KR100476862B1 - 웨이퍼코팅설비의포토레지스트분사상태체크장치 - Google Patents

웨이퍼코팅설비의포토레지스트분사상태체크장치 Download PDF

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Abstract

스핀코팅부의 노즐을 통하여 포토레지스트의 분사되지 않음 또는 석백(Suck - Back) 오류가 발생되면 이를 감지하여 제어동작 또는 경보동작을 수행시켜서 코팅동작을 원활히 수행토록 하는 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치에 관한 것이다. 노즐의 단부에 설치되어 단부의 포토레지스트 존재를 감지하는 감지수단, 상기 감지수단의 출력신호와 솔레노이드 밸브로 인가되는 제어신호를 비교하여 펌핑개시명령 상태에서 포토레지스트가 분사되지 않음을 판별하는 판별수단 및 상기 판별수단의 판별신호가 판정되어 인가되면 코팅공정을 중지시키는 제어수단을 구비하여 이루어진다. 따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼 상에 포토레지스트가 분사되는 노즐단부에 광센서를 설치하여 포토레지스트의 분사오류 및 석백오류를 검출하여 포토레지스트가 비정상적으로 코팅되는 것을 방지하여 수율을 높이는 효과가 있다.

Description

웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치{APPARAUTS FOR CHECKING INJECTION STATE OF WAFER COATING EQUIPMENT}
본 발명은 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스핀코팅부의 노즐을 통하여 포토레지스트의 분사되지 않음 또는 석백(Suck - Back)오류가 발생되면 이를 감지하여 제어동작 또는 경보동작을 수행시켜서 코팅동작을 원활히 수행토록 하는 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치에 관한 것이다.
포토레지스트는 웨이퍼 전체에 필요한 두께의 감광제 박막을 일정하게 형성시키기 위하여 스핀방식에 의하여 코팅되며, 박막의 두께는 포토레지스트의 점성계수, 다중체 함량 및 최종스핀속도와 가속등에 영향을 받는다.
종래의 포토레지스트의 코팅설비는 도 1a에 도시된 코팅이 이루어지는 스핀코팅부의 노즐에서 포토레지스트가 회전되는 웨이퍼 상에 분사되었다. 분사가 완료되면 펌핑부의 솔레노이드 밸브의 동작에 의해 도 1c에 도시된 바와 같이, 포토레지스트가 노즐내부로 2 ㎜ ∼ 3 ㎜ 흡입되어 포토레지스트의 고화가 방지되었다.
이를 석백(Suck Back)동작이라 하는데, 석백은 밸브의 동작으로 포토레지스트 등의 분사후에 노즐의 단부로 흡입되어 포토레지스트의 고화를 방지하는 작용을 말한다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 석백이 불량인 경우 노즐 단부의 포토레지스트가 고화되며, 고화된 포토레지스트가 웨이퍼로 분사되어 코팅되면 코팅불량이 발생된다.
상기 분사의 시작과 종료는 제어부에서 각 밸브를 제어하여 이루어졌다.
그러나, 종래의 코팅설비는 펌핑부의 필터가 막히거나, 펌핑부의 배관이 막히거나 밸브불량 등의 원인으로 포토레지스트가 스핀코팅부에서 전혀 토출이 되지 않는 분사오류가 간혹 발생되었고, 또한 포토레지스트에 기포가 발생하거나, 밸브의 부품불량 및 조정오류로 석백불량이 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 노즐 단부에 광센서를 설치하여 포토레지스트의 분사오류 및 석백오류를 감지하여 포토레지스트의 정상적인 웨이퍼 코팅을 체크하기 위한 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치는, 펌핑부에 수용된 포토레지스트가 질소가압 방식으로 스핀코팅부로 공급되고, 상기 스핀코팅부 내부의 노즐을 통하여 분사되도록 구성되고, 상기 스핀코팅부로의 포토레지스트 공급은 공급배관에 구성된 솔레노이드 밸브 개폐에 의하여 이루어지는 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치에 있어서, 상기 노즐의 단부에 설치되어 단부의 포토레지스트 존재를 감지하는 감지수단, 상기 감지수단의 출력신호와 상기 솔레노이드 밸브로 인가되는 제어신호를 비교하여 펌핑개시명령 상태에서 포토레지스트가 분사되지 않음을 판별하는 판별수단 및 상기 판별수단의 판별신호가 판정되어 인가되면 코팅공정을 중지시키는 제어수단을 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 감지수단은 광학적 센서로써 상기 노즐 단부로부터 4㎜ 이하의 포토레지스트 검출을 위한 위치에 설치됨이 바람직하다.
