JP2003283071A

JP2003283071A - 立体回路板及びその製造方法

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Publication number: JP2003283071A
Application number: JP2002086980A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Masaki; 康史正木
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2002-03-26
Publication date: 2003-10-03
Anticipated expiration: 2022-03-26
Also published as: JP4048811B2

Abstract

(57)【要約】【課題】回路の配置密度を高くすることができる立体
回路板を提供する。【解決手段】基板１の表面に段差側面部２を介して複
数の高さに層別される複数段の平面部４を設ける。段差
側面部２を導体が被覆されない非回路部３として形成す
ると共に、平面部４に導体を被覆して回路部５を形成す
る。段差側面部２に形成される非回路部３は基板１の表
面において面方向において面積として表われない。この
ために基板１の全面を利用して回路部５を高密度に形成
することが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路を基板の表面
に三次元立体的に設けて形成した立体回路板及びその製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】基板回路１に回路部５を形成するにあた
って、物理蒸着法（ＰＶＤ）で回路形成する方法が普及
しつつある。図３２はＰＶＤ法によって回路部５を形成
する方法の一例を示すものであり、図３２（ａ）のよう
な基板１の表面にスパッタリングなどで、図３２（ｂ）
のように基板１の全面に導体膜３６を形成し、次に回路
形成部分３７の輪郭に沿って導体膜３６にレーザーを照
射して、回路形成部分３７の輪郭部３８を図３２（ｃ）
のように除去する。この後、回路形成部分３７の導体膜
３６に通電して電気メッキをして厚付けすることによっ
て、図３２（ｄ）のように回路部５を形成し、そして必
要に応じて、ソフトエッチング処理することによって図
３２（ｅ）のように回路部５以外の部分の導体膜３６を
除去し、さらに回路部５にニッケルメッキや金メッキを
して仕上げるようにしてある。

【０００３】図３２は平板状の基板１について説明をし
たが、図３３に示すような凹凸を有する立体的な基板１
についても、同様に、スパッタリングによる導体膜３６
の形成、レーザーＬの照射による回路形成部分３７の輪
郭部３８の除去の工程を経て、回路部５を形成すること
ができるものである。尚、特に立体基板の場合は、一括
露光パターンニング方法における露光の際に露光マスク
を付着させるのが困難であり、レーザーの照射パターン
ニング方法による回路形成のほうが優れている。

【０００４】ここで、上記の方法は特開平７−６６５３
２号公報や特開平７−６６５３３号公報によって提供さ
れている方法であるが、基板１の表面にスパッタリング
などで導体膜３６を形成した後に、レーザーを照射して
回路を形成する部分の周囲の導体膜３６を除去する必要
がある。従って、レーザーを照射する工程が必要になっ
て製造工数や製造コストが増大するという問題がある。
またレーザーの照射による基板１の表面の熱ダメージ
で、回路部５の端部が図３４のように剥がれ、基板１に
対する回路部５の密着性が低下するおそれがあり、特に
基板１の材料が樹脂であると、レーザーの照射部分が炭
化し、回路部５間の絶縁抵抗が劣化する可能性があると
いう問題もある。

【０００５】一方、このようなレーザーの照射を行なう
必要なく、ＰＶＤ法で回路部５を形成する方法が特開２
０００−２１６５０４号公報や特開２０００−２１６５
０５号公報で提供されている。図３５はその一例を示す
ものであり、図３５（ａ）のように表面に凹凸を設けた
基板１を用い、基板１の表面にスパッタリングなどＰＶ
Ｄ法で導体を付着させるようにしたものであり、ＰＶＤ
法では一般的にターゲットのそれぞれの表面部分から導
体粒子はある角度範囲をもって放射され、ガス粒子やプ
ラズマのイオンにぶつかりながら基板１の表面に向かっ
て飛翔するので、凹部３９の内部には入り込み難く、少
なくともこの飛翔方向と平行になる凹凸の凸部２４と凹
部３９の間の側面である段差側面部２には導体が付着し
難くなる。従って、凸部２４の頂面に付着した導体は、
導体が付着し難い凹部３９によって不連続になるので、
図３５（ｂ）のように凹部３９の部分が回路間の絶縁部
となった回路部５を凸部２４の頂面に形成することがで
きるものであり、回路部５の輪郭をレーザーで除去する
ような必要がなくなるのである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように特開２０
００−２１６５０４号公報や特開２０００−２１６５０
５号公報で提供されている方法では、表面に凹凸を設け
た基板１を用いてＰＶＤ法で導体を付着させることによ
って、レーザーの照射を行なう必要なく凸部２４の頂面
に回路部５を形成することができるのである。

【０００７】しかし、凸部２４の頂部に形成された回路
部５は凹部３９を介して配置されているものであり、基
板１の表面のうち凹部３９の部分は回路が形成されない
部分となるので、基板１の表面の回路配置密度が低くな
るという問題があった。回路配置密度を高くするために
は、凹部３９の幅を狭くすることが必要であるが、樹脂
の射出成形で基板１を作製する場合、凹部３９の幅を狭
く形成するのには限界があって、凹部３９の幅を１００
μｍ以下にすることは困難であり、回路配置密度を高く
するのには限度があるものであった。

【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、回路の配置密度を高くすることができる立体回路
板及びその製造方法を提供することを目的とするもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
立体回路板は、基板１の表面に段差側面部２を介して複
数の高さに層別される複数段の平面部４を設け、段差側
面部２を導体が被覆されない非回路部３として形成する
と共に、平面部４に導体を被覆して回路部５を形成して
成ることを特徴とするものである。

