KR100797721B1 - 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법 - Google Patents

Abstract

도포 유닛에 있어서 도포액의 종류는 같지만 목표 막두께가 다른 생산라인용 레시피와 막두께 측정용 레시피를 복수 준비하고, 이들 중 도포액의 종류 및 목표 막두께가 대응하는 것에 관하여 공통의 스핀커브에 링크시킨다. 그리고 막두께 측정용 레시피를 실행하여 막두께 측정 데이터마다 회전수의 보정치를 산출한다. 각 레시피의 회전수 설정치는 이 보정치를 사용함으로써 일괄하여 보정할 수 있다.

Description

도포막 형성장치 및 도포막 형성방법{COATING FILM FORMING APPARATUS AND COATING FILM FORMING METHOD}

도1은 본 발명에 관한 도포막 형성장치에 있어서 실시예의 전체 구성을 나타내는 평면도이다.

도2는 본 발명에 관한 도포막 형성장치에 있어서 실시예의 개관을 나타내는 사시도이다.

도3은 도포 유닛의 주요부를 나타내는 종단(縱斷) 측면도이다.

도4는 막두께 측정유닛의 주요부를 나타내는 종단 측면도이다.

도5는 상기 실시예에 사용하는 제어부를 나타내는 블록도이다.

도6은 레시피 작성부에 있어서의 입력화면의 일부를 나타내는 설명도이다.

도7은 상기 제어부에 있어서의 레시피 및 스핀커브의 저장상황을 나타내는 설명도이다.

도8은 복수의 레시피가 하나의 스핀커브에 링크되는 모양을 나타내는 설명도이다.

도9는 상기 실시예에 있어서의 웨이퍼 반송경로의 일례를 나타내는 설명도이다.

도10은 상기 실시예에 있어서의 회전수를 설정하는 과정을 나타내는 플로우 차트이다.

도11은 상기 실시예에 있어서의 회전수를 보정하는 과정을 나타내는 플로우 차트이다.

도12는 상기 실시예에 있어서의 회전수를 보정하는 것을 나타내는 설명도이다.

도13은 회전수 보정이 이루어진 후의 스핀커브를 나타내는 설명도이다.

도14는 회전수 보정이 이루어진 후의 막두께를 검증하는 공정을 추가한 플로우차트이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

W : 반도체 웨이퍼 2, 2-1, 2-2 : 도포 유닛

3 : 막두께 측정유닛 4 : 제어부

6 : 회전수 보정부 7 : 경보 발생부

12 : 캐리어 재치부 14 : 주반송수단

15 : 현상 유닛 21 : 스핀척

40 : 레시피 입력화면 41 : 레시피 작성부

42 : 레시피 저장부 43 : 레시피 선택부

51 : 스핀커브 작성부 52 : 스핀커브 저장부

100 : 도포, 현상장치 200 : 노광장치

본 발명은, 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 글래스 기판) 등의 기판 표면에 예를 들면 레지스트액 등의 도포액(塗布液)을 공급하여 도포막을 형성하는 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 LCD의 제조 프로세스에서 행하여지는 포토리소그래피라고 불리우는 기술은, 기판(예를 들면 반도체 웨이퍼)에 레지스트액을 도포하여 당해 표면에 도포막을 형성하고, 포토마스크를 사용하여 당해 레지스트막을 노광한 후에 현상처리를 함으로써 레지스트 패턴을 얻는 것이다.

상기한 공정에 있어서의 레지스트액의 도포공정은, 예를 들면 스핀코팅법에 의하여 이루어지고 있다. 이 방법은 회전 가능한 스핀척에 의하여 기판을 수평으로 흡착하여 지지하고, 기판 중앙부의 상방에 설치되는 노즐로부터 레지스트액을 기판에 공급하는 동시에 스핀척을 회전시키는 방법으로서, 원심력에 의하여 레지스트액이 확산하여 기판 전체에 도포막이 형성된다.

이 방법에서는 기판의 회전수와 원심력이 대응하기 때문에, 기판의 회전수에 의하여 레지스트액의 도포막(도포한 시점에서는 액막(液膜)이다)의 막두께가 좌우된다. 한편 레지스트막의 막두께에 따른 처리조건으로 노광 및 현상이 이루어지기 때문에, 상기 막두께는 소정의 범위에 들어가 있을 것이 요구된다. 이 때문에 미리 설정된 목표 막두께가 얻어지도록 도포처리시의 회전수(확산 회전수)를 조정하 여 도포처리를 하도록 되어 있지만, 온도, 습도 등의 변동이나 웨이퍼 표면의 상태 또는 기압 등의 요인에 의하여 실제의 막두께가 목표 막두께에서 벗어나는 경우도 있다.

여기에서 종래에는 예를 들면 일정 매수의 기판을 처리할 때마다 기판을 꺼내어, 이 기판을 도포막 형성장치와는 별도로 설치되는 막두께 측정유닛으로 반송하여 여기에서 막두께를 측정하고, 이 측정결과에 의거하여 상기 스핀척의 회전수가 적절한가 아닌가를 판단하고, 이 판단에 의거하여 상기 회전수(속도)를 보정함으로써 그 이후에 제조라인으로 보내어지는 기판의 레지스트막 두께가 목표 막두께에 가까워지도록 하고 있었다.

그러나 상기한 보정작업은 적정한 회전수를 결정하기 위한 기준이 없기 때문에, 회전수의 증감량은 오퍼레이터의 경험 등에 의거하여 시행착오에 의하여 결정하였다.

그런데 상기한 도포처리는, 사용하는 레지스트액의 종류나 상기 액막의 목표 막두께 등을 미리 설정한 레시피에 따라 이루어지고, 이 때문에 예를 들면 목표 막두께가 다른 복수의 레시피를 하나의 도포 유닛에서 사용하는 경우나, 각 도포 유닛마다 다른 레시피를 사용하는 경우 등에는, 오퍼레이터는 각 레시피마다 상기 보정작업을 반복하여야 하므로 부담이 크다는 문제가 있었다.

본 발명은 이러한 사정에 의거하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 소위 스핀코팅법으로 도포막을 형성하는데 있어서 도포막의 목표 막두께를 얻기 위한 기판의 회전수 보정작업을 용이하게 할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.

