JPS6210273A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6210273A JPS6210273A JP14919785A JP14919785A JPS6210273A JP S6210273 A JPS6210273 A JP S6210273A JP 14919785 A JP14919785 A JP 14919785A JP 14919785 A JP14919785 A JP 14919785A JP S6210273 A JPS6210273 A JP S6210273A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- vapor deposition
- velocity
- shielding plate
- aperture
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は均質蒸着膜を得ることのできる真空蒸着装置を
提供するもので、蒸発源と蒸着基板との間に配置したし
ゃへい板の蒸発物質通過用開口部の開口面積を、蒸着速
度検出機構の検出信号の変化に応じ変化させることによ
り蒸着速度制御を高速で行えるようにして目的の達成を
図っている。
提供するもので、蒸発源と蒸着基板との間に配置したし
ゃへい板の蒸発物質通過用開口部の開口面積を、蒸着速
度検出機構の検出信号の変化に応じ変化させることによ
り蒸着速度制御を高速で行えるようにして目的の達成を
図っている。
本発明は真空蒸着装置の改良に関するものである。
真空蒸着装置において、特に複数の蒸発源から異なった
材料を蒸発させ基板上で混合する多源蒸着の場合、各蒸
発源の速度制御の成否が膜組成に直接影響を与える。従
って、均一な組成をもった膜を作製するためには各蒸発
源の蒸発量を常に一定に保持する必要がある。すなわち
、蒸発量のずれが検出されたときに即座に応答する機構
を持たせることが必要である。
材料を蒸発させ基板上で混合する多源蒸着の場合、各蒸
発源の速度制御の成否が膜組成に直接影響を与える。従
って、均一な組成をもった膜を作製するためには各蒸発
源の蒸発量を常に一定に保持する必要がある。すなわち
、蒸発量のずれが検出されたときに即座に応答する機構
を持たせることが必要である。
従来の真空蒸着装置では、蒸発速度制御を行う場合、こ
れまでは蒸発量の監視を水晶振動式膜厚モニタで行い、
設定蒸発量からのずれの制御は、蒸発源に加える電力を
調整して行っていた。
れまでは蒸発量の監視を水晶振動式膜厚モニタで行い、
設定蒸発量からのずれの制御は、蒸発源に加える電力を
調整して行っていた。
しかし、このような従来の方式では、蒸発材料の性質（
熱容量、蒸発温度）により、電力による蒸発量の応答に
ばらつきがあり、材料ごとに制御系を調整し直す必要が
あった。また、この従来の方式では、電力を上げる一材
料の温度が上がる一蒸発量が多くなる、という具合に応
答するため、速い応答が望めないという欠点も有してお
り、この解決策が特に要望されている。
熱容量、蒸発温度）により、電力による蒸発量の応答に
ばらつきがあり、材料ごとに制御系を調整し直す必要が
あった。また、この従来の方式では、電力を上げる一材
料の温度が上がる一蒸発量が多くなる、という具合に応
答するため、速い応答が望めないという欠点も有してお
り、この解決策が特に要望されている。
本発明は、上述の問題点を解決することのできる真空蒸
着装置を提供することを目的としたもので、その為の手
段として、第１図に示すように、蒸発源と基板との間に
配置したじゃへい板の蒸発物質通過用開口部の開口面積
を、蒸着速度検出機構からの信号と蒸着量設定信号のず
れに応じた信号により変化させる制御手段を設けている
。
着装置を提供することを目的としたもので、その為の手
段として、第１図に示すように、蒸発源と基板との間に
配置したじゃへい板の蒸発物質通過用開口部の開口面積
を、蒸着速度検出機構からの信号と蒸着量設定信号のず
れに応じた信号により変化させる制御手段を設けている
。
蒸着速度制御は、材料の蒸発量と無関係にじゃへい板の
開口部面積を制御手段により調整して基板上への蒸発物
質の到達量を制御することにより行われる。この場合、
熱が関与する過程がなくなるため、蒸発量制御の早い応
答が実現される。
開口部面積を制御手段により調整して基板上への蒸発物
質の到達量を制御することにより行われる。この場合、
熱が関与する過程がなくなるため、蒸発量制御の早い応
答が実現される。
以下、図面に関連して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に係る真空蒸着装置の要部概要説明図で
、図中、１は蒸発源、２は被蒸着基板、３は水晶振動式
膜厚モニタ（蒸着速度検出機構）、４はしゃへい板、５
は制御手段である。
、図中、１は蒸発源、２は被蒸着基板、３は水晶振動式
膜厚モニタ（蒸着速度検出機構）、４はしゃへい板、５
は制御手段である。
しゃへい板４は、開口部６を有し、モータにより駆動さ
れて、一方向に回転する。
れて、一方向に回転する。
制御手段５は、第２図乃至第４図に詳細を示すように、
上板７と、スライドピン８と、レール９と、スプリング
（賦勢手段）１０とよりなる。上板７は、開口部６と同
形状の開口部１１を有し、しゃへい板４に、該しゃへい