그리고, 상기 판별수단은 상기 솔레노이드 밸브로 인가되는 제어신호의 분사개시 시점으로부터 소정 시간폭을 갖는 제 1 구형파를 출력하는 제 1 구형파 출력수단, 상기 제 1 구형파에 연동되어 실제 분사가 수행될 시간 구간에 포함되는 소정 시간폭을 갖는 제 2 구형파를 출력하는 출력수단 및 상기 제 2 구형파와 상기 감지수단의 출력신호를 논리조합하여 펌핑개시명령 상태에서 포토레지스트가 분사되지 않음을 판단하는 논리조합수단을 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 1 구형파 출력수단은 상기 솔레노이드 밸브 제어신호에 의하여 정전압 인가상태가 스위칭되는 스위칭소자, 상기 스위칭소자에 인가되는 정전압을 반전하는 제 1 인버터 및 상기 제 1 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 제 1 구형파를 출력하는 제 1 단안정 멀티바이브레이터를 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 2 구형파 출력수단은 상기 제 1 구형파를 반전시키는 제 2 인버터 및 상기 제 2 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 제 2 구형파를 출력하는 제 2 단안정 멀티바이브레이터를 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제어수단에 경보동작을 수행하는 경보부가 더 구성됨이 바람직하다.
본 발명은, 펌핑부에 수용된 포토레지스트가 질소가압 방식으로 스핀코팅부로 공급되고, 상기 스핀코팅부 내부의 노즐을 통하여 분사되도록 구성되고, 상기 스핀코팅부로의 포토레지스트 공급은 공급배관에 구성된 솔레노이드 밸브 개폐에 의하여 이루어지는 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치에 있어서, 상기 노즐의 단부에 설치되어 단부의 포토레지스트 존재를 감지하는 감지수단, 상기 감지수단의 출력신호와 상기 솔레노이드 밸브로 인가되는 제어신호를 비교하여 펌핑중지명령 상태에서 상기 노즐 단부 소정 영역에 포토레지스트가 존재함을 판별하는 판별수단 및 상기 판별수단의 판별신호가 판정되어 인가되면 코팅공정 에러신호를 출력하는 제어수단을 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 감지수단은 광학적 센서로써 상기 노즐 단부로부터 4㎜ 이하의 포토레지스트 검출을 위한 위치에 설치됨이 바람직하다.
그리고, 상기 판별수단은 상기 솔레노이드 밸브로 인가되는 제어신호에 의한 실제 분사종료 시점을 포함하는 시간폭을 갖는 제 1 구형파를 출력하는 제 1 구형파 출력수단, 상기 제 1 구형파에 연동되어 실제 분사가 종료된 시간 구간에 포함되는 소정 시간폭의 제 2 구형파를 출력하는 제 2 구형파 출력수단 및 상기 제 2 구형파와 상기 감지수단의 출력신호를 논리조합하여 펌핑종료 상태에서 포토레지스트가 상기 노즐에 검출됨을 판단하는 논리조합수단을 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 1 구형파 출력수단은 상기 솔레노이드 밸브로 인가되는 제어신호의 분사개시시점 이후 소정 시간폭을 갖는 제 3 구형파를 출력하는 제 3 구형파 출력수단 및 상기 제 3 구형파에 연동되어 상기 실제 분사종료 시각을 포함하는 상기 제 1 구형파를 출력하는 제 1 구형파 출력부를 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 3 구형파 출력수단은 상기 솔레노이드 밸브 제어신호에 의하여 정전압 인가상태가 스위칭되는 스위칭소자, 상기 스위칭소자에 인가되는 정전압을 반전하는 제 1 인버터, 상기 제 1 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 제 4 구형파를 출력하는 제 1 단안정 멀티바이브레이터, 상기 제 4 구형파를 반전하는 제 2 인버터 및 상기 제 2 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 상기 제 3 구형파를 출력하는 제 2 단안정 멀티바이브레이터를 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 1 구형파 출력부는 상기 제 3 구형파를 반전하는 제 3 인버터 및 상기 제 3 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 상기 제 1 구형파를 출력하는 제 3 단안정 멀티바이브레이터를 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 2 구형파 출력수단은 상기 제 1 구형파를 반전하는 제 4 인버터 및 상기 제 4 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 상기 제 2 구형파를 출력하는 제 4 단안정 멀티바이브레이터를 구비하여 이루어진다.
