JPH03178123A - スピンコーターの塗布膜厚安定化システム - Google Patents
スピンコーターの塗布膜厚安定化システムInfo
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- JPH03178123A JPH03178123A JP31703389A JP31703389A JPH03178123A JP H03178123 A JPH03178123 A JP H03178123A JP 31703389 A JP31703389 A JP 31703389A JP 31703389 A JP31703389 A JP 31703389A JP H03178123 A JPH03178123 A JP H03178123A
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 33
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本願発明はスピンコーターの塗布膜厚安定化システムに
係り、特にスピン塗布による底膜を用いる分野、半導体
及び液晶パネル等の製造工程に使用されるシステムに関
する。
係り、特にスピン塗布による底膜を用いる分野、半導体
及び液晶パネル等の製造工程に使用されるシステムに関
する。
〈従来の技術〉
半導体製造分野や液晶パネル等の製造分野においては、
スピンコーターを使用して薬液等（以下レジストを例に
とって説明する）を塗布するのが一般的である。
スピンコーターを使用して薬液等（以下レジストを例に
とって説明する）を塗布するのが一般的である。
この場合、レジスト塗布膜厚の一定化は重要課題である
。このため、従来においては、レジストの温度調節、ス
ピンコーターのサーマルチャンバー化等が行われていた
。またウェハー温度の測定、レジスト塗布時の雰囲気温
度（以下環境温度と記す）およびレジスト塗布時の雰囲
気湿度（以下環境湿度と記す）のチエツクもまた行われ
ている。
。このため、従来においては、レジストの温度調節、ス
ピンコーターのサーマルチャンバー化等が行われていた
。またウェハー温度の測定、レジスト塗布時の雰囲気温
度（以下環境温度と記す）およびレジスト塗布時の雰囲
気湿度（以下環境湿度と記す）のチエツクもまた行われ
ている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、前記各種の測定結果は、単にこれを参考
としてその都度スピンコーターに関係する装置を調節し
ていたに過ぎず、スピンコーターにフィードバックする
ものではなかった。
としてその都度スピンコーターに関係する装置を調節し
ていたに過ぎず、スピンコーターにフィードバックする
ものではなかった。
また前記サーマルチャンバーは確かに効果があるが、こ
れを用いても絶対的に温度を一定にできるものではなく
、±０．２〜０．５°Ｃ程度の温度の変動はどうしても
避けることができない。
れを用いても絶対的に温度を一定にできるものではなく
、±０．２〜０．５°Ｃ程度の温度の変動はどうしても
避けることができない。
第３図はレジスト膜厚と露光時間の関係を示している。
これからレジスト膜厚の変動に対して、レジストの感度
が大きく変化することがわかる。
が大きく変化することがわかる。
すなわち、約６５０人のレジスト膜厚変動に対して感度
は１．３倍の変動を引き起こす。このため、レジスト膜
厚のコントロールが重要となり、少なくとも、１．０μ
ｍ膜厚では±１００Å以下に、２．０μｍ膜厚では±２
００Å以下に膜厚の変動を抑えることが必要である。
は１．３倍の変動を引き起こす。このため、レジスト膜
厚のコントロールが重要となり、少なくとも、１．０μ
ｍ膜厚では±１００Å以下に、２．０μｍ膜厚では±２
００Å以下に膜厚の変動を抑えることが必要である。
一方、第４図に示すように、あるレジストでは環境温度
０．１°Ｃの変化に対し、膜厚は５０人の変動を生しる
ものもあり、環境温度の制御が重要であることを示して
いる。しかしながら、上述したように、サーマルチャン
バーを用いても、±０．２〜０．５°Ｃの温度の変動は
避けがたいので、従ってこの場合、上記レジストでは±
１００〜±２５０μ国の膜厚変動は避けられないことに
なる。
０．１°Ｃの変化に対し、膜厚は５０人の変動を生しる
ものもあり、環境温度の制御が重要であることを示して
いる。しかしながら、上述したように、サーマルチャン
バーを用いても、±０．２〜０．５°Ｃの温度の変動は
避けがたいので、従ってこの場合、上記レジストでは±
１００〜±２５０μ国の膜厚変動は避けられないことに
なる。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、上記各要
因が変動しても、常に一定のレジスト膜厚を得ることの
できる新規なスピンコーターの塗布膜厚安定化システム
を提供することを目的としている。
因が変動しても、常に一定のレジスト膜厚を得ることの
できる新規なスピンコーターの塗布膜厚安定化システム
を提供することを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
