KR20020035439A - 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법 - Google Patents
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- 복수 매의 기판을 지지하는 캐리어가 재치되는 캐리어 재치부와,상기 캐리어 재치부에 재치된 캐리어로부터 기판을 받아 반송하는 반송수단과,상기 반송수단으로부터 반송된 기판을 기판 지지부로 수평으로 지지하고, 상기 기판에 도포액을 공급하는 동시에 상기 기판 지지부를 회전시켜 기판의 회전에 의한 원심력에 의하여 도포액을 확산시켜 기판 표면에 도포막을 형성하는 도포 유닛과,상기 기판 표면에 형성된 도포막의 막두께를 측정하는 막두께 측정유닛과,상기 도포 유닛에 있어서의 도포처리시 기판의 회전수와 도포막의 막두께와의 관계를 나타내는 회전수-막두께 데이터를 저장하는 데이터 저장부와,상기 도포 유닛에 있어서의 도포막의 목표 막두께 및 도포처리시의 기판의 회전수를 포함하는 처리조건군이 기재되는 레시피를 작성하는 레시피 작성부와,상기 레시피 작성부에서 작성된 레시피에 의하여 설정된 목표 막두께와, 막두께 측정 데이터와, 당해 레시피에 할당된 회전수-막두께 데이터에 의거하여, 도포막의 막두께가 목표치가 되도록 상기 회전수의 설정치를 보정하는 회전수 보정부를 갖추고,공통의 회전수-막두께 데이터에 복수의 레시피가 할당되고, 이들 복수의 레시피 중, 하나의 레시피에 관하여 회전수 보정이 이루어지면, 당해 복수의 레시피중 다른 레시피에 관하여도 회전수 보정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 회전수 보정부는 막두께 측정 데이터에 의거하여 얻은 기판상의 막두께의 평균치와, 상기 목표 막두께와, 회전수-막두께 데이터에 의거하여 회전수의 보정치를 결정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통의 회전수-막두께 데이터에 할당되는 복수의 레시피는 도포액의 종류가 같고 목표 막두께가 다른 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통의 회전수-막두께 데이터에 할당되는 복수의 레시피는 기판을 생산할 때에 사용되는 생산용 레시피와, 상기 레시피와 동일한 처리조건에서 모니터 기판에 도포처리를 하여 막두께를 측정하기 위한 막두께 측정용 레시피를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
- 제 1 항에 있어서,각 레시피에서의 상기 회전수-막두께 데이터의 할당은 레시피 작성부의 설정화면에서 회전수-막두께 데이터의 명칭을 입력함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통의 회전수-막두께 데이터가 할당된 각각의 레시피를 사용하여 도포막을 형성하고, 각 도포막의 막두께 측정결과로부터 구한 회전수 보정치의 평균치를 당해 복수 레시피의 회전수 보정치로 하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 레시피의 회전수가 보정된 후의 공통의 회전수-막두께 데이터에 의거하여 회전수마다 막두께를 산출하고, 상기 각 산출결과가, 상기 회전수마다 형성된 도포막의 막두께 측정결과에 대하여 각각 허용범위 이내인가 아닌가를 판단하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
- 도포 유닛에 있어서 기판에 형성되는 도포막의 목표 막두께 및 도포처리시의 기판의 회전수가 설정되는 레시피를 작성하는 공정과,상기 도포 유닛에서 기판에 도포액을 공급하는 동시에 당해 기판을 수평면을 따라 상기 공정에서 설정된 회전수로 회전시켜 그 원심력에 의하여 도포액을 확산시켜 기판 표면에 도포막을 형성하는 공정과,상기 기판 표면에 형성된 도포막의 두께를 측정하는 공정과,상기 레시피에 설정된 목표 막두께와, 상기 공정에서 측정하여 얻은 도포막의 막두께 측정 데이터와, 당해 레시피에 할당되어 미리 작성된 회전수-막두께 데이터에 의거하여 도포막의 막두께를 목표치에 가깝게 하기 위한 상기 회전수의 보정치를 결정하는 공정과,공통의 회전수-막두께 데이터에 할당된 복수의 레시피 중, 하나의 레시피에 관하여 회전수의 보정이 이루어지면, 당해 복수의 레시피 중 다른 레시피에 관하여도 회전수의 보정이 이루어지는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 공통의 회전수-막두께 데이터가 할당된 각각의 레시피를 사용하여 도포막을 형성하고, 각 도포막의 막두께 측정결과로부터 구한 회전수 보정치의 평균치를 당해 복수 레시피의 회전수 보정치로 하는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 레시피의 회전수가 보정된 후의 공통의 회전수-막두께 데이터에 의거하여 회전수마다 막두께를 산출하고, 상기 각 산출결과가 상기 회전수마다 형성된 도포막의 막두께 측정결과에 대하여 각각 허용범위 이내인가 아닌가를 판단하는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
KR101398002B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2014-05-28 | 연세대학교 원주산학협력단 | 인체 조직 모사 박막 광 팬텀 및 그 제조방법 |
KR20210042382A (ko) * | 2018-09-20 | 2021-04-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004154916A (ja) | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Fanuc Ltd | 自動機械システムの安全装置 |
US20050148203A1 (en) * | 2003-12-29 | 2005-07-07 | Shirley Paul D. | Method, apparatus, system and computer-readable medium for in situ photoresist thickness characterization |
DE112005000463B4 (de) * | 2004-03-01 | 2011-04-28 | Origin Electric Company, Ltd. | Herstellungsverfahren und Herstellungsvorrichtung für eine Scheibe |
JP2005329306A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法 |
JP4955240B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2012-06-20 | パナソニック株式会社 | 膜測定装置およびそれを用いる塗工装置 |
JP4748192B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
JP5410212B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-02-05 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置 |
CN103706525B (zh) * | 2013-12-16 | 2015-12-09 | 南通大学 | 防止胶吸入的匀胶机托盘 |
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3960633B2 (ja) * | 1995-02-27 | 2007-08-15 | リソテック ジャパン株式会社 | 膜厚制御方法および装置 |
JP3516195B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2004-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及びその装置 |
SG71082A1 (en) * | 1997-01-30 | 2000-03-21 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for coating resist and developing the coated resist |
US5849092A (en) * | 1997-02-25 | 1998-12-15 | Applied Materials, Inc. | Process for chlorine trifluoride chamber cleaning |
US6410194B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Resist film forming method and resist coating apparatus |
US6431769B1 (en) * | 1999-10-25 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system and substrate processing method |
US6248175B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-06-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Nozzle arm movement for resist development |
JP3519669B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2004-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP3771435B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2006-04-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | レジスト塗布装置、レジスト塗布システムおよび記録媒体 |
-
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101398002B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2014-05-28 | 연세대학교 원주산학협력단 | 인체 조직 모사 박막 광 팬텀 및 그 제조방법 |
KR20210042382A (ko) * | 2018-09-20 | 2021-04-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
KR20230101941A (ko) * | 2018-09-20 | 2023-07-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
US11822318B2 (en) | 2018-09-20 | 2023-11-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
US12045037B2 (en) | 2018-09-20 | 2024-07-23 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
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