JP2773500B2 - フォトレジスト塗布装置 - Google Patents

フォトレジスト塗布装置

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JP2773500B2
JP2773500B2 JP3331464A JP33146491A JP2773500B2 JP 2773500 B2 JP2773500 B2 JP 2773500B2 JP 3331464 A JP3331464 A JP 3331464A JP 33146491 A JP33146491 A JP 33146491A JP 2773500 B2 JP2773500 B2 JP 2773500B2
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photoresist
coating
cup
temperature
humidity
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貴之 内山
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NEC Corp
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  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板（以下ウェ
ハと呼ぶ）表面にフォトレジストを塗布するフォトレジ
スト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトレジスト塗布装置は図４の
断面図に示すように、塗布カップ内温湿度制御部４０８
と温度制御付フォトレジスト供給部４０６とを有してい
る。
【０００３】塗布カップ内温湿度制御部４０８により温
度及び湿度を所望の値の±０．１℃，±０．１％程度に
制御された塗布カップ４０９内に送られたウェハ４０１
は、真空チャック４０２に支持され、温度制御付フォト
レジスト供給部４０６により温度を所望の値の±０．１
℃程度に制御されたフォトレジストをフォトレジスト供
給ノズル４０５を通してモーター４０３により回転され
たウェハ４０１上に滴下することによりフォトレジスト
を塗布していた。４０４はモーター回転制御部、４０７
は温湿度検知部である。
【０００４】従来のフォトレジスト形成装置では、カッ
プ内の気圧が１０ｍｍＨｇ低下すると、フォトレジスト
の膜厚が約５０Åも厚くなってしまった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフォト
レジスト塗布装置は、カップ内温湿度の制御と、フォト
レジストの温度の制御を行っているため、塗布カップ内
の気圧が変化した場合、フォトレジスト膜の膜厚が変化
してしまう欠点があった。
【０００６】本発明の目的は、塗布カップ内の気圧の変
化によらず、一定の膜厚のフォトレジスト膜を形成する
フォトレジスト塗布装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るフォトレジスト塗布装置においては、
気圧検知部と、塗布条件制御手段とを有し、塗布カップ
内に半導体基板を回転させて該基板表面にフォトレジス
トを塗布するフォトレジスト塗布装置であって、気圧検
知部は、塗布カップ内の大気圧を検知するものであり、
塗布条件制御手段は、気圧検知部の検知信号に基づい
て、半導体基板の回転数又は塗布カップ内湿度を変更し
て塗布条件を制御するものである。
【０００８】
【作用】本発明のフォトレジスト塗布装置は塗布カップ
内の気圧を検知し、その気圧により塗布条件を制御する
ものである。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図を参照して説明する。
【００１０】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係るフォトレジスト塗布装置を示す断面図である。
【００１１】図１に示すように、塗布カップ内温湿度制
御部１０８により温度及び湿度が一定の値の±０．１
℃，±０．１％程度に制御された塗布カップ１０９内に
送られたウェハ１０１は真空チャック１０２に支持さ
れ、温度制御付フォトレジスト供給部１０６により温度
を一定の値の±０．１℃程度に制御されたフォトレジス
トをフォトレジスト供給ノズル１０５を通してウェハ１
０１上に滴下される。１０７は温湿度検知部であり、カ
ップ１０９内の温湿度を検知する。
【００１２】このとき、ウェハ１０１は、モーター１０
３によりフォトレジストを回転塗布されるが、この回転
数は、カップ１０９内の気圧を気圧検知部１１０により
検知された気圧データからデータ演算部１１１により決
定される。
【００１３】データ演算部１１１には、あらかじめカッ
プ１０９内気圧とフォトレジスト膜厚の関係［図３
（ａ）に例を示す］とモーター回転数とフォトレジスト
膜厚の関係［図３（ｂ）に例を示す］とを入力し、カッ
プ１０９内気圧に応じたモーター回転数を得るようにな
っている。カップ１０９内気圧が１０ｍｍＨｇ低下した
ときモーター回転制御部１０４によりモーター１０３の
回転数を約１５０ｒｐｍ下げると、一定のフォトレジス
ト膜厚が得られる。
【００１４】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
示す断面図である。
【００１５】本実施例では、塗布カップ２０９内の温度
は、気圧検知部２１０により検知された気圧によりデー
タ演算部２１１により決定された値の±０．１％程度
に、塗布カップ２０９内温度は一定の値の±０．１℃程
度に、塗布カップ内温湿度制御部２０８によりそれぞれ
制御されている。
【００１６】塗布カップ２０９内に送られたウェハ２０
１は、真空チャック２０２により支持される。
【００１７】温度制御付フォトレジスト供給部２０６に
より温度を一定の値の±０．２℃程度に制御されたフォ
トレジストをフォトレジスト供給ノズル２０５を通しウ
ェハ２０１上に、モーター回転制御部２０２で制御され
たモーター２０３により回転塗布される。
【００１８】このとき、データ演算部２１１には、あら
かじめカップ２０９内気圧とフォトレジスト膜厚の関係
［図３（ａ）に例を示す］とカップ内湿度とフォトレジ
スト膜厚の関係［図３（ｃ）に例を示す］とを入力し、
カップ２０９内気圧に応じたカップ内湿度を得るように
なっている。
【００１９】カップ内気圧が１０ｍｍＨｇ低下したと
き、カップ内湿度を０．５％下げれば、一定のフォトレ
ジスト膜厚が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、塗
布カップ内の気圧を検知し、その気圧によりフォトレジ
ストの塗布条件を制御するため、塗布カップ内の気圧の
変動によらず、一定の膜厚のフォトレジスト膜を得るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例２を示す断面図である。
【図３】（ａ）はカップ内気圧とフォトレジスト膜厚の
関係の一例を示す図、（ｂ）はモーター回転数とフォト
レジスト膜厚の関係の一例を示す図、（ｃ）はカップ内
湿度とフォトレジスト膜厚の関係の一例を示す図であ
る。
【図４】従来の装置を示す図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，４０１ ウェハ １０２，２０２，４０２ 真空チャック １０３，２０３，４０３ モーター １０４，２０４，４０４ モーター回転制御部 １０５，２０５，４０５ フォトレジスト供給ノズル １０６，２０６，４０６ 温度制御付フォトレジスト供
給部 １０７，２０７，４０７ 温湿度検知部 １０８，２０８，４０８ 塗布カップ内温湿度制御部 １０９，２０９，４０９ 塗布カップ １１０，２１０ 気圧検知部 １１１，２１１ データ演算部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 11/08 B05D 1/40 G03F 7/16 502

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 気圧検知部と、塗布条件制御手段とを有
    し、塗布カップ内に半導体基板を回転させて該基板表面
    にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布装置で
    あって、 気圧検知部は、塗布カップ内の大気圧を検知するもので
    あり、 塗布条件制御手段は、気圧検知部の検知信号に基づい
    て、半導体基板の回転数又は塗布カップ内湿度を変更し
    て塗布条件を制御するものであることを特徴とするフォ
    トレジスト塗布装置。
JP3331464A 1991-11-20 1991-11-20 フォトレジスト塗布装置 Expired - Lifetime JP2773500B2 (ja)

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JPH05144721A JPH05144721A (ja) 1993-06-11
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JP3401121B2 (ja) * 1995-04-21 2003-04-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板への回転式塗布装置
US6599560B1 (en) 1997-10-30 2003-07-29 Fsi International, Inc. Liquid coating device with barometric pressure compensation
US6536964B1 (en) 1999-09-03 2003-03-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method

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JP2922921B2 (ja) * 1989-05-22 1999-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法

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