JP2009531853A - ノズルモニタリング部を有するフォトレジスト塗布装置及びこれを利用したフォトレジストの塗布方法 - Google Patents
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Abstract
フォトレジストを供給できるフォトレジスト供給部と、フォトレジスト供給部に連結されて、フォトレジストのフローを調節する流体制御部と、流体制御部に連結されて、フォトレジストコーティング部の半導体ウェーハ上にフォトレジストを吐出できるノズルを含むノズル部と、を備え、また、ノズル部を構成するノズルの形態や吐出量をモニタリングできるノズルモニタリング部と、ノズルモニタリング部でモニタリングされたデータを電気的信号として処理できる制御部と、を備えるフォトレジスト塗布装置である。これにより、制御部で処理された電気的信号は、流体制御部にフィードバックして、ノズル部から吐出されるフォトレジストのフローを調節しうる。
【選択図】なし
【選択図】なし
Description
本発明は、集積回路半導体素子の製造装置に係り、さらに詳細には、フォトレジスト(Photoresist:PR)を半導体ウェーハ上に塗布できるフォトレジスト塗布装置及びフォトレジストの塗布方法に関する。
一般的に、集積回路半導体素子の製造過程で半導体ウェーハ上の特定膜にパターンを形成させるためにリソグラフィ工程を行う。このようなリソグラフィ工程は、半導体ウェーハ上にフォトレジストを塗布した後、露光及び現像する工程である。したがって、前記半導体ウェーハ上にフォトレジストを塗布するために、前記半導体ウェーハ上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布装置が必要である。
一方、集積回路半導体素子の集積度の上昇によって、半導体ウェーハ上に塗布(供給)されるフォトレジストの吐出量が精密に制御されねばならない。ところが、従来のフォトレジスト塗布装置は、多様な原因、例えば、フォトレジストを塗布するためのポンプの圧力変化、各種弁のオン/オフのために供給される空気圧の変化、ノズル部の汚染によって、継続的に半導体ウェーハ上に吐出されるフォトレジストの量が正確でなくなる。
このように、半導体ウェーハ上に吐出されるフォトレジストの量が正確でなくなれば、半導体ウェーハ上に塗布されるフォトレジスト膜の厚さが一定でなくなる。フォトレジスト膜の厚さが一定でない状態で露光及び現像工程を行う場合、半導体ウェーハ上にフォトレジストパターンを均一に形成できないだけでなく、はなはだしい場合、フォトレジスト塗布及び露光の工程を再び行うか、または使われた半導体ウェーハを捨てねばならない。
本発明が解決しようとする技術的課題は、半導体ウェーハ上に吐出されるフォトレジストの吐出量をモニタリングして精密に制御できるフォトレジスト塗布装置を提供することである。
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記フォトレジスト塗布装置を利用したフォトレジストの塗布方法を提供することである。
前記課題を達成するために、本発明の一例によるフォトレジスト塗布装置は、フォトレジストを供給できるフォトレジスト供給部と、前記フォトレジスト供給部に連結されていてフォトレジストのフローを調節する流体制御部と、前記流体制御部に連結されていてフォトレジストコーティング部の半導体ウェーハ上にフォトレジストを吐出できるノズルを含むノズル部とを備える。
本発明のフォトレジスト塗布装置は、前記ノズル部を構成するノズルの形態又は吐出量をモニタリングできるノズルモニタリング部と、前記ノズルモニタリング部でモニタリングされたデータを電気的信号に処理できる制御部とを備える。これにより、前記制御部で処理された電気的信号が前記流体制御部にフィードバックされて前記ノズル部から吐出されるフォトレジストのフローが調節される。
前記ノズルモニタリング部は、カメラで構成される。前記ノズルモニタリング部は、前記ノズルが定められた位置から離れているか否か、前記ノズルが汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、前記ノズル内のフォトレジストのフロー長若しくは吸入高、又は、前記ノズルを通じた前記フォトレジストの吐出時間又は吐出遅延時間をモニタリングしうる。
また、本発明の他の例によるフォトレジスト塗布装置は、フォトレジストが供給されるフォトレジスト供給ラインと、前記フォトレジスト供給ラインに連結されていてフォトレジストのフローを調節する流体制御弁と、前記流体制御弁の後端の前記フォトレジスト供給ラインに連結されていてフォトレジストコーティング部の半導体ウェーハの中央上部にノズルが位置していてフォトレジストを吐出できるノズルアセンブリと、を備える。
