JPH0574698A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH0574698A JPH0574698A JP23776091A JP23776091A JPH0574698A JP H0574698 A JPH0574698 A JP H0574698A JP 23776091 A JP23776091 A JP 23776091A JP 23776091 A JP23776091 A JP 23776091A JP H0574698 A JPH0574698 A JP H0574698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- temperature
- discharge nozzle
- wafer
- sensor
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハ上への吐出レジストの温度を一定値に保
持できるレジスト塗布装置を提供する。 【構成】レジスト塗布槽１０に配置されるレジスト吐出
ノズル１の先端部に温度センサ１２を設置し、この温度
センサの温度検出出力をレジスト供給槽４およびレジス
ト塗布槽１０の温度制御パラメータの１つとする。 【効果】レジスト温度モニタ用センサ１２により検出さ
れたレジストの吐出直前の温度は、温度制御装置５の制
御パラメータの１つとして与えられ、レジスト恒温槽４
および塗布室１０の温度を所定値に制御することで、吐
出されるレジストが一定の温度に保持される。
持できるレジスト塗布装置を提供する。 【構成】レジスト塗布槽１０に配置されるレジスト吐出
ノズル１の先端部に温度センサ１２を設置し、この温度
センサの温度検出出力をレジスト供給槽４およびレジス
ト塗布槽１０の温度制御パラメータの１つとする。 【効果】レジスト温度モニタ用センサ１２により検出さ
れたレジストの吐出直前の温度は、温度制御装置５の制
御パラメータの１つとして与えられ、レジスト恒温槽４
および塗布室１０の温度を所定値に制御することで、吐
出されるレジストが一定の温度に保持される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置に係
り、特に半導体ウエハの表面に一定の膜厚となるように
レジストを供給して塗布するレジスト塗布装置に関す
る。
り、特に半導体ウエハの表面に一定の膜厚となるように
レジストを供給して塗布するレジスト塗布装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子等の微細部品を製造
する工程においては、回路パターン等の形成のために半
導体ウエハ（以下、単にウエハという）上にフォトレジ
スト等の成膜材（以下、単にレジストという）を塗布
し、パターン露光などで潜像パターンを形成し、これを
現像することでレジストパターンを形成し、エッチン
グ，その他のパターニング処理を施す必要がある。
する工程においては、回路パターン等の形成のために半
導体ウエハ（以下、単にウエハという）上にフォトレジ
スト等の成膜材（以下、単にレジストという）を塗布
し、パターン露光などで潜像パターンを形成し、これを
現像することでレジストパターンを形成し、エッチン
グ，その他のパターニング処理を施す必要がある。
【０００３】この種のレジストは、温度に対して極めて
センシティブであり、ウエハ上に吐出される時点でのレ
ジスト自身の温度およびレジスト塗布室の温度により、
形成されるレジスト膜の厚みが大きく変動する。従来の
レジスト塗布装置は、レジストを収容するレジスト供給
部およびレジスト塗布部である塗布室を恒温槽とすると
共に、上記レジスト供給部の恒温槽から塗布部の恒温槽
との間のレジスト配管を二重管とし、この二重管を構成
する内管にレジストを、またその外管にレジスト恒温槽
に収容したレジスト温調用液体を流動させて、ノズルに
供給されるレジストが一定の温度を保つように制御して
いる。
センシティブであり、ウエハ上に吐出される時点でのレ
ジスト自身の温度およびレジスト塗布室の温度により、
形成されるレジスト膜の厚みが大きく変動する。従来の
レジスト塗布装置は、レジストを収容するレジスト供給
部およびレジスト塗布部である塗布室を恒温槽とすると
共に、上記レジスト供給部の恒温槽から塗布部の恒温槽
との間のレジスト配管を二重管とし、この二重管を構成
する内管にレジストを、またその外管にレジスト恒温槽
に収容したレジスト温調用液体を流動させて、ノズルに
供給されるレジストが一定の温度を保つように制御して
いる。
【０００４】なお、この種のレジスト塗布装置に関する
従来技術としては、例えば特開昭５９−９６５４号公報
に開示されたものを挙げることができる。
