JPS59151424A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPS59151424A JPS59151424A JP2459183A JP2459183A JPS59151424A JP S59151424 A JPS59151424 A JP S59151424A JP 2459183 A JP2459183 A JP 2459183A JP 2459183 A JP2459183 A JP 2459183A JP S59151424 A JPS59151424 A JP S59151424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- temperature
- substrate
- revolution
- motor
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体、液晶などのホトレジ塗布工程で用い
るホトレジスト塗布装置に関する。
るホトレジスト塗布装置に関する。
従来のホトレジスト塗布装置として、ホトレジ肴≠温度
変動によるホトレジ粘度変動を栓<すため、ホトレジの
温度を直接制御する方法があった。
変動によるホトレジ粘度変動を栓<すため、ホトレジの
温度を直接制御する方法があった。
しかしこの方法は、レジスト貯蔵ビンは温度制御してい
るものの、注入ポンプ、注入ノズルを含む配管系全体の
温度制御が事実上困難であるため、□ 実際に基板上に
注入されるレジストの温度を正確に制御できない。温度
コントロールをしているため、数百ワットの電力を必要
とし省エネ指向に反 □するなどの欠点があった
。
るものの、注入ポンプ、注入ノズルを含む配管系全体の
温度制御が事実上困難であるため、□ 実際に基板上に
注入されるレジストの温度を正確に制御できない。温度
コントロールをしているため、数百ワットの電力を必要
とし省エネ指向に反 □するなどの欠点があった
。
本発明はより少いエネルギーでより高精度に塗布膜厚を
制御する装置を提供することを目的とする。
制御する装置を提供することを目的とする。
本発明は、レジストの温度を検出し、レジスト温度変化
による粘度変化を演算し、スピンドル回転数を補正する
ことを特徴とする。
による粘度変化を演算し、スピンドル回転数を補正する
ことを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図はレジストの温度をパラメータとしたときのスピ
ンナー回転数と塗布膜厚の関係を示し、1はレジスト温
度が規定値の場合、2はレジスト温度が規定値より低い
場合、3はレジスト温度が規定値より高い場合をそれぞ
れ示す。温度が一定ならば、回転数が増すと塗布膜厚が
減り、逆に回転数が低いと塗布膜厚が増す。
ンナー回転数と塗布膜厚の関係を示し、1はレジスト温
度が規定値の場合、2はレジスト温度が規定値より低い
場合、3はレジスト温度が規定値より高い場合をそれぞ
れ示す。温度が一定ならば、回転数が増すと塗布膜厚が
減り、逆に回転数が低いと塗布膜厚が増す。
ここで、仮りに、規定のレジスト温度条件下で回転数N
で塗布膜厚tを得ていたとき、温度が低くなったとする
と、曲線2に示すように、回転数Nでは塗布膜厚はt+
△tになり変化する。また温度が高くなると、曲線3に
示すように、塗布膜厚はt−Δtになり減少する。本発
明はレジスト温度が曲線1.2のように変わつ°Cも塗
布膜厚をtに一定に保つためスピンナー回転数をN十Δ
NあるいはN−△Nに変化させることを特徴としている
。
で塗布膜厚tを得ていたとき、温度が低くなったとする
と、曲線2に示すように、回転数Nでは塗布膜厚はt+
△tになり変化する。また温度が高くなると、曲線3に
示すように、塗布膜厚はt−Δtになり減少する。本発
明はレジスト温度が曲線1.2のように変わつ°Cも塗
布膜厚をtに一定に保つためスピンナー回転数をN十Δ
NあるいはN−△Nに変化させることを特徴としている
。
第2図は本発明の一実施例を示す。第2図はスピンナ一
部とその制御部を示す。従来は注入ノズル4で注入され
たレジストが基板5の上に滴下され、スピンモータ6が
回転することにより塗布するのみであった。本発明では
この注入系で、ノズル4の部分に温度センサ7を付加し
、その検出信号をインターフェース8を介して演算装置
9に取込んでいる。演算装置9の内部では、温度偏差を
粘度偏差に換算し、更にどのくらい回転数を変えたら一
定の塗布膜厚になるか計算している二での計算結果はモ
ータドライバ10、回転数センサ11、回転センサイン
ターフェース12を使用して、スピンモータ6の回転数
補正に使われる。以上説明した方法によりレジスト温度
が変化しても常に一定膜厚で塗布が可能になる。
部とその制御部を示す。従来は注入ノズル4で注入され
たレジストが基板5の上に滴下され、スピンモータ6が
回転することにより塗布するのみであった。本発明では
この注入系で、ノズル4の部分に温度センサ7を付加し
、その検出信号をインターフェース8を介して演算装置
9に取込んでいる。演算装置9の内部では、温度偏差を
粘度偏差に換算し、更にどのくらい回転数を変えたら一
定の塗布膜厚になるか計算している二での計算結果はモ
ータドライバ10、回転数センサ11、回転センサイン
ターフェース12を使用して、スピンモータ6の回転数
補正に使われる。以上説明した方法によりレジスト温度
が変化しても常に一定膜厚で塗布が可能になる。
本発明によれば、レジスト塗布膜厚が均一になることに
より、製品の歩留が向上する。また従来のように多大な
電力を必要とする温度制御をしていないので省エネにな
る。 、
より、製品の歩留が向上する。また従来のように多大な
電力を必要とする温度制御をしていないので省エネにな
る。 、
第1図はレジスト温度をパラメータとしたときのスピン
ナー回転数と塗布膜厚の関係を示す図、第2図は本発明
の一実施例を示すブロック図である。 4・・・注入ノズル、 5・・・基板、6・・
・スピンモータ、 7・・・温度センサ、9・・
・演算装置。
ナー回転数と塗布膜厚の関係を示す図、第2図は本発明
の一実施例を示すブロック図である。 4・・・注入ノズル、 5・・・基板、6・・
・スピンモータ、 7・・・温度センサ、9・・
・演算装置。
Claims (1)
- スピンモータによって基板を回転させ、この基板上に注
入ノズルでレジストを注入して塗布する装置において、