【００１０】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、平面部４を高さが異なる３段以上に形成して成るこ
とを特徴とするものである。

【００１１】また請求項３の発明は、請求項１又は２に
おいて、複数段の平面部４のうち一部の平面部４を導体
が被覆されない非回路部３として形成して成ることを特
徴とするものである。

【００１２】また請求項４の発明は、請求項１乃至３の
いずれかにおいて、基板１の表面に高さの異なる平面部
４間を連絡する傾斜面６を設け、傾斜面６に導体を被覆
して高さの異なる平面部４の回路部５を電気的に接続す
る接続回路部７を形成して成ることを特徴とするもので
ある。

【００１３】また請求項５の発明は、請求項１乃至４の
いずれかにおいて、端部同士が対向する平面部４の端部
間に、これらの平面部４より低い平面部を配置し、上記
端部同士が対向する平面部４に形成した回路部５の端部
間を電気的に接続して成ることを特徴とするものであ
る。

【００１４】また請求項６の発明は、請求項５におい
て、接続用部材８によって、上記端部同士が対向する平
面部４に形成した回路部５の端部間を電気的に接続して
成ることを特徴とするものである。

【００１５】また請求項７の発明は、請求項６におい
て、接続用部材８として、ワイヤーとジャンパー部品の
少なくとも一方を用いて成ることを特徴とするものであ
る。

【００１６】また請求項８の発明は、請求項６におい
て、上記端部同士が対向する平面部４の各端部を基板１
の表面側へ下り傾斜する端部傾斜面９として形成すると
共に端部傾斜面９に導体を被覆して平面部４の回路部５
と電気的に接続された端部回路部１０を形成し、接続用
部材８として、両端面にこの各端部傾斜面９と平行に傾
斜する接合用傾斜面１１を設けると共に各接合用傾斜面
１１及び表面に導通用回路部１２を形成したものを用
い、上記端部同士が対向する平面部４の端部間に接続用
部材８を配置すると共に端部傾斜面９の端部回路部１０
と接続用傾斜面１１の導通用回路部１２を接合させて成
ることを特徴とするものである。

【００１７】また請求項９の発明は、請求項６におい
て、上記端部同士が対向する平面部４の端部間に配置さ
れる高さの低い平面部４を電気絶縁性の被覆材１３で被
覆し、接続用部材８として導電材料を用いると共に被覆
材の表面に導電材料を設けることによって、上記端部同
士が対向する平面部４に形成した回路部５の端部間を電
気的に接続することを特徴とするものである。

【００１８】また請求項１０の発明は、請求項１乃至４
のいずれかにおいて、端部同士を対向させた平面部４の
端部間に、これらの平面部４より低い平面部４を配置
し、上記端部同士を対向させた平面部４に形成した回路
部５の各端部を電子部品実装端子部１４として、この端
部同士を対向させた平面部５の端部上に配置される電子
部品１５を実装して成ることを特徴とするものである。

【００１９】また請求項１１の発明は、請求項１０にお
いて、上記電子部品実装端子部１４が形成された平面部
４より低い平面部４の回路部５に、他の電子部品実装端
子部１４を形成し、上記実装された電子部品１５の下方
に他の電子部品１５が重なるように、他の電子部品実装
端子部１４に他の電子部品１５を実装して成ることを特
徴とするものである。

【００２０】また請求項１２の発明は、請求項１乃至１
１のいずれかにおいて、基板１に基板１の表裏に貫通す
るスルーホール１６を形成し、基板１の表面側の平面部
４に形成した回路部５と電気的に接続されるスルーホー
ル回路部１７をスルーホール１６の内周に設け、基板１
の裏面に形成した裏面回路部１８とスルーホール回路部
１６とを電気的に接続して成ることを特徴とするもので
ある。

【００２１】また請求項１３の発明は、請求項１２にお
いて、回路部５を形成した平面部４の端部と、スルーホ
ール１６を形成した基板１の表面との間に、つづら折り
状あるいは螺旋状に傾斜する屈曲傾斜面１９を形成し、
回路部５とスルーホール回路部１７とを電気的に接続す
る連絡用回路部２０を屈曲傾斜面１９に形成して成るこ
とを特徴とするものである。

【００２２】また請求項１４の発明は、請求項１２又は
１３において、スルーホール回路部１７と裏面回路部１
８との接続部分に導電ペースト２１を塗布して成ること
を特徴とするものである。

【００２３】また請求項１５の発明は、請求項１乃至１
４のいずれかにおいて、複数段の各平面部４をメッキ用
傾斜面２２を介してこれらの平面部４より少なくとも高
い段の平面部４に連絡させ、この高い平面部４及びメッ
キ用傾斜面２２に、上記の複数段の平面部４に電気メッ
キをする際に通電を行なうためのメッキ通電用回路部２
３を形成して成ることを特徴とするものである。

【００２４】また請求項１６の発明は、請求項１５にお
いて、メッキ通電用回路部２３は、電気メッキの後にエ
ッチングして除去されるものであることを特徴とするも
のである。

【００２５】また請求項１７の発明は、請求項１５にお
いて、基板１のうちメッキ通電用回路部２３を形成した
平面部４を設けた部分は、電気メッキの後に少なくとも
基板１の一部とともに切除されるものであることを特徴
とするものである。

【００２６】また請求項１８の発明は、請求項１乃至１
７のいずれかにおいて、複数段の平面部４のうち、高さ
の低い平面部４に形成した回路部５を電気絶縁性の被覆
材１３で被覆すると共に高さの高い平面部４に形成した
回路部５をこの被覆材１３の表面に露出させて成ること
を特徴とするものである。