従来技術としては、例えば特開昭５９−９６５４号公報
に開示されたものを挙げることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、レジスト供給部からレジスト塗布部に至る配管中で
のレジスト温度をかなり精密に制御することは可能であ
るが、レジスト塗布部は塗布対象であるウエハの着脱作
業を行う必要から、レジスト供給部とレジスト塗布部と
は温度的に独立した装置となっている。したがって、両
者の恒温槽間では温度制御系としては密接に関連されて
はいるが、単一の制御系ではない。
は、レジスト供給部からレジスト塗布部に至る配管中で
のレジスト温度をかなり精密に制御することは可能であ
るが、レジスト塗布部は塗布対象であるウエハの着脱作
業を行う必要から、レジスト供給部とレジスト塗布部と
は温度的に独立した装置となっている。したがって、両
者の恒温槽間では温度制御系としては密接に関連されて
はいるが、単一の制御系ではない。
【０００６】そのため、レジスト吐出ノズル部分では、
レジスト塗布部の温度すなわち、上記レジスト吐出ノズ
ルから吐出された時点のレジストの温度を精密に制御す
ることは困難である。ウエハ上に塗布されるレジストの
膜厚は、このレジスト吐出ノズルにおけるレジスト吐出
温度に大きく依存し、僅かの温度変化により、形成され
るレジスト膜の厚みが大きく変動してしまい、前記パタ
ーニング処理で得られるパターンの精細度に大きな差異
が生じて、最終的に形成される配線幅等の均一性が保た
れなくなるという問題がある。
レジスト塗布部の温度すなわち、上記レジスト吐出ノズ
ルから吐出された時点のレジストの温度を精密に制御す
ることは困難である。ウエハ上に塗布されるレジストの
膜厚は、このレジスト吐出ノズルにおけるレジスト吐出
温度に大きく依存し、僅かの温度変化により、形成され
るレジスト膜の厚みが大きく変動してしまい、前記パタ
ーニング処理で得られるパターンの精細度に大きな差異
が生じて、最終的に形成される配線幅等の均一性が保た
れなくなるという問題がある。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消し、ウエハ上への吐出レジストの温度を一定値に保持
できるレジスト塗布装置を提供することにある。
消し、ウエハ上への吐出レジストの温度を一定値に保持
できるレジスト塗布装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、レジスト塗布槽に配置されるレジスト吐
出ノズルの先端部に温度センサを設置し、この温度セン
サの温度検出出力をレジスト供給槽およびレジスト塗布
槽の温度制御パラメータとすることを特徴とするもので
ある。
め、本発明は、レジスト塗布槽に配置されるレジスト吐
出ノズルの先端部に温度センサを設置し、この温度セン
サの温度検出出力をレジスト供給槽およびレジスト塗布
槽の温度制御パラメータとすることを特徴とするもので
ある。
【０００９】図１は本発明の構成図であって、１はレジ
スト吐出ノズル、２はレジスト配管、３はレジスト供給
ビン、４はレジスト恒温槽、５は温度制御装置、６，
６’は温度モニタ用出力、７，７’は制御信号出力、８
はウエハ回転ステージ、９はウエハ、１０は塗布室、１
１はレジスト温調用液体、１２はレジスト温度モニタ用
センサ、１３はレジスト、１５はセンサ出力、４０は温
調用液体循環ポンプ、８０はステージ回転機構、１１
０，１１０’は温調液体配管である。
スト吐出ノズル、２はレジスト配管、３はレジスト供給
ビン、４はレジスト恒温槽、５は温度制御装置、６，
６’は温度モニタ用出力、７，７’は制御信号出力、８
はウエハ回転ステージ、９はウエハ、１０は塗布室、１
１はレジスト温調用液体、１２はレジスト温度モニタ用
センサ、１３はレジスト、１５はセンサ出力、４０は温
調用液体循環ポンプ、８０はステージ回転機構、１１
０，１１０’は温調液体配管である。
【００１０】同図において、レジスト１３はレジスト供
給ビン３に収納されてレジスト温調用液体１１を満たし
たレジスト恒温槽４に収容される。ウエハ９は、塗布室
１９に収容され、ステージ回転機構８０で回転されるウ
エハ回転ステージ８上に載置され、レジストの滴下後、
あるいは滴下中にこの回転ステージ８を回転させること
により当該ウエハ９の表面に均一なレジスト膜を形成す
るものである。
給ビン３に収納されてレジスト温調用液体１１を満たし
たレジスト恒温槽４に収容される。ウエハ９は、塗布室
１９に収容され、ステージ回転機構８０で回転されるウ
エハ回転ステージ８上に載置され、レジストの滴下後、
あるいは滴下中にこの回転ステージ８を回転させること
により当該ウエハ９の表面に均一なレジスト膜を形成す
るものである。
【００１１】このウエハ９の上方にはレジスト吐出ノズ
