JP2012209209A - 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも第一電極、有機発光層を含む有機発光媒体層、第二電極、パッシベーション層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、前記パッシベーション層は3層以上から構成され、パッシベーション層最下層の被覆率が60%以上かつ水蒸気透過率が0.05g/m2/day、パッシベーション層中段層の被覆率が70%以上、パッシベーション層最上層の水蒸気透過率が0.01g/m2/dayであり、各層それぞれが異なる開口のマスクでパターニング成膜されることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
薄膜トランジスタを有機ELディスプレイのスイッチング素子として機能するように接続するために、薄膜トランジスタのドレイン電極と、有機ELディスプレイの各画素を構成する有機EL素子の第一電極層22とが電気的に接続される。薄膜トランジスタとドレイン電極と有機ELディスプレイの第一電極層22との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。
この矩形隔壁の高さは、有機エレクトロルミネッセンスパネル上の凹凸形状、または想定される異物サイズと同等程度の高さを設けることが望ましい。被覆率が70%以上であれば、有機エレクトロルミネッセンスパネルに混入した異物や凹凸形状を十分に包みこむことができるため、有機発光媒体層の経時劣化が少なく、耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンスパネルとすることができる。
基板21として既に第一電極層22、取り出し電極、TFT回路を保護するためのSiNx層からなる無機絶縁層および無機絶縁層上のポリイミドからなる樹脂絶縁層を備え、絶縁層は画素を仕切る隔壁28として形成されているTFT基板21を用いた。
また、図1に示すように基板31に3μmの隔壁32を形成し、パッシベーション層のみを実施例1と同様の成膜条件で窒化珪素を形成した。この基板を走査型電子顕微鏡で観察したところ、被覆率は72%であり、クラックのない良好な膜が形成されていた。また、このときの成膜速度は210nm/minであった。
実施例1に記述したパッシベーション層を中段層26のみの条件で3000nm厚形成したこと以外は実施例1と同様に有機エレクトロルミネッセンスパネルを作成し、7Vの電圧を印加した結果、3100cd/m2の輝度が得られ、電流効率は6cd/Aであり実施例1と同様の特性が得られた。さらに60℃90%RH下で800Hr放置したところ、ダークスポットが拡大し、1000Hr経過語は隣接画素までダークスポットが拡大した。
実施例1に記述したパッシベーション層を最上層27のみの条件で3000nm厚形成したこと以外は実施例1と同様に有機エレクトロルミネッセンスパネルを作成し、7Vの電圧を印加した結果、1300cd/m2の輝度が得られ、電流効率は4cd/Aでありと低下した。さらに60℃90%RH下で500Hr放置したところ、ダークスポットが拡大し、1000Hr経過後は隣接画素までダークスポットが拡大した。
陰極端からの間隔が1mmの開口を持つマスクを用い、最下層25、中段層26、最上層27を成膜したこと以外は実施例1と同様に有機エレクトロルミネッセンスパネルを作成し、7Vの電圧を印加した結果、2900cd/m2の輝度が得られ、電流効率は6cd/Aと実施例1と同様の特性が得られた。さらに60℃90%RH下で600Hr放置したところ、発光端部からダークスポットが拡大し、1000Hr経過後まで徐々に拡大し、ダークスポットは全発光画素の4分の1まで拡大した。
Claims (7)
- 少なくとも第一電極、有機発光層を含む有機発光媒体層、第二電極、パッシベーション層を基板上に備えた有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
前記パッシベーション層は3層以上から構成され、パッシベーション層最下層の被覆率が60%以上かつ水蒸気透過率が0.05g/m2/day、パッシベーション層中段層の被覆率が70%以上、パッシベーション層最上層の水蒸気透過率が0.01g/m2/dayであり、
各層それぞれが異なる開口のマスクでパターニング成膜されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 前記パッシベーション膜は少なくともSiH4及びNH3ガスから成膜され、SiH4のガス流量がNH3のガス流量の2倍以上5倍以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
- 前記パッシベーション層を形成する工程において、基板の温度を50℃以上90℃以下とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
- 前記パッシベーション層の平均成膜速度が200nm/min以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
- 前記パッシベーション層用マスクは耐腐食性を持ち、耐熱性の高いセラミックスを用いたマスクを使用して成膜することを特徴とする請求項1及至4に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
- 前記パッシベーション層のマスクの厚みは、開口端からマスク端向かって傾斜を持ち厚くなることを特徴とする請求項1及至請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
- 前記パッシベーション層マスクの開口面積は、最下層<中段層<最上層、と大きくすることを特徴とする請求項1及至請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
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