さらに、本発明のフォトレジスト塗布装置は、前記ノズルアセンブリの末端に位置するノズルの形態や吐出量をモニタリングするために、前記フォトレジストコーティング部の外部に位置するカメラと、前記カメラでモニタリングされたデータを電気的信号に変換する制御部と、を備えてなる。前記制御部で処理された電気的信号は、前記流体制御弁にフィードバックされ、前記ノズルアセンブリのノズルから吐出されるフォトレジストのフローが調節される。
前記カメラは、前記ノズル部に入射光を出力できる光源と、前記ノズル部で反射された反射光を受信けるレンズと、前記受信された反射光を利用して前記ノズル部をモニタリングして、前記制御部に電気的信号を出力できるカメラ制御部と、で構成される。前記カメラは、前記ノズルが定められた位置から離れているか否か、前記ノズルが汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、前記ノズル内のフォトレジストのフロー長若しくは吸入高、又は、前記ノズルを通じた前記フォトレジストの吐出時間又は吐出遅延時間をモニタリングしうる。
前記他の課題を達成するために、本発明のフォトレジストの塗布方法は、フォトレジストコーティング部のチャックに半導体ウェーハをローディングした後、前記フォトレジストコーティング部のチャックの中央上部にノズルが位置するように、ノズルアセンブリを移動させる。前記ノズルアセンブリのノズルの形態をカメラを利用して1次モニタリングする。前記1次モニタリングは、前記ノズルが定められた位置から離れているか否か、前記ノズルが汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、又は、フォトレジストのフロー長若しくは吸入高をモニタリングする。
前記ノズルアセンブリのノズルを通じて前記半導体ウェーハ上にフォトレジストを塗布しつつ、前記カメラを利用して前記フォトレジストの吐出量を2次モニタリングする。前記2次モニタリングは、前記ノズルを通じた前記フォトレジストの吐出時間や吐出遅延時間をモニタリングする。前記カメラで前記1次及び2次モニタリングされたデータを制御部で電気的信号に変換し、これを流体制御弁に供給して、前記フォトレジストコーティング部の半導体ウェーハ上に供給されるフォトレジストのフローを調節する。
以上のように、本発明は、ノズルモニタリング部を備えて半導体ウェーハ上に吐出されるフォトレジストの吐出量を精密に制御しうる。
本発明のフォトレジスト塗布装置は、カメラで構成されたノズルモニタリング部を備えることによって、ノズルの形態やフォトレジストの吐出量をモニタリングしうる。前記モニタリングするものは、ノズルが定められた位置から離れているか否か如何、前記ノズルが汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、又は、前記ノズル内のフォトレジストのフロー長若しくは吸入高、又は、前記ノズルを通じた前記フォトレジストの吐出時間若しくは吐出遅延時間である。これにより、本発明のフォトレジスト塗布装置は、モニタリングデータを電気的信号に変換して、流体制御部で半導体ウェーハ上に供給されるフォトレジストのフローを調節するか、または精密に制御しうる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。しかし、後述する本発明の実施例は、様々な他の形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施例に限定されるものではない。本発明の実施例は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供される。以下、各図面で同じ参照番号は、同じ部材を表す。
図1は、本発明に従うノズルモニタリング部を有するフォトレジスト塗布装置の概念を説明するためのブロック図である。
具体的に、本発明のフォトレジスト塗布装置は、フォトレジストを塗布できるフォトレジスト供給部100、例えば、フォトレジスト保存タンク、フォトレジスト供給ライン及びフォトレジストポンプを備える。前記フォトレジスト供給部100には、流体制御部200、例えば流体制御弁が連結されていて、供給されるフォトレジストのフロー、すなわち、オン/オフ(on/off)や供給量を調節する。流体制御部200には、フォトレジストコーティング部400の半導体ウェーハ上にフォトレジストが吐出されるように、ノズル部300、例えばノズルを含むノズルアセンブリが連結されている。
