JPS63262842A - フオトレジスト塗布装置 - Google Patents

フオトレジスト塗布装置

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Publication number
JPS63262842A
JPS63262842A JP9886887A JP9886887A JPS63262842A JP S63262842 A JPS63262842 A JP S63262842A JP 9886887 A JP9886887 A JP 9886887A JP 9886887 A JP9886887 A JP 9886887A JP S63262842 A JPS63262842 A JP S63262842A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
photoresist
partial pressure
motor
rotation speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9886887A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Yamada
義昭 山田
Hiroyuki Fuji
冨士 博之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP9886887A priority Critical patent/JPS63262842A/ja
Publication of JPS63262842A publication Critical patent/JPS63262842A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、フォトレジスト塗布装置、特に、フォトレジ
スト膜の膜厚に高い再現性を得るためのフォトレジスト
塗布装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の技術としては、例えば薄膜ハンドブック(日本学
術振興会薄膜第131委員会編)K示されているような
、スピンコード法を用いたフォトレジスト塗布装置があ
る。
この従来のフォトレジスト塗布装置は、チャンバーと、
基板罠フォトレジストを滴下するためのノズルと前記基
板を固着するためのターンテーブルと、前記ターンテー
ブルを回転するためのモータと、前記モータの回転数を
一定に制御するモータ回転制御部とを含んで構成される
次に、従来のフォトレジスト塗布装置の一例について、
図面を参照して詳細に説明する。
第2図は従来の2オドレジスト塗布装置の一例を示すブ
ロック図である。
第2図に示すフォトレジスト塗布装置は、チャンバー2
と、基板IKフォトレジスト5を滴下するノズル4と、
前記基板lを固着するターンテーブル3と、前記ターン
テーブル3を回転するためのモータ8と、前記モータ8
の回転数を一定に制却するためのモータ回転側一部7と
を含んで構成される。
ここで、ターンテーブル3に固着されている基板1の表
面に滴下されたフォトレジスト5は、前記ターンテーブ
ル3の回転運動に伴う遠心力を受けて、基板1上を回転
中心から外周側圧向かって流動し、さらには、基板1の
外へ飛散するが、フォトレジスト5の一連の流動運動の
際に、フォトレジスト5の一部は基板1上に付着し、フ
ォトレジスト[6を形成する。
基板1の上に形成されたフォトレジスト膜6の膜厚は、
基板10回転数で制御される。つまり、フォトレジスト
膜の膜厚を厚くしたい時には回転数が小さくなるように
制御し、逆に膜厚をうすぐじたい時には回転数が大きく
なるように制御する。
次に、第2図に示すフォトレジスト塗布装置の動作につ
いて、詳細に説明する。
第2図に示すフォトレジスト塗布装置では、第1図に示
す実施例圧用いたフォトレジスト5および基板1と同−
ロット品を用いて得られた50枚の基板上のフォトレジ
スト膜の膜厚は、平均1100nであシ、標準偏差は7
.9nmであった。
これから明らかなように、従来のフォトレジスト塗布装
置を用いた場合にはかなり高い標準偏差値のフォトレジ
スト膜厚を有する基板となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように、上述した従来のフォトレジスト塗布装置は
、基板を固着したターンテーブルの回転数により、基板
上のフォトレジスト膜の膜厚を制御する構成となってい
るが、チャンバー内のフォトレジストの溶媒ガス分圧が
刻々変化するために、基板上に滴下されたフォトレジス
ト中の溶媒の蒸発貢が変化して、前記基板上に形成され
るフォトレジスト膜が薄い場合膜厚は基板の回転数だけ
では制御できず、膜厚に高い再現性が得られないという
欠点がありた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のフォトレジスト塗布装置は、チャンバー内のフ
ォトレジスト溶媒ガス分圧を検出し、分圧信号を出力す
るガス検出部と、基板を固着したターンテーブルを回転
するモータと、前記分圧信号に基づいて、回転数データ
信号を算出するデータ演算部と、前記回転数データ信号
にもとづいて前記モータの回転数を制御するモータ回転
制御部とを含んで構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示すブロック図である。
第1図に示すフォトレジスト塗布装置は、チャンバー2
と、基板11Cフォトレジスト5を滴下するためのノズ
ル4と、前記基板1を固着するターンテーブル3と、こ
のターンテーブル3を回転するためのモータ8と、前記
チャンバー2の内部におけるフォトレジスト5の溶媒ガ
ス分圧を検出し分圧信号aを出力するガス検出部9と、
前記分圧信号aに基づいて前記モータ8の回転数を決定
し回転数データ信号すを出力するデータ演算部10と、
前記モータ8の回転数を一定に制御するモータ回転制量
部7とを含んで構成される。
次に1第1図に示すフォトレジスト塗布装置の動作につ
いて、詳細に説明する。
チャンバー2の内部で基板1をターンテーブル3に固着
し、基板10表面にノズル4よシフオドレジスト5を滴
下した後、モータ8によって基板lを回転する。
ここで、ター/テーブル3に固着されている基板lの表
面に滴下されたフォトレジスト5は、前記基板lの回転
運動にともなう遠心力を受けて基板1上を回転中心から
外周側に向かって流動し、さらには基板1の外へ飛散す
るが、フォトレジスト5の一連の流動運動の際にフォト
レジスト5の一部は基板1上に付着し、フォトレジスト
膜6を形成する。
前記工程中において、フォトレジスト5がポジ型フォト