본 발명에 관한 도포막 형성장치는, 복수 매의 기판을 지지하는 캐리어가 재치(載置)되는 캐리어 재치부와, 상기 캐리어 재치부에 재치된 캐리어로부터 기판을 받아 반송하는 반송수단과, 상기 반송수단으로부터 반송된 기판을 기판 지지부로 수평으로 지지하고, 상기 기판에 도포액을 공급하는 동시에 상기 기판 지지부를 회전시켜 기판의 회전에 의한 원심력에 의하여 도포액을 확산시켜 기판 표면에 도포막을 형성하는 도포 유닛과, 상기 기판 표면에 형성된 도포막의 막두께를 측정하는 막두께 측정유닛과, 상기 도포 유닛에 있어서의 도포처리시 기판의 회전수와 도포막의 막두께와의 관계를 나타내는 회전수-막두께 데이터를 저장하는 데이터 저장부와, 상기 도포 유닛에 있어서의 도포막의 목표 막두께 및 도포처리시의 기판의 회전수를 포함하는 처리조건군이 기재되는 레시피를 작성하는 레시피 작성부와, 상기 레시피 작성부에서 작성된 레시피에 의하여 설정된 목표 막두께와 막두께 측정 데이터와 당해 레시피에 할당된 회전수-막두께 데이터에 의거하여, 도포막의 막두께가 목표치가 되도록 상기 회전수의 설정치를 보정하는 회전수 보정부를 갖추고, 공통의 회전수-막두께 데이터에 복수의 레시피가 할당되고, 이들 복수의 레시피 중, 하나의 레시피에 관하여 회전수 보정이 이루어지면, 당해 복수의 레시피 중 다른 레시피에 관하여도 회전수 보정이 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이러한 구성에 의하면, 하나의 레시피에 관하여 회전수를 보정하면, 이러한 보정결과를 공통의 회전수-막두께 데이터가 할당된 모든 레시피에 반영시킬 수 있기 때문에, 예를 들면 각 레시피마다 도포막 형성 및 보정치를 산출할 필요가 없어 지게 되어 오퍼레이터의 노동력이 경감된다.

회전수 보정의 구체적인 예로서는, 예를 들면 회전수 보정부가 막두께 측정 데이터에 의거하여 얻은 기판상의 막두께의 평균치와, 상기 목표 막두께와, 회전수 -막두께 데이터에 의거하여 회전수의 보정치를 산출하고, 이 보정치를 사용하여 하나의 레시피 회전수를 보정하는 방법을 들 수 있다. 여기에서 상기 보정치에는, 예를 들면 공통의 회전수-막두께 데이터가 할당된 각각의 레시피를 사용하여 도포막을 형성하고, 각 도포막의 막두께 측정의 결과로부터 구한 회전수 보정치를 평균하여, 이 평균치를 사용하여도 좋다.

또한 상기 복수의 레시피란, 구체적으로는 도포액의 종류가 같고 목표 막두께가 다른 것이 이에 해당하고, 예를 들면 기판을 생산할 때에 사용되는 생산용 레시피와, 상기 레시피와 동일한 처리조건에서 모니터 기판에 도포처리를 하여 막두께를 측정하기 위한 막두께 측정용 레시피가 포함된다. 이들 레시피에서의 회전수 -막두께 데이터의 할당은, 예를 들면 레시피 작성부의 설정화면에서 회전수-막두께 데이터의 명칭을 입력하는 구성으로 할 수 있다.

또한 레시피의 회전수가 보정된 후 공통의 회전수-막두께 데이터에 의거하여 회전수마다 막두께를 산출하고, 상기 각 산출결과가 상기 회전수마다 형성된 도포막의 막두께 측정결과에 대하여 각각 허용범위 이내인가 아닌가를 판단할 수도 있다. 그리고 예를 들면 당해 각 막두께가 상기 허용범위 이내이면, 보정이 정확하게 이루어진 것이라고 판단하고, 허용범위 이내가 아니면, 예를 들면 알람을 출력하여도 좋다. 이에 따라 보정의 신뢰성을 한층 더 향상시킬 수 있다.

본 발명에 관한 도포막 형성방법은, 도포 유닛에 있어서 기판에 형성되는 도포막의 목표 막두께 및 도포처리시의 기판의 회전수가 설정되는 레시피를 작성하는 공정과, 상기 도포 유닛에서 기판에 도포액을 공급하는 동시에 당해 기판을 수평면을 따라 상기 공정에서 설정된 회전수로 회전시켜 그 원심력에 의하여 도포액을 확산시켜 기판 표면에 도포막을 형성하는 공정과, 상기 기판 표면에 형성된 도포막의 두께를 측정하는 공정과, 상기 레시피에 설정된 목표 막두께와, 상기 공정에서 측정하여 얻은 도포막의 막두께 측정 데이터와, 당해 레시피에 할당되어 미리 작성된 회전수-막두께 데이터에 의거하여 도포막의 막두께를 목표치에 가깝게 하기 위한 상기 회전수의 보정치를 결정하는 공정과, 공통의 회전수-막두께 데이터에 할당된 복수의 레시피 중, 하나의 레시피에 관하여 회전수의 보정이 이루어지면, 당해 복수의 레시피 중 다른 레시피에 관하여도 회전수의 보정이 이루어지는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 이러한 목적과 이 이외의 목적과 이익은, 이하의 설명과 첨부된 도면에 의하여 용이하게 확인할 수 있다.

이하에서는 본 발명의 도포막 형성장치를 도포, 현상에 적용하는 실시예에 관하여 설명한다. 이 도포, 현상장치는 기판의 반송이나 처리를 하는 장치 본체와 제어부로 구성되지만, 장치 본체에 관하여 우선 간단하게 설명한다. 도1 및 도2는, 각각의 이 도포, 현상장치(100)를 노광장치(200)에 접속하는 레지스트 패턴 형성장치의 전체 구성을 나타내는 평면도 및 개략도이다.

도면에서, 11은 예를 들면 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 한다)(W)가 25장 수납되는 캐리어(C)를 반출입하기 위한 캐리어 스테이션이고, 이 캐리어 스테이션(11)은 상기 캐리어(C)를 재치하기 위한 재치부(12)와 웨이퍼(W)를 꺼내기 위한 반송수단(13)을 구비하고 있다. 반송수단(13)은 캐리어(C)에서 기판인 웨이퍼(W)를 꺼내고, 꺼낸 웨이퍼(W)를 캐리어 스테이션(11)의 안쪽에 설치되어 있는 처리부(S1)로 반송하도록 구성되어 있다.

