JPH04346417A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPH04346417A JPH04346417A JP3119817A JP11981791A JPH04346417A JP H04346417 A JPH04346417 A JP H04346417A JP 3119817 A JP3119817 A JP 3119817A JP 11981791 A JP11981791 A JP 11981791A JP H04346417 A JPH04346417 A JP H04346417A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
- B05C11/1005—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material already applied to the surface, e.g. coating thickness, weight or pattern
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】 本発明はレジスト塗布装置に
関し、特に、LSI製造工程におけるリソグラフィに用
いられる。
関し、特に、LSI製造工程におけるリソグラフィに用
いられる。
【0002】
【従来の技術】 ウェハ上に形成されるパターンが微
細化され、かつ高い寸法精度が要求されるに従い、微細
化の中心ともいうべきリソグラフィの役割は、重要な位
置を占めている。すなわち、露光技術と並び、レジスト
プロセスおよびその装置に対する要求もより厳しさを増
し、多様になってきている。従来のレジストプロセスに
用いられるレジスト塗布装置では、ウェハ中央部にレジ
ストを滴下した後、そのウェハを所定の回転数で回転さ
せ、レジストを振り切ることにより所望のレジスト膜厚
を得る、いわゆるスピンコート方式が採用されている。
細化され、かつ高い寸法精度が要求されるに従い、微細
化の中心ともいうべきリソグラフィの役割は、重要な位
置を占めている。すなわち、露光技術と並び、レジスト
プロセスおよびその装置に対する要求もより厳しさを増
し、多様になってきている。従来のレジストプロセスに
用いられるレジスト塗布装置では、ウェハ中央部にレジ
ストを滴下した後、そのウェハを所定の回転数で回転さ
せ、レジストを振り切ることにより所望のレジスト膜厚
を得る、いわゆるスピンコート方式が採用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】 ところで、従来技
術では塗布されたレジストの膜厚の監視は、時々モニタ
リングすることにより行われている。したがって、常時
監視はされていないので、レジスト膜厚がわずかに外れ
て目的の線幅を得ることができない場合がある。また、
干渉式の膜厚測定器では、種々の工程を経たウェハたと
えば不純物濃度分布が傾斜しすぎているものや多層膜等
の測定は困難となり、さらに測定不能となる場合も多い
。 したがって、レジストが塗布されたウェハを用いて、直
接レジストの膜厚を測定することができない。
術では塗布されたレジストの膜厚の監視は、時々モニタ
リングすることにより行われている。したがって、常時
監視はされていないので、レジスト膜厚がわずかに外れ
て目的の線幅を得ることができない場合がある。また、
干渉式の膜厚測定器では、種々の工程を経たウェハたと
えば不純物濃度分布が傾斜しすぎているものや多層膜等
の測定は困難となり、さらに測定不能となる場合も多い
。 したがって、レジストが塗布されたウェハを用いて、直
接レジストの膜厚を測定することができない。
【0004】本発明は上述した問題点を鑑み、常時、レ
ジストの膜厚を測定することを可能とし、さらにその測
定結果に基づいて所望の均一なレジスト膜厚を得ること
ができるレジスト塗布装置を提供することを目的とする
。
ジストの膜厚を測定することを可能とし、さらにその測
定結果に基づいて所望の均一なレジスト膜厚を得ること
ができるレジスト塗布装置を提供することを目的とする
。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本発明のレジスト塗
布装置は、実施例に対応する図1を参照しつつ説明する
と、ウェハWを載置する回転自在なウェハチャック3と
、そのウェハWにレジストRを滴下するレジスト供給部
5と、ウェハチャック3を設定回転数で回転させる駆動
部8とを有する装置において、ウェハチャック3に固着
され、かつ、ウェハWの外周に沿って設けられた金属板
1と、その金属板1上に形成されたレジストRの膜厚を
測定する干渉式膜厚計6と、その測定結果に基づいてあ
らかじめ設定された膜厚を得るために必要なウェハチャ
ック3の回転数を算出し、ウェハチャック3の回転数が
その算出結果に一致するよう駆動部8における設定回転
数を変更する校正手段7とを設けたことによって、特徴
付けられている。
布装置は、実施例に対応する図1を参照しつつ説明する
と、ウェハWを載置する回転自在なウェハチャック3と
、そのウェハWにレジストRを滴下するレジスト供給部