【００２７】また請求項１９の発明は、請求項１乃至１
８のいずれかにおいて、基板１の表面の凹凸の凸部２４
の頂面に平面部４を形成し、凸部２４の頂面の角部をテ
ーパ面あるいはアール面に形成して成ることを特徴とす
るものである。

【００２８】また請求項２０の発明は、請求項１乃至１
９のいずれかにおいて、基板１の表面の凹凸の凸部２４
の頂面に平面部４を形成すると共に凸部２４の側面に段
差側面部２を形成し、凸部２４の側面にアンダーカット
部２５を形成して成ることを特徴とするものである。

【００２９】また請求項２１の発明は、請求項１乃至２
０のいずれかにおいて、平面部４にバンプ用凸部２６を
突設し、バンプ用凸部２６に導体を被覆して電子部品実
装用のバンプ端子２７を形成して成ることを特徴とする
ものである。

【００３０】また請求項２２の発明は、請求項１乃至２
１のいずれかにおいて、段差側面部２の表面を粗面に形
成して成ることを特徴とするものである。

【００３１】また請求項２３の発明は、請求項１乃至２
２のいずれかにおいて、基板１の表面に物理蒸着法で導
体を付着させることによって、導体が付着し難い段差側
面部２に非回路部３を形成すると共に、導体が付着し易
い平面部４に回路部５を形成して成ることを特徴とする
ものであるまた請求項２４の発明は、請求項２３におい
て、段差側面部２に付着した導体はエッチング除去され
ていることを特徴とするものである。

【００３２】また請求項２５の発明は、請求項１乃至２
４のいずれかにおいて、基板１は、樹脂又はセラミック
ス材料を成形して形成されたものであることを特徴とす
るものである。

【００３３】また請求項２６の発明は、請求項１乃至２
４のいずれかにおいて、基板１は、金属材２９の表面に
絶縁層３０をコーティングして形成されたものであるこ
とを特徴とするものである。

【００３４】また本発明に係る請求項２７の立体回路板
の製造方法は、請求項１乃至２６のいずれかに記載の立
体回路板を製造するにあたって、基板１の表面に段差側
面部２を介して複数の高さに層別される複数段の平面部
４を設け、基板１の表面に物理蒸着法で導体を付着させ
た後、段差側面部２に付着した導体をエッチング除去す
ることによって、段差側面部２に導体が被覆されない非
回路部３を形成すると共に、導体が被覆された平面部４
に回路部５を形成することを特徴とするものである。

【００３５】また請求項２８の発明は、請求項２７にお
いて、イオンビームスパッタリング法でターゲット３１
から導体粒子をスパッタリングして基板１の表面に付着
させることを特徴とするものである。

【００３６】また請求項２９の発明は、請求項２７にお
いて、ターゲット３１からスパッタリングされた導体粒
子によってこのターゲット３１をスパッタリングするセ
ルフスパッタリング法で、ターゲット３１からスパッタ
リングされた導体粒子を基板１の表面に付着させること
を特徴とするものである。

【００３７】また請求項３０の発明は、請求項２７にお
いて、プラズマ生成ガスの雰囲気下でプラズマを発生さ
せてスパッタリングを開始し、プラズマが発生した後に
プラズマ生成ガスのガス圧を低くした状態で、ターゲッ
ト３１からスパッタリングされた導体粒子を基板１の表
面に付着させることを特徴とするものである。

【００３８】また請求項３１の発明は、請求項２７にお
いて、強磁場を発生させたマグネトロンスパッタリング
法でターゲット３１からスパッタリングされた導体粒子
を基板１の表面に付着させることを特徴とするものであ
る。

【００３９】また請求項３２の発明は、請求項２７にお
いて、ターゲット３１から導体粒子をスパッタリングし
て基板１の表面に付着させるにあたって、ターゲット３
１と基板１の間に、ターゲット３１と基板１の方向に開
口する多数の孔３３を有する多孔板３２を配置し、ター
ゲット３１から叩き出された導体粒子を多孔板３２の孔
３３を通して基板１に飛翔させて付着させることを特徴
とするものである。

【００４０】また請求項３３の発明は、請求項３２にお
いて、表面を粗化した多孔板３２を用いることを特徴と
するものである。

【００４１】また請求項３４の発明は、請求項２７乃至
３３のいずれかにおいて、ターゲット３１から導体粒子
をスパッタリングして基板１の表面に付着させるにあた
って、基板１を冷却することを特徴とするものである。

【００４２】また請求項３５の発明は、請求項２７乃至
３４のいずれかにおいて、基板１の表面に導体との密着
性が悪い樹脂層３４を設け、これをプラズマエッチング
して平面部４の樹脂層３４を除去した後、基板１の表面
に物理蒸着法で導体を付着させることを特徴とするもの
である。

【００４３】また請求項３６の発明は、請求項２７乃至
３４のいずれかにおいて、基板１の表面に導体との密着
性が悪い樹脂層３４を設け、これを酸素イオンビームエ
ッチングして平面部４の樹脂層３４を除去した後、基板
１の表面に物理蒸着法で導体を付着させることを特徴と
するものである。

【００４４】また請求項３７の発明は、請求項２７乃至
３６のいずれかにおいて、金属材２９を放電加工して表
面に凹凸を形成すると共に凸部２４の側面にアンダーカ
ット部２５を形成し、この金属材２９の表面を絶縁層３
０で被覆して作製した基板１を用いることを特徴とする
ものである。