板４を駆動するモータ軸１２と同心に回転自在に支持さ
れている。スライドピン８は、しゃへい板４．上板７の
間でじゃへい板４に両端を固定されて半径方向に伸びる
レール９に摺動自在に支持され、上板７に半径方向と交
差する方向に形成された長穴１３に係合している。この
保合により、上板７はしゃへい板４とともに回転可能で
ある。スプリング１０は、このスライドピン８を半径方
向内側（第２．３図の矢印Ａ方向）に賦勢している。
上板７と、スライドピン８と、レール９と、スプリング
（賦勢手段）１０とよりなる。上板７は、開口部６と同
形状の開口部１１を有し、しゃへい板４に、該しゃへい
板４を駆動するモータ軸１２と同心に回転自在に支持さ
れている。スライドピン８は、しゃへい板４．上板７の
間でじゃへい板４に両端を固定されて半径方向に伸びる
レール９に摺動自在に支持され、上板７に半径方向と交
差する方向に形成された長穴１３に係合している。この
保合により、上板７はしゃへい板４とともに回転可能で
ある。スプリング１０は、このスライドピン８を半径方
向内側（第２．３図の矢印Ａ方向）に賦勢している。
本発明の特徴となる制御手段５は以上のように構成され
ているが、次にその作用について説明する。
ているが、次にその作用について説明する。
いま、対向してともに回転しているじゃへい板４、上板
７の開口部６，１１のずれにより形成される蒸着物質通
過用開口面積１４が標準状態であるときは、蒸発源１か
ら蒸発し開口面積１４を通って基板２に蒸着される蒸着
物質の蒸着速度は、適正であり、この蒸着速度は膜厚モ
ニタ３により検出されている。第２，３図はこの状態を
示し、スライドピン８は、その遠心力がスプリング１０
の賦勢力と釣り合って長穴１３の中央付近に位置してい
る。膜厚モニタ３の検出値が標準値とずれた場合は、モ
ータ軸１２の回転数をこのずれに応じて変化させる。こ
の場合、検出値が標準値より大きくなったときは回転数
を減少させ、検出値が標準値より小さくなったときは回
転数を増大させる。モータ軸１２の回転数が減少すると
、スライドピン８の遠心力が小さくなるので、該スライ
ドピン８はスプリング１０に賦勢されて矢印Ａ方向に移
動し、該スライドピン８と係合する上板７はしゃへい板
４に対し第２図の反時計方向に相対的に移動する。従っ
て、開口面積１４は減少して蒸着速度が減少する。また
、モータ軸１２の回転数が増大すると、スライドピン８
はスプリング１０の賦勢力に抗して上述と反対の矢印Ａ
′力方向移動し、上板７はしゃへい板４に対し第２図の
時計方向に相対的に移動して蒸着速度が増大する。これ
らの動きは、膜厚モニタ３の検出値が標準値と等しくな
るまで続けられ、これにより、基板２上に到着する蒸着
物質の量を制御することができるが、この場合、従来の
ように熱が関与する過程がなくなるため、蒸着量制御の
早い応答が実現される。第５図は制御手段の回路図を示
し、蒸着速度検出機構３の信号と蒸着量設定信号は比較
器１５で比較され、モータ１６は、比較器１５で比較さ
れた両信号のずれに応じた量だけモータ駆動回路１７に
より回転数を増減される。
７の開口部６，１１のずれにより形成される蒸着物質通
過用開口面積１４が標準状態であるときは、蒸発源１か
ら蒸発し開口面積１４を通って基板２に蒸着される蒸着
物質の蒸着速度は、適正であり、この蒸着速度は膜厚モ
ニタ３により検出されている。第２，３図はこの状態を
示し、スライドピン８は、その遠心力がスプリング１０
の賦勢力と釣り合って長穴１３の中央付近に位置してい
る。膜厚モニタ３の検出値が標準値とずれた場合は、モ
ータ軸１２の回転数をこのずれに応じて変化させる。こ
の場合、検出値が標準値より大きくなったときは回転数
を減少させ、検出値が標準値より小さくなったときは回
転数を増大させる。モータ軸１２の回転数が減少すると
、スライドピン８の遠心力が小さくなるので、該スライ
ドピン８はスプリング１０に賦勢されて矢印Ａ方向に移
動し、該スライドピン８と係合する上板７はしゃへい板
４に対し第２図の反時計方向に相対的に移動する。従っ
て、開口面積１４は減少して蒸着速度が減少する。また
、モータ軸１２の回転数が増大すると、スライドピン８
はスプリング１０の賦勢力に抗して上述と反対の矢印Ａ
′力方向移動し、上板７はしゃへい板４に対し第２図の
時計方向に相対的に移動して蒸着速度が増大する。これ
らの動きは、膜厚モニタ３の検出値が標準値と等しくな
るまで続けられ、これにより、基板２上に到着する蒸着
物質の量を制御することができるが、この場合、従来の
ように熱が関与する過程がなくなるため、蒸着量制御の
早い応答が実現される。第５図は制御手段の回路図を示
し、蒸着速度検出機構３の信号と蒸着量設定信号は比較
器１５で比較され、モータ１６は、比較器１５で比較さ
れた両信号のずれに応じた量だけモータ駆動回路１７に
より回転数を増減される。
以上述べたように、本発明によれば、蒸着速度制御を高
速で行うことができ、均質蒸着膜を得ることが可能であ
る。
速で行うことができ、均質蒸着膜を得ることが可能であ
る。
第１図は本発明の実施例を示す真空蒸着装置の要部概要
説明図、 第２図はその制御手段の詳細を示す平面図、第３図は同
側面図、 第４図は第２図のＩ Ｖ−Ｉ Ｖ断面図、第５図は本発