そして、本発明のフォトレジスト塗布装置は、前記ノズル部300をモニタリングできるノズルモニタリング部500、例えば、カメラを備える。ノズルモニタリング部500は、ノズル部300を構成するノズルの形態やノズルを通じたフォトレジスト吐出量をモニタリングする。ノズルモニタリング部500は、ノズルが定められた位置から離れているか否か、ノズルが汚染されているか否か、気泡が発生っしているか否か、又は、前記フォトレジストのフロー長若しくは吸入高、フォトレジストの吐出時間、吐出量または吐出遅延時間をモニタリングする。
また、本発明のフォトレジスト塗布装置は、ノズルモニタリング部500でモニタリングされたデータを電気的信号に変換する制御部600、例えば、コンピュータを備える。制御部600で処理された電気的信号は、フォトレジスト供給部100及び流体制御部200、特に、流体制御部200にフィードバックして、ノズル部300から吐出されるフォトレジストのフローのオン/オフや供給量を調節する。
図2は、本発明に従うノズルモニタリング部を有するフォトレジスト塗布装置の一例を概略的に構成した構成図である。
具体的に、本発明のフォトレジスト塗布装置は、フォトレジスト供給部100を備える。フォトレジスト供給部100は、吐出されるフォトレジストが保存されているフォトレジスト保存タンク101と、前記フォトレジスト保存タンク101に窒素を注入できる窒素注入ライン103と、保存タンク101に連結されている複数個のフォトレジスト供給ライン105と、前記フォトレジスト供給ライン105に連結され、複数のフォトレジスト保存タンク101のうち何れか一つを選択するための転換弁107とを有している。ここで、言い換えれば、転換弁107によって、任意のフォトレジスト保存タンク101を利用してフォトレジストを供給する。
フォトレジスト供給部100は、フォトレジスト供給ライン105を通じて供給されるフォトレジストの異物を除去できるフィルタ108と、フォトレジスト保存タンク101内に保存されているフォトレジストを吸入した後に加圧して、フォトレジスト供給ライン105を通じてフォトレジストを吐出できるフォトレジストポンプ109とを備える。
フォトレジスト供給ライン105には、供給されるフォトレジストの圧力を測定できる圧力センサー部111と、供給されるフォトレジストのフローのオン/オフや供給量を調節できるように、流体制御部200として流体制御弁231とが連結されている。流体制御部200として利用される流体制御弁231については、後に詳細に説明する。
流体制御弁231の後端のフォトレジスト供給ライン105には、サックバック弁233が連結されている。サックバック弁233は、ノズル部300で、フォトレジストの吐出後に空気ライン235を利用して、ノズル部300の末端[チップ]に存在する一定量のフォトレジストを吸入してフローを防止する機能を行う。
流体制御弁231及びサックバック弁233を通過したフォトレジストは、ノズル部300を構成するノズルアセンブリ305の末端のノズル301を通じて半導体ウェーハ405上に吐出される。言い換えれば、半導体ウェーハ405の中央上部にノズル301が位置して、ノズルアセンブリ305を通じてフォトレジストが吐出される。ノズルアセンブリ305は、末端に位置するノズル301と、ノズル301に連結されたノズルアーム303とで構成される。半導体ウェーハ405は、フォトレジストコーティング部400にローディングされる。フォトレジストコーティング部400は、フォトレジストを塗布する部分であって、ボール(bowl)401と、モータ407に連結されて回転され、ボール401内に位置するチャック403と、チャック403上に位置する半導体ウェーハ405と、を備える。
本発明のフォトレジスト塗布装置は、ノズル301の形態や、フォトレジストの吐出量をモニタリングするために、フォトレジストコーティング部400の外部に、ノズルモニタリング部500としてカメラ507が位置する。カメラ507は、ノズルアセンブリ305のノズル301に光、例えば、紫外線や可視光線を出射できる光源501と、ノズルアセンブリ305のノズル301で反射された反射光を受信できるレンズ503と、受信された反射光を利用してノズルアセンブリ305のノズル301をモニタリングして、制御部600に電気的信号、例えば、画像信号や電圧(電流)信号を出力できるカメラ制御部505と、を備える。カメラ507は、ノズルアセンブリ305の末端に位置するノズル301が定められた位置から離れているか否か、汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、又は、フォトレジストのフロー長若しくは吸入高、フォトレジストの吐出時間、吐出量若しくは吐出遅延時間をモニタリングする。これについては、後にさらに詳細に説明する。
