트액 도포 처리 유니트
18 : 표면 피복층 도포 처리 유니트
19 : 처리부 20 : 레지스트액 공급노즐
21 : 반송아암 22 : 이동기구
23 : 도포막 제거기구 24a : 웨이퍼 유지부
24b : 모터 24c : 회전축
25 : 처리공간 26 : 처리컵
26a : 승강기구 27 : 내(內)컵
27a : 내컵 상면 28 : 외컵
31 : 상컵 31a,31b : 외컵 내면
32 : 하컵 33 : 직경이 큰 구멍부
35 : 배기구 35a : 진공장치
36 : 배액구 36a : 배액수용 탱크
38 : 회전축 39 : 아암
39a : 기초단부재 39b : 선단부재
39c : 상측부재 39d : 하측부재
41,66 : 용해액노즐 42 : 안내판
42a : 상단부 42b : 선단부
43 : 흡인관 43a : 흡인구
44 : 접속배관 46 : 요동 링크
47,50,56 : 브라케트 48,55 : 에어 실린더
49,55a : 실린더 로드 52 : 배출배관
54 : 가요성을 가지는 관 57 : 용해액 공급장치
58 : 이젝터 59 : 센서
60 : 콘트롤러 61 : 기액분리기
62 : 유체 63 : 유량센서
64 : 도포막 66a : 토출구
67 : 흡인관 67a : 흡입구
67b : 배출로 67c : 오목부
70 : 측면 71 : 기둥부재
80 : 승강이동수단 82 : 조정수단
d : 제거폭 G : LCD 기판
θ1,θ2,θ3,θ4 : 소정의 각도 W : 웨이퍼(기판)
WO : 오리엔테이션 플랫 Wa : 일단부
Wb : 중앙위치 Wc : 종점위치
We : 미처리부분 Y1,Y2,Y3 : 방향
본 발명은, 반도체 웨이퍼 또는 LCD 기판 등의 기판의 표면에 레지스트액 등의 레지스트액을 도포하는 처리장치에 관한 것으로, 특히 기판의 테두리부에 형성된 필요 없는 도포막을 제거하는 기능을 구비한 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법에 관한 것이다.
반도체 장치 등의 제조공정 등에 있어서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 회전법이나 스프레이법 등에 의하여 레지스트액을 도포하는 처리가 이루어지고 있다. 이러한 종류의 처리시에 도포처리 직후에 있어서의 막두께는 균일하지만, 시간이 경과함에 따라서 표면장력의 영향으로 기판의 테두리부에서 레지스트액이 부풀어 오른 것 같이 두껍게 되고, 또 레지스트액이 기판의 하면 테두리부까지 회전하여 들어가서 필요 없는 막이 형성되는 현상이 발생한다.
이와같이 기판의 테두리부에 불균일한 두꺼운 막이 형성되어 있으면, 집적회로 패턴등의 현상시에 테두리부의 레지스트막이 완전하게 제거되지 않고 남는것으로 되며, 그 후의 기판의 반송공정 중에 그 남은 레지스트가 떨어지게 되어 퍼티클 발생의 원인으로 된다.
이와 같은 문제가 발생하지 않도록 하기 위하여, 기판의 표면에 레지스트액등을 도포한 후, 기판의 테두리부의 필요 없는 도포막을 제거할 필요가 있다.
이 기판의 테두리부의 필요 없는 도포막을 제거하는 장치의 일예는, 일본국 특공평3-76777 호에 개시되어 있다.
이 장치는 웨이퍼의 테두리부의 상면 및 하면에 대향하여 용해액의 공급관이 각각 설치됨과 동시에 상하 공급관의 사이에서, 각각의 공급관으로부터 유출한 용해액을 회수하는 흡인관을 설치하며, 공급관으로부터 웨이퍼의 테두리부에 용해액을 공급하면서, 흡인관으로 흡수하도록 한 것이다. 이 장치에 의하면 용해액이나 용해물이 모두 흡인관으로부터 강제 배출하며, 용해액이 웨이퍼(W)의 내측으로 유동하는 것을 저지하도록 되어 있다.
그러나, 이 장치에 의하면 2 개의 공급관을 사용하여 웨이퍼의 테두리부의 상하 양면에 각각 용해액을 공급하는 구조이기 때문에, 용해액 공급계가 복잡하게 되고 장치의 제조단가가 높게 된다.
또, 2 계통의 용해액 공급계가 필요하게 되며 장치전체가 대형으로 된다고 하는 문제가 있었다. 또, 2 계통의 용해액 공급계로부터 각각 용해액을 공급하기 위하여 용해액의 사용량이 많게 되며, 장치의 런닝 코스트도 증대한다. 또 웨이퍼의 테두리부의 상하 양면에 각각으로부터 용해액을 공급하고, 상하 공급관 사이에서 각각의 공급관과 직각으로 배치한 흡인관에 의하여 용해액을 회수하기 때문에, 웨이퍼의 테두리의 수직면에는 용해액이 작용되지 않고, 필요 없는 도포막을 완전하게 제거하는 것이 곤란하다.
본 발명은, 상기 종래기술의 결점을 해소하기 위하여 제안된 것이며, 그 제1 목적은, 용해액 공급계를 단순화할 수 있으며, 적은 용해액 사용량으로 필요없는 도포막을 제거할 수 있는 기능을 갖춘 처리장치를 제공하는 것에 있으며, 그 제 2 목적은, 원형 이외의 기판일지라도 그 테두리부의 도포막을 유효하게 제거할 수 있는 기능을 갖춘 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법을 제공함에 있다.
기판의 하면의 테두리부를 향하여 기판의 하면에 대하여 경사진 각도로 용해액을 분사하는 용해액노즐과, 기판의 상면방향으로부터 소정의 각도로 용해액을 회수하는 흡인회수수단을 설치하였기 때문에, 용해액노즐로부터 기판의 하면의 테두리부를 향하여 분사된 용해액은, 기판의 하면 테두리부의 도포막 제거에 사용되며, 또 그 자체가 가지는 점성과 흡인회수수단이 만들어 내는 기류에 의하여 하면측으로부터 테두리를 향하여 상면측으로 돌아 들어가고 상면 테두리부의 도포막 제거에 이용된다.
도포막 제거에 제공된 용해액과 그 용해물은 흡인회수수단에 흡인되어 용해액은 배출 내지 회수된다. 기판 상면의 도포막의 제거폭은 사용하는 용해액의 점성과 기판을 회전시키는 경우는 그 원심력을 고려하여 용해액의 유량 내지 흡인회수수단의 흡인량을 적절하게 조절함으로써 조절된다.
기판의 하면측에 설치한 용해액노즐로부터 용해액을 공급하여 상하 양면의 필요없는 도포막의 제거가 가능하게 되며, 기판 테두리의 수직면의 필요없는 도포막에 대해서도 확실하게 제거할 수 있다.
또, 용해액노즐에 대한 용해액 공급계통을 단순화할 수 있기 때문에 장치를 소형화할 수 있고, 또 용해액 사용량의 소량화도 가능하게 된다.
[실시예]
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
제1도는 본 발명의 일실시예에 관한 레지스트 처리장치를 나타내는 개략평면도이다. 제1도에 나타낸 바와 같이, 레지스트 처리장치는 기판, 예를들면 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 '웨이퍼' 라고 함)(W)에 여러가지 처리를 실시하는 여러 유니트가 설치된 처리 유니트부(10)와, 이 처리 유니트부(10)에 대하여 웨이퍼(W)를 자동적으로 반입 또는 반출하는 반입반출 유니트부(1)로 주요부가 구성되어 있다.
반입반출 유니트부(1)는, 처리전의 웨이퍼(W)를 수납하는 웨이퍼 캐리어(2)와, 처리후의 웨이퍼(W)를 수납하는 웨이퍼 캐리어(3)를 재치가능하게 구성하며, 웨이퍼(W)를 흡착유지하는 아암(4)과, 이 아암(4)을 X,Y(수평), Z(수직) 및 θ(회전) 방향으로 이동시키는 이동기구(5)와, 웨이퍼(W)의 얼라이먼트를 함과 동시에, 처리 유니트부(10)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 받아 건네기가 이루어지는 얼라이먼트 스테이지(6)를 갖추고 있다.