レジストの場合基板1を回転する直前圧、フォトレジス
ト5およびチャンバ−2底部に残留したフォトレジスト
5などから蒸発するチャンバー2内のフォトレジスト中
の溶媒であるセロソルプアセテートのガス分圧をZnO
系ガスセンサ材料を用いたガス検出部9において検出し
、分圧信号aをデータ演算部10に出力する。
次に、データ演算部10は、分圧信号aK対応したモー
タ8の回転数を算出し、回転数データ信号すをモータ回
転制御部7に出力する。
例えば、1100nの2オドレジスト膜6の膜厚を得よ
うとする場合においては、モータ回転数をフォトレジス
ト溶媒ガス分圧0.35atmの最適値であるs o 
o r、p、m、と設定し、チャンバー2内のフォトレ
ジスト溶媒ガス分圧が、設定ガス分圧よシ低い0.20
atmに変化した場合には、これに最適なモータの回転
数は810 r、p、m、  と制御され、逆に設定ガ
ス分圧より高く、0.50atmならば、モータの回転
数は780 r、p、m、f−制御される。
上述した実施例において得られた50枚の基板について
、この基板に形成されたフォトレジスト膜の膜厚を、エ
リプリメータを用いて測定した結果、平均100 nm
に対し標準偏差1.81mであり、再現性の高い均一な
膜厚をもつフォトレジスト膜が形成されていることが判
明した。
これから明らかなように、本発明のフォトレジスト塗布
装置を用いれば、再現性のあるフォトレジスト膜厚を有
する基板を得ることができる。
以上、本発明の実施例について説明したが、上述した実
施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲にお
いて穐々の変形が可能である。
例えば、上述した実施例では、チャンバーの上部にガス
検出部を1個設置したが、設置場所1個数は、これに限
定するものではなく、チャンバー内の溶媒ガス分圧を正
確に検出しうる場所と個数であれば、チャンバー内のい
ずれの場所にも複数個設置しても伺ら問題はない。
また、本発明のフォ・トレジスト塗布装置は、実施例に
おいてはポジ型レジストを用いたが、ネガ型レジストに
おいても適用可能であることはもちろんである。
さらに1上述の実施例では、フォトレジスト溶媒ガス分
圧を検出するためのガス検出部にZn0系ガスセンサ材
料を用いる例を示したが分圧信号を得るために他のガス
センサ材料を用いるガス検出部であってもよい。
〔発明の効果〕
本発明のフォトレジスト塗布装置は、チャンバー内のフ
ォトレジスト溶媒ガス分圧を検出するガス検出部と検出
したガス分圧を基に基板の回転数を決定するデータ演算
部とを追加することによシ、フォトレジスト塗布時のチ
ャンバー内のフォトレジスト溶媒ガス分圧に応じた基板
の回転数が決定されるため、フォトレジスト膜の膜厚に
、高い再現性が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
従来の一例を示すブロック図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・チャンバー、3・
・・・・・ターンテーブル、4・・・・・・ノズル、5
・・・・・・フォトレジスト、6・・・・・・フォトレ
ジスト膜、7・・・・・・モータ回転側脚部、8・・・
・・・モータ、9・・・・・・ガス検出部、10・・・
・・・データ演算部、a・・・・・・分圧信号、b・・
・・・・回転数データ信号。 薯1図 /θ デー71灸輔 第 2 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. チャンバー内のフォトレジスト溶媒ガス分圧を検出し分
    圧信号を出力するガス検出部と、基板を固着したターン
    テーブルを回転するモータと、前記分圧信号に基づいて
    回転数データ信号を算出するデータ演算部と、前記回転
    数データ信号にもとづいて前記モータの回転数を制御す
    るモータ回転制御部とを含むことを特徴とするフォトレ
    ジスト塗布装置。
JP9886887A 1987-04-21 1987-04-21 フオトレジスト塗布装置 Pending JPS63262842A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9886887A JPS63262842A (ja) 1987-04-21 1987-04-21 フオトレジスト塗布装置

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JP9886887A JPS63262842A (ja) 1987-04-21 1987-04-21 フオトレジスト塗布装置

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JPS63262842A true JPS63262842A (ja) 1988-10-31

Family

ID=14231165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9886887A Pending JPS63262842A (ja) 1987-04-21 1987-04-21 フオトレジスト塗布装置

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JP (1) JPS63262842A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036811A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトレジスト塗布装置
JPH05144721A (ja) * 1991-11-20 1993-06-11 Nec Corp フオトレジスト塗布装置
US6875283B2 (en) * 2002-05-20 2005-04-05 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036811A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd フォトレジスト塗布装置
JPH05144721A (ja) * 1991-11-20 1993-06-11 Nec Corp フオトレジスト塗布装置
US6875283B2 (en) * 2002-05-20 2005-04-05 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method

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