【００４５】また請求項３８の発明は、請求項３７にお
いて、金属材２９の表面に化学蒸着法で絶縁層３０を形
成することを特徴とするものである。

【００４６】また請求項３９の発明は、請求項２７乃至
３６のいずれかにおいて、樹脂製の基板１に設けられる
凸部２４の頂部を加熱加圧することによって、凸部２４
の頂部の側面に鍔部３５を張り出させると共にその下側
にアンダーカット部２５を形成することを特徴とするも
のである。

【００４７】また請求項４０の発明は、請求項２７乃至
３６のいずれかに樹脂成形品で表面に凹凸を有する基板
１を製造するにあたって、ＬＩＧＡプロセスで基板１の
製造を行なうことを特徴とするものである。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００４９】基板１はその表面に凸部２４と凹部３９か
らなる凹凸を設けて、例えば図１（ａ）に示すような三
次元立体形状に形成してある。そして凸部２４の頂面と
凹部３９の底面はそれぞれ平面部４として形成されるも
のであり、凹部３９の底面と凸部２４の頂面の間の側面
は段差側面部２となっている。従って、基板１の表面に
は、段差側面部２を介して複数の高さに層別される複数
段の平面部４が形成されるものである。ここで、凸部２
４と凹部３９の間の側面である段差側面部２は、基板１
の表面（凹部３９の底面が相当する）に対してほぼ垂直
な面に形成してある。

【００５０】そして基板１の表面に物理蒸着法（ＰＶＤ
法）で導体を付着させることによって、回路形成をする
ものであり、ＰＶＤ法としては、例えば真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティングによって行なうこと
ができる。

【００５１】図２（ａ）は真空蒸着で基板１の表面に導
体を付着させる方法の一例を示すものであり、チャンバ
ー４３内には銅などの導体を入れたルツボ４４と基板ホ
ルダー４５が配置してあり、基板ホルダー４５のルツボ
４４と対向する面には上記の基板１が保持してある。そ
してチャンバー４３内を減圧して高真空にすると共に、
ルツボ４４内の導体を抵抗加熱あるいは電子ビーム照射
で加熱して気化させると、気化した導体粒子が矢印方向
に飛翔して基板１の表面に堆積し、基板１の表面に導体
を付着させることができるものである。

【００５２】ここで、チャンバー４３内を高真空にすれ
ば、ルツボ４４から蒸発した導体粒子は散乱されること
なく真っ直ぐ基板１に向かって飛翔し、基板１の表面の
うち、ルツボ４４と平行な平面部４は導体粒子の飛翔方
向と垂直であるので、平面部４には導体粒子が堆積し易
くて導体を付着させ易いが、ルツボ４４に対して垂直な
段差側面部２は導体粒子の飛翔方向と平行であるので、
段差側面部２には導体粒子は堆積し難く導体が付着し難
い。従って上記の真空蒸着によって、基板１の平面部４
にのみ導体を付着させ、段差側面部２には導体を付着さ
せないようにすることができるものである。

【００５３】図２（ｂ）はスパッタリングで基板１の表
面に導体を付着させる方法の一例を示すものであり、チ
ャンバー４３内には銅などの導体からなるターゲット３
１と基板ホルダー４５が配置してあり、基板ホルダー４
５のターゲット３１と対向する面には上記の基板１が保
持してある。このターゲット３１と基板ホルダー４５の
間にはＲＦなどの高周波電源やスパッタリング用のＤＣ
電源が接続してあり、ターゲット３１と基板ホルダー４
５の間に高周波電圧や直流電圧を印加するようにしてあ
る。そして、チャンバー４３内を減圧し、チャンバー４
３内にアルゴンガスなどのプラズマ生成ガスを通しなが
ら、ターゲット３１と基板１の間に電圧を印加すると、
ターゲット３１と基板１の間でプラズマＰが発生する。
このプラズマＰ中のイオンがターゲット３１に衝突する
ことによって、ターゲット３１から銅原子などの導体粒
子が叩き出される。この導体粒子が矢印方向に基板１へ
向かって飛翔して基板１の表面に堆積し、基板１の表面
に導体を付着させることができるものである。

【００５４】ここで、基板１の表面のうち、ターゲット
３１と平行な平面部４は導体粒子の飛翔方向と垂直であ
るので、平面部４には導体粒子が堆積し易くて導体を付
着させ易いが、ターゲット３１に対して垂直な段差側面
部２は導体粒子の飛翔方向と平行であるので、段差側面
部２には導体粒子は堆積し難く導体が付着し難い。従っ
てスパッタリングによって、基板１の平面部４にのみ導
体を付着させ、段差側面部２には導体を付着させないよ
うにすることができるものである。

【００５５】図２（ｃ）はイオンプレーティング法で基
板１の表面に導体を付着させる方法の一例を示すもので
あり、チャンバー４３内には銅などの導体を入れたルツ
ボ４４と基板ホルダー４５が配置してあり、基板ホルダ
ー４５のルツボ４４と対向する面には上記の基板１が保
持してある。このルツボ４４と基板ホルダー４５の間に
はＲＦを印加するアンテナ４８が巻いてあり、また基板
ホルダー４５にバイアス印加用のＲＦ電源が接続してあ
る。図２（ｃ）において４６はＲＦ電源、４７は整合回
路、４８はコイル状のアンテナである。そして、チャン
バー４３内を減圧し、チャンバー４３内にアルゴンガス
などのプラズマ生成ガスを通しながら、アンテナ４８と
基板ホルダー４５にＲＦを印加すると、アンテナ４８が
巻かれている部分でプラズマＰが発生する。このとき、
ルツボ４４内の導体を抵抗加熱あるいは電子ビーム照射
で加熱して気化させると、気化した導体粒子がプラズマ
Ｐ中を移動する際にイオン化し、このイオン化した導体
粒子が基板ホルダー４５にかかるバイアス電圧によって
加速されながら、矢印方向に基板１に向かって飛翔して
基板１の表面に堆積し、基板１の表面に導体を付着させ
ることができるものである。