처리 유니트부(10)에는, 얼라이먼트 스테이지(6)로부터 X방향으로 형성된 반송로(11)를 따라서 이동가능하게 구성된 반송기구(12)가 설치되어 있다.
이 반송기구(12)에는 Y, Z 및 θ방향으로 이동하는 메인아암(13)이 설치되어있다.
반송로(11)의 한쪽에는 웨이퍼(W)와 레지스트액막과의 밀착성을 향상시키기 위한 어드히젼 처리를 하는 어드히젼 처리 유니트(14)와, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트중에 남아 있는 용제를 가열증발시키기 위한 프리베이크 처리유니트(15)와, 프리베이크 처리유니트(15)에 의하여 가열 처리된 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각처리 유니트(16)가 배치되어 있다.
또, 반송로(11)의 다른 쪽에는, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트 등의 레지스트액을 도포하는 레지스트액 도포 처리 유니트(17)와, 노광공정시에 광난반사를 방지하기 위하여 웨이퍼(W)의 레지스트상에 CEL 막 등을 도포형성하는 표면 피복층 도포 처리유니트(18)가 배치되어 있다.
이상과 같이 구성되는 레지스트 처리장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송공정을 설명 한다.
우선, 처리전의 웨이퍼(W)는, 반입반출 유니트부(1)의 이동기구(5)를 구동하고, 아암(4)으로 웨이퍼 캐리어(2)로부터 반출하며 , 얼라이먼트 스테이지(6) 상에 반송한다.
이어서, 얼라이먼트 스테이지(6) 상의 웨이퍼(W)를 반송기구(12)의 메인아암(13)으로 유지하며, 처리공정에 따라서, 처리 유니트(14)∼(18)의 소정의 처리유니트에 반송한다.
그리고, 처리 유니트(14)∼(18)에서 처리된 처리후의 웨이퍼(W)를 메인아암(13)에 의하여 얼라이먼트 스테이지(6)에 건네고, 아암(4)으로 웨이퍼 캐리어(3)에 수납하고, 웨이퍼(W)의 반송공정을 종료한다.
이어서, 레지스트액 도포 처리 유니트(17)의 구성에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
레지스트액 도포 처리 유니트(17)는, 제1도, 제2도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)에 도포처리를 실시하는 처리부(19)와, 이 처리부(19)의 윗쪽 위치에 이동가능하게 구성되고, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액으로서의 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급노즐(20)과, 이 레지스트액 공급노즐(20)을 처리부(19)의 웨이퍼(W)의 위쪽 위치와 대기위치 사이에서 이동시키는 노즐 반송아암(21) 및 그 이동기구(22)와, 처리부(19) 근방에 배치된 도포막 제거기구(23)로 주요부가 구성되어 있다.
또, 처리부(17)는, 제 3 도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 흡착유지하고, 이것을 수평회전시키는 회전수단으로서의 회전척(24)과, 이 회전척(24)의 웨이퍼 유지부(24a)를 수용하는 처리컵(26)으로 구성되어 있다.
회전척(24)의 하단부는, 회전척(24) 및 웨이퍼(W)를 소정의 회전수로 고속회전시키기 위한 모터(24b)의 회전축(24c)에 고정되어 있다.
처리컵(26)은, 회전척(24)의 웨이퍼 유지부(24a)의 주위를 둘러싸도록 배치된 고리형상의 내 컵(27)과, 이들을 회전척(24) 및 내컵(27)을 수용하여 처리공간(25)을 형성하는 외컵(28)으로 이루어진다.
이 처리컵(26)은, 승강기구(26a)에 의하여 제4도에 나타낸 바와 같이, 하강 또는 승강이 가능하게 구성되어 있다.
외컵(28)은, 상컵(31)과 하컵(32)으로 구성되어 있다. 상컵(31)은 중앙에 웨이퍼(W) 보다도 약간 직경이 큰 구멍부(33)를 가지며, 구멍부(33)의 근방으로부터 하컵(32)과의 접합부 근방에 걸친 측벽은, 원추형상으로 경사시켜서 형성되어 있다.
하컵(32)의 내부는 고리형상벽(34)에 의하여 내외로 구획되며, 내측 저부에는 배기구(35)가, 외측 저부에는 배액구(36)가 각각 설치되어 있다.
배기구(35)에는 진공장치(36a)가 접속되어 있으며, 웨이퍼(W)에 회전도포처리를 실시하는 때에 흩날리는 레지스트액이나 퍼티클을, 레지스트액 도포 처리유니트(17) 내의 분위기와 함께 배기구(35)로부터 배출할 수 있도록 되어 있다.
또, 배액구(36)에는, 배액수용 탱크(36a)가 접속되어 있으며, 이 배액수용탱크(36a)는, 외컵 내면(31a),(31b)이나 내컵 상면(27a)을 통하여 하강하고, 하컵(32)의 저부에 집적되는 레지스트액 등을 배액구(36)를 통하여 수용되도록 되어 있다. 이와같이, 레지스트 액체나 레지스트 기화물 및 퍼티클은 각각 기체와 액체로 분리하여 진공장치(35a) 및 배액수용 탱크(36a)에 의하여 배출되도록 구성 되어 있다 .
도포막제거기구(23)는, 제2도 및 제5도에 나타낸 바와 같이, 레지스트액 도포 처리 유니트(17) 내로부터 위의 수직방향으로 돌출하는 회전축(38)의 선단부에 한 쪽이 고정되어 수평지지된 아암(39)과, 이 아암(39)의 선단부에 각각 설치된 용해액노즐(41)과, 흡인관(43)으로 주요부가 구성되어 있다.
아암(39)은, 회전축(38)에 고정된 기초단부재(39a)와 이 기초단부재(39a)의 선단부 축방향으로 미끄럼 운동이 자유롭게 끼워맞춤된 선단부재(39b)로 이루어진다.
선단부재(39b)는, 기초단부재(39a)와 동축으로 배치된 상측부재(39c)와, 그 상측부재(39c)의 도중에서부터 아래쪽으로 뻗음과 동시에 L자형으로 구부러진 선단측으로 뻗은 하측부재(39d)로 이루어지며, 제4도에 나타낸 바와 같이 내컵(27)과 외컵(28)을 웨이퍼(W) 위치보다 하강시킨 상태에서 회전축(38)을 구동하여 아암(39)을 웨이퍼(W) 측으로 회동(제2도 참조)시키는 것에 의하여 상측부재(39c)의 선단부가 회전척(24)상에 유지된 웨이퍼(W)의 윗쪽 근방에 배치됨과 동시에, 하측부재(39d)의 선단부가 웨이퍼(w)의 하면과 외컵(28)의 상면과의 사이에 들어가도록 되어 있다.
용해액노즐(41)은, 하측부재(39d)의 선단부상에 설치되어 있으며, 웨이퍼(W)의 이면의 테두리 근방을 향하여 소정의 각도(θ1)로 용해액(L)을 분사하도록 구성되어 있다.
그 용해액(L)은, 웨이퍼(W)의 표면에 도포되는 레지스트액 속에 포함되는 용제와 같은 성분의 물이 바람직하다. 결국 레지스트액 속의 성분으로서는, 용제와, 수지와 감광기로 형성되어 있기 때문에 , 수지 또는 감광기의 성분에 의하여는 용제가 항상 일정한 성분이라고는 말할 수 없다.
따라서, 레지스트액이 변하면 그것에 따라서 용해액(L)의 성분도 변할 필요가 있다.
또, 용해액노즐(41)의 용해액(L)의 분사각도(θl)는 사용하는 용해액의 점성내지 웨이퍼(W)에 대한 젖음성을 고려하여, 용해액(L)이 웨이퍼(W)의 하면에서 반사하기 어려운 각도, 바람직하게는 기판의 하면에 대하여 60∼80°범위의 경사각도로 설정되어 있다.
