JP2006134738A - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置並びに、それを用いて製造した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、プラズマ成膜装置のプラズマ発生部5と積層基板2の間に開口部を有する導電体6aと可動性遮蔽板6bからなる遮蔽部6を設けることで、プラズマ発生部から飛来するプラズマ粒子を遮蔽し積層基板をプラズマダメージから保護することができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【選択図】図1
Description
プラズマ成膜装置のプラズマ発生部と前記積層基板間に遮蔽部を設け、該遮蔽部の開口率を、小から大に変化させて成膜することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
前記プラズマ成膜するプラズマ成膜装置は、ターゲット部と、プラズマ発生部と、積層基板を保持する保持部と、開口率を変化させることができる遮蔽部を備え、前記遮蔽部がプラズマ発生部と前記積層基板の保持部との間に設けられていることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置である。
本発明に記載の有機エレクトロニクスルミネッセンスの素子の製造方法は、プラズマ成膜装置においてプラズマ発生部と積層基板の間に遮蔽部設ける。成膜初期においてプラズマ成膜装置から有機発光媒体層への遮蔽部の開口率を小さくして、有機発光媒体層へのプラズマダメージを低減し、その状態でターゲットの電極材料をある程度の厚さを積層する。すると、この電極材料層は有機発光媒体層の保護層として機能するため、この後スパッタリング装置から有機発光媒体層への開口率を大きくしても、有機発光媒体層へダメージを与えず、成膜速度を向上させることができる。
遮蔽部の構造は、プラズマを遮蔽することができ開口率を小から大に調整することができれば、特に限定されるものではなく任意の構造を用いることができる。1つ又は複数の遮蔽板等を組み合わせて設置することも可能である。
開口部を有する導電体は、プラズマ粒子の電荷をキャンセルするために設置するものであり、接地電位であることが好ましい。ターゲット部から飛び出た原子は、開口部を有する導電体の開口部をすり抜けて積層基板に成膜される。
可動性遮蔽板は、プラズマ粒子を直接遮蔽するために設けるものであり、可動性を有することでプラズマ発生部から積層基板に対する開口率を調整することができる。本発明の実施形態として可動性遮蔽板を円盤とし、中心を軸とした回転運動をする場合には、可動性遮蔽板にスリット等の開口部を設けて、一定割合でターゲット部から飛び出た原子が通過できるようにする。
前記遮蔽部6は開口部を有する導電体6aと可動性遮蔽板6bで構成され、開口部を有する導電体6aの方がプラズマ発生部側にあり、通常可動性遮蔽板6bが積層基板の保持部10側にあるが、上下逆の配置も可能である。また開口部を有する導電体6aと積層基板の保持体10の間にガス供給口7があり、ガス排気手段(図示せず)が設けられている。なお、積層基板2は積層基板の保持部10に固定したまま成膜しても、積層基板2を積層基板の保持部10に保持し、積層基板面に対し平行に搬送しながら成膜してもよい。
可動性遮蔽板を開口部のない遮蔽板とすることで、プラズマ放電が安定するまで基板にプラズマが飛来しないようシャッターとして用いることができる。図1、2のように可動性遮蔽板6bにスリット状の開口部を備えさせ、可動性遮蔽板6bを回転させることにより、基板が常時プラズマに晒されないようにすることも可能である。これらの場合、成膜初期段階(図1)では、プラズマが可動性遮蔽板に遮られるため、有機発光媒体のダメージが抑えられる。このようなスリットを有する円盤型の可動性遮蔽部を設けた場合、円盤の半径が積層基板の長径よりも大きくすることが望ましく、スリットの幅は基板のサイズや成膜条件によって設定できる。可動性遮蔽板の厚さは自由に設定できるが、厚すぎるとスリットの角部が、斜め方向から通過するターゲット原子の軌道を遮ってしまうので、一定程度の薄さは必要である。また可動性遮蔽板の材質はプラズマを遮断することができる材料であれば、任意に選択することが可能で、例えば強度や扱いやすさの点からステンレス等を用いることが望ましい。
ある程度、積層基板が搬送され成膜が進行した段階(図2)で、可動性遮蔽板6bによる遮蔽が終わらせると、ターゲット部からの開口率が上昇し、積層速度を上昇させることができる。
また積層基板を搬送せずに設置したまま第二の電極層を積層するような場合、図3、4に示すように可動性遮蔽板6bが開口部を有する導電体6aと同様の開口部を有し、スライド、回転等の動作により遮断状態(図3)と開口状態(図4)を切り替えできるような構造としても良い。この場合、成膜初期段階においては、開口率を小さくなるように設置し(図3)プラズマダメージを抑え、その後可動性遮蔽板6bないし開口部を有する導電体6aをスライドさせて開口率を大きくする(図4)。