【００５６】ここで、基板１の表面のうち、ルツボ４４
と平行な平面部４は導体粒子の飛翔方向と垂直であるの
で、平面部４には導体粒子が堆積し易くて導体を付着さ
せ易いが、ルツボ４４に対して垂直な段差側面部２は導
体粒子の飛翔方向と平行であるので、段差側面部２には
導体粒子は堆積し難く導体が付着し難い。特にイオンプ
レーティング法では、バアイスがかかるため、その電界
により真っ直ぐに導体粒子が力を受けて飛翔する。従っ
てイオンプレーティング法によって、基板１の平面部４
にのみ導体を付着させ、段差側面部２には導体を付着さ
せないようにすることができるものである。

【００５７】上記のようにＰＶＤ法を用いて基板１の表
面に導体を付着させることによって、平面部４にのみ導
体を被覆することができると共に段差側面部２には導体
が被覆されないようにすることができるものである。こ
こで、基板１の表面に導体を付着させて導体膜４９を被
覆するにあたって、段差被覆率は図３（ａ）のように、段差被覆率＝段差側面部の膜厚ｓ／凸部の頂部での導体
の膜厚ｔとすると、上記で説明したＰＶＤ法は段差被覆率が小さ
い成膜方法であり、これを利用している。また凸部２４
の頂面に形成される平面部４の他に、凹部３９の底面に
形成される平面部４にも導体膜４９を被覆するにあたっ
て、底面被覆率は図３（ａ）のように、底面被覆率＝凹部の底面での導体の膜厚ｕ／凸部の頂部
での導体の膜厚ｔであり、この底面被覆率を大きくするには、図３（ｂ）
のように凹部３９のアスペクト比＝ｈ／ｗを小さくする
のが好ましい。

【００５８】ここで、ＰＶＤ法では段差側面部２に導体
が付着し難くいが、各種の要因の影響で、段差側面部２
に導体が全く被覆されないようすることは難しい。そこ
で本発明では、図４（ａ）のように基板１の表面にＰＶ
Ｄ法で導体を通常、０．４〜０．６μｍの厚みで付着さ
せて導体膜４９を被覆した後、基板１をエッチング処理
して、図４（ｂ）のように段差側面部２に付着した導体
膜４９をエッチング除去するようにしてある。エッチン
グ処理は、エッチング液に基板１を浸漬したり、基板１
にエッチング液をスプレーしたりして行なうことができ
るが、段差側面部２に付着する導体膜４９は通常０．１
５μm以下と薄くできるので、ライトエッチングで良
く、平面部４に被覆した導体膜４９を浸食する影響は殆
どない。そして、平面部４に被覆した導体に必要に応じ
て電気メッキをして通常５〜１５μｍの厚付けすると共
にニッケルメッキや金メッキなどの仕上げメッキをする
ことによって、図１（ｂ）のように平面部４に所望の回
路部５を形成した立体回路板を得ることができるもので
ある。

【００５９】このようにして作製される立体回路板にあ
って、図１（ｂ）に示すように、基板１の表面に段差側
面部２を介して層別される複数段の各平面部４に形成さ
れる回路部５は、導体が被覆されない段差側面部２を非
回路部３として、回路部５間の電気絶縁性が確保されて
いるものである。そしてこの非回路部３となる段差側面
部２は基板１の表面（平面部２）に対して垂直な面であ
るので、基板１の面方向において段差側面部２は面積と
して表われない。従って、基板１の面方向において回路
部５間には見掛け上、段差側面部２の非回路部３は存在
しないことになり、基板１の全面を利用して回路部５を
形成することが可能になり、回路配置密度が高い立体回
路板を形成することができるものである。すなわち、立
体的に形成した基板１の構造を利用して、回路部５と隣
接する回路部５との絶縁距離を高さ方向で確保すること
ができるため、基板１の面方向において回路絶縁ギャッ
プが零の高密度回路が可能となり、回路板の小型化にも
つながるものである。

【００６０】図５は本発明の実施の形態の他の一例を示
すものであり、凹凸の凸部２４を複数段に形成すること
によって、段差側面部２を介して複数段に層別される平
面部４を３段以上に形成するようにしてある。このよう
に平面部４を３段以上に形成することによって、平面部
４に形成する回路部５を３段以上の多段に配置すること
ができ、回路のパターンニングの自由度を向上すること
ができるものである。

【００６１】図６は本発明の実施の形態の他の一例を示
すものであり、上記のように段差側面部２を介して複数
段に層別される平面部４を形成するにあたって、複数段
の平面部４のうち一部の段の平面部４を導体が被覆され
ない非回路部３として形成するようにしたものである。
図６（ａ）の実施の形態では、一段目の平面部４を非回
路部３として形成してあり、図６（ｂ）の実施の形態で
は、二段目の平面部４を非回路部３として形成してあ
る。隣合う平面部４間の段差側面部２は既述のように非
回路部３となっているが、このように一部の段の回路部
として不要な平面部４を非回路部３に形成することによ
って、回路部５間の絶縁距離を大きくとることができ、
回路設計の自由度が増すと共に回路メッキ材料ロスも削
減できるものである。ここで、平面部４のうち一部の段
の平面部４に非回路部３を形成するにあたっては、ＰＶ
Ｄで導体膜を形成した各平面部４のうち、回路部として
不要な平面部４の導体膜には電気メッキ工程にて給電せ
ず、薄い膜厚のままにしておき、電気メッキ後のエッチ
ング工程にてこの薄い導体膜を除去することによって行
なうことができる。