그리고, 이 용해액노즐(41)에 용해액(L)을 공급하기 위한 용해액 공급배관(45)은, 아암(39)의 내부를 통하여 기초단부재(39a)의 끝단부에 접속되고, 여기에서부터 다시 접속배관(44)을 통하여 제6도에 나타내는 용해액 공급장치(57)에 접속되어 있다.
용해액 공급배관(45)의 도중 일부는 가요성을 가지는 관(54)으로 구성되어있다.
흡인관(43)은, 상측부재(39c)의 선단부 하면으로부터 아래로 돌출하여 상하방향으로 회전가능하게 설치된 요동 링크(46)에 부착되어 있으며, 그 흡인구(43a)를 웨이퍼(W)의 테두리부의 외측 상방으로부터 위치하도록 하여 배치되어있다.
요동링크(46)는 상측부재(39c)의 내측 저부에 고정된 브라케트(47)에 중간부가 축지지되어 회전이 자유롭게 설치되어 있다.
상측부재(39c)의 천정부에는 요동링크(46)를 회전시키기 위한 에어 실린더(48)가 설치되어 있으며, 요동링크(46)의 상단부는 에어 실린더(48)의 실린더로드(47)의 선단에 고정된 브라케트(50)에 접속되어 있다.
그리고, 에어 실린더(48)를 구동하며, 실린더 로드(49)를 신축시키는 것에 의하여 요동 링크(46)가 상하로 회전하며, 용해액(L)의 흡인회수수단의 흡인관(43)의 각도(θ2)는, 용해액노즐(41)의 용해액(L)의 분사각도(θ1)에 따라서 용해액(L)을 효과적으로 회수하는 각도, 바람직하게는 기판의 상면에 대하여 45∼80°범위의 경사각도로 설정된다.
흡인관(43)은, 도중 일부가 가요성을 가지는 관(51)으로 이루어지는 배출배관(52)을 통하여 기초단부재(39a)의 단부에 접속되며, 여기에서부터 접속배관(53)을 통하여 제6도에 나타내는 흡인장치인 이젝터(58)에 접속되어 있다. 또, 기초단부재(39a)의 천정부에는 선단부재(39b)를 진퇴이동시키기 위한 에어실린더(55)가 고정되어 있으며, 에어 실린더(55)의 실린더 로드(55a)의 선단이 선단부재(39b)에 고정된 브라케트(56)에 연결되어 있다.
그리고, 에어실린더(55)를 구동하고, 실린더 로드(55a)를 신축시키는 것에 의하여 선단부재(39b)가 전후로 이동하며, 웨이퍼(W)에 대한 용해액노즐(41) 및 흡인관(43)의 위치를 조절할 수 있도록 구성되어 있다.
또, 회전척(24)에 의한 웨이퍼 유지위치의 근방에는, 제6도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 테두리 위치를 검출하는 센서(59)가 설치되어 있으며, 센서(59)의 검출신호가 콘트롤러(60)에 입력되도록 되어 있다.
이 콘트롤러(60)는, 센서(59)의 검출신호에 의거하여, 상기 실린더(55)를 구동하여 아암(39)의 선단부재(39b)를 진퇴이동시켜서 용해액노즐(41) 및 흡인관(43)을 웨이퍼(W)에 대하여 적당하게 위치결정한 후, 상기 실린더(55)를 구동하고 요동 실린더(46)를 회전시켜서 흡인관(43)의 각도를 적당하게 조절함과 동시에, 용해액 공급장치(57)에 의한 용해액(L)의 공급유량 및 이젝터(58)에 의한 흡인관(43)의 흡인력을 적당하게 조절하도록 미리 프로그램되어 있다.
이 프로그램은, 웨이퍼(W)의 테두리부의 도포막(64)의 제거폭(d)이 소정 치수, 바람직하게는 5mm 이하, 더욱 바람직하게는 3mm 이하가 되도록, 사용하는 용해액(L)의 점성 및 웨이퍼(W)의 회전수 등을 고려하여 작성된 것이다.
용해액노즐(41)에 용해액을 공급하는 배관(44)의 도중에는 용해액(L)의 유량을 검출하여 그 검출신호를 콘트롤러(60)로 보내는 유량센서(63)가 설치되어 있다. 또, 이젝터(58)의 토출측 배관에는 기액분리기(61)가 설치되어 있으며, 흡인관(43)으로부터 보내어져 오는 기액 혼합상태의 유체(62)를 기체와 액체로 분리하여 각각 회수될 수 있도록 구성되어 있다.
상기한 바와 같이 구성된 레지스트액 도포 처리 유니트(17)에 있어서, 웨이퍼(W) 표면에 회전도포 처리를 하고 있는 사이, 도포막 제거기구(23)의 아암(39)은, 제2도에 실선으로 나타내는 바와 같이, 처리컵(26) 근방의 소정의 대기위치에 대기하고 있다.
그리고, 웨이퍼(W)에 대한 도포처리의 종료 후에 처리컵(26)을 하강시키고, 이어서 아암(39)을 회전운동시켜서 제5도에 나타낸 바와 같이, 아암(39)의 선단부재(39b)를 웨이퍼(W)의 근방에 이동시킨다.
그리고, 아암(37)의 선단부재(39b)의 이동직후에 상기 센서(59)에 의하여 웨이퍼(W)의 테두리 위치가 검출되어 콘트롤러(60)의 제어에 의하여 실린더(48) 및 (55)가 구동되고, 아암(39)의 선단부재(39b)가 이동함과 동시에 요동 링크(46)가 회동하여 용해액노즐(41) 및 흡인관(43)이 적절하게 위치결정됨과 동시에, 흡인관(43)의 각도가 적절하게 조절된다.
그 후, 회전척(24)의 구동개시와 동시에 콘트롤러(60)의 제어에 의하여 용해액 공급장치(57) 및 이젝터(58)가 구동되며, 용해액노즐(41)로부터 웨이퍼(W)하면의 테두리 근방의 소정위치를 향하여 용해액(L)의 분사가 개시됨과 동시에 흡인관(43)에 의한 흡인이 개시된다.
그리고, 용해액노즐(41)로부터 분사된 용해액(L)은, 제6도에 나타낸 바와 같이 분사의 힘과 웨이퍼(W)의 원심력에 의하여 테두리측으로 안내되어 웨이퍼(W)의 하면 테두리부의 도포막 제거에 제공되며, 또 그 자체가 가지는 점성과 흡인관(43)이 만들어 내는 기류에 의하여 상면측으로 돌아 들어가며 , 테두리 및 상면 테두리부의 소정의 제거폭(d)의 도포막 제거에 사용된다.
도포막 제거에 쓰여진 용해액(L)과 그 용해물은 흡인관(43)에 의하여 흡인되며, 관(51),(53),(58)을 통하여 기액분리장치(61)에 보내지며, 기액분리되어 회수된다.
이와같이 웨이퍼(W)의 하면측에 설치한 용해액노즐(41)로부터 용해액(L)을 공급하여 웨이퍼(W)상하 양면의 필요 없는 도포막을 제거할 수 있기 때문에, 용해액 공급계통을 단순화할 수 있음과 동시에 용해액 사용량을 소량화할 수 있다.
이어서, 도포막 제거기구(23)의 다른 실시예를 제7도에 나타낸다.
이 실시예에서는, 상기 아암(39)에, 용해액노즐(41)로부터의 용해액(L)을 그 상면과 웨이퍼(W) 하면 사이에 받아 넣어 웨이퍼(W) 테두리 방향으로 안내하는 안내판(42)을 설치하고 있다.
이 안내판(42)은, 아암(39)의 하측부재(39d)의 상면에 수직상태로 설치되어 있으며, 그 상단부(42a)가 웨이퍼(W) 테두리부 하면 극(極)근방에 배치되며, 웨이퍼(W) 사이의 거리가 바람직하게는 5mm이하의 소정의 거리로 되도록 높이가 설정되어 있다. 이 안내판(42)의 상단부(42a)는 대략 직각으로 구부러져 용해액노즐(41)측으로 수평으로 뻗어 있고, 그 늘어난 선단부(42b)는, 용해액노즐(41)로부터의 용해액(L)을 웨이퍼(W)의 하면과 상단부(42a) 사이에 받아 넣기 쉽게 하기 위하여 약간 아래로 구부러져 있다.