そして、本発明のフォトレジスト塗布装置は、カメラ507に連結されていて、カメラ507で測定されたデータに電気的信号変換して、その電気信号を処理するコンピュータ601を備える。図1の制御部600としてコンピュータ601を利用する。コンピュータ601で処理された電気的信号は、流体制御弁231にフィードバックして、前記ノズルアセンブリ305のノズル301から吐出されるフォトレジストのフローを調節する。
図3は、図2のカメラの装着位置及びその機能を説明するための図面である。
具体的に、前述したように、フォトレジストコーティング部400の外部にカメラ507が設置されている。カメラ507は、支持台509,511,513によって、上下方向515及び左右方向517に調節可能である。カメラ507は、ノズルアセンブリ305のノズル301に入力光519を出射できる光源501と、ノズルアセンブリ305のノズル301で反射された反射光521を受けるレンズ503と、受けた反射光503を利用してノズルアセンブリ305のノズル301をモニタリングして、制御部600に電気的信号を出力できるカメラ制御部505とを備える。
特に、本発明者が多くの実験を通じて評価した結果、カメラ507のレンズは、半導体ウェーハの平面方向においてノズルアセンブリ305のノズル301から延びた線523と反射光521の光路との角度θが5〜45°、望ましくは、7〜30°、最適値としては21°に設置することが望ましいということが分かった。そして、カメラ507のレンズ503からノズルアセンブリ305のノズル301までの直線距離Lを140mmないし300mmに設置することが望ましい。このように設置する場合、ノズルアセンブリ305の末端に位置するノズル301の形態や吐出量を非常に容易にモニタリングしうる。具体的なモニタリングの例としては、ノズル301が定められた位置から離れているか否か、汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、フォトレジストのフロー長若しくは吸入高、又は、フォトレジストの吐出時間、吐出量若しくは吐出遅延時間が挙げられる。
図4は、図2の流体制御弁の一例を拡大して示す図面である。
具体的に、本発明の流体制御弁231には、本体201と、本体201内のカム207とが設置されている。カム207は、本体201の内側に設置されたヨークカム203と、ヨークカム203に連結されたカム軸205とで構成される。カム207には、減速器209及びモータ211、例えば、DCモータが連結されている。すなわち、カム207のカム軸205に、減速器209とモータ211とが連結されている。減速器209は、モータ211の回転速度を低める役割を行う。カム軸205が回転するとき、ヨークカム203が上下動する。言い換えれば、前記カム軸の円動体が回転するにつれて、縦動体であるヨークカムが上下動する。
モータ211には、遮断機213及びエンコーダ215が連結されている。遮断機213は、過電流を防止するためのものであり、エンコーダ215は、モータ211の変位量、例えば、回転量をコンピュータ601に伝達するためのデジタル信号に変更させる役割を行う。本体201内に位置したカム207の下部には、ダイヤグラム217が設置されている。
言い換えれば、ヨークカム203の下部にダイヤグラム217が設置されて、ヨークカム203が上下動するにつれてダイヤグラム217も上下動する。ダイヤグラム217が上部に移動すれば、本体201の一側に設置された流体注入口219から流体、例えば、フォトレジストが流入されて、矢印方向に流体フローライン220に沿って流体が流れて、本体201の他側に設置された流体排出口221に排出される。流体フローライン200は、ダイヤグラム217の下部に位置する。
流体制御弁231は、ダイヤグラム217のアップダウン動作を、カム207が付着されたモータ211を利用して行い、ダイヤグラム217のアップダウンによって、流体のフローを精密に制御する。流体制御弁231は、コンピュータ601からモータ211を通じて電気信号を受けた後、動作にかかる時間が10msと短く、ダイヤグラム217のアップダウン速度を再現性あり、かつ精密に制御が可能であり、速度変換が自由にしうる。
一般的に、ダイヤグラムをアップダウン(上下動)するためには、モータの回転方向が順方向から逆方向に変わらねばならず、モータの回転が順方向から逆方向に変わるためには、モータの回転が完全に停止せねばならないため、遅延時間が発生するしかない。しかし、本発明に利用された流体制御弁231は、モータ211の軸にカムを設置して、モータは、常に一方向にのみ回転すればよいので、精密な制御が可能である。
図5及び図6は、図4の流体制御弁の動作関係を説明するための概略図である。