【００６２】図７は本発明の実施の形態の他の一例を示
すものである。基板１の表面に高さの異なる複数本の凸
部２４を畦道状に突設し、各凸部２４の頂面や、凸部２
４間の凹部３９の底面を平面部４として形成してある。
各平面部４は段差側面部２を介して複数段に層別されて
おり、各平面部４に回路部５が設けてある。例えば、最
も低い段である凹部３９の底面の平面部４に設けた回路
部５はグランド回路層やパワー回路層として形成するこ
とができるものであり、各凸部２４の頂面の平面部４に
設けた回路部５は信号線として形成することができるも
のである。

【００６３】そして高さが異なる平面部４に設けた回路
部５を接続する場合には、図７に示すように、この高さ
が異なる平面部４間において上面が傾斜する凸部２４ａ
を基板１の表面に突設し、この凸部２４ａの上面に高さ
が異なる平面部４間を連絡する傾斜面６を形成する。そ
してこの傾斜面６に接続回路部７を設けることによっ
て、接続回路部７で高さの異なる平面部４の回路部５を
電気的に接続することができるものである。傾斜面６へ
の接続回路部７の形成は、傾斜面６の傾斜が通常７５°
以下の傾斜角度であれば必要な膜厚で形成でき、平面部
４にＰＶＤ法で回路部５を形成する際に同時に行なうこ
とができる。このようにして高さの異なる平面部４の回
路部５を接続することができ、自由度の高い立体配線を
することができるものである。

【００６４】また、２本の回路部５を交差させる場合に
は、図７に示すように、同じ高さの凸部２４ｂ，２４ｂ
の端部同士を間隙を介して対向させ、この対向端部間を
横切るように、この凸部２４ｂより低い凸部２４ｃを配
置する。各凸部２４ｂ，２４ｂの頂面の平面部４には回
路部５がそれぞれ設けてあり、また凸部２４ｃの頂面の
平面部４にも回路部５が設けてある。そして凸部２４ｃ
の回路部５の上を跨ぐようにして、凸部２４ｂ，２４ｂ
の対向端部の回路部５同士を接続用部材８で電気的に接
続することによって、凸部２４ｂ，２４ｂの平面部４に
形成される回路部５と凸部２４ｃの平面部に形成される
回路部５とを、立体的に交差させることができるもので
ある。このようにして、高さの異なる回路部５を立体的
に交差させて配線することができ、自由度の高い立体配
線をすることができるものである。

【００６５】ここで、凸部２４ｂ，２４ｂの対向端部の
回路部５同士を電気的に接続するにあたって、上記のよ
うに接続用部材８を用いることによって、無理な回路の
引き回しなどの必要なく、立体配線で回路部５の端部間
の接続を行なうことができるものである。この接続用部
材８としては、図７に示すようなワイヤー８ａや、ジャ
ンパー部品を用いることができる。ジャンパー部品とし
ては、例えば金属板にバネ性を持たせてコネクタのよう
に圧入できる形状にした部品や、抵抗値を０にしたチッ
プ部品のような半田付けで接続することができる部品な
どを用いることができる。接続用部材８としてこのよう
なワイヤーや、ジャンパー部品を用いることによって、
ワイヤーボンダーやジャンパー部品実装装置を用いて、
自動化工程で接続を行なうことができるものである。

【００６６】図８は接続用部材８の他の実施の形態を示
すものである。この実施の形態では、上記の端部同士を
対向させた凸部２４ｂ，２４ｂの各端部を基板１の表面
側へ下り傾斜する端部傾斜面９として形成し、この端部
傾斜面９に凸部２４ｂの平面部４に設けた回路部５と電
気的に接続された端部回路部１０が形成してある。端部
傾斜面９への端部回路部１０の形成は、平面部４にＰＶ
Ｄ法で回路部５を形成する際に同時に行なうことができ
る。また接続用部材８は例えば樹脂成形品などで形成さ
れるものであり、両端面にはこの各端部傾斜面９と平行
に傾斜する接合用傾斜面１１が設けてある。この各接合
用傾斜面１１と接続用部材８の下面には、連続する導通
用回路部１２が形成してある。そして、凸部２４ｃの上
側において、凸部２４ｂ，２４ｂの対向する端部間に接
続用部材８を配置し、端部傾斜面９の端部回路部１０と
接続用傾斜面１１の導通用回路部１２とを接合させるこ
とによって、接続用部材８の導通用回路部１２で凸部２
４ｂ，２４ｂの平面部４に設けた回路部５の端部同士を
電気的に接続することができるものである。

【００６７】このようにして、端部傾斜面９の端部回路
部１０と接続用傾斜面１１の導通用回路部１２を面同士
で接合して、回路部５間の接続を行なうことができるも
のであり、接続信頼性を高く得ることができると共に、
接続用部材８の位置合わせが容易になるものである。端
部傾斜面９の端部回路部１０と接続用傾斜面１１の導通
用回路部１２の合わせ面には導電性接着剤などを注入し
て固定したり、バネ性や引っ掛け構造を持たせた部材を
組み合わせた固定部材を圧接して固定したりすることが
できる。

