JPS62235734A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62235734A JPS62235734A JP7886986A JP7886986A JPS62235734A JP S62235734 A JPS62235734 A JP S62235734A JP 7886986 A JP7886986 A JP 7886986A JP 7886986 A JP7886986 A JP 7886986A JP S62235734 A JPS62235734 A JP S62235734A
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- Japan
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- spinner
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、ウェーハ
上のホトレジスト膜の反射率に基づいて算出された膜厚
に応じてスピナの回転速度を制御するようにした半導体
装置の製造方法に関する。
上のホトレジスト膜の反射率に基づいて算出された膜厚
に応じてスピナの回転速度を制御するようにした半導体
装置の製造方法に関する。
従来の半導体装置の製造方法として、例えば、スピンコ
ーティングによってウェーハ上にホトレジストを塗布す
る工程を含むものがある。このスピンコーティング方法
は、清浄にされたウェーハをスピナによって回転させ、
回転するウェーハ上にホトレジストを滴下することによ
り均一に塗布し、プリベータによって溶剤を除去してホ
トレジスト膜を形成するものである。
ーティングによってウェーハ上にホトレジストを塗布す
る工程を含むものがある。このスピンコーティング方法
は、清浄にされたウェーハをスピナによって回転させ、
回転するウェーハ上にホトレジストを滴下することによ
り均一に塗布し、プリベータによって溶剤を除去してホ
トレジスト膜を形成するものである。
このスピンコーティング方法によれば、ホトレジストの
粘度および滴下量、スピナの初期回転速度を含んだ回転
速度、溶剤の種類等の制御および調整によってホトレジ
ストの膜厚を均一になるようにしている。
粘度および滴下量、スピナの初期回転速度を含んだ回転
速度、溶剤の種類等の制御および調整によってホトレジ
ストの膜厚を均一になるようにしている。
しかし、従来の半導体装置の製造方法によれば、ホトレ
ジストの滴下量およびスピナの回転速度の安定化には限
度があるため、ホトレジストの膜厚精度の向上に限界が
生じている。特に、サブミクロンデバイスにおいては、
ホトレジストの高精度の膜厚管理が必要になるが、ウェ
ーハ問およびロット間のばらつきを避けることが難しく
、それに対応しようとすると製造装置の精度を上げなけ
ればならないため、コストアップを招くことになる。
ジストの滴下量およびスピナの回転速度の安定化には限
度があるため、ホトレジストの膜厚精度の向上に限界が
生じている。特に、サブミクロンデバイスにおいては、
ホトレジストの高精度の膜厚管理が必要になるが、ウェ
ーハ問およびロット間のばらつきを避けることが難しく
、それに対応しようとすると製造装置の精度を上げなけ
ればならないため、コストアップを招くことになる。
［問題点を解決するための手段〕
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、製造装置の
コストアップを招かずにウェーハ上のホトレジストの膜
厚精度を向上させるため、ウェーハ上のホトレジスト膜
の反射率に基づいて算出した膜圧に応じてスピナの回転
速度を制御するようにした半導体装置の製造方法を提供
するものである。
コストアップを招かずにウェーハ上のホトレジストの膜
厚精度を向上させるため、ウェーハ上のホトレジスト膜
の反射率に基づいて算出した膜圧に応じてスピナの回転
速度を制御するようにした半導体装置の製造方法を提供
するものである。
以下、本発明の半導体装置の製造方法を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示し、ウェーハ上のホトレ
ジスト膜の反射率を測定する反射率検出部１と、他の信
号とともに反射率信号を内部へ取り込む入力インターフ
ェイス２と、所定の演算や信号処理のプログラムを有す
るＲＯＭ３と、データや演算結果等を一時的に保有する
ＲＡＭ４と、後述するスピン回転数と反射率の関係およ
びスピン回転数と膜厚の関係のテーブルを有するテーブ
ル用メモリ５と、所定の演算操作を行うＣＰＵ６と、Ｃ
ＰＵ６の演算操作に基づく制御信号を外部へ出力する出
力インターフェイス７と、制御信号によってスピナ９の
回転速度を制御するスピナ駆動回路８より構成されてい
る。
ジスト膜の反射率を測定する反射率検出部１と、他の信
号とともに反射率信号を内部へ取り込む入力インターフ
ェイス２と、所定の演算や信号処理のプログラムを有す
るＲＯＭ３と、データや演算結果等を一時的に保有する
ＲＡＭ４と、後述するスピン回転数と反射率の関係およ
びスピン回転数と膜厚の関係のテーブルを有するテーブ
ル用メモリ５と、所定の演算操作を行うＣＰＵ６と、Ｃ
ＰＵ６の演算操作に基づく制御信号を外部へ出力する出
力インターフェイス７と、制御信号によってスピナ９の
回転速度を制御するスピナ駆動回路８より構成されてい
る。
第２図は反射率検出部１によってホトレジスト膜の反射
率を測定されるウェーハを示し、領域Ａは所定の半導体
装置のパターンが形成される部分であり、領域Ｂはパタ
ーンの形成されない部分であって、例えば、Ｘ印の部分
の反射率が測定される。
率を測定されるウェーハを示し、領域Ａは所定の半導体
装置のパターンが形成される部分であり、領域Ｂはパタ
ーンの形成されない部分であって、例えば、Ｘ印の部分
の反射率が測定される。
また、第３図および第４図は前述したスピン回転数と反
射率および膜厚の関係を示すもので、これがテーブル化
されてテーブル用メモリ５に格納されている。第３図に
おいて、反射率は％で表わし、スピン回転数は、例えば
、４，０００回転／ｓｅｅを１とした。また、第４図に
おいて、１２，０００人の膜厚を１とし、４．０００回
転／ｓｅｃを１とした。
射率および膜厚の関係を示すもので、これがテーブル化
されてテーブル用メモリ５に格納されている。第３図に
おいて、反射率は％で表わし、スピン回転数は、例えば
、４，０００回転／ｓｅｅを１とした。また、第４図に
おいて、１２，０００人の膜厚を１とし、４．０００回
転／ｓｅｃを１とした。