明の制御手段を示す回路図で、図中、 １は薫発源、 ２は基板、 ３は水晶振動式膜厚モニタ （蒸着速度検出機構）、 ４はしゃへい板、 ５は制御手段、 ６．１１は開口部、 ７は上板、 ８はスライドビン、 ９はレール、 １０はスプリング（賦勢手段）、 １２はモータ軸、 １３は長大、 １４は開口面積である。
説明図、 第２図はその制御手段の詳細を示す平面図、第３図は同
側面図、 第４図は第２図のＩ Ｖ−Ｉ Ｖ断面図、第５図は本発
明の制御手段を示す回路図で、図中、 １は薫発源、 ２は基板、 ３は水晶振動式膜厚モニタ （蒸着速度検出機構）、 ４はしゃへい板、 ５は制御手段、 ６．１１は開口部、 ７は上板、 ８はスライドビン、 ９はレール、 １０はスプリング（賦勢手段）、 １２はモータ軸、 １３は長大、 １４は開口面積である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 蒸着速度検出機構を有し、蒸発源と被蒸着基板との間に
配置したしゃへい板の開口部を通る前記蒸発源からの蒸
発物質により蒸着を行う真空蒸着装置において、 前記蒸着速度検出機構からの信号と蒸着量設定信号のず
れに応じた信号により前記開口部の開口面積を変化させ
る制御手段を設けたことを特徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14919785A JPS6210273A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14919785A JPS6210273A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210273A true JPS6210273A (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15469941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14919785A Pending JPS6210273A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210273A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63213581A (ja) * | 1988-01-14 | 1988-09-06 | Seiko Epson Corp | インクジォット記録用インク |
| US4942063A (en) * | 1989-04-20 | 1990-07-17 | North American Philips Corporation | Method for controlling the thickness distribution of an interference filter |
| US4982695A (en) * | 1989-04-20 | 1991-01-08 | North American Philips Corporation | Method and apparatus for controlling the thickness distribution of an interference filter |
| JP2006134738A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置並びに、それを用いて製造した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP14919785A patent/JPS6210273A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63213581A (ja) * | 1988-01-14 | 1988-09-06 | Seiko Epson Corp | インクジォット記録用インク |
| US4942063A (en) * | 1989-04-20 | 1990-07-17 | North American Philips Corporation | Method for controlling the thickness distribution of an interference filter |
| US4982695A (en) * | 1989-04-20 | 1991-01-08 | North American Philips Corporation | Method and apparatus for controlling the thickness distribution of an interference filter |
| JP2006134738A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置並びに、それを用いて製造した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4635570B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2011-02-23 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置 |
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