이 구부림 각도(θ3)는, 상기 용해액노즐(41)의 용해액(L)의 분사각도(θ1)에 비하여 거의 동일 각도 또는 그 이상의 각도로 설정하는 것이 바람직하다.
그리고, 용해액노즐(41)로부터 분사된 용해액(L)은, 안내판(42)의 상면과 웨이퍼(W) 하면 사이에 받아 넣어져 분사의 힘과 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의하여 테두리측으로 안내된다.
이 안내판(42)을 설치함으로써, 웨이퍼(W) 하면으로부터의 용해액(L)의 튀어오름이 확실하게 방지됨과 동시에, 용해액(L)이 안정한 면형상의 흐름으로 되고, 용해액(L)이 웨이퍼 테두리부의 도포막 제거에 유효하게 이용된다.
또, 용해액노즐(41), 안내판(42) 및 흡인관(43)의 아암(39)은 공통의 아암(39)에 부착되어 있으나, 처리컵(26) 내의 공간에 여유가 있으며, 또 본래의 레지스트 도포처리에 지장을 가져오지 않는 경우라면, 예를들면 용해액노즐(41)과 안내판(42)을 처리컵(26) 내에 항상 설치하고, 도포막 제거시에 흡인관(43)이 처리컵(26) 내로 이동, 배치되도록 하여도 좋다. 그 경우는, 처리컵(26)을 하강시킬 필요는 없다.
이어서, 용해액노즐(66)의 토출구(66a)의 다른 실시예를 제8도에 나타낸다.
이 용해액노즐(66)의 토출구(66a)는, 웨이퍼(W)의 직경방향으로 뻗는 슬리트 형상으로 형성되며, 흡인관(67)의 흡입구(67a)의 위치를 조절하는 것에 의하여 웨이퍼(W) 상면으로의 용해액(L)의 돌아 들어가는 양을 조절하도록 구성하고 있다.
이 구성에 의하면, 상기 안내판(42)을 사용하지 않아도 용해액(L)이 웨이퍼(W)의 테두리부에 안정하게 공급하는 것이 가능하다.
이어서 용해액노즐(66)의 토출구(66a)의 다른 실시예를 제9(a)도에 나타낸다.
이 용해액노즐(66)의 토출구(66a)는, 용해액노즐(66)의 웨이퍼(W) 측면(70)에 설치된 기둥부재(71)에 형성되고, 이 기둥부재(71)는 웨이퍼(W)의 직경방향으로 여러 개 배치되며, 제8도에 나타내는 흡인관(67)의 흡입구(67a)의 위치를 조절하는 것에 의하여 웨이퍼(W) 상면으로의 용해액(L)의 돌아 들어가는 양을 조절하도록 구성되어 있다.
이 구성에 의하면, 상기 안내판(42)을 사용하지 않아도 용해액(L)이 웨이퍼(W)의 테두리부에 안정하게 공급하는 것이 가능하다.
또, 그들 기둥부재(71)의 간격을, 예를들면 웨이퍼(W)의 이면 내측으로부터 테두리부를 향하여 서서히 간격을 좁게 하거나, 또는 간격을 넓게 하도록 설정하는 것에 의하여 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 효과적으로 용해액을 공급할 수 있다.
또, 기둥부재(71)는, 웨이퍼(W)에 대하여 수직으로 설치하거나 또는 기판의 하면에 대하여 경사지게 설치하여 효과적으로 용해액을 웨이퍼(W)의 이면에 공급하여도 좋다.
이어서 용해액노즐(66)의 토출구(66a)의 다른 실시예를 제9(b)도에 나타낸다.
이 용해액노즐(66)의 토출구(66a)는, 용해액노즐(66)의 양측에 소정의 각도(θ4)로 볼록형상으로 형성된 웨이퍼(W) 측면(70)의 거의 중앙을 따라서 여러개 설치되어 있다.
이와같이 배치한 것에 의해 토출구(66a)로부터 분출한 용해액(L)이 웨이퍼(W) 이면에 의하여 튀어 나를 때, 효과적으로 토출구(66a)의 양측으로 배출할 수 있다. 이것은 특이하게도, 웨이퍼(W)의 이면에 의하여 튀어 오른 용해액(L)은 레지스트막의 성분을 함유하고 있기 때문에, 이 함유물이 토출구(66a)로부터 분출하는 깨끗한 용해액(L)에 혼입하는 것을 억제하기 때문이다.
이 구성에 의하면, 상기 안내판(42)을 사용하지 않아도 용해액(L)이 웨이퍼(W)의 테두리부에 안정하게 공급하는 것이 가능하게 된다.
또, 토출구(66a)의 간격을, 예를들면 웨이퍼(W)의 이면 내측으로부터 테두리부를 향하여 서서히 간격을 좁히거나 또는 간격을 넓게 하도록 설정하여 각각의 토출구(66a)의 구멍 직경을 변화하고, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 효과적으로 용해액을 공급할 수도 있다.
이어서, 흡인관(67)의 흡입구(67a)의 다른 실시예를 제10(a)도 ∼ 제10(c)도에 나타낸다.
제10(a)도의 흡입구(67a)는, 웨이퍼(W)의 지름방향과 수직방향으로 뻗는 슬리트 형상으로 형성되어 있다. 이것에 의하여 웨이퍼(W)의 상면에 돌아 들어오고 있는 용해액(L)의 공급위치 이외에 흩날린 경우 퍼티클로 되기 때문에, 그 퍼티클의 발생을 방지할 수가 있다.
또, 제1O(b)도의 흡입구(67a)는, 상술한 슬리트 형사의 흡입구(67a)의 중앙부에 원형상의 흡입부를 구비하고 있으며, 이것에 의하여 중압부의 흡인력을 슬리트 영향보다 높이고 용해액(L)의 회수를 중앙부에 집중시키며 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막중의 필요없는 레지스트막의 제거영역을 조절하는 동작을 높이는 것을 가능하게 하고 있다.
또, 제10(b)도의 흡입구(67a)와 같은 효과를 얻는 다른 실시예로서는, 제lO(c)도에 나타낸 바와 같이, 흡입구를 변형형상으로 하여도 좋다.
이어서, 흡입구(67a)로부터의 흡인효율을 높이는 실시예를 제11도에 나타낸다. 이 제11도에 나타내는 흡입구(67a)는, 흡인관 내에 설치된 배출로(67b)에 이 배출로(67b)의 배출경로의 단면적보다 작은 면적의 오목부(67c)가 설치되어 있으며, 또 오목부(67c)의 단면적보다 작은 면적의 흡입구(67a)가 설치되어 구성되어 있다. 이와같이, 흡입구(67a)의 구멍면적이 배출로(67b)의 배출경로의 단면적보다 작게 구성되어 있기 때문에 흡인력을 높일 수 있다.
이어서, 제4도에 있어서의 처리컵(26)의 승강이동에 관한 다른 실시예를 제12도에 나타낸다. 제4도에서는 처리컵(26)을 웨이퍼(W)에 대하여 상하운동시키고 있는 것에 대하여 제12도에서는 처리컵(26)을 고정하여 회전척(24)에 지지된 웨이퍼(W)를 처리컵(26) 안과 밖의 사이에서 이동시키기 위하여, 회전척(24)을 승강이동시키기 위한 승강이동수단(80), 예를들면 에어실린더가 설치되며, 그 승강이동수단(80)의 구동축이 모터(24b)에 접속되어 있다. 따라서, 처리컵(26)측을 승강이동시키는 경우와 비교하여, 장치 내에서 이동하는 물(物)의 이동량을 억제할 수 있으며, 장치 내에서 기류의 혼란 등에 의한 퍼티클 발생을 억제할 수 있다. 또, 이동기구도 소형화되기 때문에, 장치의 소형화 및 장치 제조단가의 저감화도 이룰 수 있다.