ル１が配置されており、このレジスト吐出ノズル１とレ
ジスト恒温槽４とはレジスト配管２で連結されている。
レジスト恒温槽４に満たされたレジスト温調用液体１１
は温調用液体配管１１０’１１０’を介して塗布室１０
のレジスト吐出ノズル１の部分を循環する。このレジス
ト温調用液体の循環は温調用液体循環ポンプ４０によっ
ておこなわれる。また、温調液体配管１１０は、レジス
ト恒温槽４とレジスト吐出ノズル１間でレジスト配管２
を包み込む二重管を通って流通する。
ル１が配置されており、このレジスト吐出ノズル１とレ
ジスト恒温槽４とはレジスト配管２で連結されている。
レジスト恒温槽４に満たされたレジスト温調用液体１１
は温調用液体配管１１０’１１０’を介して塗布室１０
のレジスト吐出ノズル１の部分を循環する。このレジス
ト温調用液体の循環は温調用液体循環ポンプ４０によっ
ておこなわれる。また、温調液体配管１１０は、レジス
ト恒温槽４とレジスト吐出ノズル１間でレジスト配管２
を包み込む二重管を通って流通する。
【００１２】レジスト吐出ノズル１の先端部には、吐出
されるレジストと近接してレジスト温度モニタ用センサ
１２が設置されている。そのセンサ出力１５は温度制御
装置５に与えられ、レジスト恒温槽４とレジスト塗布室
１０の温度モニタ出力６，６’と共に所定の温度制御演
算を実行して制御信号出力７，７’をそれぞれレジスト
恒温槽４とレジスト塗布室１０に与えて両者の温度を所
定値に制御する。
されるレジストと近接してレジスト温度モニタ用センサ
１２が設置されている。そのセンサ出力１５は温度制御
装置５に与えられ、レジスト恒温槽４とレジスト塗布室
１０の温度モニタ出力６，６’と共に所定の温度制御演
算を実行して制御信号出力７，７’をそれぞれレジスト
恒温槽４とレジスト塗布室１０に与えて両者の温度を所
定値に制御する。
【００１３】レジスト吐出ノズル１は、図２に示したよ
うに、フッソ樹脂チューブ１４から構成され、このフッ
ソ樹脂チューブ１４のレジストと接する内壁側にレジス
ト温度モニタ用センサ１２が埋設されている。吐出され
るレジスト１３の温度は、このレジスト温度モニタ用セ
ンサ１２で検出され、その検出信号であるセンサ出力１
５は前記温度制御装置５に与えられる。
うに、フッソ樹脂チューブ１４から構成され、このフッ
ソ樹脂チューブ１４のレジストと接する内壁側にレジス
ト温度モニタ用センサ１２が埋設されている。吐出され
るレジスト１３の温度は、このレジスト温度モニタ用セ
ンサ１２で検出され、その検出信号であるセンサ出力１
５は前記温度制御装置５に与えられる。
【００１４】すなわち、本発明は、レジスト供給ビン３
とレジスト温調用液体１１を収容するレジスト恒温層４
と、ウエハ９を載置して回転するウエハ回転ステージ８
とレジスト吐出ノズル１を収容する塗布室１０と、前記
レジスト恒温層４と前記塗布室１０の温度を制御する温
度制御装置５とを少なくとも備えたレジスト塗布装置に
おいて、前記レジスト吐出ノズル１の前記レジストと近
接する先端部に設置したレジスト温度モニタ用センサ１
２を備え、前記レジスト温度モニタ用センサ１２のレジ
スト温度検出出力を前記温度制御装置５の温度制御パラ
メータの１つとして印加することにより、前記レジスト
吐出ノズル先端部におけるレジスト温度を所定値に制御
することを特徴とする。
とレジスト温調用液体１１を収容するレジスト恒温層４
と、ウエハ９を載置して回転するウエハ回転ステージ８
とレジスト吐出ノズル１を収容する塗布室１０と、前記
レジスト恒温層４と前記塗布室１０の温度を制御する温
度制御装置５とを少なくとも備えたレジスト塗布装置に
おいて、前記レジスト吐出ノズル１の前記レジストと近
接する先端部に設置したレジスト温度モニタ用センサ１
２を備え、前記レジスト温度モニタ用センサ１２のレジ
スト温度検出出力を前記温度制御装置５の温度制御パラ
メータの１つとして印加することにより、前記レジスト
吐出ノズル先端部におけるレジスト温度を所定値に制御
することを特徴とする。
【００１５】
【作用】上記構成において、レジスト吐出ノズル１の前
記レジストと近接する先端部に設置したレジスト温度モ
ニタ用センサ１２は、当該レジスト吐出ノズル１からウ
エハ上９の表面上に吐出されるレジストの吐出直前の温
度を検出する。検出された温度値を示すセンサ出力は、
温度制御装置５に対して１つの制御パラメータとして与
えられる。
記レジストと近接する先端部に設置したレジスト温度モ
ニタ用センサ１２は、当該レジスト吐出ノズル１からウ
エハ上９の表面上に吐出されるレジストの吐出直前の温
度を検出する。検出された温度値を示すセンサ出力は、
温度制御装置５に対して１つの制御パラメータとして与
えられる。
【００１６】温度制御装置５はこの制御パラメータを用