처리부(S1)의 중앙에는 주반송수단(14)이 설치되어 있고, 이것을 둘러싸도록 캐리어 스테이션(11)에서 안쪽을 볼 때에 예를 들면 우측에는 도포 유닛(2) 및 현상 유닛(15)이, 좌측, 바로 앞쪽, 안쪽에는 가열·냉각장치 등의 유닛을 다단으로 겹쳐서 쌓은 선반 유닛(U1, U2, U3)이 각각 배치되어 있다. 도포 유닛(2) 및 현상 유닛(15)은 이 예에서는 각각 2개씩 설치되고, 도포 유닛(2)은 현상 유닛(15)의 하단측에 배치되어 있다. 선반 유닛(U1, U2, U3)에는 가열 유닛이나 냉각 유닛 이외에 웨이퍼 반송유닛이나 소수화(疏水化) 처리유닛 등이 상하에 할당되어 있다. 주반송수단(14)은 승강할 수 있고, 진퇴할 수 있으며 또한 연직축 주위로 회전하도록 구성되고, 선반 유닛(U1, U2, U3), 도포 유닛(2) 및 현상 유닛(15)사이에서 웨이퍼 (W)를 반송하는 역할을 하고 있다. 다만 도2에서는 편의상 반송수단(13) 및 주반송수단(14)는 나타내지 않았다.

상기 처리부(S1)는 인터페이스부(S2)를 사이에 두고 노광장치(200)과 접속되어 있다. 인터페이스부(S2)는 반송수단(16)과 버퍼 카세트(C0)와 막두께 측정유닛 (3)을 구비하고 있고, 반송수단(16)은 예를 들면 승강할 수 있고, 좌우, 전후로 이 동할 수 있으며 또한 연직축 주위로 회전하도록 구성되어 상기 처리블록(S1)과 노광장치(200)과 버퍼 카세트(C0)과 막두께 측정유닛(3)사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.

이 패턴 형성장치에서 웨이퍼의 이동에 관하여 설명하면, 외부로부터 캐리어 (C)가 캐리어 재치부(12)로 우선 반입되고, 반송수단(13)에 의하여 이 캐리어(C) 내에서 웨이퍼(W)가 꺼내어진다. 웨이퍼(W)는 반송수단(13)으로부터 선반 유닛 (U2)의 반송 유닛(EXT)(도2 참조)를 통하여 주반송수단(14)로 반송되어, 소정의 처리 예를 들면 소수화처리, 냉각처리 등이 이루어진다. 계속해서 이 웨이퍼 (W)는 도포 유닛(2)에서 레지스트액이 도포되고 또한 가열처리되어 레지스트액의 용제(溶劑)가 휘발된 후, 선반 유닛(U3)에 있어서 도면에서는 보이지 않는 반송 유닛으로부터 인터페이스부(S2)를 지나서 노광장치(200)로 보내어진다.

노광장치(200)에서 노광된 웨이퍼(W)는 역의 경로로 처리부(S1)로 되돌려지고, 주반송수단(14)에서 현상 유닛(15)로 반송되어 현상처리된다. 더 상세하게는, 웨이퍼(W)는 현상처리 전후에 가열처리 및 냉각처리된다. 현상처리된 웨이퍼(W)는 상기와 역의 경로로 반송수단(13)으로 반송되어 캐리어 재치부(12)에 재치되어 있는 원래의 캐리어(C)로 되돌려진다.

여기에서 상기 도포 유닛(2) 및 막두께 측정유닛(3)에 관하여 설명한다. 우선, 도포 유닛(2)의 일례에 관하여 도3을 참조하면서 간단하게 설명하면, 21은 스핀척, 22는 스핀척(21)의 구동부, 23은 액받이 컵, 24는 배기관, 25는 드레인관, 26은 레지스트액 공급노즐이다. 상기 주반송수단(14)에 의하여 스핀척(21)에 웨이 퍼(W)가 반송되면, 레지스트액 공급노즐(26)로부터 레지스트액을 공급하는 동시에 스핀척(21)을 회전시켜, 레지스트액은 그 원심력에 의하여 웨이퍼(W)의 외주 쪽으로 확산되어 웨이퍼(W)표면에 레지스트액의 액막(도포막)이 형성되고, 비산된 액은 액받이 컵(23)으로 흘러내린다.

상기 인터페이스부(S2)에 설치되는 막두께 측정유닛(3)은, 도4에 나타나 있는 바와 같이 측면에 반송구(32)를 구비하는 케이싱(31)과, 이 케이싱(31)내에 설치되어 웨이퍼(W)를 재치하기 위한 재치대(33)과, 이 재치대(33)를 회전시킬 수 있으며 또한 X 및 Y방향으로 이동시킬 수 있는 구동기구(34)와, 광간섭식(光干涉式) 막두께 측정기(35)를 구비하고 있다. 광간섭식 막두께 측정기(35)는 재치대(33)상의 웨이퍼(W)표면과 대향하도록 설치되는 프로브(probe)(35a), 광파이버(光 fiber) (35b), 분광기 및 컨트롤러를 포함하는 분광기 유닛(35c)을 구비하고 있고, 웨이퍼(W)표면에 조사(照射)한 빛의 반사광에 의거하여 스펙트럼을 얻고, 그 스펙트럼에 의거하여 막두께를 검출한다.

이 막두께 측정유닛(3)에 있어서는, 웨이퍼(W)가 X, Y방향으로 이동하고, 프로브(35a)에 의하여 예를 들면 웨이퍼(W)의 지름을 따른 다수의 위치에 광축(光軸)을 위치시킴으로써 각 위치의 막두께가 측정된다. 도4에서 30은 컴퓨터로서, 구동기구(34)에 의하여 재치대(33)를 X, Y방향으로 이동시키는 것을 제어하는 동시에 상기 분광기 유닛(35c)에서 얻어지는 신호를 처리하여 웨이퍼(W)의 각 위치에서의 막두께를 구하여 막두께 분포를 작성하거나 막두께의 평균치 등을 구하는 기능을 구비하고 있다.

또한 막두께 측정유닛(3)은 웨이퍼(W)가장자리의 레지스트를 제거하기 위하여 당해 가장자리를 노광하는 가장자리 노광장치를 공용(共用)하도록 구성되어 있고, 케이싱(31)내에는 노광수단(36)이 설치됨과 아울러 웨이퍼(W)의 가장자리를 검출하기 위한 라인센서(37)가 웨이퍼(W)의 통과영역을 사이에 두고 상하로 설치되어 있다.

도1로 되돌아가면, 상기 도포, 현상장치(100)는 각 처리 유닛의 레시피 관리 등을 하는 제어부(4)를 갖추고 있다. 도5는 이 제어부(4)의 구성을 나타내는 것으로서, 실제로는 CPU(중앙 처리유닛), 프로그램 및 메모리 등으로 구성되지만, 각 기능을 블록화하여 구성요소로서 설명한다. 도5에서 41은 레시피 작성부, 42는 레시피 저장부, 43은 레시피 선택부이고, 레시피 작성부(41)은 레지스트의 종류, 목표 막두께 예를 들면 웨이퍼 표면상의 평균 막두께의 목표치, 도포막 형성시 웨이퍼(W)의 회전수(확산 회전수) 및 회전시간이라고 하는 도포처리에 필요한 처리조건을 조합시킨 레시피를 입력할 수 있게 되어 있고, 여기에서 작성되는 각 레시피는 레시피 저장부(42)에 저장된다. 즉 레시피는 도포 유닛(2)에서의 처리조건도 포함하는 것으로서, 레시피 저장부(42)는 특허청구범위에 있어서의 처리조건 저장부의 역할을 포함하는 블록이다. 레시피 작성부(41)은 레시피 작성 프로그램 및 레시피의 입력이나 편집을 하기 위한 조작화면 등으로 이루어진다. 레시피는 목적으로 하는 도포막에 따라 복수 준비되고, 오퍼레이터는 레시피 선택부(43)에서 상기 레시피 저장부(42)에 저장되어 있는 복수의 레시피 중에서 목적으로 하는 레시피를 선택한다. 또 B1은 버스(bus)이다.