具体的に、図5は、流体制御弁231が閉じた状態を表し、図6は、流体制御弁231が開いた状態を表す。図6は、カム207と噛み合っているモータが時計回り方向に180°回転することによってダイヤグラム217が上方に移動して(アップされて)、流体制御弁231が最大オープン状態となる。すなわち、図5では、ダイヤグラム217が上方に移動して、流体が流体注入口219から注入されて、矢印方向に流体フローライン220に沿って流体が流れて、流体排出口221に排出される。
一方、図5は、図6の状態からカム207と噛み合っているモータが時計回り方向にさらに180°回転することによって、流体制御弁が完全に閉鎖状態となる。すなわち、図5では、ダイヤグラム217が下方に移動して流体が注入されても、流体が流体排出口221に排出されない。
図7は、本発明によるフォトレジストの塗布方法を説明するためのフローチャートであり、図8及び図9は、図7のフォトレジストの塗布方法を説明するために示すフォトレジスト塗布装置の斜視図である。
具体的に、本発明のフォトレジストの塗布方法は、図8に示したように、フォトレジストコーティング部400のチャックに半導体ウェーハ405をローディングする(ステップ701)。図9に示したように、フォトレジストコーティング部400のチャックの中央上部にノズル301が位置するように、ノズルアセンブリ305を移動させる(ステップ703)。
ノズルアセンブリ305の移動は、ノズルアセンブリを上部に移動させた後、ベルト311を利用して、ノズルアセンブリ支持部307,309を半導体ウェーハ405の中央上部に移動させ、ノズルアセンブリ305と半導体ウェーハ405との間に一定距離を有するように、ノズルアセンブリ305を下方に下降させて完了する。ノズルアセンブリ305は、ノズルアセンブリ支持部307内で上下動可能に設置される。
ノズルモニタリング部500を構成するカメラ507を利用して、ノズルアセンブリ305のノズル301が定められた位置から離れているか否か、汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、フォトレジストのフロー長や吸入高を1次モニタリングする(ステップ705)。前記1次モニタリングは、前記カメラの光源からの入射光を前記ノズルアセンブリのノズルに入射させ、ノズルアセンブリ305のノズル301で反射された反射光をカメラ507のレンズで受けて、受けた反射光をカメラ制御部で電気的信号処理する。
ノズルアセンブリ305のノズル301を通じて半導体ウェーハ405上にフォトレジストを塗布しつつ、カメラ507を利用してフォトレジストの吐出量を2次モニタリングする(ステップ707)。前記2次モニタリング時に、フォトレジストの吐出時間や吐出遅延時間もモニタリングされる。前記吐出遅延時間は、制御部600の電気的信号のオン/オフ時間とカメラ507を利用して検出したフォトレジスト吐出及び中断時間とを比較して行う。
前記カメラで前記1次及び2次モニタリングされたデータは、制御部600で電気的信号として処理し、これを流体制御弁233に入力して、フォトレジストコーティング部400の半導体ウェーハ405上に供給されるフォトレジストのフローを調節する(ステップ709)。半導体ウェーハの中央上部に位置するノズルアームアセンブリを、図8に示したように、基準位置に再び移動させる(ステップ711)。次いで、前記フォトレジストコーティング部400の半導体ウェーハ405をアンローディングして、フォトレジスト塗布を完了する(ステップ713)。
図10ないし図13は、本発明によるフォトレジスト塗布装置を利用して1次モニタリングの可能なノズルアセンブリの例を拡大して示す図面である。
具体的に、図10ないし図13は、本発明によるフォトレジスト塗布装置のカメラ507を利用して1次モニタリングの可能なノズルアセンブリ305を概略的に示す図面である。図10ないし図13で、315は、ノズル301に充填されているフォトレジストを表す。
図10では、フォトレジスト供給ライン105に気泡が流入されて、吐出時にノズル301の末端でノズル301が313のように破損された状態を示した。破損313は、カメラ507を利用して破損前後のノズル301の画像を比較して検出(検査)しうる。図11は、ノズル301内に気泡317が流入された状態を表す。気泡317は、フォトレジスト物質自体の性質と、フォトレジスト供給ラインを通じてフォトレジストが流れる時におけるフォトレジスト供給ラインの屈曲部の圧力差とによって発生する。このような気泡317も、本発明がカメラ507を利用して、気泡発生前後の画像を比較して検出しうる。
図12では、コンピュータ601及び流体制御弁231を利用して、ノズルアセンブリ305のノズル301にフォトレジスト315の吐出を中止した時におけるフロー長L2を表す。前記フロー長L2も、カメラ507を利用して検出(検査)しうる。図13では、コンピュータ601及び流体制御弁231を利用して、ノズルアセンブリ305のノズル301にフォトレジスト315の吐出を中止した後、サックバック弁233にフォトレジスト315を吸入した時における吸入高H1を表す。吸入高H1も、カメラ507を利用して検出(検査)しうる。