【００６８】図９は接続用部材８の他の実施の形態を示
すものである。この実施の形態では、上記の端部同士を
対向させた凸部２４ｂ，２４ｂの端部間に電気絶縁性の
被覆材１３を充填することによって、図９（ａ）のよう
に凸部２４ｃの平面部４に設けられた回路部５を被覆材
１３で被覆し、あるいは封止する。この被覆材１３とし
ては熱硬化性樹脂の接着剤などを用いることができる。
そして接続用部材８として導電材料８ｂを用い、この被
覆材１３の表面に導電材料８ｂを塗布あるいは充填する
ことによって、図９（ｂ）のように凸部２４ｂ，２４ｂ
の平面部４に設けた回路部５の端部同士を電気的に接続
することができるものである。導電材料８ｂとしては、
導電性接着剤や、半田などを用いることができるもので
あり、被覆材１３や導電材料８ｂの充填によってコスト
安価に回路部５の接続を行なうことができるものであ
る。

【００６９】図１０は本発明の実施の形態の他の一例を
示すものであり、同じ高さの凸部２４ｂ，２４ｂを複数
対、各端部同士を間隙を介して対向させて基板１の表面
に突設してあり、この凸部２４ｂ，２４ｂの対向端部間
を横切るように、この凸部２４ｂより低い凸部２４ｃが
基板１の表面に配置して設けてある。各凸部２４ｂの頂
面の平面部４や凸部２４ｃの頂面の平面部４にはそれぞ
れ回路部５が設けてある。そして端部同士を間隙を介し
て対向させた凸部２４ｂ，２４ｂの回路部５の各端部は
電子部品実装端子部１４として形成してあり、凸部２４
ｂ，２４ｂの対向端部の上側に配置した半導体チップな
どの電子部品１５をこの電子部品実装端子部１４に接続
することによって、図１０（ａ）に示すように、立体回
路板への電子部品１５の実装を行なうことができるもの
である。このように実装した電子部品１５の下側には、
凸部２４ｃに設けた回路部５が配置されており、回路部
５と電子部品１５を立体的に配置して回路の配置密度を
高くすることができるものである。

【００７０】また、この高い凸部２４ｂに設けた回路部
５の他に、低い凸部２４ｃに設けた回路部５にも電子部
品実装端子部１４を形成することによって、図１０
（ｂ）に示すように、高い凸部２４ｂの回路部５の電子
部品実装端子部１４に接続して実装した電子部品１５の
下側において、低い凸部２４ｃの回路部５の電子部品実
装端子部１４に接続して他の電子部品１５を実装するこ
とによって、複数の電子部品１５を上下に重ねた状態で
実装することが可能になるものである。

【００７１】このように、他の機構や部品を特に必要と
せずに、立体回路の構造を利用して、異なる高さの平面
部４の回路部５にそれぞれ電子部品実装端子部１４を設
けるだけで、電子部品１５を上下に重ねた立体的な実装
が簡単に行なえるので、実装の高密度化が容易となると
ともに、実装端子部への回路配線の自由度が向上して回
路配線のスペース削減の効果にもつながり、この立体回
路板を用いた電子機器のより一層の小型化が低コストで
実現できるものである。尚、図１０（ｂ）は電子部品１
５を２段重ねとしているが、３段以上に電子部品１５を
重ねることも同様にできる。また電子部品１５の上下の
重なりは一部分の重なりでもよく、上下の電子部品１５
は間隙を有していても、接触していてもよく、また、下
方の段の電子部品１５は複数個でもよい。さらには、上
方の電子部品１５が下方の電子部品１５の機械的保護や
電気的シールドを兼ねるようにすることもできる。

【００７２】図１１は本発明のさらに他の実施の形態の
一例を示すものであり、基板１の表面側の平面部４に形
成した回路部５と基板１の裏面に形成した裏面回路部１
８とを、前述のＰＶＤによる導体膜形成とその後の電気
メッキとにより電気的に接続するようにしたものであ
り、基板１の表面側に設けた一対の回路部５を基板１の
裏面の裏面回路部１８を介して電気的に接続することが
可能になるものである。すなわち、基板１にはＰＶＤに
て導体膜が形成し易いように内周面が開口するスルーホ
ール１６がその表裏に貫通して少なくとも一対形成して
あり、基板１の表面側の平面部４に形成した一対の回路
部５はそれぞれ一方のスルーホール１６の内周に形成し
たスルーホール回路部１７に電気的に接続してある。こ
こで、基板の１の表面に突設した凸部２４の平面部４に
形成した回路部５をスルーホール回路部１７に接続する
場合には、この平面部４とスルーホール１６との間に既
述のように傾斜面６を形成すると共に傾斜面６に接続回
路部７を形成し、接続回路部７を介して回路部５をスル
ーホール回路部１７に電気的に接続することができる。
そして基板１の裏面に設けた裏面回路部１８に各スルー
ホール１６のスルーホール回路部１７を接続させること
によって、基板１の表面側の平面部４に形成した一対の
回路部５を基板１の裏面の裏面回路部１８を介して電気
的に接続することができるものである。尚、スルーホー
ル１６の内面が傾斜していることによって、前述のＰＶ
Ｄによる導体膜形成とその後の電気メッキによりスルー
ホール１６の内部も同時に回路形成することができるも
のであり、また裏面回路部１８との接続部は電気メッキ
の厚みで連結することができるものである。従って図１
１に示すように、この一対の回路部５間に、高い凸部２
４が存在していても、この高い凸部２４が障害となるこ
となく、回路部５間の接続を行なうことが可能になるの
である。ここで、裏面回路部１８は凸部頂面に形成する
ようにしているが、基板１の裏面に凹部を形成し、凹部
底面に接続回路を形成するようにすれば、裏面側の突出
する形状を避けることもできる。