또한, 제어부(4)는 스핀커브(spin curve) 작성부(51) 및 데이터 저장부인 스핀커브 저장부(52)를 갖추고 있다. 이 스핀커브는 도포 유닛(2)에서의 도포처리시 웨이퍼(W)의 회전수와, 당해 회전수로 도포하는 웨이퍼(W)표면상의 레지스트막(레지스트액의 용제가 휘발한 후의 레지스트막)의 막두께 측정 데이터에 의거하여 얻어지는 평균 막두께와의 상관관계를 나타내는 회전수-막두께 데이터, 예를 들면 상기 상관관계를 나타내는 근사식이고, 표시화면에는 예를 들면 가로축 및 세로축을 각각 회전수 및 막두께로 하는 그래프로서 표현된다. 스핀커브 작성부(51)은 스핀커브 작성용 프로그램과 이 프로그램에 의하여 구해지는 스핀커브를 표시하는 표시부 등을 포함하는 것으로서, 스핀커브 작성 모드시에 있어서, 복수 매의 모니터 기판인 모니터 웨이퍼를 사용하여 도포 유닛(2)에서 다양한 회전수로 레지스트막을 형성하는 동시에 각 레지스트막의 막두께를 막두께 측정유닛(3)에서 측정하여, 회전수-막두께 데이터에 의거하여 스핀커브를 작성하도록 구성되어 있다.

또한 제어부(4)는 운전모드 선택부(44), 회전수 보정부(6) 및 경보 발생수단 (7)을 갖추고 있다. 운전모드 선택부(44)는 제품 웨이퍼를 처리하는 처리모드 즉 레시피 작성부(41)에서 작성되는 레시피에 의거하여 도포, 노광 및 현상의 각 공정을 제어하는 모드 및 스핀커브 작성 모드 등으로부터 운전모드를 예를 들면 장치의 조작패널에서 선택하는 것이다. 또한 회전수 보정부(6)은 레시피에 따라 도포막을 형성하여도 온도, 습도, 웨이퍼 품질 등에 따라서는 웨이퍼 표면에 도포되는 레지스트액이 예기한 대로의 막두께가 되지 않는 경우도 있기 때문에, 상기 막두께가 목표로 하는 값이 되도록 상기 스핀커브에 의거하여 회전수를 보정하기 위한 것이 다. 상기 경보 발생부(7)은 예를 들면, 회전수 보정 프로그램을 작동시켰을 때에 막두께 분포나 연산결과 등이 이상치를 나타내는 경우에 경보를 발생시키기 위한 것으로서, 예를 들면 부저음의 울림, 경보 램프의 점등, 조작화면에 알람표시를 한다.

여기에서 도포 유닛(2)에 있어서 레시피 작성화면 중 하나인 회전수 보정용의 설정 입력 화면의 일례를 도6에 나타낸다. 이 화면(40)에서 링크 스핀커브 명칭이란, 그 레시피가 사용하는 스핀커브의 명칭이다. 예를 들면 레지스트의 종류가 다르면 회전수와 막두께의 관계는 다르기 때문에, 목표로 하는 막두께인 막두께 목표치(타깃 막두께)를 얻기 위하여 회전수를 설정하는 경우나 회전수를 보정하는 경우에는 사용하는 레지스트에 따른 스핀커브에 의거하여 정할 필요가 있다. 스핀커브는 스핀커브 저장부(52)에 복수 준비되어 있으므로, 오퍼레이터에 의하여 당해 레시피와 링크하는(레시피로 사용한다) 스핀커브를 그 중에서 선택하여 그 명칭이 입력된다.

또한 이 화면(40)은 레지스트막의 목표 막두께 이외에 평균치 시프트 폭, 레인지 폭, 3σ, 회전수 보정 허용치를 입력할 수 있다. 평균치 시프트 폭이란 막두께 허용범위로서, 이 범위 내에 막두께 평균치가 들어가 있으면 정상상태로서 취급하는 것이다. 레인지 폭이란 웨이퍼(W)표면의 막두께 분포에 있어서의 최대 막두께와 최소 막두께의 차이이고, 3σ란 상기 막두께 분포에 있어서의 표준편차의 3배 값으로서, 회전수 보정 프로그램을 작동시켰을 때에 실제의 막두께 분포가 이들 설정치로부터 벗어나 있을 때에는 이상상태로서 취급하는 것이다. 회전수 보정 허용 치란, 회전수 보정 프로그램에 의하여 현재의 회전수를 보정하기 위한 보정량(회전수 보정치)을 구했을 때, 여기에서 설정된 값에서 벗어나 있으면 이상상태로서 취급하기 위한 것이다. 즉 이들 값은 회전수 보정 프로그램을 작동시켰을 때에 각 판단스텝에서의 한계치(threshold value)에 상당하는 것으로서, 일부에 관하여 편의상 일례로서 수치를 입력시킨다. 또 이 화면(40)에는 회전수의 자동보정을 「한다」, 「하지 않는다」의 선택을 하기 위한 선택부(40a)가 설치되어 있지만, 이 실시예에서는 자동보정을 「한다」로 선택한 것으로 한다.

또한 상기 제어부(4)는 제어대상인 전술한 도포 유닛(2), 현상 유닛(15), 선반 유닛(U1, U2, U3)에 설치되는 가열·냉각장치 유닛(10), 주반송수단(14) 및 반송수단(13,16) 등의 반송장치(8) 및 막두께 측정유닛(3)에 각각 컨트롤러(20, 15a, 10a, 8a) 및 컴퓨터(30)을 통하여 접속되어 있다.

