KR970077123A - 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치 - Google Patents

도포막 형성방법 및 도포막 형성장치 Download PDF

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유키오 기바
구니에 오가타
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막 형성방법 및 도포막 형성장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
장치를 소형화할 수 있고, 레지스트 도포막의 막두께를 균일하면서 고정밀도로 할 수 있는 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
챔버 내의 스핀척으로 유지된 웨이퍼 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성방법은, (a) 웨이퍼 회전수와 챔버 내에서 웨이퍼 상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악해 두는 공정과, (b) 웨이퍼를 챔버 내에 반입하고, 웨이퍼를 스핀척으로 유지하는 공정과, (c) 웨이퍼에 레지스트액을 뿌림과 동시에, 웨이퍼를 스핀회전시키고, 이것에 의해 웨이퍼 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 공정과, (d) 스핀척의 회전수를 센서에서 검출하는 공정과, (f) 이 검출 막두께 정보와 예비상건 데이터에 의거하여 스핀척의 설정회전수를 수정하고, 다음의 웨이퍼의 레지스트 도포처리를 피드백 제어하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판과 같은 기판에 포토레지스트액과 같은 처리액을 도포하여 도포막을 형성하는 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치에 이용됨.

Description

도포막 형성방법 및 도포막 형성장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명의 도포막 형성장치를 나타낸 단면 블록도, 제5도는 본 발명의 도포막 형성방법에 있어서의 막두께 제어의 절차를 나타낸 플로우챠트.

Claims (25)

