JPS6118860U - 半導体ウエ−ハのレ−ザ刻印装置 - Google Patents

半導体ウエ−ハのレ−ザ刻印装置

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Publication number
JPS6118860U
JPS6118860U JP10236684U JP10236684U JPS6118860U JP S6118860 U JPS6118860 U JP S6118860U JP 10236684 U JP10236684 U JP 10236684U JP 10236684 U JP10236684 U JP 10236684U JP S6118860 U JPS6118860 U JP S6118860U
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JP
Japan
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semiconductor wafers
laser marking
negative pressure
laser
marking equipment
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Pending
Application number
JP10236684U
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English (en)
Inventor
秀文 吉村
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】 第１図は従来のウエーノ１のレニザ刻印装置を示す概要
構成図、第２図はこの考案の一実施例によるウエハーハ
のレーザ刻印装置を示す概要構成図、第３図はこの考案
の他の実施例を示すレーザ刻印装置の概要構成図である
。 １・・・半導体ウエーハ、１ａ・・・被刻印部、２・・
・レーザ発振器、１０・・・負圧吸引装置、１１・・・
吸込口。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）半導体ウエーハの被刻印部にレーザ光を当てて刻
    印加工するレーザ発振器、及び吸込口が上記被刻印部近
    付に配置され、負圧を発生し加工粉を吸引収集する負圧
    吸引装置を備えたことを特徴とする半導体ウエーハのレ
    ーザ刻印装置。
  2. （２）負圧吸引装置は真空掃除機からなる実用新案登録
    請求の範囲第１項記載の半導体ウエーハのレーザ刻印装
    置。
JP10236684U 1984-07-04 1984-07-04 半導体ウエ−ハのレ−ザ刻印装置 Pending JPS6118860U (ja)

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JP10236684U JPS6118860U (ja) 1984-07-04 1984-07-04 半導体ウエ−ハのレ−ザ刻印装置

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JP10236684U JPS6118860U (ja) 1984-07-04 1984-07-04 半導体ウエ−ハのレ−ザ刻印装置

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Publication Number Publication Date
JPS6118860U true JPS6118860U (ja) 1986-02-03

Family

ID=30661765

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JP10236684U Pending JPS6118860U (ja) 1984-07-04 1984-07-04 半導体ウエ−ハのレ−ザ刻印装置

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JP (1) JPS6118860U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100284557B1 (ko) * 1993-08-23 2001-04-02 히가시 데쓰로 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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