여기에서 스핀커브와 레시피와의 관계에 관하여 설명한다. 전술한 바와 같이 본 실시예에서는 레시피 작성 화면에서 당해 레시피가 참조하는 스핀커브를 입력하는 구성으로 되어 있고, 상기 회전수-막두께 데이터에 의거하여 작성된 각 스핀커브가 스핀커브 저장부(52)에 저장되는 동시에, 모든 레시피는 예를 들면, 도7에 나타나 있는 바와 같이, 레시피A-스핀커브S1, 레시피MA-스핀커브S1과 같이 조를 이루어 저장된다. 여기에서 레시피와 스핀커브가 링크되어 있다는 것은, 레시피에서 설정된 목표 막두께에 의거하여 기판의 확산 회전수를 구하는 경우에, 컴퓨터가 그 스핀커브를 참조하도록 구성되어 있다는 것을 의미하고, 구체적으로는 예를 들면 그 레시피의 목표 막두께에 따른 상기 회전수를 구할 때에 저장부로부터 불러야 할 프로그램에 입력되어 있는 에리어(번지)가 그 스핀커브의 데이터가 저장되어 있는 에리어로 되어 있다는 것이다.

그런데 레시피는 웨이퍼(W)의 반송경로의 차이에 의하여 막두께 측정유닛(3)을 경유하는 것과 경유하지 않는 것의 두 가지로 크게 나눌 수 있다. 전자는 예를 들면 보통의 제품 제조용인 소위 생산 모드에서 사용되는 레시피로서, 도7에 나타나 있는 레시피A∼D가 이에 상당한다. 후자는 웨이퍼(W)가 막두께 측정유닛(3)을 경유하고, 여기에서 막두께를 측정하여 얻어지는 막두께 측정 데이터 등에 의거하여 도포 유닛(2)에서의 상기 회전수(회전속도)를 보정하기 위하여 막두께 측정 모드에서 사용되는 레시피로서, 레시피MA∼MD가 이에 상당한다.

각 레시피에서 사용되는 웨이퍼의 종류는, 상기한 각 모드의 목적에서도 알 수 있는 바와 같이, 생산 모드에서는 제품 웨이퍼가 사용되고, 막두께 측정 모드에서는 필요에 따라 제품 웨이퍼와 막두께 측정용 기판인 모니터 웨이퍼로 나누어 사용할 수 있다. 구체적인 예를 들면, 회전수의 보정작업은 생산 모드용의 레시피에 의거하여 제품 웨이퍼를 우선 처리하고, 일정 매수의 처리마다 막두께 측정 모드용의 레시피에 의하여 제품 웨이퍼의 레지스트막의 막두께를 측정하여 그 측정데이터에 의거하여 보정하여도 좋고 또는 예를 들면 베어 웨이퍼로 이루어지는 모니터 웨이퍼를 사용하여 보정하여도 좋지만, 여기에서는 후자의 예에 따라 설명한다.

또한 도7에서 레시피A, B, MA, MB의 각각에 스핀커브(S1)가 링크되어 있는 것에서도 알 수 있는 바와 같이, 복수의 레시피는 하나의 스핀커브를 공통으로 하여 링크시킬 수 있다. 전술한 바와 같이 막두께 측정 모드에 있어서의 레시피는 도포 유닛(2)에서의 웨이퍼(W)회전수를 보정하고, 이 보정에 의하여 생산 모드에서의 도포막의 막두께를 적정화시키는 것이므로, 하나의 스핀커브에는 생산 모드용의 레시피와 막두께 측정 모드용의 레시피가 각각 링크되어 있고, 공통의 스핀커브에 링크되는 생산 모드용의 레시피에는 막두께 측정 모드용의 레시피에 의거하여 얻어지는 상기 회전수의 보정결과가 반영된다.

구체적인 예를 들면 도8에 나타나 있는 바와 같이 막두께가 6000Å∼8000Å의 도포막에 대응하는 스핀커브S1에 생산 모드용의 레시피A(목표 막두께6500Å), 레시피B(목표 막두께7500Å)와 이들 레시피A, B에 각각 대응하는 막두께 측정 모드용의 레시피MA(목표 막두께6500Å) 및 레시피MB(목표 막두께7500Å)를 링크시키는 경우에는, 이들 레시피A, B, MA, MB가 스핀커브S1을 참조하는 동시에, 예를 들면 레시피MA 및/또는 레시피MB로부터 얻어지는 회전수의 보정결과가 당해 스핀커브에 링크되어 있는 다른 각 레시피에 반영된다.

다음에 상기한 도8의 모델에 의거하여 도9에 나타나 있는 웨이퍼(W)의 반송루트를 참조하면서, 본 실시예의 작용에 대하여 설명한다. 여기에서는 상기한 도포막 형성장치에 있어서 공통의 레지스트액을 사용하는 2개의 도포 유닛(2-1, 2-2)를 사용하는 것으로 하고, 레시피A, MA에는 웨이퍼(W)가 도포 유닛(2-1)을 경유하도록, 레시피B, MB에는 웨이퍼(W)가 도포 유닛(2-2)를 경유하도록 각각 설정되어 있다. 또한 생산 모드용의 레시피A, B에서의 웨이퍼(W)의 반송경로와 막두께 측정 모드용의 레시피MA, MB에서의 웨이퍼(W)의 반송경로와의 차이를 설명하면, 전자는 캐리어 재치부(12)로부터 반송되는 웨이퍼(W)가 도포 유닛(2-1,2-2), 막두께 측정 유닛(3)을 경유한 후, 노광장치(200), 현상 유닛(15)를 경유하여 캐리어 재치부 (12)로 되돌려지는 데에 반하여, 후자에서는 이 예에서는 막두께 측정유닛(3)반출후의 웨이퍼(W)가 노광장치(200) 및 현상 유닛(15)를 경유하지 않고 캐리어 재치부 (12)로 되돌려지게 되어 있다.

상기 장치에서는 레지스트 패턴의 형성에 앞서서, 미리 레시피(코우터 (coater) 레시피)의 작성이 이루어지지만, 레시피 작성에 있어서는 레지스트막의 목표 막두께 및 도포막 형성시의 웨이퍼(W)회전수를 설정(결정)하여야 한다. 즉 어느 회전수의 경우에는 어떤 크기의 막두께가 얻어지는가를 실제로 생산을 시작하기 전에 미리 설정(결정)하여야 한다. 이 설정(결정)에 관하여 도10에 나타나 있는 플로우를 참조하면서 설명한다.