이어서, 제13도에 도포막 제거기구의 다른 실시예를 나타낸다. 제13도의 도포막 제거기구는, 용해액노즐(41)과, 흡인관(43)은 별도로 설치되어 구성되어 있다.
흡인관(43)은 상술한 바와 같이 아암(39) 측에 설치되어 구성된다. 용해액노즐(41)은, 처리컵(26) 내에서 또 웨이퍼(W)의 아래에 위치하는 고정부재(81) 측에 설치되고, 또 용해액노즐(41)은 웨이퍼(W)의 하면에 용해액(L)을 분사하는 분사각도(θ1)를 조정하는 조정수단(82)과 접속되어 있다. 또, 아암(39)측의 배기관(43)은, 처리컵(26) 내에 이동하도록 구성되고, 처리컵(26) 내의 소정의 웨이퍼(W)를 세정위치에 위치할 수 있도록 구성되어 있다.
이와 같이 구성되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 필요 없는 레지스트 제거처리를 처리컵(26) 내에서 행할 수 있기 때문에, 용해액(L)이, 처리컵(26)의 상면이나 다른 처리 유니트 측으로 흩날리는 것을 방지할 수가 있다. 또, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포한 후, 처리컵(26)을 이동시키는 일 없이 웨이퍼(W)의 필요 없는 레지스트막을 제거하는 공정이 이루어지기 때문에, 처리의 스루푸트를 향상할 수 있다. 또, 웨이퍼(W)의 필요 없는 레지스트 제거하는 공정을 레지스트 도포공정 후에 즉시 행하기 때문에, 레지스트 도포공정 후의 레지스트 건조오차를 억제할 수 있고, 웨이퍼(W) 처리의 생산성을 향상할 수 있다.
이어서, 도포막 제거기구(23)로 기판을 처리하는 작용을 제14(a)도 및 제15(a)도 ∼ 제15(d)도를 참조하면서 설명한다.
제14도는, 도포막 제거기구(23)로 기판을 처리하는 작용을 나타내는 개략사시도이며, 또 제 15(a)도 ∼ 제15(d)도는 도포막 제거기구(23)로 기판을 처리하는 작용을 나타내는 개략평면도이다.
웨이퍼(W)는, 회전척(24)의 웨이퍼 유지부(24a)로 유지되고, 회전척의 회전구동에 따라서 구동한다.
이와 관련하여 웨이퍼(W)에는, 평평한 오리엔테이션 플랫(WO)을 가지고 있으며, 제15(a)도, 제15(b)도에 나타낸 바와 같이 도포막 제거기구(23)에 의한 도포막 제거공정이 예를들면 오리엔테이션 플랫(WO)의 일단부(Wa)로부터 스타트한경우, 아암(39)은 웨이퍼(W)에 대하여 소정위치를 유지하며, 제거 처리하기 위하여, 웨이퍼(W)의 회전에 따른 Xl방향으로 아암(39)은 이동한다.
이어서 오리엔테이션 플랫(WO)의 중앙위치(Wb)까지 제거처리가 진행하면 제15(c)도에 나타낸 바와 같이, 아암(39)은 웨이퍼(W)에 대하여 소정위치를 유지하며, 제거처리하기 위하여, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 Xl방향과 역방향의 X2방향으로 아암(39)은 이동한다. 이어서, 제15(d)도에 나타낸 바와 같이 오리엔테이션 플랫(W0)의 종점위치(Wc)까지 제거처리한 후, 아암(39)은, 처리위치가 다시 오리엔테이션 플랫(WO)의 Wa 위치까지 소정위치를 유지한 채 웨이퍼(W)의 원테두리부를 처리하며, 웨이퍼(W)의 테두리부를 따른 제거처리를 종료한다. 또,웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫(WO)의 위치, 웨이퍼(W)와 아암과의 위치는, 제6도에도 나타낸 바와 같이 센서(59)로 위치검출하면서 행하고 있다.
또, 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫(WO)의 중앙위치(Wb)의 위치검출은 센서(59)로 위치검출하거나, 오리엔테이션 플랫(WO)의 일단부(Wa)의 위치검출을 트리거로 하고 회전척의 회전속도를 기초로 콘트롤러(60)로 비교연산하며 위치를 산출하여도 좋다.
또, 이 실시예에서는 아암(39) 측을 이동시키고 제거처리를 하였으나, 아암(39)을 고정하여 두고, 회전척(24) 측을 아암(39)에 대하여 이동시켜서 제거처리를 하여도 좋다.
이어서, 도포막 제거기구(23)로 기판을 처리하는 다른 작용을 제16(a)도 및 제16(b)도를 참조하면서 설명한다.
제16(a)도에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)는, 회전척(24)의 웨이퍼 유지부(24a)에 유지되며, 회전척(24)의 회전구동에 따라서 회전한다. 그리고, 아암(39)을 웨이퍼(W)에 대하여 소정위치로 설정한 후, 제거처리를 한다. 이 제거처리에서 웨이퍼(W)의 테두리부는 처리되지만, 오리엔테이션 플랫(WO)에는, 미처리부분(We)이 남는 것으로 된다. 이어서 그 미처리부분(We)을 처리하기 위하여, 제 16(b)도에 나타낸 바와 같이, 오리엔테이션 플랫(WO)을 아암(39)의 축방향과 직각방향으로 설정한 후, 아암(37)을 오리엔테이션 플랫(WO)에 대하여 소정위치에서, 오리엔테이션 플랫(W0)을 따라서 Yl방향으로 이동하며 제거처리하거나 또는 아암(39)을 고정하고 웨이퍼(W) 측을 아암(39)에 대하여 Y2방항으로 이동시키며 제거처리를 종료한다.
이어서, 전술한 기판을 처리하는 일련의 작용의 개요의 흐름도를 제17도를 참조하면서 설명한다.
처음에 A공정에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 회전척(24)의 웨이퍼 유지부(24a)에 놓는다. 이 때 웨이퍼(W)의 회전속도는, 6인치 웨이퍼인 경우, 3500∼5000rpm 인 범위의 소정속도, 8인치 웨이퍼인 경우, 1500∼3500rpm 인 범위의 소정속도로 설정한다.
이어서 C공정으로 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심위치로부터 레지스트액을 떨어뜨린다.
그렇게 하면 레지스트액은 웨이퍼(W)의 회전에 따라서 웨이퍼(W) 전면으로 퍼지고, 이 후, 웨이퍼(W) 테두리부의 레지스트액을 뿌리쳐서 웨이퍼(W) 상에 레지스트막을 형성한다.
또 이 레지스트막의 형성에 있어서는, 레지스트액을 방울져서 떨어지게하는 전공정으로서 용제, 바람직하게는 도포하는 레지스트액 속에 함유되는 용제와 동일 또는 동일 성분 또는 그들의 혼합물 또는 그들을 함유하는 용제를 웨이퍼(W)의 표면에 도포하여 두면 도포하는 레지스트액의 량을 줄일 수 있다.
이어서 D공정에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전속도를 전술한 속도보다 감속시키고, 소정의 속도로 설정한다. 이 소정의 속도는 웨이퍼(W)의 테두리부를 제거하는 속도이고, 바람직한 속도는 10∼500rpm범위의 소정속도이다.
이 때, 소정 속도로 감속시키면서 회전척(24)을 웨이퍼(W)의 도포막 제거위치까지 상승하면 처리의 처리율을 향상할 수가 있다.
이어서, 앞에서 기술한 바와 같은 웨이퍼(W) 테두리부의 레지스트 제거처리를 하지 않는 일련의 처리를 종료한다. 또, C 공정의 레지스트액의 방울져서 떨어뜨리는 것을 B 공정의 웨이퍼(W)를 회전시키기 전에 행하여도 좋고, 또 C공정의 레지스트액의 떨어뜨림은 B공정의 웨이퍼(W)를 소정속도로 설정하기 전의 가속기에서 행하여도 좋다.
이어서, 도포막 제거기구로 다른 기판을 처리하는 작용을 제18도 및 제19도를 사용하여 설명한다.
제18도에서 회전척(24)에는 사각형상 기판으로서의 LCD 기판이 유지되어 있다. 이와같은 사각형상 기판을 처리하는 경우의 처리공정은 제19도에 나타낸다.