本願発明に係るスピンコーターの塗布膜厚安定化システ
ムは、環境温度センサーと、環境湿度センサーと、ウェ
ハー温度センサーと、塗布液温度センサーと、一つ以上
の前記センサーの測定値のそれぞれの所定値からの変動
に応じて、一定の塗布膜厚をウェハーに形成するように
スピンコーターの回転数を制御するコントローラとを備
えたことを特徴としている。
ムは、環境温度センサーと、環境湿度センサーと、ウェ
ハー温度センサーと、塗布液温度センサーと、一つ以上
の前記センサーの測定値のそれぞれの所定値からの変動
に応じて、一定の塗布膜厚をウェハーに形成するように
スピンコーターの回転数を制御するコントローラとを備
えたことを特徴としている。
〈作用〉
環境温度、環境湿度、ウェハーの温度および塗布液温度
は各センサによって測定される。測定結果はコントロー
ラに入力される。コントローラは予め入力されている情
報に基づいて、レジスト膜厚が一定になるようにスピン
コーターの回転数を決定し、スピンモータにフィードバ
ックする。
は各センサによって測定される。測定結果はコントロー
ラに入力される。コントローラは予め入力されている情
報に基づいて、レジスト膜厚が一定になるようにスピン
コーターの回転数を決定し、スピンモータにフィードバ
ックする。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する０本
実施例は、ウェハーにスピンコーターでレジストを塗布
する場合における塗布膜厚安定化システムであって、環
境温度、環境湿度、ウェハー温度およびレジスト温度を
測定し、これらの測定結果でスピンコーターの回転速度
を変化して所定の膜厚を有するレジストをウェハー上に
形成するものである。因みに、標準的な上記温度、湿度
の例を挙げると、環境温度は２４°Ｃ１環境湿度は４４
〜４５％、ウェハー温度は２３．５〜２４°Ｃである。
実施例は、ウェハーにスピンコーターでレジストを塗布
する場合における塗布膜厚安定化システムであって、環
境温度、環境湿度、ウェハー温度およびレジスト温度を
測定し、これらの測定結果でスピンコーターの回転速度
を変化して所定の膜厚を有するレジストをウェハー上に
形成するものである。因みに、標準的な上記温度、湿度
の例を挙げると、環境温度は２４°Ｃ１環境湿度は４４
〜４５％、ウェハー温度は２３．５〜２４°Ｃである。
スピンコーターの回転速度を適宜にすることによってウ
ェハー上に形成されるレジストの膜厚を制御できること
が、第２図に示すスピンコーターの回転数と、ウェハー
上に形成されるレジストの膜厚との関係によって説明で
きる。即ち、第２図に示すように、スピンコーターの回
転数が２５００〜３５００ｒｐｍの範囲において、膜厚
の変動は３２．５人／１０ ｒｐｍである。第３図で説
明したように、環境温度０．１°Ｃの変動に対する膜厚
の変化は５０人であるから、スピンコーターの回転数が
上記の２５００〜３５００ｒｐｍの範囲においては、±
０．１°Ｃの環境温度の変動に対して、±１５ｒｐｍの
回転数変動をスピンコーターに与えればよい。
ェハー上に形成されるレジストの膜厚を制御できること
が、第２図に示すスピンコーターの回転数と、ウェハー
上に形成されるレジストの膜厚との関係によって説明で
きる。即ち、第２図に示すように、スピンコーターの回
転数が２５００〜３５００ｒｐｍの範囲において、膜厚
の変動は３２．５人／１０ ｒｐｍである。第３図で説
明したように、環境温度０．１°Ｃの変動に対する膜厚
の変化は５０人であるから、スピンコーターの回転数が
上記の２５００〜３５００ｒｐｍの範囲においては、±
０．１°Ｃの環境温度の変動に対して、±１５ｒｐｍの
回転数変動をスピンコーターに与えればよい。
第１図は、上記のような根拠に基づいて創案された本発
明の一実施例の概略構成図である。同図に示すように、
本実施例の塗布膜厚安定化システムを適用したスピンコ
ーターは、ウェハーチャック１１と、ウェハーチャック
１１の裏面の中心から延設された回転軸１２と、ウェハ
ーチャック１１を側方および下方から囲い、前記回転軸
１２が貫通しているカップ１３と、カップ１３を覆うよ
うにウェハーチャック１１の上方に配設されたカバー１
４と、レジスト３０を滴下するためにウェハーチャック
１１の上方に設けた塗布液滴下ノズル１６とを備えてい
る。回転軸１２は、回転軸１２を回転させるスピンモー
タ１５に連結されている。そして、ウェハーチャック１
１の表面にはレジスト３０が塗布されるウェハー１が載
置固定されている。
明の一実施例の概略構成図である。同図に示すように、
本実施例の塗布膜厚安定化システムを適用したスピンコ
ーターは、ウェハーチャック１１と、ウェハーチャック
１１の裏面の中心から延設された回転軸１２と、ウェハ
ーチャック１１を側方および下方から囲い、前記回転軸
１２が貫通しているカップ１３と、カップ１３を覆うよ
うにウェハーチャック１１の上方に配設されたカバー１
４と、レジスト３０を滴下するためにウェハーチャック
１１の上方に設けた塗布液滴下ノズル１６とを備えてい
る。回転軸１２は、回転軸１２を回転させるスピンモー
タ１５に連結されている。そして、ウェハーチャック１