第１図の構成において、ホトレジストを回転塗布された
ウェーハはプリベータによって溶剤を除去され、インラ
イン化された反射率検出部１によってホトレジスト膜の
反射率を測定される。ＣＰＵ６は測定された反射率とテ
ーブル用メモリ５の第３図の関係に基づいてスピン回転
数を演算し、更に、スピン回転数に基づいて第４図の関
係から膜厚を演算する。この演算結果において、膜厚が
基準値より薄いときはスピン回転数を下げ、基準値より
厚いときはスピン回転数を上げる制御信号をスピナ駆動
回路８へ出力する。これによってスピナ９は所望の膜厚
に対応した速度で駆動される。
ウェーハはプリベータによって溶剤を除去され、インラ
イン化された反射率検出部１によってホトレジスト膜の
反射率を測定される。ＣＰＵ６は測定された反射率とテ
ーブル用メモリ５の第３図の関係に基づいてスピン回転
数を演算し、更に、スピン回転数に基づいて第４図の関
係から膜厚を演算する。この演算結果において、膜厚が
基準値より薄いときはスピン回転数を下げ、基準値より
厚いときはスピン回転数を上げる制御信号をスピナ駆動
回路８へ出力する。これによってスピナ９は所望の膜厚
に対応した速度で駆動される。
以上説明した通り、本発明の半導体装置の制御方法によ
れば、ウェーハ上のホトレジスト膜の反射率に基いて算
出した膜厚に応じてスピナの回転速度を制御するように
したため、製造装置のコストアップを招かずに膜厚精度
を向上させることができる。
れば、ウェーハ上のホトレジスト膜の反射率に基いて算
出した膜厚に応じてスピナの回転速度を制御するように
したため、製造装置のコストアップを招かずに膜厚精度
を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図。第２図は
ウェーハの反射率測定点を示す説明図。第３図および第
４図はスピン回転数と反射率および膜厚の関係を示す説
明図。 符号の説明 １−−−−−−一反射率検出部 ５−・−・−スピン回転数と反射率および膜厚の関係を
記憶したテーブル用メモリ ８−・−・−スピナ駆動回路 ９−−−−−−スピナ
ウェーハの反射率測定点を示す説明図。第３図および第
４図はスピン回転数と反射率および膜厚の関係を示す説
明図。 符号の説明 １−−−−−−一反射率検出部 ５−・−・−スピン回転数と反射率および膜厚の関係を
記憶したテーブル用メモリ ８−・−・−スピナ駆動回路 ９−−−−−−スピナ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 スピナの回転によって回転するウェーハにホトレジスト
を塗布する工程を含む半導体装置の製造方法において、 前記ウェーハ上に塗布されたホトレジスト膜の反射率を
測定する段階と、 前記反射率に基づいて前記ホトレジスト膜の膜厚を算出
する段階と、 前記膜厚に基づいて前記スピナの回転速度を制御する段
階を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7886986A JPS62235734A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7886986A JPS62235734A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62235734A true JPS62235734A (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=13673828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7886986A Pending JPS62235734A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62235734A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131517A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト塗布膜厚制御装置 |
| JPH0239520A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Tokyo Electron Ltd | レジスト膜厚の測定方法 |
| JPH02146720A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-06-05 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法および処理装置 |
| JPH03211719A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-17 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法 |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP7886986A patent/JPS62235734A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131517A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト塗布膜厚制御装置 |
| JPH0563010B2 (ja) * | 1986-11-20 | 1993-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPH0239520A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Tokyo Electron Ltd | レジスト膜厚の測定方法 |
| JPH02146720A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-06-05 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法および処理装置 |
| JPH03211719A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-17 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布方法 |
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