いてレジスト恒温槽４および塗布室１０の温度を所定値
に制御することにより、レジスト吐出ノズル１からウエ
ハ９の表面上に吐出されるレジストが一定の温度となる
ように制御する。
いてレジスト恒温槽４および塗布室１０の温度を所定値
に制御することにより、レジスト吐出ノズル１からウエ
ハ９の表面上に吐出されるレジストが一定の温度となる
ように制御する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図３は本発明によるレジスト塗布装置の１実施例
を説明する構成図であって、前記図１，図２と同一符号
は同一部分に対応し、１７はレジスト塗布槽１０の温度
を調整する温風、１８は温風１７を図示しない温調手段
から導入するダクト、２０はレジスト恒温槽４を加熱す
るヒータ、２１はレジスト廃液を回収する廃液回収容
器、２２はウエハ９の回転時に発生するレジスト飛沫を
吸引するレジスト飛沫吸引用ブロア、２３はレジスト１
３を吐出させるための所定の圧力をレジスト供給ビン３
を収容した加圧容器６０に与える加圧基体、２４はフィ
ルタ、２５，２６はレジスト配管２の開閉，サックバン
ク用のベローズ、３０は温度センサ、５０はレジスト温
調液体を攪拌する攪拌器である。
する。図３は本発明によるレジスト塗布装置の１実施例
を説明する構成図であって、前記図１，図２と同一符号
は同一部分に対応し、１７はレジスト塗布槽１０の温度
を調整する温風、１８は温風１７を図示しない温調手段
から導入するダクト、２０はレジスト恒温槽４を加熱す
るヒータ、２１はレジスト廃液を回収する廃液回収容
器、２２はウエハ９の回転時に発生するレジスト飛沫を
吸引するレジスト飛沫吸引用ブロア、２３はレジスト１
３を吐出させるための所定の圧力をレジスト供給ビン３
を収容した加圧容器６０に与える加圧基体、２４はフィ
ルタ、２５，２６はレジスト配管２の開閉，サックバン
ク用のベローズ、３０は温度センサ、５０はレジスト温
調液体を攪拌する攪拌器である。
【００１８】同図において、ポンプ４０を作動させるこ
とにより、レジスト恒温槽４内のレジスト温調液体１１
がレジスト配管２の廻りを包む温調液体配管１１０を通
して循環する。レジスト温調液体１１は、オンドセンサ
２０の温度検出出力により温度制御装置５で制御される
ヒータ２０により常時加熱温調されている。
とにより、レジスト恒温槽４内のレジスト温調液体１１
がレジスト配管２の廻りを包む温調液体配管１１０を通
して循環する。レジスト温調液体１１は、オンドセンサ
２０の温度検出出力により温度制御装置５で制御される
ヒータ２０により常時加熱温調されている。
【００１９】これにより、レジスト供給ビン３内のレジ
スト１３は一定の温度に保たれている。また、レジスト
温調用液体１１の温度は、レジスト供給ビン３の温度お
よびレジスト配管２内のレジストの温度と同一となる。
レジスト吐出ノズル１に設置したレジスト温度モニタ用
センサ１２のセンサ出力１５は温度制御装置５に与えら
れ、このレジスト吐出ノズル１の先端部におけるレジス
トの温度に基づくレジスト恒温槽４およびレジスト塗布
室１０の温度制御を行う。
スト１３は一定の温度に保たれている。また、レジスト
温調用液体１１の温度は、レジスト供給ビン３の温度お
よびレジスト配管２内のレジストの温度と同一となる。
レジスト吐出ノズル１に設置したレジスト温度モニタ用
センサ１２のセンサ出力１５は温度制御装置５に与えら
れ、このレジスト吐出ノズル１の先端部におけるレジス
トの温度に基づくレジスト恒温槽４およびレジスト塗布
室１０の温度制御を行う。
【００２０】図４はウエハ上に塗布されるレジスト温度
とその膜厚との関係を測定した結果を説明する説明図で
ある。同図においては、横軸にレジスト制御温度を、縦
軸に平均レジスト膜厚とウエハ内膜厚のバラツキをとっ
ている。なお、図５はウエハ上でのレジスト膜厚の測定
箇所を示す説明図で、７０は測定箇所である。
とその膜厚との関係を測定した結果を説明する説明図で
ある。同図においては、横軸にレジスト制御温度を、縦
軸に平均レジスト膜厚とウエハ内膜厚のバラツキをとっ
ている。なお、図５はウエハ上でのレジスト膜厚の測定
箇所を示す説明図で、７０は測定箇所である。
【００２１】この測定によれば、平均レジスト膜厚（ｎ
ｍ）はレジスト制御温度が２４°Ｃ以上で略々一定とな
り、またウエハ内膜厚のバラツキは制御温度が２４°Ｃ
〜２６°Ｃで２０（ｎｍ）以下となることが分かる。図
６は本発明によるレジスト塗布装置によって塗布したレ
ジスト膜厚とその現像寸法との関係を説明する説明図で
あり、また図７はウエハ上での現像寸法の測定位置の説
明図で、７１は測定位置である。
ｍ）はレジスト制御温度が２４°Ｃ以上で略々一定とな
り、またウエハ内膜厚のバラツキは制御温度が２４°Ｃ
〜２６°Ｃで２０（ｎｍ）以下となることが分かる。図
６は本発明によるレジスト塗布装置によって塗布したレ
ジスト膜厚とその現像寸法との関係を説明する説明図で
あり、また図７はウエハ上での現像寸法の測定位置の説
明図で、７１は測定位置である。
【００２２】なお、この測定は１０枚のウエハについ
て、測定位置を各５箇所とした結果を示す。同図に示さ
れたように、本発明によるレジスト塗布装置によれば、
ウエハ内膜厚のバラツキが１０（ｎｍ），２０（ｎ
ｍ），２５（ｎｍ）および４５（ｎｍ）におけるライン
とスペース現像におけるライン現像寸法が略々０．７９
（μｍ）〜０．８３（μｍ）に収まっているのが分か
る。
て、測定位置を各５箇所とした結果を示す。同図に示さ
れたように、本発明によるレジスト塗布装置によれば、
ウエハ内膜厚のバラツキが１０（ｎｍ），２０（ｎ
ｍ），２５（ｎｍ）および４５（ｎｍ）におけるライン
とスペース現像におけるライン現像寸法が略々０．７９
（μｍ）〜０．８３（μｍ）に収まっているのが分か
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明たように、本発明によれば、レ
ジスト吐出ノズルの吐出されるレジストと近接して設置
したレジスト温度モニタ用センサにより当該レジスト吐
出ノズルからウエハ上の表面上に吐出されるレジストの
吐出直前の温度を検出するため、ウエハ上に塗布される
レジストの温度を正確に検出することができ、このレジ
スト温度の検出信号であるセンサ出力を温度制御装置の
制御パラメータの１つとして与えることにより、レジス
ト吐出ノズルからウエハ上に吐出されるレジストの温度
を精密に制御して一定の温度をもったレジストをウエハ
上に塗布して均一なレジスト膜厚を形成することができ
る。
ジスト吐出ノズルの吐出されるレジストと近接して設置
したレジスト温度モニタ用センサにより当該レジスト吐
出ノズルからウエハ上の表面上に吐出されるレジストの
吐出直前の温度を検出するため、ウエハ上に塗布される
レジストの温度を正確に検出することができ、このレジ
スト温度の検出信号であるセンサ出力を温度制御装置の
制御パラメータの１つとして与えることにより、レジス
ト吐出ノズルからウエハ上に吐出されるレジストの温度
を精密に制御して一定の温度をもったレジストをウエハ
上に塗布して均一なレジスト膜厚を形成することができ
る。
【００２４】なお、本発明は上記実施例において説明し
たレジストの塗布に限るものではなく、エッチング液，
現像液，その他の表面処理液の適用装置にも応用できる
ものである。
たレジストの塗布に限るものではなく、エッチング液，
現像液，その他の表面処理液の適用装置にも応用できる
ものである。
【図１】本発明によるレジスト塗布装置の構成図であ
る。
る。
【図２】本発明によるレジスト塗布装置におけるレジス
ト吐出ノズルの断面図である。
ト吐出ノズルの断面図である。
【図３】本発明によるレジスト塗布装置の１実施例を説
明する構成図である。
明する構成図である。
【図４】ウエハ上に塗布されるレジスト温度とその膜厚
との関係を測定した結果を説明する説明図である。
との関係を測定した結果を説明する説明図である。
【図５】ウエハ上でのレジスト膜厚の測定箇所を示す説
明図である。
明図である。
【図６】本発明によるレジスト塗布装置によって塗布し
たレジスト膜厚とその現像寸法との関係を説明する説明
図である。
たレジスト膜厚とその現像寸法との関係を説明する説明
図である。
【図７】本発明によるレジスト塗布装置によって塗布し
たウエハ上での現像寸法の測定位置の説明図である。
たウエハ上での現像寸法の測定位置の説明図である。
１・・・・レジスト吐出ノズル、２・・・・レジスト配
管、３・・・・レジスト供給ビン、４・・・・レジスト
恒温槽、５・・・・温度制御装置、６，６’・・・・温
度モニタ用出力、７，７’・・・・制御信号出力、８・
・・・ウエハ回転ステージ、９・・・・半導体ウエハ、
１０・・・・塗布室、１１・・・・レジスト温調用液
体、１２・・・・レジスト温度モニタ用センサ、１３・
・・・レジスト、１５・・・・センサ出力、４０・・・
・温調用液体循環ポンプ、８０・・・・ステージ回転機
構、１１０，１１０’・・・・温調液体配管。
管、３・・・・レジスト供給ビン、４・・・・レジスト
恒温槽、５・・・・温度制御装置、６，６’・・・・温
度モニタ用出力、７，７’・・・・制御信号出力、８・
・・・ウエハ回転ステージ、９・・・・半導体ウエハ、
１０・・・・塗布室、１１・・・・レジスト温調用液
体、１２・・・・レジスト温度モニタ用センサ、１３・
・・・レジスト、１５・・・・センサ出力、４０・・・
・温調用液体循環ポンプ、８０・・・・ステージ回転機