図14及び図15は、本発明によるフォトレジスト塗布装置を利用して2次モニタリングの可能なノズルアセンブリの例を拡大して示す図面である。
具体的に、図14及び図15は、本発明によるフォトレジスト塗布装置のカメラ507を利用して2次モニタリングの可能なノズルアセンブリ305を概略的に示す図面である。前記ノズル301を通じて吐出されるフォトレジストの吐出量は、図14の315のように、フォトレジストが切れのない場合、カメラ507のカメラ制御部505で吐出開始時間T2と吐出中止時間T4とを測定して計算する。もちろん、前記吐出量測定時に吐出時間も測定される。
合わせて、前記2次モニタリング時に、吐出遅延時間D1,D2は、前記コンピュータ601の電気的信号のオン時間T1、オフ時間T3、前記カメラ507を利用して検出したフォトレジストの吐出開始時間T2及び吐出中止時間T4をそれぞれ比較して行う。吐出遅延時間D1,D2が一定範囲のスペックを逸脱する場合、アラームを発生させて、半導体ウェーハ上に供給されるフォトレジストのフローを調節する。
Claims (7)
- フォトレジストが供給されるフォトレジスト供給ラインと、
前記フォトレジスト供給ラインに連結されてフォトレジストのフローを調節する流体制御弁と、
前記流体制御弁の後端の前記フォトレジスト供給ラインに連結され、フォトレジストコーティング部の半導体ウェーハの中央上部にノズルが位置していてフォトレジストを吐出するノズルアセンブリと、
前記ノズルアセンブリの末端に位置するノズルの形態又は吐出量をモニタリングするために、前記フォトレジストコーティング部の外部に位置するカメラと、
前記カメラでモニタリングされたデータを電気的信号に変換する制御部と、を備えてなり、
前記制御部で処理された電気的信号が前記流体制御弁にフィードバックされて前記ノズルアセンブリのノズルから吐出されるフォトレジストのフローが調節されることを特徴とするフォトレジスト塗布装置。 - 前記カメラは、前記ノズル部に入射光を出力する光源と、前記ノズル部で反射された反射光を受けるレンズと、前記受信された反射光を利用して前記ノズル部をモニタリングして前記制御部に電気的信号を出力するカメラ制御部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト塗布装置。
- 前記カメラのレンズは、前記半導体ウェーハの平面方向に、前記ノズルアセンブリのノズルから延びた線と前記反射光の光路との角度が5〜45°に設置され、前記カメラのレンズから前記ノズルアセンブリのノズルまでの直線距離を140mmないし300mmに設置することを特徴とする請求項2に記載のフォトレジスト塗布装置。
- 前記カメラは、前記ノズルが定められた位置からはなれているか否か、前記ノズルが汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、前記ノズル内のフォトレジストのフロー長若しくは吸入高、又は、前記ノズルを通じた前記フォトレジストの吐出時間若しくは吐出遅延時間をモニタリングすることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト塗布装置。
- フォトレジストコーティング部のチャックに半導体ウェーハをローディングするステップと、
前記フォトレジストコーティング部のチャックの中央上部にノズルが位置するように、ノズルアセンブリを移動させるステップと、
前記ノズルアセンブリのノズルの形態をカメラを利用して1次モニタリングするステップと、
前記ノズルアセンブリのノズルを通じて前記半導体ウェーハ上にフォトレジストを塗布しつつ、前記カメラを利用して前記フォトレジストの吐出量を2次モニタリングするステップと、
前記カメラで前記1次及び2次モニタリングされたデータを制御部で電気的信号に変換してこれを流体制御弁に提供して、前記フォトレジストコーティング部の半導体ウェーハ上に供給されるフォトレジストのフローを調節するステップと、
を含むことを特徴とするフォトレジストの塗布方法。 - 前記1次モニタリングは、前記ノズルが定められた位置から離れているか否か、前記ノズルが汚染されているか否か、気泡が発生しているか否か、又は、フォトレジストフロー長若しくは吸入高をモニタリングすることを特徴とする請求項5に記載のフォトレジストの塗布方法。
- 前記2次モニタリングは、前記ノズルを通じた前記フォトレジストの吐出時間又は吐出遅延時間をモニタリングすることを特徴とする請求項5に記載のフォトレジストの塗布方法。
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