또한, 상기 제어수단에 경보동작을 수행하는 경보부를 더 구비함이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2를 참조하면, 본 발명의 실시예는 용기(20), 펌핑부(22), 스핀코팅부(24), 판별부(25) 및 제어부(26)로 구성되어 있다.
용기(20)는 포토레지스트를 수용하고, 관을 통해 밸브(28)가 연결된다.
펌핑부(22)는 필터(30)가 내장되며 밸브(28)를 통해 포토레지스트를 공급받도록 구성되어 있고, 포토레지스트의 가압공급을 위한 질소가스 배출은 밸브(32)가 설치된 배관을 통하여 이루어진다.
그리고 펌핑부(22)는 밸브(34)가 설치된 배관을 통하여 질소가스를 유입하여 포토레지스트를 가압하도록 구성되어 있고, 솔레노이드 밸브(36)에 연결된 밸브(38)가 구성되는 배관을 통해 스핀코팅부(24)로 포토레지스트를 공급하도록 구성되어 있다.
각 밸브(28, 32, 34)의 개폐는 제어부(26)의 제어신호에 의해 이루어지도록 구성되어 있고 밸브(38)는 솔레노이드 밸브(36)가 제어부(26)의 제어에 의하여 개폐되어 공급되는 공기에 의하여 개폐되도록 구성되어 있다.
스핀코팅부(24)는 투명재질로 형성되어 있는 노즐(40)의 단부에는 발광부와 수광부를 갖는 광센서(42)가 설치되어서 노즐(40)의 단부에 포토레지스트의 유무를 감지하도록 구성되어 있으며, 이때 광센서(42)가 포토레지스트를 감지하는 위치는 정상적인 포토레지스트의 경우 노즐(40) 단부 2 ㎜ ∼ 3 ㎜ 이상에 포토레지스트가 존재하므로 그 이하로 설정되어야 한다.스핀코팅부(24)의 하부에는 웨이퍼를 장착한 회전구동장치(44)가 회전하도록 구성되어 있고, 펌핑부(22)로부터 공급되는 포토레지스트가 노즐(40)을 통하여 회전듸는 웨이퍼(46) 상으로 분사되어 코팅된다.
또한 광센서(42)는 센싱신호를 판별부(25)로 인가하도록 구성되어 있고, 판별부(25)는 솔레노이드 밸브(36)로 인가되는 제어신호와 센싱신호를 참조하여 판별신호를 제어부(26)로 인가하도록 구성되어 있으며, 제어부(26)에 경보부(48)가 연결되어 경보동작을 수행하도록 구성되어 있다.
전술한 바와 같이 구성된 본 발명은 용기(20)로부터 포토레지스트가 펌핑부(22)에 유입되고, 질소가스의 가압에 의해 스핀코팅부(24)에서 웨이퍼(46) 상에 포토레지스트가 분사된다.
구체적으로, 제어부(26)의 제어신호에 의해 밸브(34, 38)가 닫히고, 밸브(28, 32)는 열려서 용기(20)로부터 펌핑부(22)에 포토레지스트가 유입된다. 상기 유입된 포토레지스트는 필터(30)에 의해 걸러지고, 상기 유입이 완료되어 용기(20)가 충만되면 밸브(28, 32)가 닫힌다. 제어부(26)에서 밸브(34, 38)가 열리도록 제어신호를 인가하면 질소가스가 유입되어 가압함으로써 분사노즐(40)을 통해 웨이퍼(46) 상에 포토레지스트의 분사가 이루어진다.
포토레지스트의 분사가 완료되면 밸브(34, 38)가 닫히게 되고, 특히 닫히는 순간 밸브(38)는 자체구조에 의해 노즐(40)에 포함된 포토레지스트를 2 ∼ 3 ㎜ 흡입하여 포토레지스트가 응고되는 것을 방지하는 석백이 이루어진다.
광센서(42)는 포토레지스트의 분사와 중지상태 시의 노즐(40) 단부의 포토레지스트 존재를 센싱하여 판별부(25)에 인가한다.
판별신호 'A'와 'B'의 출력은 도3의 구성에 의하여 이루어지며, 이에 대한 상세한 구성 및 동작에 대하여 도4를 참조하여 설명한다.
도3을 참조하면, 제어부(26)로부터 솔레노이드 밸브(36)로 출력되는 제어신호(S/V)는 판별부(25)의 저항(R1)을 통해 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가된다. 트랜지스터(Q1)의 에미터는 접지되어 있고, 콜렉터에는 구동전압(Vcc)을 인가받은 저항(R2)이 연결되며 병렬로 인버터(I1)가 연결되어 있다. 인버터(I1)의 출력단은 단안정 멀티바이브레이터(50)의 입력단(T)에 연결되어 있다. 단안정 멀티바이브레이터(50)의 입력단(RC)에는 구동전압(Vcc)을 인가받는 가변저항(VR1)과 저항(R3)이 직렬로 연결되어 있고, 여기에 콘덴서(C1)가 병렬로 연결되어 있어 있고, 콘덴서(C1)은 접지되어 있다.
단안정 멀티바이브레이터(50)의 출력단(Q)은 인버터(12)를 통하여 단안정 멀티바이브레이터(52)의 입력단(T)과 연결되어 있다. 그리고 단안정 멀티바이브레이터(52)의 출력단(Q)은 인버터(I3)를 통하여 단안정 멀티바이브레이터(54)의 입력단(T)에 연결되어 있고, 단안정 멀티바이브레이터(54)의 출력단(T)은 인버터(14)를 통해 단안정 멀티바이브레이터(56)의 입력단(T)에 연결되어 있다.
그리고 각 단안정 멀티바이브레이터(52, 54, 56)의 입력단(RC)에는 각각 가변저항(VR2, VR3, VR4)과 저항(R4, R5, R6) 및 콘덴서(C2, C3, C4)가 단안정 멀티바이브레이터(50)의 입력단(RC)과 동일한 구조로 연결되어 있다.
단안정 멀티바이브레이터(52)의 출력과 광센서부(62)는 출력이 배타적 논리합게이트(58)에 인가되도록 구성되어 있고, 단안정 멀티바이브레이터(56)의 출력은 인버터(I5)를 통하여 광센서부(62)의 출력과 같이 논리합게이트(60)에 입력되도록 구성되어 있다.
광센서부(62)는 구동전압(Vcc)과 접지 사이에 병렬연결 구조를 갖는 가변저항(VR5), 저항(R7) 및 콘덴서(C5)에 인가되도록 연결되어 있다. 가변저항(VR5)에는 수광트랜지스터(Q2)가 직렬로 연결되어 있으며, 수광트랜지스터(Q2)의 에미터는 접지되어 있고, 콜렉터가 배타적 논리합게이트(58)의 입력단에 연결되어 있다. 저항(R7)에는 발광다이오드(D1)의 애노드가 연결되어 있고, 캐소드는 접지되어 있다. 콘덴서(C5)의 다른 단자는 접지되어 있다.
배타적논리합게이트(58)와 논리합게이트(60)의 출력측은 각각 제어부(26)에 연결되어 판별신호 'A'와 'B'를 인가하고, 상기 제어신호에 의하여 경보부(48)는 경보동작을 수행한다.
전술한 바와 같이 구성된 회로 즉, 광센서부(62)와 판별부(25)의 동작은 제어부(26)로부터 솔레노이드 밸브(36)에 인가되는 제어신호(S/V)와 광센서부(62)의 센싱신호가 판별부(25)로 인가되어 이루어진다.
도4를 참조하면, 솔레노이드 밸브(36)에 포토레지스트 분사를 제어하기 위한 신호 즉 제어신호(S/V)가 인가되면 트랜지스터(Q1)가 턴온이 되고, 로우(Low) 상태이던 테스트노드(TP1)의 신호 'TP1'은 상기 제어신호(S/V)와 동상을 갖는다. 테스트노드(TP1)의 신호가 단안정 멀티바이브레이터(50)에 입력되면 저항(VR1, R3)과 콘덴서(C1)의 시정수에 의해 테스트노드(TP2)에는 도4의 'TP2'와 같은 구형파가 출력된다. 테스트노드(TP2)의 구형파는 인버터(I2)를 통해 반전되어 단안정 멀티바이브레이터(52)에 인가되며, 단안정 멀티바이브레이터(52)는 도4의 'TP3'와 같은 구형파를 출력한다. 'TP3'신호는 실제 포토레지스트의 분사여부를 판별하는 신호로 이용된다.
광센서부(62)에서 포토레지스트가 감지되면 수광트랜지스터(Q2)가 턴온이 되지 않아 센싱신호는 도4의 'TP5'와 같이 분사구간에서 하이신호를 출력한다. 그러면 단안정 멀티바이브레이터(52)의 출력 'TP3'과 광센서부(62)의 출력 'TP5'가 배타적 논리합게이트(58)에 인가되고, 'TP3'가 하이레벨 구간에서 'TP5'가 하이레벨이면 포토레지스트의 웨이퍼 스핀코팅을 위한 정상적인 분사가 이루어지는 것이고, 그에 따라 로우레벨의 판별신호 'B'가 제어부(26)로 인가된다.
반대로 'TP3'가 하이레벨 구간에서 'TP5'가 로우레벨이면 배타적 논리합게이트(58)의 출력은 하이레벨이 되고, 그에 따라 하이레벨의 판별신호 'B'가 제어부(26)로 인가된다.
제어부(26)는 하이레벨의 판별신호 'B'가 인가되면 필터(30) 또는 기타 밸브 등의 막힘 등과 같은 이유로 정상적으로 포토레지스트가 분사되지 않음을 판별하고, 그에 따라 경보부(48)를 작동시켜 경보동작이 수행된다.
경보가 발생되면 작업자는 상기 분사오류의 원인을 파악하여 공정수행이 원활히 이루어지도록 조치를 취하게 된다.
한편, 분사가 완료되면 밸브(38)의 석백동작이 이루어져서 노즐(40) 내부로 포토레지스트가 2 ㎜ ∼ 3 ㎜ 정도 흡입된다. 그러면 광센서부(62)에서 포토레지스트가 감지되지 않아 'TP5'의 신호는 로우가 된다.
단안정 멀티바이브레이터(54)는 도4의 'TP3'신호가 인버터(I3)를 통하여 인가됨에 따라 도4의 'TP4'와 같은 구형파를 출력하고, 구형파 'TP4'는 실제 분사가 종료되는 시각을 포함할 정도의 시간폭을 갖는다.
도4의 구형파 'TP4'가 인버터(I4)를 통하여 단안정 멀티바이브레이터(56)에 인가되면, 도4의 구형파 'TP6'가 출력되고, 구형파 'TP6'는 인버터(I5)를 통하여 반전되어 도4의 'NOT TP6'와 같은 구형파로 논리합게이트(60)에 인가된다.
분사종료후 석백이 정상적으로 이루어졌으면 도4의 'NOT TP6'의 로우레벨 영역에서 광센서부(62)의 출력은 로우레벨이지만, 석백오류가 발생되었으면 포토레지스트가 광센서부(62)에서 검출되므로 'TP5'의 레벨은 하이가 된다.
논리합게이트(60)에 도4의 'NOT TP6'의 로우레벨 영역에서 'TP5'가 하이레벨로 인가되면, 하이레벨의 판별신호 'A'가 제어부(26)로 인가되고, 이 때 제어부(26)는 석백오류 경보신호를 발생하여 경보부(48)가 작동함으로써 작업자는 이에 응답조치할 수 있도록 한다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 광센서에 의한 포토레지스트의 분사상태 및 석백을 감지하여 웨이퍼 상에 포토레지스트가 충분히 도포될 수 있도록 하는 효과가 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼 상에 포토레지스트가 분사되는 노즐단부에 광센서를 설치하여 포토레지스트의 분사오류 및 석백오류를 검출하여 포토레지스트가 비정상적으로 코팅되는 것을 방지하여 수율을 높이는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도1a는 노즐에 포토레지스트가 분사되지 않는 분사오류를 예로써 보여주는 도면이다.
도1b는 석백동작이 이루어지지 않아서 노즐의 단부에 포토레지스트가 포함되어 있는 상태를 보여주는 도면이다.
도1c는 석백동작이 원활히 이루어진 정상상태를 나타내는 도면이다.
도2는 본 발명에 따른 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치의 실시예를 나타내는 개략도이다.
도3은 본 발명에 따른 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도4는 본 발명의 실시예에 따른 각 부의 신호를 나타내는 파형도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
20 : 용기 22 : 펌핑부
24 : 스핀코팅부 25 : 판별부
26 : 제어부 28, 32, 34, 38 : 밸브
30 : 필터 36 : 솔레노이드 밸브
40 : 노즐 42 : 광센서
44 : 회전구동부 46 : 웨이퍼
50, 52, 54, 56 : 단안정 멀티바이브레이터
58 : 배타적 논리합게이트 60: 논리합게이트
62 : 광센서부 R1 ∼ R7 : 저항
Q1, Q2 : 트랜지스터 I1 ∼ I5 : 인버터
VR1 ∼ VR5 : 가변저항 C1 ∼ C5 : 콘덴서
TP1 ∼ TP6 : 테스트노드 Vcc : 전압

Claims (8)

  1. 펌핑부에 수용된 포토레지스트가 질소가압 방식으로 스핀코팅부로 공급되고, 상기 스핀코팅부 내부의 노즐을 통하여 분사되도록 구성되고, 상기 스핀코팅부로의 포토레지스트 공급은 공급배관에 구성된 솔레노이드 밸브 개폐에 의하여 이루어지는 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치에 있어서,
    상기 노즐의 단부에 설치되어 상기 단부의 포토레지스트 존재를 감지하는 감지수단;
    상기 감지수단의 출력신호와 상기 솔레노이드 밸브로 인가되는 제어신호를 받아서, 상기 웨이퍼 코팅 설비의 펌핑개시명령 상태에서 포토레지스트가 분사되지 않는 분사 오류 상태 및 상기 웨이퍼 코팅 설비의 펌핑중지명령 상태에서 상기 노즐 단부 소정 영역에 포토레지스트가 존재하는 석백 오류 상태를 판별하는 판별수단; 및
    상기 제어신호를 출력하고, 상기 판별수단의 판별신호가 판정되어 인가되면 코팅공정을 중지시키는 제어수단;을 구비함을 특징으로 하는 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 감지수단은,
    광학적 센서로써 상기 노즐 단부로부터 4㎜ 이하의 포토레지스트 검출을 위한 위치에 설치됨을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 판별수단은,
    상기 제어신호의 분사개시 시점으로부터 소정 시간폭을 갖는 제 1 구형파를 출력하는 제 1 구형파 출력수단;
    상기 제 1 구형파에 연동되어 실제 분사가 수행될 시간 구간에 포함되는 소정 시간폭을 갖는 제 2 구형파를 출력하는 제 2 구형파 출력수단;
    상기 제어신호에 의한 실제 분사종료 시점을 포함하는 시간폭을 갖는 제 3 구형파를 출력하는 제 3 구형파 출력수단;
    상기 제 3 구형파에 연동되어 실제 분사가 종료된 시간 구간에 포함하는 소정 시간폭의 제 4 구형파를 출력하는 제 4 구형파 출력수단;
    상기 제 2 구형파와 상기 감지수단의 출력신호를 논리조합하여 상기 웨이퍼 코팅 설비의 펌핑개시명령 상태에서 포토레지스트가 분사되지 않음을 판단하는 제 1 논리조합수단; 및
    상기 제 4 구형파와 상기 감지수단의 출력신호를 논리조합하여 상기 웨이퍼 코팅 설비의 펌핑종료 상태에서 포토레지스트가 상기 노즐에 검출됨을 판단하는 제 2 논리조합수단;을 구비함을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 구형파 출력수단은,
    상기 제어신호에 의하여 정전압 인가상태가 스위칭되는 스위칭소자;
    상기 스위칭소자에 인가되는 정전압을 반전하는 제 1 인버터; 및
    상기 제 1 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 상기 제 1구형파를 출력하는 제 1 단안정 멀티바이브레이터;를 구비함을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 구형파 출력수단은,
    상기 제 1 구형파를 반전시키는 제 2 인버터; 및
    상기 제 2 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 상기 제 2구형파를 출력하는 제 2 단안정 멀티바이브레이터;를 구비함을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3구형파 출력수단은,
    상기 제 2 구형파를 반전하는 제 3 인버터; 및
    상기 제 3 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 상기 제 3 구형파를 출력하는 제 3 단안정 멀티바이브레이터;를 구비함을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 4 구형파 출력수단은,
    상기 제 3 구형파를 반전하는 제 4 인버터; 및
    상기 제 4 인버터의 출력에 따라 소정 시간폭을 갖는 상기 제 4 구형파를 출력하는 제 4 단안정 멀티바이브레이터;를 구비함을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어수단에 경보동작을 수행하는 경보부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 코팅 설비의 포토레지스트 분사상태 체크 장치.
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