また、これらの基板にあらかじめ加熱処理を行い、基板内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。さらに、基板20a上に積層される材料におうじて密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、UVオゾン処理などの表面処理を施すことが好ましい。これら基板には、必要に応じて、カラーフィルター層や光散乱層、光偏向層、平坦化層などを設けてもよい。
また、必要に応じて、陽極層の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。
また有機発光媒体層22の多層膜の構成と機能は必ずしもこのように分ける必要はなく、例えば正孔輸送材料と発光材料の両方の機能をもたせた層を構成するか、これらの多層膜の一部又は全部の層の材料を混合した層を形成することなども可能である。
有機発光媒体層の膜厚は、単層または積層により形成する場合においても1000nm以下であり、好ましくは50〜150nmである。特に、高分子有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料は、基板や陽極層の表面突起を覆う効果が大きく、50〜100nm程度厚い膜を成膜することがより好ましい。
陰極層の材料としては、透明性と抵抗率の両方に優れているITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を用いることが望ましい。
<実施例1>
基板20aとしてガラス基板を用い、基板20a上にスパッタリング法で第一の電極(陽極層)としてITO膜を150nm形成した後に、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法によって、ITO膜をパターンニングした(図5)。
次に、正孔輸送層としてポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物(20nm)、蛍光体層としてポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレン ビニレン](MEHPPV)(100nm)をそれぞれスピンコート法により形成し有機発光媒体層22とした(図6)。
次に積層基板2の有機発光媒体層側の面11がターゲット部を向くように、有機エレクトロルミネッセンス製造装置内部に設置し、電子注入層としてCa膜を5nm形成し、第二の電極(陰極層)としてITO膜を100nm形成した(図7)。
前記第二の電極であるITO膜の成膜について説明する。基板1は図1に示すように積層基板2を搬送しながら成膜した。プラズマ成膜装置はDCマグネトロンスパッタ装置を用いた。遮蔽部を構成する開口部を有する導電体6aと可動性遮蔽板6bを用いた。この開口部を有する導電体6aとしては、開口率5%から開口率50%まで傾斜したメッシュ状の開口部を有する導電体を用いた。導入ガスは供給口を、開口部を有する導電体6aより積層基板2側に設置し、アルゴンガスと酸素ガスを導入する。また、可動性遮蔽板としては、中心部から外周に抜ける幅10mmのスリットを有する円状の板を用い、導電体の開口率が5〜15%の領域に設置し、30rpmで回転させながら、図1、図2に示すように基板を搬送しITO膜を成膜した。最後に、エポキシ樹脂を用いて、基板20bとしてガラス基板を貼り合せ、有機エレクトロルミネッセンス素子を封止した。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子に7Vの電圧を印加した結果、第一の電極側(陽極層側)および第二の電極側(陰極層側)両方から、輝度約10000cd/m2の発光が確認できた。陰極層としてITOを成膜せずに、Ag膜を100nm成膜した有機エレクトロルミネッセンス素子にも7Vの電圧を印加した結果、第一の電極(陽極層側)から同様に輝度約10000cd/m2の発光が確認できたことから、ITO膜を形成したことによる有機発光媒体層22へのダメージはないことが確認された。
実施例1に記載した製造装置において、開口部を有する導電体6aと、可動性遮蔽板6bを設置せずに、第二の電極(陰極層)としてITO膜100nmを形成した。
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子に7Vの電圧を印加した結果、第一の電極側(陽極層側)および第二の電極側(陰極層側)両方から、輝度100cd/m2の発光が確認できた。このことから、ITO膜を形成したことにより、有機発光媒体層22がダメージを受け、発光効率が1/100に低下することがわかった。
実施例1に記載した製造装置において、可動性遮蔽板6bを設置せずに、第二の電極(陰極層)としてITO膜100nmを形成した。作製した有機エレクトロルミネッセンス素子に7Vの電圧を印加した結果、第一の電極側(陽極層側)および第二の電極側(陰極層側)両方から、輝度2500cd/m2の発光が確認できた。このことから、ITO膜を形成したことにより、有機発光媒体層22がダメージを受け、発光効率が1/4に低下することがわかった。
実施例1に記載した製造装置において、開口部を有する導電体6aを設置せずに、第二の電極(陰極層)としてITO膜100nmを形成した。作製した有機エレクトロルミネッセンス素子に7Vの電圧を印加した結果、第一の電極側(陽極層側)および第二の電極(陰極層側)両方から、輝度1000cd/m2の発光が確認できた。このことから、ITO膜を形成したことにより、有機発光媒体層22がダメージを受け、発光効率が1/10に低下することがわかった。
11 積層基板の有機発光媒体層側の面
12 積層基板の基板面
2 積層基板
4 ターゲット部
5 プラズマ発生部
6 遮蔽部
6a 開口部を有する導電体
6b 可動性遮蔽板
7 ガス供給口
8 防着板
9 磁石
10 積層基板の保持部
20a 基板
20b 基板
21 第一の電極
22 有機発光媒体層
23 第二の電極
24 接着層
Claims (19)
- 少なくとも第一の電極および有機発光媒体層が積層された積層基板上に、
プラズマ成膜により第二の電極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
プラズマ成膜装置のプラズマ発生部と前記積層基板間に遮蔽部を設け、該遮蔽部の開口率を、小から大に変化させて成膜することを特徴とする、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第一の電極を陽極、前記第二の電極を陰極とし、かつ前記第二の電極が透明電極であることを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機発光媒体層は高分子型正孔輸送層と高分子型発光層の積層構成あることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機発光媒体層と第二の電極との間に厚さ0.1nm〜50nmの電子注入層を積層することを特徴とする、請求項1乃至3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記電子注入層が少なくともアルカリ金属又はアルカリ土類金属からなり、かつ
前記第二の電極が金属酸化物又は金属複合酸化物から成ることを特徴とする、
請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第二の電極上に、少なくとも接着層、基板がこの順に積層されていることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記プラズマ成膜装置がスパッタリング法により成膜を行うことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機発光媒体層が高分子型発光媒体層であり、該高分子型発光媒体層が塗布法または印刷法を用いて成膜されていることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも第一の電極および有機発光媒体層が積層された積層基板上に、
プラズマ成膜により第二の電極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置において、
前記プラズマ成膜するプラズマ成膜装置は、ターゲット部と、プラズマ発生部と、積層基板を保持する保持部と、開口率を変化させることができる遮蔽部を備え、前記遮蔽部がプラズマ発生部と前記積層基板の保持部との間に設けられていることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置。 - 前記遮蔽部として、少なくとも可動性遮蔽板を備えることを特徴とする、請求項10に記載の製造装置。
- 前記可動性遮蔽板の可動方式が回転運動であることを特徴とする、請求項11に記載の有機エレクトルミネッセンス素子の製造装置。
- 前記遮蔽部として、少なくとも開口部を有する導電体を備えることを特徴とする、請求項10乃至12のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置。
- 前記開口部を有する導電体が接地電位であることを特徴とする、請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンスの製造装置。
- 排気口とガス供給口を有し、該排気口が開口部を有する導電体よりもターゲット部側に配置され、該ガス供給口が開口部を有する導電体よりも基板側に配置されていることを特徴とする、請求項13又は14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置。
- プラズマ成膜装置がDCマグネトロンスパッタ装置であることを特徴とする、請求項10乃至請求項15のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置。
- 請求項1に記載のプラズマ成膜装置が対向ターゲットスパッタ装置であることを特徴とする、請求項10乃至15のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置。
- 請求項10乃至17のいずれかに記載の製造装置を用いて製造されたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項9又は請求項18に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えていることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ。
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