레시피A에 목표 막두께6500Å을 우선 입력하고(스텝1), 이어서 이 레시피A와 실질적으로 동일한 모니터용 레시피MA를 사용하여 상기 회전수와 막두께 측정 데이터를 얻는다(스텝2). 구체적으로는 이 스텝2는, 도5에 나타나 있는 운전모드 선택부(44)에 의하여 스핀커브 작성 모드를 선택하고, 모니터 웨이퍼 예를 들면 베어 웨이퍼를 복수 매 준비하여, 이들 모니터 웨이퍼를 순서대로 도포 유닛(2)로 반입하여 각 모니터 웨이퍼의 회전수를 여러 가지 값으로 각각 설정하고, 그 표면에 도포액인 레지스트를 도포하는 동시에 각 레지스트막의 막두께를 막두께 측정유닛(3)에서 측정하는 공정이다. 막두께의 측정 데이터는 예를 들면 웨이퍼의 지름을 따른 막두께 분포이고, 이 막두께 분포에서의 평균 막두께와 상기 회전수와의 관계인 전술한 스핀커브(S1)을 상기 스핀커브 작성부(51)에 의하여 작성하고, 이것을 상기 스핀커브 저장부(52)내에 저장한다(스텝3). 스핀커브S1은 예를 들면 회전수2000 ∼ 3000rpm의 사이에서 40rpm의 간격으로 플롯(plot)되어 작성된다.

그리고 오퍼레이터가 각 레시피의 목표 막두께에 대응하는 회전수를 스텝3에서 얻어진 스핀커브S1에 의거하여 결정할 것인가 아닌가를 판단한다(스텝4). 전술한 바와 같이 스핀커브S1에 레시피A, MA, B, MB를 링크시키는 경우에는, 오퍼레이터는 우선 조작 패널상에서 레시피A, B에 링크된 스핀커브를 스핀커브S1로 결정하는 조작을 하고, 이것을 받아서 레시피 작성부(41)이 가지고 있는 프로그램은, 상기 스핀커브S1로부터 각각 레시피의 목표 막두께에 대응하는 회전수 즉 레시피A에서는 목표 막두께6500Å에, 레시피B에서는 목표 막두께7500Å에 각각 대응하는 회전수를 구하여 각각의 회전수를 레시피A, B에 자동설정한다(스텝5). 그리고 레시피 작성부(41)은 레시피A, B와 마찬가지로 막두께 측정 모드용의 레시피MA, MB에 관하여 회전수를 자동설정한다. 또한 결정하지 않는 경우에는 이 플로우를 종료한다. 또 작성된 스핀커브S1에 레시피A를 링크시킬 때에는 예를 들면 알람을 울리도록 하여 확인을 재촉하여도 좋다.

상기한 플로우는, 장치의 상승시나 새로운 레지스트를 사용하는 때 등에 있어서 처음으로 스핀커브를 작성하는 경우에 관하여 설명한 것으로서, 예를 들면 스핀커브S0(도면에는 나타내지 않는다)이 미리 작성되어 있는 경우에는 스텝1∼스텝3을 통하여 신규한 것으로 수정된 스핀커브S1로 자동 갱신된다. 그리고 스핀커브가 S1로 갱신되면, 오퍼레이터는 지금까지 스핀커브S0으로 링크되어 있던 모든 레시피A, MA, B, MB를 일괄하여 스핀커브S1로 링크시킬 것인가 아닌가를 결정한다( 스텝4). 링크시키기로 결정한 경우에는 스핀커브S1에 의거하여 각 레시피A, MA, B, MB의 목표 막두께에 대한 회전수가 구해지고, 당해 회전수가 자동적으로 레시피에 설정(재설정)된다. 여기에서 말하는 「회전수 설정」은 재설정시에는 새롭게 수정된 스핀커브에 의거하는 회전수 보정(절대치 보정)의 의미가 되기 때문에, 이들을 총칭하여 도10에서는 절대치 보정이라는 용어를 사용하고 있다.

또한 스핀커브S0 대신 신규로 스핀커브S1을 작성하는 것은 아니고, 예를 들면 스핀커브S0에서 미리 준비되어 있던 스핀커브S1로 치환하는 경우에는, 최초로 스핀커브S1에 레시피A, MA, B, MB를 링크시키고, 그 후에 오퍼레이터가 도면에 나타나 있지 않은 회전수 보정 버튼을 누름으로써(스텝6)각 레시피에 관하여 회전수의 절대치 보정을 하여도 좋은지 어떤지의 확인 메시지가 표시되고(스텝4), 절대치 보정을 하기로 결정한 경우에는 스텝5에서 각 레시피의 재설정이 자동적으로 이루어지고, 하지 않기로 결정한 경우에는 플로우를 종료하다.

그리고 상기한 바와 같이 설정된 레시피A, B의 목표 막두께 및 회전수에 의거하여 생산 모드가 시작되어, 예를 들면 소정 매수의 처리가 종료된 시점에서 레시피 선택부(43)에서 막두께 측정 모드용의 레시피MA, MB가 선택된다.

다음에 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 그 레지스트막의 막두께에 의거하여 이미 설정한 회전수를 보정하는 것에 관하여 도11을 참조하면서 설명한다. 우선 4장의 모니터 웨이퍼를 준비하고, 이들 4장의 모니터 웨이퍼 중에서 최초 2장은 레시피MA를 사용하여 도포 유닛(2-1)에서 도포처리를 하고, 나머지 2장은 레시피MB를 사용하여 도포 유닛(2-2)에서 도포처리를 하고(스텝1), 그 후 도포처리가 종료된 4장의 모니터 웨이퍼의 막두께를 측정하여 회전수 및 막두께 측정 데이터를 얻는다(스텝2). 막두께 측정 데이터란 웨이퍼의 지름을 따라 얻어지는 막두께 분포에서 산출되는 레인지 폭, 3σ 및 막두께 평균치 등을 가리키는 것이고, 레인지 폭이란 막두께의 최대치와 최소치의 차이이고, 3σ란 표준편차의 3배 값이다. 상기 회전수 보정부(6)은 예를 들면, 상기 레인지 폭이 도6에 나타나 있는 설정화면에서 이미 설정한 레인지 폭의 설정치 이내인가 아닌가를 각 웨이퍼마다 판단하여(스텝3), 한 장이라도 설정치에서 벗어나는 것이 있으면 장치 등의 이상이라고 판단하여 상기 경보 발생수단(7)에서 알람을 출력하여(스텝4), 예를 들면 오퍼레이터의 조작에 의하여 보정작업을 중지한다. 4장의 모든 웨이퍼가 설정치 이내이면 스텝5로 진행한다. 상기 스텝3의 판단공정은, 레인지 폭 대신 3σ를 사용하고, 도6의 입력화면에서 설정한 설정치와 비교하여 3σ가 설정치 이내이면 스텝5로 진행하여도 좋다. 또 레인지 폭 및 3σ 중 어느 하나가 설정치 이내인 경우에 스텝5로 진행하여도 좋다.