최초에 G공정에서, 우선, LCD기판의 하나의 단면을 아암(39)의 이동방향(Y3)과 평행하게 위치결정한다.
이 때 LCD기판의 단면의 총수에 관한 카운터 플래그(n)를 초기설정하여둔다.
이어서 H공정에 나타낸 바와 같이 아암(39)을 Y3 방향으로 이동시키고, 설정된 단면의 테두리부의 레지스트막을 제거처리한다.
이 후, I 공정으로 나타낸 바와 같이 회전척(24)을 회전하고, 이어서 처리하는 단면, 결국 LCD기판(G)을 90도 회전시킨다. 이 후 LCD기판의 단면 총수치로부터 1을 뺀 값과 카운터 플래그(n)의 값이 동일한가를 비교한다.
동일하다면 제거처리를 종료시킨다. 다른 경우에는 LCD기판(G)의 각 변의 도포막 제거를 하는 것이다. 또, 제20도에 나타낸 바와 같이 J 공정 후, 1공정을 실시하면 모든 변을 처리한 후에 쓸데 없는 회전을 방지할 수 있기 때문에 처리효율을 향상할 수가 있다.
이 실시예에서 , 회전척(24)의 회전각도를 적당하게 억제하면, LCD기판(G)과 같은 평행4변형의 것에 한정하지 않고, 더욱 복잡한 형상의 기판에 대해서도 도포막 제거처리를 할 수 있다.
또, 처리컵(26)은, LCD기판(G)과 같은 사각형상 기판을 회전시키는 경우 특히, 그 사각형상 기판의 회전속도 및 회전방향과 동일 또는 그것에 준하는 회전속도 및 회전방향으로 설정하고, 회전시키는 것이 바람직하다. 이것은 사각형상기판을 회전시키면 그 기판의 긴 각 부분에서 기류의 혼란을 발생하기 때문에 처리컵(26) 내에 기류의 혼란이 생기고, 레지스트액이 균일하게 LCD기판(G) 상에 형성되지 않는다고 하는 문제를 해소하기 위함이다. 물론 웨이퍼(W)와 같은기판에서도 처리컵(26)을 회전시키는 것은 바람직하다.
이어서, LCD기관(G)을 처리하는 다른 실시예를 제21도 및 제22도를 사용하여 설명한다.
제21도에서, 회전척(24)에는 사각형상 기판으로서의 LCB기판(G)이 유지되어 있다. 그리고, 그 LCD기판(G)의 대향하는 2 변측에, 각각 도포막 제거기구의 아암(37)이 배치되도록 구성되어 있다.
이 실시예의 처리공정을 제22도에 나타낸다.
우선, 제22도에 나타내는 K공정에서는, LCD기판(G)에 대하여 소정위치에서 2 개의 도포막 제거기구의 아암(39)을 위치결정한다. 이어서 L 공정에서 그들의 아암(39)을 각각 동일방향 또는 상대방향으로 이동시키고 LCD기판(G)의 필요 없는 레지스트막을 제거처리한다. 이 후 M공정으로 나타낸 바와 같이 회전척(24)을 회전하며, 이어서 처리하는 단면, 결국 LCD기판(G)을 90°회전시킨다. 이 후 L공정과 같은 처리를 실시하며, 제거처리를 종료시킨다.
이와같이, 2 개의 도포막 제거기구에 의하여 처리를 하기 때문에 처리율을 향상시킬 수 있다.
이어서, LCD기판(G)을 처리하는 다른 실시예를 제23도를 사용하여 설명한다.
제23도에서 회전척(24)에는 사각형상 기판으로서의 LCD기판(G)이 유지되어있다. 그리고, 그 LCD기판(G)의 모든 변에 대응하여, 각각 도포막 제거기구의 아암(39)이 배치되도록 구성되어 있다.
이 실시예의 처리공정의 경우로서는, 이웃하는 아암(39)의 간섭을 방지하기 위하여 그들의 아암(39)을 각각 동일방향으로 이동시키고 LCD기판(G)의 필요 없는 막을 제거처리하는 것이 바람직하다. 이와 같이 사각형상 기판의 모든 변에 대응하여 설치된 도포막 제거기구에 의하여 처리를 하기 때문에 처리율을 향상할 수 있다.
또, 이상의 실시예에서는 레지스트 처리장치에 적용한 경우에 대하여 설명하였으나, 이것 외에도, 예를들면 에칭액도포처리나 자성액 도포처리를 하는 장치에도 적용할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예 및 변형예에 의하여 한정되는 것은 아니고 본 발명의 요지를 일탈하는 일 없이 여러가지로 변형하여 실시할 수 있는 것은 당연한 것이다.

Claims (19)

  1. 레지스트 도포막을 기판의 테두리부 및 모서리끝단부로부터 제거하는 레지스트 처리장치로서, 레지스트 도포막이 상면측이 되도록 기판을 유지하는 유지수단과, 이 유지수단상의 기판보다도 하방에 위치하고 기판의 하면 테두리부로 부터 모서리끝단부를 통하여 기판의 상면 테두리부로 용해액이 돌아 들어가도록 기판의 하면 테두리부를 향하여 용해액을 분사하는 분출구를 가지는 용해액노즐(41)과, 상기 유지수단상의 기판보다 상방에 위치하고 기판의 상면 테두리부로 돌아 들어간 용해액을 용해된 레지스트와 함께 흡입하는 흡입구를 가지는 흡인회수수단과, 상기 용해액노즐 및 상기 흡인회수수단의 흡입구를 상기 유지수단상의 기판의 테두리부를 따라서 상대적으로 이동시키는 상대이동수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 용해액노즐(41)은, 기판의 하면에 대하여 60∼80°범위의 경사각도로 용해액을 분사하는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 흡인회수수단은, 기판의 상면에 대하여 45∼80°범위의 경사각도로 용해액을 흡입하는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 용해액노즐(41)로부터의 용해액을 그 상면과 기판의 하면 사이에 받아 넣어서 기판 테두리에 안내하는 안내판(42)을 더욱 구비하고 있는 레지스트 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 안내판(42)의 상면과 하면과의 거리는, 5mm 이하의 소정거리로 설정되어 있는 레지스트 처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 용해액은, 상기 레지스트액 속의 용제와 같은 성분, 또는 그 성분을 함유하고 있는 레지스트 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 용해액노즐(41)과 흡인회수수단을, 기판에 대한 소정위치에 동시에 이동시키는 이동기구를 더욱 구비하고 있는 레지스트 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 용해액노즐(41)로부터의 용해액의 분사각도를 조정하는 조정수단을 더욱 구비하고 있는 레지스트 처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 흡인회수수단은, 기체와 액체를 각각 분리하여 회수하는 기액분리장치를 구비하고 있는 레지스트 처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 용해액노즐(41)의 분출구는, 기판의 모서리끝단부를 따라 뻗은 슬리트, 또는 기판의 모서리끝단부를 따라 늘어선 복수의 미세공으로 이루어지는 레지스트 처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 유지수단은, 기판을 회전가능하게 진공흡착 유지하는 스핀척인 것을 특징으로 하는 레지스트 처리장치.