前記ノズルの部分に配置された温度センサと、この温度
センサによって検出されたレジスト温度変化による粘度
変化を演算して前記スピンモータの回転数を補正する演
算装置とからなる塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2459183A JPS59151424A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2459183A JPS59151424A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59151424A true JPS59151424A (ja) | 1984-08-29 |
JPH0437575B2 JPH0437575B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=12142395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2459183A Granted JPS59151424A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59151424A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0205148A2 (en) * | 1985-06-12 | 1986-12-17 | Hitachi, Ltd. | Method of applying a resist |
JPH01226002A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び処理方法 |
EP0810633A2 (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-03 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and apparatus |
WO1998053919A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Singulus Technologies Ag | Verfahren und vorrichtung zur schichtdicken- insbesondere bondschichtdickenregelung |
US6025012A (en) * | 1995-09-20 | 2000-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for determining film thickness control conditions and discharging liquid to a rotating substrate |
US6507482B2 (en) | 2000-11-13 | 2003-01-14 | Nec Tokin Toyama, Ltd. | Chip type solid electrolytic capacitor |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2459183A patent/JPS59151424A/ja active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0205148A2 (en) * | 1985-06-12 | 1986-12-17 | Hitachi, Ltd. | Method of applying a resist |
EP0205148A3 (en) * | 1985-06-12 | 1988-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method of applying a resist |
JPH01226002A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び処理方法 |
JP2585050B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1997-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び処理方法 |
US6025012A (en) * | 1995-09-20 | 2000-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for determining film thickness control conditions and discharging liquid to a rotating substrate |
EP0810633A2 (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-03 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and apparatus |
EP0810633A3 (en) * | 1996-05-28 | 1998-09-02 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming method and apparatus |
WO1998053919A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Singulus Technologies Ag | Verfahren und vorrichtung zur schichtdicken- insbesondere bondschichtdickenregelung |
US6507482B2 (en) | 2000-11-13 | 2003-01-14 | Nec Tokin Toyama, Ltd. | Chip type solid electrolytic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0437575B2 (ja) | 1992-06-19 |
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