  1. 챔버 내의 스핀척으로 유지된 기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성방법으로서, (a) 상기 스핀척에 의해 회전되는 기판의 회전수와 상기 챔버내에서 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타내는 예비상관 데이터를 파악해 두는 공정과, (b) 기판을 상기 챔버 내에 반입하고, 기판을 상기 스핀척으로 유지하는 공정과, (c) 기판에 레지스트액을 뿌림과 동시에, 기판을 스핀회전시키고, 이것에 의해 기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 공정과, (d) 기판표면에 형성된 레지스트 도포막을 막두께를 막두께 검출수단에 의해 검출하는 공정과, (e) 상기 스핀척의 회전수를 회전수 검지수단에 의해 검지하는 공정과, (f) 상기 검출막 두께 및 상기 검출 회전수와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 스핀척이 설정회전수를 수정하고, 다음의 기판의 레지스트 도포처리를 피드백 제어하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정(a)에서는, 기판에 도포될 레지스트액의 온도와 상기 챔버 내에서 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상기 관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하고, 또한 상기 공정(e) 에서도, 기판에 도포되기 직전의 레지스트액의 온도를 검출하고, 또한 상기 공정(f) 에서는, 이 검출온도 및 상기 검출 막두께와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 다음의 기판에 도포될 레지스트액의 온도를 수정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공정(a)에서는, 기판의 표면의 온도와 상기 챔버내에서 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하고, 또한 상기 공정(e)에서는, 레지스트액이 도포되기 직전의 기판의 표면의 온도를 검출하고 또한 상기 공정(f)에서, 이 검출온도 및 상기 검출 막두께와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 다음의 기판의 표면온도를 수정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 레지스트 도포막을 베이크 가열하고, 다시 이것을 냉각한 후에, 상기 막두께 검출공정(d)에서 레지스트 도포막의 막두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 공정(d)에서는 레지스트 도포막의 막두께를 상기 챔버내에서 검출하고, 그 검출정보에 의거하여 그 이후의 기판에 있어서의 레지스트 도포막의 막두께를 차례를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 공정(d)에서는 스핀척상의 기판과 막두께 검출수단을 상대적으로 이동시키면서, 복수 부위에서 레지스트 도포막의 막두께를 검출하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 1롯트 25매의 기판에 레지스트 도포할 때마다, 상기 공정(d)의 레지스트 도포막의 막두께 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 각 기판에 레지스트 도포할 때마다, 상기 공정(d)의 레지스트 도포막의 막두께 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공정(c)의 전에 챔버 내의 분위기를 제어하고, 스핀척상의 기판의 주위 분위기를 레지스트 도포처리에 적합한 분위기로 조정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  10. 챔버 내의 스핀척으로 유지된 기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법으로서, (A) 상기 스핀척에 의해 회전되는 더미 기판의 회전수와 상기 챔버내에서 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하여 두는 공정과, (B) 제품기판을 상기 챔버내에 반입하고, 제품기판을 상기 스핀척으로 유지하는 공정과, (C) 제품기판에 레지스트액을 뿌림과 동시에, 제품기판을 스핀회전시키고, 이것에 의해 제품기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 공정과, (D) 제품기판상에 형성된 레지스트 도포막의 막두께를 막두께 검출수단에 의해 검출하는 공정과, (E) 상기 스핀척의 회전수를 회전수 검지수단에 의해 검지하는 공정과, (F) 상기 검출 막두께 및 상기 검출 회전수와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 스핀척의 설정회전수를 수정하고, 다음의 제품기판의 레지스트 도포처리를 피드백 제어하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 공정(A)에서는, 더미 기판에 도포될 레지스트액의 온도와 상기 챔버내에서 더미기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타내는 예비상관 데이터를 파악하고, 또한 상기 공정(E)에서는, 제품기판에 도포되기 직전의 레지스트액의 온도를 검출하고, 또한 상기 공정(F)에서는, 이 검출온도 및 상기 검출 막두께와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 다음의 제품기판에 도포될 레지스트액의 온도를 수정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 공정(A)에서는, 더미 기판의 표면의 온도와 상기 챔버내에서 더미 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하고, 또한 상기 공정(E)에서는, 레지스트액이 도포되기 직전의 제품기판의 표면의 온도를 검출하고, 또한 상기 공정(F)에서는, 이 검출온도 및 상기 검출 막두께와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 다음의 제품기판의 표면온도를 수정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  13. 제10항에 있어서, 레지스트 도포막을 베이크 가열하고, 또한 이것을 냉각한 후에, 상기 막두께 검출공정(D)에서 레지스트 도포막의 막두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  14. 제10항에 있어서, 더미 기판에 형성된 레지스트 도포막의 막두께를 검출한 후에, 더미 기판으로부터 레지스트 도포막을 제거하고, 이 더미 기판을 상기 공정(A)에서 다시 이용하여 다른 예비상관 데이터를 파악하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  15. 제13항에 있어서, 더미 기판에 형성된 레지스트 도포막의 막두께를 검출한 후에, 더미 기판으로부터 레지스트 도포막을 제거하고, 이 더미 기판을 상기 공정(A)에 다시 이용하여 다른 예비상관 데이터를 파악하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 공정(C) 전에 챔버내의 분위길를 제어하고, 스핀척 상의 기판의 주위 분위기를 레지스트 도포처리에 적합한 분위기로 조정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  17. 제10항에 있어서, 1롯트 25매의 기판에 레지스트 도포할 때마다, 상기 공정(D)의 레지스트 도포막의 막두께 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  18. 제10항에 있어서, 각 기판에 레지스트 도포할 때마다, 상기 공정(D)의 레지스트 도포막의 막두께 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  19. 제10항에 있어서, 상기 공정(D)에서는, 스핀척 상의 기판과 막두께 검출수단을 상대적으로 이동시키면서, 복수부위에서 레지스트 도포막의 막두께를 검출하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  20. 기판의 표면에 레지스트액을 공급함과 동시에, 기판을 스핀회전시키고, 기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성장치로서, 챔버와, 이 챔버 내에 설치되고, 기판을 유지하는 스핀척과, 이 스핀척을 스핀회전시키는 회전구동수단과, 상기 스핀척상의 기판에 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급수단과, 상기 챔버 내에 설치되고, 기판의 표면에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께를 검출하는 막두께 센서와, 상기 막두께 센서로부터의 막두께 검출신호에 의거하여 상기 회전구동수단을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  21. 제20항에 있어서, 레지스트액의 온도를 검출하는 제1의 온도센서와, 기판에 도포될 레지스트액의 온도를 조정하는 제1의 온도조정수단을 더욱 가지며, 상기 제어수단은 제1온도센서로부터의 검출신호 및 막두께 센서로부터의 막두께 검출신호에 의거하여 상기 제1의 온도조정수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  22. 제20항에 있어서, 기판의 표면온도를 검출하는 제2온도센서와, 기판의 표면의 온도를 조정하는 제2의 온도조정수단을 가지며, 상기 제어수단은 제2온도센서로부터의 검출신호 및 막두께 센서로부터의 막두께 검출신호에 의거하여 상기 제2의 온도조정수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  23. 제20항에 있어서, 기판상에 형성될 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하기 위해 이용되는 더미 기판을 온도조정하기 위한 제3의 온도조정수단을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 더미 기판의 표면에 형성된 레지스트 도포막을 제거하기 위한 용제를 더미 기판을 향하여 뿌리는 용제공급수단을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  25. 제20항에 있어서, 상기 스핀척의 회전수를 검출하는 회전수 검출센서를 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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