스텝5에서는 각 웨이퍼에 관하여 막두께 평균치가 상기 입력화면에서 설정한 평균치 시프트 폭 이내인가 아닌가를 판단하여, 4장의 모든 웨이퍼가 설정치 이내이면 상기 회전수를 보정할 필요 없이 지금까지의 회전수 설정치를 사용하여 도포처리를 하면 되므로 보정 프로그램을 종료하고, 설정치로부터 벗어나 있으면 스텝6으로 진행한다. 이 평균치 시프트 폭이란, 막두께 평균치가 목표 막두께와 완전하게 일치하지 않더라도, 허용범위 이내에 있다면 프로세스에 영향을 끼치지 않는다라고 취급할 수 있는 당해 허용범위를 가리키는 것이다.

스텝6에서는, 막두께를 측정한 상기 4장의 웨이퍼에 있어서의 막두께 측정치 (막두께 평균치)와 스핀커브S1을 사용하여 각 레시피의 회전수 보정이 이루어진다. 이 스텝6의 회전수 보정에 관하여 도12를 참조하면서 설명하면, 예를 들면 레시피 MA에 의거하여 도포막을 형성한 하나의 웨이퍼 막두께a가 목표 막두께a0과 다른 경우에는, 우선 스핀커브S1로부터 막두께a에 대응하는 확산 회전수p와 현재의 확산 회전수(원래대로 되었다면 목표 막두께a0으로 되는 확산 회전수)p0와의 차이가 계산된다.

따라서, 레시피MA에 설정되어 있는 회전수p0으로 도포한 결과가 막두께a인 것을 알 수 있지만, 전술한 스핀커브S1에 의하면 막두께a에 대응하는 회전수는 p이기 때문에, (p0 - p)만큼 레지스트액의 확산량이 감소하여 막두께가 증가하였다고 생각할 수 있다. 여기에서 회전수 보정부(6)은 현재의 막두께a가 목표치a0에 가깝게 되도록, 현재의 회전수p0에 보정치Xrpm = (p0 - p)만 부가하여 상대적으로 막두께를 감소시키고, 이에 따라 막두께가 목표치a0에 가깝게 되도록 한다.

이와 같이 보정치X는 4장의 모든 웨이퍼에 관하여 산출되지만 구체적으로 설명하면, 레시피MA에 의거하여 도포막 형성이 이루어진 2장의 웨이퍼에 관하여는 상기한 바와 같이 목표 막두께a0을 6500Å으로 하고, 남은 2장의 레시피MB에 의하여 도포막 형성이 이루어진 웨이퍼에 관하여는 목표 막두께a0을 7500Å으로 하여 각각의 보정치가 산출되고, 이들 4개 보정치의 평균치X'를 갖고서 공통의 스핀커브S1에 링크된 레시피A, MA, B, MB 각각의 회전수 보정치로 의제한다. 따라서 레시피A, MA에서는 막두께6500Å에 대응하는 회전수 +X'rpm, 레시피B, MB에서는 막두께7500 Å에 대응하는 회전수 +X'rpm이 각각 보정된 회전수가 된다.

그러나, 보정된 회전수가 지나치게 크거나 작은 경우에는, 도포 유닛(2)에서 목표가 되는 막두께로 레지스트를 도포할 수 없게 될 우려가 있기 때문에, 스텝6에 이어지는 스텝7에서는 상기한 레시피A, MA, B, MB 각각에 있어서의 보정된 회전수가 보정 허용치 이내에 들어 있느냐 아니냐를 판단한다. 예를 들면 보정된 회전수가 레시피A에서 3100rpm, 레시피B에서 2600rpm이라면, 이들을 전술한 회전수 보정 허용치(2000∼3000rpm)와 대조하여, 레시피A는 허용치로부터 벗어나 있고, 레시피B는 허용치에 들어 있다고 판단하는 바와 같이 각 레시피마다 별개로 판단할 수 있다.

그리고, 보정된 회전수가 보정 허용치에서 벗어나 있는 레시피가 있으면 상기 스텝4로 진행하여 알람을 출력하고, 모든 레시피에 관하여 보정 허용치 이내라고 판단되면 스텝8로 진행하여, 회전수 보정부(6)의 레시피 변경 명령에 의거하여 각 레시피의 회전수 설정치가 보정치X'rpm만큼 보정된다. 그리고 다시 입력된 각 레시피는 레시피 저장부(42)에 저장되고, 이 후에는 보정된 회전수를 사용하여 레지스트액의 도포처리가 이루어진다.

상기 실시예에 의하면, 도포 유닛에 있어서의 처리조건이 다른 복수의 레시피에 관하여 공통의 스핀커브를 참조할 수 있도록 하기 위하여, 각각의 레시피에 대응하는 스핀커브를 별개로 준비할 필요가 없이, 가령 한 번 설정된 스핀커브가 변경되더라도 모든 레시피의 내용을 일괄하여 보정(절대치 보정)할 수 있다.

이에 부가하여 하나의 스핀커브S1에 대한 레시피의 링크 모양은, 상기 처리 조건은 일치하지만 웨이퍼의 반송경로(모드)가 다른 레시피끼리(레시피A와 레시피B)링크하는 것이어도 좋고, 상기 처리조건은 다르지만 상기 모드가 일치하는 레시피끼리(레시피A와 레시피MA, 레시피B와 레시피MB) 링크하는 것이어도 좋고, 상기한 예에서는 이들 4종류를 전부 링크시키고 있기 때문에, 생산라인 가동후에 있어서의 레시피의 회전수 설정치의 보정(상대치 보정)작업시에는 어느 하나의 레시피에 의거하여 회전수 보정치X'가 구해지면 일괄하여 모든 레시피 내의 회전수 설정치를 다시 입력시킬 수 있다.

도13은 이상과 같이 레시피의 회전수가 보정된 후에 있어서의 공통의 회전수 -막두께 데이터(스핀커브S1')를 나타내는 도면이다. 도13에 나타나 있는 바와 같이 이 스핀커브S1'에서, 예를 들면 임의의 회전수p1, p2, p3을 선택하고, 이들 회전수p1, p2, p3에 대응하는 막두께a1, a2, a3을 각각 산출한다.

한편 실제 회전수p1, p2, p3에 의하여 도포막을 형성하고, 이렇게 형성된 도포막의 막두께를 실제로 측정한다. 이들 실제로 측정된 막두께를b1, b2, b3으로 한다.

그리고 도14에 나타나 있는 스텝9에 있어서, 각각 산출된 막두께a1, a2, a3가 각각 b1, b2, b3에 대응하고 있느냐 아니냐를 판단한다. 이 대응은 완전하게 일치하는 것이 아니더라도, 예를 들면 소정의 허용범위 이내에 들어 있으면, 상기 회전수 보정은 정상으로 이루어진 것이라고 판단한다. 당해 허용범위 이내에 들어 있지 않으면, 예를 들면 알람 출력(스텝4)을 하여도 좋다. 이와 같이 보정결과를 검증함으로써 회전수 보정의 신뢰성을 한층 더 향상시킬 수 있다.

또 이 보정결과의 검증에 있어서, 임의의 회전수를 선택하는 것으로서 p1, p2, p3이라는 3점을 잡았지만, 검증의 신뢰성을 높이기 위하여 다수의 회전수를 더 선택하여도 좋다.

본 실시예는, 모니터용의 웨이퍼를 4장 준비하고, 2장은 레시피MA에 의거하여 도포 유닛(2-1)에, 나머지 2장은 레시피MB에 의거하여 도포 유닛(2-2)에 보내서 도포처리를 하고, 그 후에 4장 모두 막두께를 측정하였지만, 이 예와 마찬가지로 레시피MA(레시피A)와 레시피MB(레시피B)가 공통의 스핀커브S1에 링크되어 있으면, 예를 들면 1장의 웨이퍼를 레시피MA에 의거하여 도포처리하고, 얻어진 보정치X에 의하여 레시피A, MA, B, MB의 회전수 설정치를 일괄하여 보정할 수도 있다.

또한 도포 유닛은 복수의 경우에 한정되지 않고, 예를 들면 도포, 현상장치 (100)에 하나의 도포 유닛(2-1)만이 구비되고 있는 경우이더라도, 생산 모드용, 막두께 측정 모드용에 한하지 않고 목표 막두께가 다른 복수의 레시피가 공통의 스핀커브에 링크시켜도 좋고, 이러한 경우에도 상기한 예와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한 본 실시예는 도포, 현상장치(100)의 구성이 막두께 측정유닛(3)을 장치의 외부에 설치한 것이더라도 좋다.

이상에 있어서 본 실시예에서 사용되는 기판은 LCD기판이어도 좋다. 또한 도포액으로서는 레지스트액에 한하지 않고 층간절연(層間絶緣) 재료, 저유전체(低誘電體) 재료, 강유전체(强誘電體) 재료, 배선 재료, 유기금속 재료, 금속 페이스트(金屬 paste) 등을 사용하여도 좋다.

이상과 같이 본 발명에 의하면, 기판에 스핀코팅법에 의한 도포막을 형성할 때에, 당해 도포막의 목표 막두께에 대응하는 기판의 회전수 설정 및 재설정 또는 당해 회전수를 최적치로 보정하는 작업의 작업량을 경감시킬 수 있다.

Claims (10)

1. 복수 매의 기판을 지지하는 캐리어가 재치되는 캐리어 재치부와,

   상기 캐리어 재치부에 재치된 캐리어로부터 기판을 받아 반송하는 반송수단과,

   상기 반송수단으로부터 반송된 기판을 기판 지지부로 수평으로 지지하고, 상기 기판에 도포액을 공급하는 동시에 상기 기판 지지부를 회전시켜 기판의 회전에 의한 원심력에 의하여 도포액을 확산시켜 기판 표면에 도포막을 형성하는 도포 유닛과,

   상기 기판 표면에 형성된 도포막의 막두께를 측정하는 막두께 측정유닛과,

   상기 도포 유닛에 있어서의 도포처리시 기판의 회전수와 도포막의 막두께와의 관계를 나타내는 회전수-막두께 데이터를 저장하는 데이터 저장부와,

   상기 도포 유닛에 있어서의 도포막의 목표 막두께 및 도포처리시의 기판의 회전수를 포함하는 처리조건군이 기재되는 레시피를 작성하는 레시피 작성부와,

   상기 레시피 작성부에서 작성된 레시피에 의하여 설정된 목표 막두께와, 막두께 측정 데이터와, 당해 레시피에 할당된 회전수-막두께 데이터에 의거하여, 도포막의 막두께가 목표치가 되도록 상기 회전수의 설정치를 보정하는 회전수 보정부를 갖추고,

   공통의 회전수-막두께 데이터에 복수의 레시피가 할당되고, 이들 각각의 레시피를 사용하여 도포막을 형성하고, 각 도포막의 막두께 측정결과로부터 구한 회전수 보정치의 평균치를 당해 복수 레시피의 회전수 보정치로 하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 회전수 보정부는 막두께 측정 데이터에 의거하여 얻은 기판상의 막두께의 평균치와, 상기 목표 막두께와, 회전수-막두께 데이터에 의거하여 회전수의 보정치를 결정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 공통의 회전수-막두께 데이터에 할당되는 복수의 레시피는 도포액의 종류가 같고 목표 막두께가 다른 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 공통의 회전수-막두께 데이터에 할당되는 복수의 레시피는 기판을 생산할 때에 사용되는 생산용 레시피와, 상기 레시피와 동일한 처리조건에서 모니터 기판에 도포처리를 하여 막두께를 측정하기 위한 막두께 측정용 레시피를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   각 레시피에서의 상기 회전수-막두께 데이터의 할당은 레시피 작성부의 설정 화면에서 회전수-막두께 데이터의 명칭을 입력함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 레시피의 회전수가 보정된 후의 공통의 회전수-막두께 데이터에 의거하여 회전수마다 막두께를 산출하고, 상기 각 산출결과가, 상기 회전수마다 형성된 도포막의 막두께 측정결과에 대하여 각각 허용범위 이내인가 아닌가를 판단하는 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
7. 도포 유닛에 있어서 기판에 형성되는 도포막의 목표 막두께 및 도포처리시의 기판의 회전수가 설정되는 레시피를 작성하는 공정과,

   상기 도포 유닛에서 기판에 도포액을 공급하는 동시에 당해 기판을 수평면을 따라 상기 공정에서 설정된 회전수로 회전시켜 그 원심력에 의하여 도포액을 확산시켜 기판 표면에 도포막을 형성하는 공정과,

   상기 기판 표면에 형성된 도포막의 두께를 측정하는 공정과,

   상기 레시피에 설정된 목표 막두께와, 상기 공정에서 측정하여 얻은 도포막의 막두께 측정 데이터와, 당해 레시피에 할당되어 미리 작성된 회전수-막두께 데이터에 의거하여 도포막의 막두께를 목표치에 가깝게 하기 위한 상기 회전수의 보정치를 결정하는 공정과,

   공통의 회전수-막두께 데이터에 복수의 레시피가 할당되고, 이들 각각의 레시피를 사용하여 도포막을 형성하고, 각 도포막의 막두께 측정결과로부터 구한 회전수 보정치의 평균치를 당해 복수 레시피의 회전수 보정치로 하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 레시피의 회전수가 보정된 후의 공통의 회전수-막두께 데이터에 의거하여 회전수마다 막두께를 산출하고, 상기 각 산출결과가 상기 회전수마다 형성된 도포막의 막두께 측정결과에 대하여 각각 허용범위 이내인가 아닌가를 판단하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
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