構、１１０，１１０’・・・・温調液体配管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ 7818−2Ｈ // Ｂ０５Ｃ 5/00 Ｚ 9045−4Ｄ
Claims (1)
- 【請求項１】レジスト供給ビンとレジスト温調用液体を
収容するレジスト恒温層と、半導体ウエハを載置して回
転する半導体ウエハ回転ステージとレジスト吐出ノズル
を収容する塗布室と、前記レジスト恒温層と前記塗布室
の温度を制御する温度制御装置とを少なくとも備えたレ
ジスト塗布装置において、 前記レジスト吐出ノズルの前記レジストと近接する先端
部に設置したレジスト温度モニタ用センサを備え、前記
レジスト温度モニタ用センサのレジスト温度検出出力を
前記温度制御装置の温度制御パラメータとして用いるこ
とにより、前記レジスト吐出ノズル先端部におけるレジ
スト温度を所定値に制御することを特徴とするレジスト
塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23776091A JPH0574698A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23776091A JPH0574698A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574698A true JPH0574698A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17020047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23776091A Pending JPH0574698A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574698A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH105690A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 塗布方法 |
| JP2000228349A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2003266006A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-24 | Fujitsu Ltd | 薬液塗布装置及びその薬液管理方法 |
| JP2011165886A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
| JP2014063807A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Hoya Corp | レジスト液供給装置、レジスト塗布装置、レジスト液の温度管理方法、レジスト液保管装置、及び、マスクブランクの製造方法 |
| JP2020155618A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23776091A patent/JPH0574698A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH105690A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 塗布方法 |
| JP2000228349A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2003266006A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-24 | Fujitsu Ltd | 薬液塗布装置及びその薬液管理方法 |
| JP2011165886A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 |
| JP2014063807A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Hoya Corp | レジスト液供給装置、レジスト塗布装置、レジスト液の温度管理方法、レジスト液保管装置、及び、マスクブランクの製造方法 |
| JP2020155618A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| WO2020189011A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
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