  12. 레지스트 도포막을 기판의 테두리부 및 모서리끝단부로부터 제거하는 레지스트 처리방법으로서, (a) 기판을 회전시키면서 기판의 상면에 레지스트액을 도포하는 공정과, (b) 상기 공정(a)에서 형성된 레지스트 도포막이 상면측이 되도록 유지수단에 의해 기판을 유지하는 공정과, (c) 상기 유지수단상의 기판보다도 하방에 위치하는 노즐로부터 기판의 하면 테두리부에서 모서리끝단부를 통하여 기판의 상면 테두리부로 용해액이 돌아 들어가도록 기판의 하면 테두리부를 향하여 용해액을 분사함과 동시에, 상기 노즐을 기판의 테두리부를 따라서 상대적으로 이동시키는 공정과, (d) 상기 유지수단상의 기판보다 상방에 위치하는 흡입구를 가지는 흡인회수수단에 의해 기판의 상면 테두리부로 돌아 들어온 용해액을 용해된 레지스트와 함께 흡인하여 회수함과 동시에, 상기 흡입구를 기판의 테두리를 따라서 상대적으로 이동시키는 공정을 구비하는 레지스트 처리방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 공정(a) 전에 레지스트액에 함유되는 용제와 동일 또는 동일 성분 또는 그들의 혼합 또는 그들을 함유하는 용제를 기판의 상면에 도포하는 레지스트 처리방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 공정(d)에서는 기판을 회전시키면서 용해액을 흡인회수하고, 이 공정(d)에서의 기판의 회전속도는 상기 공정(a)에서의 기판의 회전속도보다도 작은 레지스트 처리방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 공정(d)에서의 기판의 회전속도는 10∼500rpm 범위인 레지스트 처리방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 공정(d)에서는 기판 상면의 모서리끝단부로부터 5mm 이내의 영역에서 용해액을 흡인회수하는 레지스트 처리방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 공정(a)에서 기판에 레지스트액을 방울져서 떨어지게 하는 타이밍은, 기판을 회전시키기 전, 또는 기판의 회전이 정상속도에 도달하기 전의 가속기, 또는 기판이 회전이 정상속도에 도달한 후의, 어느 하나인 레지스트 처리방법.
  18. 제12항에 있어서, 상기 기판은 사각형상이고, 상기 공정(c) 및 (d)에서는 사각형상 기판의 1개의 변을 처리하거나, 또는 2개의 변을 동시처리하거나, 또는 4개의 변을 모두 동시처리하는 레지스트 처리방법.
  19. 제12항에 있어서, 상기 공정(a)에서의 기판의 회전속도는, 기판이 6인치 직경 웨이퍼인 경우는 3500∼5000rpm 의 범위, 기판이 8인치 직경 웨이퍼인 경우는 1500∼3500rpm 의 범위인 레지스트 처리방법.
KR1019940020788A 1993-08-23 1994-08-23 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법 KR100284557B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22955093 1993-08-23
JP93-229550 1993-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950007025A KR950007025A (ko) 1995-03-21
KR100284557B1 true KR100284557B1 (ko) 2001-04-02

Family

ID=16893925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940020788A KR100284557B1 (ko) 1993-08-23 1994-08-23 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5608943A (ko)
KR (1) KR100284557B1 (ko)

Families Citing this family (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3452676B2 (ja) * 1995-02-15 2003-09-29 宮崎沖電気株式会社 半導体ウエハ面のパーティクルの除去装置及びそれを用いた半導体ウエハ面のパーティクルの除去方法
JP3337870B2 (ja) * 1995-05-11 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
US5952050A (en) * 1996-02-27 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
US5861061A (en) 1996-06-21 1999-01-19 Micron Technology, Inc. Spin coating bowl
US5985031A (en) 1996-06-21 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Spin coating spindle and chuck assembly
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US5759273A (en) * 1996-07-16 1998-06-02 Micron Technology, Inc. Cross-section sample staining tool
US5993552A (en) * 1996-08-08 1999-11-30 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
KR100508575B1 (ko) * 1996-09-24 2005-10-21 동경 엘렉트론 주식회사 세정처리방법및장치와기판처리용장치
SG103277A1 (en) * 1996-09-24 2004-04-29 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
JP2954059B2 (ja) * 1997-01-09 1999-09-27 山形日本電気株式会社 エッジリンス機構
JP3336898B2 (ja) * 1997-02-28 2002-10-21 三菱電機株式会社 シリコンウエハ表面の不純物回収方法およびその装置
US5985363A (en) * 1997-03-10 1999-11-16 Vanguard International Semiconductor Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions
AT407806B (de) * 1997-05-23 2001-06-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Anordnung zum behandeln wafer-förmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern
US6276072B1 (en) * 1997-07-10 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for heating and cooling substrates
TW418452B (en) * 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
US7244677B2 (en) 1998-02-04 2007-07-17 Semitool. Inc. Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device
EP1019954B1 (en) 1998-02-04 2013-05-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low-temperature annealing of electroplated copper micro-structures in the production of a microelectronic device
US6632292B1 (en) * 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
TW444921U (en) * 1998-03-18 2001-07-01 United Microelectronics Corp Injection cleaning device of developer machine
KR100616198B1 (ko) 1998-04-21 2006-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판상에 전기도금하는 전기화학적 증착 시스템 및 방법
US6416647B1 (en) 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
US6113771A (en) 1998-04-21 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Electro deposition chemistry
US6994776B2 (en) * 1998-06-01 2006-02-07 Semitool Inc. Method and apparatus for low temperature annealing of metallization micro-structure in the production of a microelectronic device
DE19854743A1 (de) * 1998-11-27 2000-06-08 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe
US6267853B1 (en) 1999-07-09 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6254760B1 (en) 1999-03-05 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system and method
US6290865B1 (en) 1998-11-30 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers
US6258220B1 (en) 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6548115B1 (en) 1998-11-30 2003-04-15 Fastar, Ltd. System and method for providing coating of substrates
US6228233B1 (en) 1998-11-30 2001-05-08 Applied Materials, Inc. Inflatable compliant bladder assembly
US6544399B1 (en) 1999-01-11 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Electrodeposition chemistry for filling apertures with reflective metal
US6379522B1 (en) 1999-01-11 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Electrodeposition chemistry for filling of apertures with reflective metal
US7192494B2 (en) * 1999-03-05 2007-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for annealing copper films
US6136163A (en) * 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
US6523553B1 (en) 1999-03-30 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning method and apparatus
US6837978B1 (en) 1999-04-08 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Deposition uniformity control for electroplating apparatus, and associated method
US6557237B1 (en) 1999-04-08 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Removable modular cell for electro-chemical plating and method
US6582578B1 (en) 1999-04-08 2003-06-24 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
US6551488B1 (en) 1999-04-08 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Segmenting of processing system into wet and dry areas
US6585876B2 (en) 1999-04-08 2003-07-01 Applied Materials Inc. Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method
US6662673B1 (en) 1999-04-08 2003-12-16 Applied Materials, Inc. Linear motion apparatus and associated method
US6551484B2 (en) 1999-04-08 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Reverse voltage bias for electro-chemical plating system and method
US6571657B1 (en) 1999-04-08 2003-06-03 Applied Materials Inc. Multiple blade robot adjustment apparatus and associated method
TW464970B (en) * 1999-04-21 2001-11-21 Sharp Kk Ultrasonic cleaning device and resist-stripping device
EP1052682B1 (de) * 1999-04-28 2002-01-09 SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
KR100637890B1 (ko) * 1999-07-08 2006-10-23 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금장치 및 도금방법 및 도금처리설비
US6516815B1 (en) 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US20030213772A9 (en) * 1999-07-09 2003-11-20 Mok Yeuk-Fai Edwin Integrated semiconductor substrate bevel cleaning apparatus and method
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
US6289550B1 (en) * 2000-03-10 2001-09-18 United Microelectronics Corp. Jet cleaning device for developing station
TW443577U (en) * 2000-03-10 2001-06-23 United Microelectronics Corp Spraying and washing apparatus for develop machine
US6913680B1 (en) 2000-05-02 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of application of electrical biasing to enhance metal deposition
WO2001090446A2 (en) 2000-05-23 2001-11-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to overcome anomalies in copper seed layers and to tune for feature size and aspect ratio
US20040079633A1 (en) * 2000-07-05 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro chemical deposition of copper metallization with the capability of in-situ thermal annealing
US6576110B2 (en) 2000-07-07 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Coated anode apparatus and associated method
US20020112964A1 (en) * 2000-07-12 2002-08-22 Applied Materials, Inc. Process window for gap-fill on very high aspect ratio structures using additives in low acid copper baths
US6805769B2 (en) * 2000-10-13 2004-10-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
EP1202326B1 (de) * 2000-10-31 2004-01-02 Sez Ag Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
KR100436361B1 (ko) * 2000-12-15 2004-06-18 (주)케이.씨.텍 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치
US6610189B2 (en) 2001-01-03 2003-08-26 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus to mechanically enhance the deposition of a metal film within a feature
US6691719B2 (en) * 2001-01-12 2004-02-17 Applied Materials Inc. Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning
US6478937B2 (en) 2001-01-19 2002-11-12 Applied Material, Inc. Substrate holder system with substrate extension apparatus and associated method
US6669808B2 (en) * 2001-03-22 2003-12-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100488753B1 (ko) * 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP3944368B2 (ja) * 2001-09-05 2007-07-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
DE10163744A1 (de) * 2001-12-21 2003-07-03 Topack Verpacktech Gmbh Reinigungseinrichtung und Reinigungsverfahren für Leimauftragdüsen
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6770565B2 (en) 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers
US20030146102A1 (en) * 2002-02-05 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Method for forming copper interconnects
JP3852758B2 (ja) * 2002-03-01 2006-12-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション スラリー回収装置及びその方法
JP3874261B2 (ja) * 2002-04-10 2007-01-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004006672A (ja) * 2002-04-19 2004-01-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US6936546B2 (en) * 2002-04-26 2005-08-30 Accretech Usa, Inc. Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates
US6911136B2 (en) * 2002-04-29 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Method for regulating the electrical power applied to a substrate during an immersion process
AUPS212502A0 (en) * 2002-05-07 2002-06-06 Sustainable Technologies International Pty Ltd Method and device for local treatment of substrates with fluids
TW535991U (en) * 2002-05-24 2003-06-01 Winbond Electronics Corp Barrier device
JP2004031400A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
US20040132295A1 (en) * 2002-11-01 2004-07-08 Basol Bulent M. Method and device to remove unwanted material from the edge region of a workpiece
US8192555B2 (en) 2002-12-31 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Non-chemical, non-optical edge bead removal process
US7138039B2 (en) * 2003-01-21 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Liquid isolation of contact rings
US7087144B2 (en) * 2003-01-31 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Contact ring with embedded flexible contacts
US7025861B2 (en) * 2003-02-06 2006-04-11 Applied Materials Contact plating apparatus
US20040206628A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Electrical bias during wafer exit from electrolyte bath
US7311810B2 (en) * 2003-04-18 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Two position anneal chamber
KR100954895B1 (ko) * 2003-05-14 2010-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박막제거장치 및 박막제거방법
JP3920831B2 (ja) * 2003-09-29 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 塗布膜除去装置及び塗布膜除去方法
US20050092601A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Harald Herchen Electrochemical plating cell having a diffusion member
US20050092602A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Harald Herchen Electrochemical plating cell having a membrane stack
KR101026935B1 (ko) * 2003-12-10 2011-04-04 엘지디스플레이 주식회사 디스펜서 정렬장치 및 그 방법
US20050218000A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-06 Applied Materials, Inc. Conditioning of contact leads for metal plating systems
US20050252547A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for liquid chemical delivery
US7285195B2 (en) * 2004-06-24 2007-10-23 Applied Materials, Inc. Electric field reducing thrust plate
EP1801861B1 (en) * 2004-07-09 2012-10-03 Sekisui Chemical Co., Ltd. Method and device for treating outer periphery of a substrate
US20080017613A1 (en) * 2004-07-09 2008-01-24 Sekisui Chemical Co., Ltd. Method for processing outer periphery of substrate and apparatus thereof
US20060102467A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Harald Herchen Current collimation for thin seed and direct plating
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7255747B2 (en) * 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US20060182535A1 (en) * 2004-12-22 2006-08-17 Mike Rice Cartesian robot design
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US20060175201A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Hooman Hafezi Immersion process for electroplating applications
US20060241813A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design
CN1885159B (zh) * 2005-06-23 2010-04-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法
US20070014958A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-18 Chaplin Ernest R Hanger labels, label assemblies and methods for forming the same
JP4830523B2 (ja) * 2006-02-08 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。
US20070209684A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Applied Materials, Inc. Copper deposition chamber having integrated bevel clean with edge bevel removal detection
US8091504B2 (en) * 2006-09-19 2012-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning spin coater
US7673582B2 (en) * 2006-09-30 2010-03-09 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for removing an edge bead of a spin-coated layer
JP4985082B2 (ja) 2007-05-07 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成装置の使用方法及び記憶媒体
KR101096037B1 (ko) * 2009-07-30 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
DE102012103330A1 (de) * 2012-03-29 2013-10-02 solar-semi GmbH Vorrichtung zum Entfernen einer Beschichtung von einem Substrat und Verfahren
US9744565B2 (en) * 2012-12-14 2017-08-29 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. Swing spray device of cleaning apparatus and cleaning method
TWI597770B (zh) * 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
US10307798B2 (en) 2015-08-28 2019-06-04 Taiwan Semiconducter Manufacturing Company Limited Cleaning device for cleaning electroplating substrate holder
JP6680040B2 (ja) * 2016-03-30 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、液処理方法、及び記憶媒体
JP6400161B1 (ja) * 2017-08-08 2018-10-03 キヤノン株式会社 成膜方法、ドライフィルムの製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法
KR20210006566A (ko) * 2019-07-08 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN112670207B (zh) * 2020-12-21 2023-10-31 长江存储科技有限责任公司 晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6118860U (ja) * 1984-07-04 1986-02-03 三菱電機株式会社 半導体ウエ−ハのレ−ザ刻印装置
JPH03179728A (ja) * 1989-12-07 1991-08-05 Tokyo Electron Ltd 半導体ウェハの洗浄方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3630804A (en) * 1968-08-19 1971-12-28 Chemcut Corp Etching apparatus
FR2117385A5 (ko) * 1970-12-10 1972-07-21 Moestue Hans
US4003717A (en) * 1975-06-27 1977-01-18 Carad, Inc. Method and apparatus for recovering by-product silt fines from a slurry thereof
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
JPS6014244A (ja) * 1983-07-06 1985-01-24 Fujitsu Ltd マスク洗浄装置
JPS6049949U (ja) * 1983-09-12 1985-04-08 富士写真フイルム株式会社 吸引ノズル
JPS61178187U (ko) * 1985-04-26 1986-11-06
JPH0444216Y2 (ko) * 1985-10-07 1992-10-19
US5095927A (en) * 1987-04-27 1992-03-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor gas-liquid separation
KR970006206B1 (ko) * 1988-02-10 1997-04-24 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 자동 도포 시스템
US5028955A (en) * 1989-02-16 1991-07-02 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus
JPH05190442A (ja) * 1992-01-10 1993-07-30 Hitachi Ltd 薬液処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6118860U (ja) * 1984-07-04 1986-02-03 三菱電機株式会社 半導体ウエ−ハのレ−ザ刻印装置
JPH03179728A (ja) * 1989-12-07 1991-08-05 Tokyo Electron Ltd 半導体ウェハの洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5608943A (en) 1997-03-11
KR950007025A (ko) 1995-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100284557B1 (ko) 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법
US7422641B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR100572113B1 (ko) 도포장치
KR101015659B1 (ko) 기판 세정방법 및 현상 장치
US9028621B2 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning device
JP3177728B2 (ja) 処理装置及び処理方法
KR100271764B1 (ko) 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법
JPH10163104A (ja) 半導体装置製造用現像装置及びその製造方法
US9855579B2 (en) Spin dispenser module substrate surface protection system
KR100954895B1 (ko) 박막제거장치 및 박막제거방법
JP2014120489A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR101895409B1 (ko) 기판 처리 설비
JPH1057877A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN107230653B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
JP2002151455A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JPH05160017A (ja) 塗布装置
TWI745830B (zh) 液處理裝置及液處理方法
KR101018963B1 (ko) 기판처리장치 및 세정방법
JP4363593B2 (ja) 薄膜除去装置
JP3289208B2 (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
KR20140108083A (ko) 노즐 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법
KR100336841B1 (ko) 도포 및 현상 공정 시스템
TWI840356B (zh) 液處理裝置、液處理方法、及電腦可讀取的記錄媒體
JP7112884B2 (ja) 液処理装置、液処理方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2008060284A (ja) 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111202

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee