KR20070013685A

KR20070013685A - 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출 제어장치 및 그방법

Info

Publication number: KR20070013685A
Application number: KR1020050068200A
Authority: KR
Inventors: 이종화
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-07-27
Filing date: 2005-07-27
Publication date: 2007-01-31

Abstract

본 발명은 포토 스피너 설비에서 웨이퍼에 포토레지스트를 코팅할 시 배기라인 상태를 검출하여 공정불량 발생을 방지하도록 제어하는 배기라인 상태 검출제어장치에 관한 것이다.

포토레지스트 코팅설비의 배기라인 상태를 검출하여 배기라인이 막힐 경우 인터록을 발생하여 공정진행을 중지시켜 공정불량 발생을 방지하기 위한 본 발명에 따른 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출제어장치는, 챔버본체에 연결되어 상기 포토레지스트 코팅 시 웨이퍼(W)에 분사되고 남은 포토레지스트를 배출시키는 배기라인과, 상기 배기라인의 막힘상태를 센싱하는 조도센서와, 상기 조도센서로부터 각각 센싱된 조도값을 받아 설정된 조도값 이하일 시 배기라인 막힘 상태로 감지하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 한다.

본 발명은, 반도체 코팅설비에서 포토레지스트 코팅 시 배기라인의 막힘상태를 감지하여 공정진행을 중지시키므로써, 배기라인의 막힘으로 인하여 공정챔버의 내부에 잔류하는 흄에 의한 공정불량을 방지한다

배기압력, 코팅설비, 배기장치, 배기라인, 포토레지스트

Description

반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출 제어장치 및 그 방법{METHOD AND EQUIPMENT FOR DETECTING EXHAUST LINE OF SEMICONDUCTOR COATING DEVICE THEREOF}

도 1은 일반적인 포토레지스트를 코팅하기 위한 반도체 코팅설비의 구성도

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 포토레지스트 코팅을 위한 반도체 코팅설비의 구성도

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

10: 챔버본체 12: 스핀척

14: 노즐 16: 코터보울

18: 배기라인 20, 22: 제1 및 제2 조도센서

24: 콘트롤러

본 발명은 반도체 코팅설비의 배기압력 조절장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토 스피너 설비에서 웨이퍼에 포토레지스트를 코팅할 시 배 기압력을 조절하는 배기압력 조절장치 및 그 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자를 제조하는 공정 중에는 반도체 기판 상에 패턴을 형성하는 공정이 요구된다. 상기 패턴 형성공정에서는 포토레지스트를 이용하여 포토레지스트 막을 형성한 후 사진 식각 공정으로 상기 포토레지스트 막을 패터닝하는 공정이 이용된다. 이러한 포토레지스트 막을 패터닝하는 공정은 연마된 실리콘 웨이퍼의 표면 보호 및 사진식각을 위하여 그 표면에 산화막을 형성하고 그 산화막 위에 액체상태의 포토레지스트를 떨어 뜨린 후 고속 회전시켜 균일한 코팅막을 형성한다.

도 1은 일반적인 포토레지스트를 코팅하기 위한 반도체 코팅설비의 구성도이다.

챔버본체(10)와, 상기 챔버본체(10) 내부에 설치되어 웨이퍼(W)를 고정하고 고정된 웨이퍼(W)를 고속 회전시키는 스핀척(12)과, 상기 스핀척(12)에 고정되어 웨이퍼(W)에 포토레지스트 용액을 분사하는 노즐(14)과, 상기 챔버본체(10)와 상기 스핀척(12) 사이에 설치되어 포토레지스트가 상기 챔버본체(10)에 묻지 않도록 하는 코터보울(bowl)(16)과, 상기 챔버본체(10)에 연결된 배기라인(18)으로 구성되어 있다.

도 1을 참조하면, 스핀척(12) 상에 웨이퍼(W)가 고정된 후 노즐(14)에 의해 웨이퍼(W)로 포토레지스트 용액을 분사하고 나서 스핀척(12)을 회전시켜 웨이퍼(W)의 전면에 확산하여 균일한 두께를 갖도록 코팅을 한다. 이때 웨이퍼(W)가 회전하 면서 포토레지스트 용액이 드라이될 때 미세분말(포토레지스트 흄: Photoresist Fume)이 발생하며, 이 미세분말은 코터보울(16)을 거쳐 배기라인(18)으로 배출된다. 이때 배기라인(18)은 항상 일정한 압력을 유지하도록 레귤레이터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.

그런데 배기라인(18)이 포토레지스트 흄에 의해 막히게 되면 공정챔버(10) 내부에 흄이 부유하게 되어 공정불량이 발생하는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은, 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포토레지스트 코팅설비의 배기라인 상태를 검출하여 배기라인이 막힐 경우 인터록을 발생하여 공정진행을 중지시켜 공정불량 발생을 방지하는 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출제어장치 및 그 방법을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 코팅설비의 배기라인 검출제어장치는, 챔버본체에 연결된 배기라인과, 상기 배기라인 상에 설치되어 배기라인에 흄 흡착상태를 센싱하는 조도센서와, 상기 조도센서로부터 센싱된 조도값을 읽어 미리 설정된 조도값 이하로 검출될 시 공정진행을 중지하도록 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출제어장치는, 챔버본체에 연결되어 상기 포토레지스트 코팅 시 웨이퍼(W)에 분사되고 남은 포토레지스트를 배출시키는 배기라인과, 상기 배기라인의 막힘상태를 센 싱하는 조도센서와, 상기 조도센서로부터 각각 센싱된 조도값을 받아 설정된 조도값 이하일 시 배기라인 막힘 상태로 감지하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 한다.

상기 조도센서는 상기 배기라인 상에 설치되어 있으며, 발광센서와 수광센서로 이루어짐을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출 제어방법은, 배기라인의 막힘상태를 검출하는 단계와, 상기 배기라인이 막힐 경우 인터록신호를 발생하여 공정진행을 중지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 포토레지스트 코팅을 위한 반도체 코팅설비의 구성도이고,

챔버본체(10)와, 상기 챔버본체(10) 내부에 설치되어 웨이퍼(W)를 고정하고 고정된 웨이퍼(W)를 고속 회전시키는 스핀척(12)과, 상기 스핀척(12)에 고정되어 웨이퍼(W)에 포토레지스트 용액을 분사하는 노즐(14)과, 상기 챔버본체(10)와 상기 스핀척(12) 사이에 설치되어 포토레지스트가 상기 챔버본체(10)에 묻지 않도록 하는 코터보울(bowl)(16)과, 상기 챔버본체(10)에 연결되어 상기 포토레지스트 코팅 시 웨이퍼(W)에 분사되고 남은 포토레지스트를 배출시키는 배기라인(18)과, 상기 배기라인(18) 상에 설치되어 배기라인(18)의 막힘상태를 센싱하는 제1 및 제2 조도센서(20, 22)와, 상기 조도센서(20, 22)로부터 각각 센싱된 조도값을 받아 설정된 조도값 이하일 시 배기라인 막힘 상태로 감지하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러(24)로 구성되어 있다.

상술한 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예의 동작을 상세히 설명한다.

도 2를 참조하면, 스핀척(12) 상에 웨이퍼(W)가 고정된 후 노즐(14)에 의해 웨이퍼(W)로 포토레지스트 용액을 분사하고 나서 스핀척(12)을 회전시켜 웨이퍼(W)의 전면에 확산하여 균일한 두께를 갖도록 코팅을 한다. 이때 웨이퍼(W)가 회전하면서 포토레지스트 용액이 드라이될 때 미세분말(포토레지스트 흄: Photoresist Fume)이 발생하며, 이 미세분말은 코터보울(16)를 거쳐 배기라인(18)으로 배출된다. 배기라인(18)은 항상 일정한 압력을 유지하도록 레귤레이터(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 이때 배기라인(18)에 각각 설치된 제1 및 제2 조도센서(20, 22)는 배기라인(18)의 막힘 상태를 센싱한다. 상기 제1 및 제2 조도센서(20, 22)는 발광센서(20a, 22a)와 수광센서(20b, 22b)로 이루어져 있으며, 발광센서(20a)로부터 발광된 빛을 수광센서(20b)가 수광을 하게 되고, 발광센서(22a)로부터 발광된 빛을 수광센서(22b)가 수광하도록 한다. 배기라인(18)이 막히게 되면 발광센서(20a, 22a)로부터 발광된 빛이 차단되어 수광센서(20b, 22b)로 수광되지 못하게 된다. 그러면 콘트롤러(24)는 수광센서(20b, 22b)로부터 빛이 수광되지 않으면 조도값이 설정된 값이하로 감지하게 되어 인터록신호를 발생하도록 한다. 인터록신호가 발생되면 스핀공정 진행을 중지하게 되어 포토레지스트 흄에 의해 웨이퍼의 스핀공정불량을 방지한다.

상술한 바와 같이 본 발명은, 반도체 코팅설비에서 포토레지스트 코팅 시 배기라인의 막힘상태를 감지하여 공정진행을 중지시키므로써, 배기라인의 막힘으로 인하여 공정챔버의 내부에 잔류하는 흄에 의한 공정불량을 방지하는 이점이 있다.

본 발명은 구체적인 실시 예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims

반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출제어장치에 있어서,

챔버본체에 연결되어 상기 포토레지스트 코팅 시 웨이퍼(W)에 분사되고 남은 포토레지스트를 배출시키는 배기라인과,

상기 배기라인의 막힘상태를 센싱하는 조도센서와,

상기 조도센서로부터 각각 센싱된 조도값을 받아 설정된 조도값 이하일 시 배기라인 막힘 상태로 감지하여 인터록신호를 발생하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출제어장치.
제 1 항에 있어서,

상기 조도센서는 상기 배기라인 상에 설치되어 있음을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출제어장치.
제2항에 있어서,

상기 조도센서는 발광센서와 수광센서로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 검출제어장치.
반도체 코팅설비의 배기라인 상태 제어방법에 있어서,

배기라인의 막힘상태를 검출하는 단계와,

상기 배기라인이 막힐 경우 인터록신호를 발생하여 공정진행을 중지시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 코팅설비의 배기라인 상태 제어방법.