１の表面にはレジスト３０が塗布されるウェハー１が載
置固定されている。
また、本実施例の塗布膜安定化システムは、カバー１４
に取り付けられた環境温度・湿度センサー２１と、停止
した回転軸１２に接触できるように配設されたウェハー
温度センサー２２と、塗布液滴下ノズル１６に取り付け
られた塗布液温度センサー２３と、これら３個のセンサ
ーからの信号を受信し、受信した信号から回転軸１２に
要求する回転数を算出し、算出した結果に基づいてスピ
ンモータＩ５の回転数を制御するコントローラ２０とを
備えている。
に取り付けられた環境温度・湿度センサー２１と、停止
した回転軸１２に接触できるように配設されたウェハー
温度センサー２２と、塗布液滴下ノズル１６に取り付け
られた塗布液温度センサー２３と、これら３個のセンサ
ーからの信号を受信し、受信した信号から回転軸１２に
要求する回転数を算出し、算出した結果に基づいてスピ
ンモータＩ５の回転数を制御するコントローラ２０とを
備えている。
なお、ウェハーチャック１１の表面には、ウェハー１の
温度を測定するために、ウェハー１に接触する図示しな
いセンサーが設置されており、このセンサーは回転軸１
２中に設けた図示しないリード線により回転軸１２の前
記ウェハー温度センサー２２に接触する部分に接続され
ている。従って、ウェハー温度センサー２２はウェハー
１の温度を測定することができる。
温度を測定するために、ウェハー１に接触する図示しな
いセンサーが設置されており、このセンサーは回転軸１
２中に設けた図示しないリード線により回転軸１２の前
記ウェハー温度センサー２２に接触する部分に接続され
ている。従って、ウェハー温度センサー２２はウェハー
１の温度を測定することができる。
また、環境温度、環境温度、ウェハー１の温度およびレ
ジス）３０の温度のそれぞれの標準値を設定し、これら
の標準値に対する回転軸１２の標準回転数が設定されて
コントローラ２０に記憶されている。更に、環境温度、
環境温度、ウェハー１の温度およびレジスト３０の温度
が、それぞれ、それぞれの前記標準値から変化した場合
に、それぞれの変動値に対応して変化させるべき回転軸
１２の回転数も予め決められてコントローラ２０に記憶
されている。例えば、環境温度が標準値から変化した場
合に変化させる回転軸１２の回転数は、±１５ｒｐｌＩ
１１０゜１℃であり、スピンモータ１５の回転数をこの
±１５ｒｐｍだけ変化させることは、最新のサーボ系で
は十分に可能である。
ジス）３０の温度のそれぞれの標準値を設定し、これら
の標準値に対する回転軸１２の標準回転数が設定されて
コントローラ２０に記憶されている。更に、環境温度、
環境温度、ウェハー１の温度およびレジスト３０の温度
が、それぞれ、それぞれの前記標準値から変化した場合
に、それぞれの変動値に対応して変化させるべき回転軸
１２の回転数も予め決められてコントローラ２０に記憶
されている。例えば、環境温度が標準値から変化した場
合に変化させる回転軸１２の回転数は、±１５ｒｐｌＩ
１１０゜１℃であり、スピンモータ１５の回転数をこの
±１５ｒｐｍだけ変化させることは、最新のサーボ系で
は十分に可能である。
次に、本実施例の動作について説明する。
ウェハーチャックＩｆの表面にウェハーｌを搭載する。
そして、ウェハー１の表面に塗布液滴下ノズル１６から
レジスト３０が滴下される。この時、ウェハー温度セン
サー２２はウェハー１の温度信号Ｃを、塗布液温度セン
サー２３はレジスト３０の温度信号りをそれぞれコント
ローラ２０に送信する。この後、カバー１４内に換気用
の空気が送りこまれる。
レジスト３０が滴下される。この時、ウェハー温度セン
サー２２はウェハー１の温度信号Ｃを、塗布液温度セン
サー２３はレジスト３０の温度信号りをそれぞれコント
ローラ２０に送信する。この後、カバー１４内に換気用
の空気が送りこまれる。
そして、スピンモータ１５が始動されてウェハー１が回
転を開始し、レジスト３０はウェハー１の表面に拡散し
て塗布される。この際、環境温度・湿度センサー２１は
環境温度信号Ａおよび環境湿度信号Ｂをコントローラ２
０に送信する。
転を開始し、レジスト３０はウェハー１の表面に拡散し
て塗布される。この際、環境温度・湿度センサー２１は
環境温度信号Ａおよび環境湿度信号Ｂをコントローラ２
０に送信する。
これらの信号Ａ−Ｄを受信したコントローラ２０は、こ
れらの信号Ａ−Ｄのそれぞれの標準値よりの変動値を把
握し、それぞれの変動値に対して回転軸１１を標準回転
数から変化させるべき回転数を算出し、算出された回転
数に所定の重みを付けて合成した回転数をスピンコータ
ー５に回転軸回転数信号Ｅとして送信する。スピンモー
タ１５は、回転軸回転数信号Ｅに対応する回転数に制御
され、ウェハーｌには一定の膜厚のレジスト３０が塗布
される。
れらの信号Ａ−Ｄのそれぞれの標準値よりの変動値を把
握し、それぞれの変動値に対して回転軸１１を標準回転
数から変化させるべき回転数を算出し、算出された回転
数に所定の重みを付けて合成した回転数をスピンコータ
ー５に回転軸回転数信号Ｅとして送信する。スピンモー
タ１５は、回転軸回転数信号Ｅに対応する回転数に制御
され、ウェハーｌには一定の膜厚のレジスト３０が塗布
される。
上記実施例においては、環境温度、環境湿度、ウェハー
１の温度およびレジスト３０の温度の全ての要素を検出
した場合を説明したが、環境温度のみを検出してスピン
モータ１５の回転数を制御した場合であってもレジスト
３０の膜厚を一定にすることに効果がある。また、環境
温度と他の一つ或いは２つの要素を検出してスピンモー
タ１５の回転数を制御することで、より膜厚を一定に塗
布することができる。
１の温度およびレジスト３０の温度の全ての要素を検出
した場合を説明したが、環境温度のみを検出してスピン
モータ１５の回転数を制御した場合であってもレジスト
３０の膜厚を一定にすることに効果がある。また、環境
温度と他の一つ或いは２つの要素を検出してスピンモー
タ１５の回転数を制御することで、より膜厚を一定に塗
布することができる。
また、上記実施例では、環境温度、環境湿度、ウェハー
１の温度およびレジスト３０の温度の標準値からの変動
値を検出し、この変動値に基づいてスピンモータ１５の
回転数を制御する場合について説明したが、これにこだ
わるものではなく、環境温度、湿度、ウェハーの温度お
よび塗布液温度の測定値から直接スピンモータ１５０回
転数を制御するようにコントローラ２０に与える制御論
理を構成しておくこともできる。そして、上記実施例で
は、レジスト３０をウェハー１に塗布する場合について
説明したが、レジスト３０にこだわるものではなく、例
えば、ＳＯＧ膜の形成等においても本実施例のスピンコ
ーターの塗布膜厚安定化システムを適用することができ
る。
１の温度およびレジスト３０の温度の標準値からの変動
値を検出し、この変動値に基づいてスピンモータ１５の
回転数を制御する場合について説明したが、これにこだ
わるものではなく、環境温度、湿度、ウェハーの温度お
よび塗布液温度の測定値から直接スピンモータ１５０回
転数を制御するようにコントローラ２０に与える制御論
理を構成しておくこともできる。そして、上記実施例で
は、レジスト３０をウェハー１に塗布する場合について
説明したが、レジスト３０にこだわるものではなく、例
えば、ＳＯＧ膜の形成等においても本実施例のスピンコ
ーターの塗布膜厚安定化システムを適用することができ
る。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明のスピンコーターの塗布膜厚
安定化システムは、環境温度センサーと、環境湿度セン
サーと、ウェハー温度センサーと、塗布液温度センサー
と、一つ以上の前記センサーの測定値のそれぞれの所定
値からの変動に応じて、一定の塗布膜厚をウェハーに形
成するようにスピンコーターの回転数を制御するコント
ローラとを備えている。
安定化システムは、環境温度センサーと、環境湿度セン
サーと、ウェハー温度センサーと、塗布液温度センサー
と、一つ以上の前記センサーの測定値のそれぞれの所定
値からの変動に応じて、一定の塗布膜厚をウェハーに形
成するようにスピンコーターの回転数を制御するコント
ローラとを備えている。
従って、本発明のスピンコーターの塗布膜厚安定化シス
テムによれば、サーマルチャンバー等の特別な設備を必
要とすることなく、環境温度、環境湿度、ウェハーの温
度および塗布液温度が変動しても、常に一定の塗布膜厚
を得ることができる。
テムによれば、サーマルチャンバー等の特別な設備を必
要とすることなく、環境温度、環境湿度、ウェハーの温
度および塗布液温度が変動しても、常に一定の塗布膜厚
を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図はスピ
ンコーターの回転数とレジスト膜厚との関係を示すグラ
フ、第３図はレジスト膜厚と露光時間との関係を示すグ
ラフ、第４図は環境温度とレジスト膜厚との関係を示す
グラフである。 １ ・・・ウェハー、１５・・・スピンモータ、２０・
・・コントローラ、２１・・・環境温度・湿度センサー
、２２・・・ウェハー温度センサー、２３・・・塗布液
温度センサー、３０・・・レジスト。
ンコーターの回転数とレジスト膜厚との関係を示すグラ
フ、第３図はレジスト膜厚と露光時間との関係を示すグ
ラフ、第４図は環境温度とレジスト膜厚との関係を示す
グラフである。 １ ・・・ウェハー、１５・・・スピンモータ、２０・
・・コントローラ、２１・・・環境温度・湿度センサー
、２２・・・ウェハー温度センサー、２３・・・塗布液
温度センサー、３０・・・レジスト。
Claims (1)
- （１）環境温度センサーと、環境湿度センサーと、ウェ
ハー温度センサーと、塗布液温度センサーと、一つ以上
の前記センサーの測定値のそれぞれの所定値からの変動
に応じて、一定の塗布膜厚をウェハーに形成するように
スピンコーターの回転数を制御するコントローラとを備
えたことを特徴とするスピンコーターの塗布膜厚安定化
システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31703389A JPH03178123A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | スピンコーターの塗布膜厚安定化システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31703389A JPH03178123A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | スピンコーターの塗布膜厚安定化システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178123A true JPH03178123A (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=18083675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31703389A Pending JPH03178123A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | スピンコーターの塗布膜厚安定化システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03178123A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0810633A2 (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-03 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and apparatus |
| US5766671A (en) * | 1995-04-21 | 1998-06-16 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of an apparatus for forming film on substrate by sensing atmospheric pressure |
| WO1998053919A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Singulus Technologies Ag | Verfahren und vorrichtung zur schichtdicken- insbesondere bondschichtdickenregelung |
| US6025012A (en) * | 1995-09-20 | 2000-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for determining film thickness control conditions and discharging liquid to a rotating substrate |
| WO2001071425A3 (en) * | 2000-03-20 | 2002-04-04 | Silicon Valley Group | Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process |
| US6599560B1 (en) | 1997-10-30 | 2003-07-29 | Fsi International, Inc. | Liquid coating device with barometric pressure compensation |
| KR100451963B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2004-10-08 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 도포막 형성 장치 및 그 방법 |
| NL1027448C2 (nl) * | 2004-11-08 | 2006-05-09 | Otb Groep B V | Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een materiaallaag op een schijfvormig substraat. |
| US7598126B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-10-06 | Infineon Technologies Ag | Use of nanoscale particles for creating scratch-resistant protective layers on semiconductor chips |
| JP2010040921A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2013207268A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP31703389A patent/JPH03178123A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766671A (en) * | 1995-04-21 | 1998-06-16 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of an apparatus for forming film on substrate by sensing atmospheric pressure |