5と、ウェハチャック3を設定回転数で回転させる駆動
部8とを有する装置において、ウェハチャック3に固着
され、かつ、ウェハWの外周に沿って設けられた金属板
1と、その金属板1上に形成されたレジストRの膜厚を
測定する干渉式膜厚計6と、その測定結果に基づいてあ
らかじめ設定された膜厚を得るために必要なウェハチャ
ック3の回転数を算出し、ウェハチャック3の回転数が
その算出結果に一致するよう駆動部8における設定回転
数を変更する校正手段7とを設けたことによって、特徴
付けられている。
【0006】
【作用】 ウェハWの外周に沿って配設された金属板
1の上面にはウェハW上に、ともにおなじ厚さのレジス
トRが塗布されているので、金属板1上のレジストRの
膜厚を測定することにより、ウェハW上のレジストRの
膜厚を得ることができる。また、塗布されたレジストR
の膜厚とレジストRの塗布時の回転数との相関関係は、
用いたレジストにより異なっている。たとえば、シプレ
イ社製のAZ1470のレジストを用いた場合について
、図3にレジスト膜厚(T)とレジスト塗布時の回転数
(R)との相関関係を両対数グラフにより示す。
1の上面にはウェハW上に、ともにおなじ厚さのレジス
トRが塗布されているので、金属板1上のレジストRの
膜厚を測定することにより、ウェハW上のレジストRの
膜厚を得ることができる。また、塗布されたレジストR
の膜厚とレジストRの塗布時の回転数との相関関係は、
用いたレジストにより異なっている。たとえば、シプレ
イ社製のAZ1470のレジストを用いた場合について
、図3にレジスト膜厚(T)とレジスト塗布時の回転数
(R)との相関関係を両対数グラフにより示す。
【0007】また、この相関関係は(1) 式により与
えられる。 T=2.24×105 ×R−0.62 ・・・・(1
)このグラフを用いて所望の膜厚に対する回転数を得る
こともできる。
えられる。 T=2.24×105 ×R−0.62 ・・・・(1
)このグラフを用いて所望の膜厚に対する回転数を得る
こともできる。
【0008】
【実施例】 図1は本発明実施例の構成を表す図であ
り、図2は本発明実施例を説明する平面図である。以下
、これらの図面に基づいて本発明実施例を説明する。 ウェハWを載置するウェハチャック3は回転軸4に支持
されている。またウェハWの外周に沿って設けられた金
属板1は、図2に示すように、ウェハチャック3の四方
から突出して形成されている金属板支持板2によって連
結され、固着されている。なお、ウェハWと金属板1の
間隔は約1mm、また金属板1の幅は約20mmであり
、ウェハWを載置した状態ではウェハW表面および金属
板1の上面はともに共通した同一平面となるよう配置さ
れている。一方、ウェハW上方にはレジストRをウェハ
Wの中心部上に滴下するよう位置決めされたレジスト供
給部5が備えられている。また、レジストRの膜厚を測
定すべく干渉式膜厚計6が所定位置に配設されている。 また、その干渉式膜厚計6の測定結果に基づいて所望の
膜厚を得るべくウェハチャック3の回転数を算出し、そ
の算出値を上述したウェハチャック3の所定の回転数と
する校正手段7が設けられている。
り、図2は本発明実施例を説明する平面図である。以下
、これらの図面に基づいて本発明実施例を説明する。 ウェハWを載置するウェハチャック3は回転軸4に支持
されている。またウェハWの外周に沿って設けられた金
属板1は、図2に示すように、ウェハチャック3の四方
から突出して形成されている金属板支持板2によって連
結され、固着されている。なお、ウェハWと金属板1の
間隔は約1mm、また金属板1の幅は約20mmであり
、ウェハWを載置した状態ではウェハW表面および金属
板1の上面はともに共通した同一平面となるよう配置さ
れている。一方、ウェハW上方にはレジストRをウェハ
Wの中心部上に滴下するよう位置決めされたレジスト供
給部5が備えられている。また、レジストRの膜厚を測
定すべく干渉式膜厚計6が所定位置に配設されている。 また、その干渉式膜厚計6の測定結果に基づいて所望の
膜厚を得るべくウェハチャック3の回転数を算出し、そ
の算出値を上述したウェハチャック3の所定の回転数と
する校正手段7が設けられている。
【0009】次に、以上の構成よりなる本発明実施例の
動作を説明する。ウェハWの中央にレジストRを滴下し
た後、所望の膜厚が得られる所定の回転数でウェハWを
回転させる。その後、その回転を一時停止し、金属板1
上の膜厚を干渉式の膜厚計6で測定する。次に、ウェハ
W上および金属板1上のレジストRを同時に除去するた
めに、ウェハチャック3を所定の回転数に回転しながら
、ウェハWエッヂ上方に配設されたノズル(図示せず)
によりECA,アセトン等のレジスト溶解液(以下リン
ス液という)を滴下することにより、ウェハWエッヂ部
分と金属板1上のレジストRが除去された後、リンス液
の滴下を停止する。その後、ウェハチャック3を所定の
回転数回転することにより、所定部分のレジストRを除
去したウェハWを乾燥する。
動作を説明する。ウェハWの中央にレジストRを滴下し
た後、所望の膜厚が得られる所定の回転数でウェハWを
回転させる。その後、その回転を一時停止し、金属板1
上の膜厚を干渉式の膜厚計6で測定する。次に、ウェハ
W上および金属板1上のレジストRを同時に除去するた
めに、ウェハチャック3を所定の回転数に回転しながら
、ウェハWエッヂ上方に配設されたノズル(図示せず)
によりECA,アセトン等のレジスト溶解液(以下リン
ス液という)を滴下することにより、ウェハWエッヂ部
分と金属板1上のレジストRが除去された後、リンス液
の滴下を停止する。その後、ウェハチャック3を所定の
回転数回転することにより、所定部分のレジストRを除
去したウェハWを乾燥する。
【0010】上述したように、所望の膜厚を得るための
回転数は、以下に説明する回転数の補正により精度の高
い値を得ることができる。すなわち、(2) 式により
得られたレジスト膜厚塗布時の回転数(R)とレジスト
膜厚(T)との相関関係を図4に両対数グラフにより示
す。 R=4.27×108 ×T−1.61 ・・・・(2
)図4において、Tt はこれから得ようとする膜厚の
目標値、Rpはその時の予想実回転数で図4のグラフあ
るいは(2) 式により得られる値である。Tm は先
に設定された回転数(RS )によって得られたレジス
ト膜厚であり、Rr はこの時の回転数を(2)式によ
り求めた値である。ここで、次のウェハにレジストを塗
布する補正回転数Rt は(3) 式によって与えられ
る。
回転数は、以下に説明する回転数の補正により精度の高
い値を得ることができる。すなわち、(2) 式により
得られたレジスト膜厚塗布時の回転数(R)とレジスト
膜厚(T)との相関関係を図4に両対数グラフにより示
す。 R=4.27×108 ×T−1.61 ・・・・(2
)図4において、Tt はこれから得ようとする膜厚の
目標値、Rpはその時の予想実回転数で図4のグラフあ
るいは(2) 式により得られる値である。Tm は先
に設定された回転数(RS )によって得られたレジス
ト膜厚であり、Rr はこの時の回転数を(2)式によ
り求めた値である。ここで、次のウェハにレジストを塗
布する補正回転数Rt は(3) 式によって与えられ
る。
【0011】Rt =RS +(Rp −Rr )・・
・・(3)このように、ウェハWにレジストRを滴下し
た後、上述の校正された回転数でウェハWを回転するこ
とにより、所望の膜厚を得ることができる。以上述べた
膜厚の測定およびその測定結果に基づいた回転数の校正
は自動で行われる。
・・(3)このように、ウェハWにレジストRを滴下し
た後、上述の校正された回転数でウェハWを回転するこ
とにより、所望の膜厚を得ることができる。以上述べた
膜厚の測定およびその測定結果に基づいた回転数の校正
は自動で行われる。
【0012】
【発明の効果】 以上述べたように、本発明によれば
ウェハの外周に沿って金属板を配設し、その金属板上に
塗布されたレジスト膜厚を測定することによりウェハ上
のレジスト膜厚を得るよう構成したことにより、ウェハ
が種々の工程を経た状態のものであっても、ウェハ上に
塗布されたレジストの膜厚の測定をすることができる。 さらに、金属板上に塗布されたレジスト膜はウェハエッ
ヂのレジスト除去時に同時に除去されるので、繰り返し
て測定することが可能となり、常時膜厚測定が実現でき
る。
ウェハの外周に沿って金属板を配設し、その金属板上に
塗布されたレジスト膜厚を測定することによりウェハ上
のレジスト膜厚を得るよう構成したことにより、ウェハ
が種々の工程を経た状態のものであっても、ウェハ上に
塗布されたレジストの膜厚の測定をすることができる。 さらに、金属板上に塗布されたレジスト膜はウェハエッ
ヂのレジスト除去時に同時に除去されるので、繰り返し
て測定することが可能となり、常時膜厚測定が実現でき
る。
【0013】さらにまた、上述した測定結果に基づいて
所望のレジスト膜厚を得ることができるよう校正手段を
設けたことにより、所望のレジスト膜厚を精度よく得る
ことができ、したがって、高精度の線幅管理を行うこと
ができる。さらに、測定手段として構成の簡単な干渉式
膜厚計が用いられているので、装置は全体として簡便と
なる効果も大きいといえる。
所望のレジスト膜厚を得ることができるよう校正手段を
設けたことにより、所望のレジスト膜厚を精度よく得る
ことができ、したがって、高精度の線幅管理を行うこと
ができる。さらに、測定手段として構成の簡単な干渉式
膜厚計が用いられているので、装置は全体として簡便と
なる効果も大きいといえる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明実施例の構成を表す図
【図2】
本発明実施例の一部平面図
本発明実施例の一部平面図
【図3】 本発明実施例の
作用説明図
作用説明図
【図4】 本発明実施例を説明する図
1・・・・金属板
2・・・・金属板支持板
3・・・・ウェハチャック
4・・・・回転軸
5・・・・レジスト供給部
6・・・・干渉式膜厚計
7・・・・校正手段
8・・・・駆動部
W・・・・ウェハ
R・・・・レジスト
Claims (1)
- 【請求項1】 ウェハを載置する回転自在な支持板と
、そのウェハにレジストを滴下するレジスト供給部と、
上記支持板を設定回転数で回転させる駆動部とを有する
装置において、上記支持板に固着され、かつ、上記ウェ
ハの外周に沿って設けられた金属板と、その金属板上に
形成されたレジストの膜厚を測定する測定手段と、その
測定結果に基づいてあらかじめ設定された膜厚を得るた
めに必要な上記支持板の回転数を算出し、上記支持板の
回転数がその算出結果に一致するよう上記駆動部におけ
る設定回転数を変更する校正手段とを設けたことを特徴
とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3119817A JP2633106B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジスト塗布装置 |
US07/885,376 US5250116A (en) | 1991-05-24 | 1992-05-19 | Resist film coating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3119817A JP2633106B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジスト塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04346417A true JPH04346417A (ja) | 1992-12-02 |
JP2633106B2 JP2633106B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=14770982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3119817A Expired - Fee Related JP2633106B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | レジスト塗布装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5250116A (ja) |
JP (1) | JP2633106B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013022608A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Disco Corp | レーザ加工装置 |
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US5366757A (en) * | 1992-10-30 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | In situ resist control during spray and spin in vapor |
JPH07284715A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-10-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液塗布装置及び処理液塗布方法 |
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US5932163A (en) * | 1996-12-18 | 1999-08-03 | Ashley; Louis S. | Thin film cover and method of making same |
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JPH11203724A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Sony Corp | 光ディスク及びその製造方法 |
JP2000082647A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nec Corp | レジスト膜の塗布方法及び塗布装置 |
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AT408930B (de) * | 1999-01-13 | 2002-04-25 | Thallner Erich | Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern |
US6410194B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Resist film forming method and resist coating apparatus |
KR20010111316A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-12-17 | 요트.게.아. 롤페즈 | 원형 광 저장 디스크의 제조방법 및 원형 광 저장 디스크 |
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