| US6025012A (en) * | 1995-09-20 | 2000-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for determining film thickness control conditions and discharging liquid to a rotating substrate |
| EP0810633A3 (en) * | 1996-05-28 | 1998-09-02 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and apparatus |
| EP0810633A2 (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-03 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and apparatus |
| US6814825B2 (en) * | 1997-05-28 | 2004-11-09 | Singulus Technologies Ag | Method and device for controlling thickness during spin coating |
| WO1998053919A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Singulus Technologies Ag | Verfahren und vorrichtung zur schichtdicken- insbesondere bondschichtdickenregelung |
| US6599560B1 (en) | 1997-10-30 | 2003-07-29 | Fsi International, Inc. | Liquid coating device with barometric pressure compensation |
| US7238239B2 (en) | 1997-10-30 | 2007-07-03 | Fsi International, Inc. | Liquid coating device with barometric pressure compensation |
| KR100451963B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2004-10-08 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 도포막 형성 장치 및 그 방법 |
| WO2001071425A3 (en) * | 2000-03-20 | 2002-04-04 | Silicon Valley Group | Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process |
| SG148024A1 (en) * | 2000-03-20 | 2008-12-31 | Asml Holding Nv | Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process |
| US7598126B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-10-06 | Infineon Technologies Ag | Use of nanoscale particles for creating scratch-resistant protective layers on semiconductor chips |
| NL1027448C2 (nl) * | 2004-11-08 | 2006-05-09 | Otb Groep B V | Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een materiaallaag op een schijfvormig substraat. |
| JP2010040921A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| KR101364890B1 (ko) * | 2008-08-07 | 2014-02-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포장치, 도포 방법, 도포 현상 장치 및 기억 매체 |
| JP2013207268A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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