【００７３】図１２は本発明のさらに他の実施の形態の
一例を示すものである。図１１の実施の形態では、基板
の１の表面に突設した凸部２４の平面部４に形成した回
路部５を傾斜内周面を有するスルーホール１６のスルー
ホール回路部１７に接続するにあたって、回路部５とス
ルーホール１６の間に直線状の傾斜面６を形成し、傾斜
面６に設けた接続回路部７によって回路部５とスルーホ
ール回路部１７を接続するようにしているが、凸部２４
の平面部４とスルーホール１６との間の高低差が大きい
と、ＰＶＤによって導体膜を形成し易い傾斜角度にする
ために傾斜面６の長さが長くなり、回路部５とスルーホ
ール１６の位置が離れて高密度な配置で配線することが
できなくなることがある。

【００７４】そこで、図１２（ａ）（ｂ）の実施の形態
では、凸部２４の頂面の回路部５を設けた平面部４とス
ルーホール１６の間に、つづら折り状に蛇行して傾斜す
る屈曲傾斜面１９を設け、この屈曲傾斜面１９に形成し
た連絡用回路部２０によって回路部５とスルーホール回
路部１７を接続するようにしている。また図１２（ｃ）
の実施の形態では、螺旋状に傾斜する屈曲傾斜面１９を
設け、この屈曲傾斜面１９に形成した連絡用回路部２０
によって回路部５とスルーホール回路部１７を接続する
ようにしている。このようにして、ＰＶＤで導体膜を形
成し易い所定の傾斜角度以下にすると共に、回路部５と
スルーホール１６の位置を接近させることができ、高密
度な配置で配線することが容易になるものである。

【００７５】図１３は本発明のさらに他の実施の形態の
一例を示すものである。スルーホール１６の内周に形成
したスルーホール回路部１７と基板１の裏面に形成した
裏面回路部１８とを電気的に接続した後、温度変化や機
械的衝撃などにより、図１３（ａ）に示すようにスルー
ホール回路部１７と裏面回路部１８との接続部分にクラ
ックが生じるなどの導通不良が発生するおそれがある。
特にスルーホール１６は基板１の表面側の内径が大きく
裏面側の内径が小さいすり鉢状に形成されており、スル
ーホール１６の裏面への開口の周縁部の断面は鋭角にな
り、スルーホール回路部１７と裏面回路部１８の間に隙
間が生じ易くなって導通不良が発生し易い。そこで図１
３（ｂ）に示すように、スルーホール回路部１７と裏面
回路部１８との接続部分に導電ペースト２１を塗布し、
スルーホール回路部１７と裏面回路部１８の間の隙間を
導電ペースト２１で埋めて電気的な接続を確保し、導通
不良が発生することを防ぐようにしてある。

【００７６】図１４は本発明のさらに他の実施の形態の
一例を示すものである。基板１の表面には高さの異なる
複数本の凸部２４を突設し、各凸部２４の上面や、凸部
２４間の凹部３９の底面を平面部４として形成してあ
る。また基板１の端部に、その端縁に沿ってメッキ用の
凸部２４ｄが突設してある。この凸部２４ｄの高さは、
基板１に突設されている上記の各凸部２４より低くなら
ないように設定してある。すなわち、基板１に突設され
ている上記の凸部２４のうち最も高い凸部２４と同じ高
さか、これより高い高さに設定してある。そして凸部２
４ｄの頂面の平面部４ａと、この平面部４ａより低い上
記の各平面部４とをそれぞれメッキ用傾斜面２２を介し
て連絡してあり、またこの平面部４ａと同じ平面部４と
は面一に直接連絡させてある。

【００７７】このように形成される基板１の表面に既述
のＰＶＤ法で導体４９を付着させる処理を行なうと、導
体４９は図１４（ａ）に示すように平面部４，４ａ及び
メッキ用傾斜面２２にのみ付着して、平面部４，４ａ及
びメッキ用傾斜面２２に導体膜４９が被覆される。ここ
で、メッキ用傾斜面２２とメッキ用の凸部２４ｄの平面
部４ａに被覆される導体膜４９は、各平面部４に被覆さ
れる導体膜４９にそれぞれ電気的に接続されるメッキ通
電用回路部２３となる。従って、各平面部４の導体膜４
９は、段差側面部２の非回路部３を介して独立している
が、メッキ通電用回路部２３を介して電気的に接続させ
ることができるものである。そして各平面部４の導体膜
４９に電気メッキして厚付けすることによって回路部５
を形成するにあたっては、メッキ用の凸部２４ｄのメッ
キ通電用回路部２３に電源を接続した状態で基板１をメ
ッキ浴に浸漬し、メッキ用の凸部２４ｄ及びメッキ用傾
斜面２２のメッキ通電用回路部２３を通して各平面部４
の導体膜４９に通電することによって、行なうことがで
きるものである。このようにして、一箇所への電源の接
続で独立した各平面部４の導体膜４９に通電して、電気
メッキを容易に行なうことができるものであり、しかも
メッキ用の電源の接続は最も高く突出した凸部２４ａに
形成したメッキ通電用回路部２３に行なうために、通電
治具の接続が容易になるものである。

【００７８】上記のように電気メッキを行なった後、図
１４（ｂ）に示すように、メッキ用の凸部２４ａに設け
たメッキ通電用回路部２３を除去することによって、各
平面部４に形成される回路部５を再度独立させることが
できるものである。メッキ用の凸部２４ａのメッキ通電
用回路部２３を除去するにあたっては、研削などの方法
のほかに、化学的エッチングによって行なうことができ
る。メッキ通電用回路部２３は最も高く突出した凸部２
４ａの平面部４ａに形成されているために、他の平面部
４に形成された回路部５に影響を与えることなく、化学
的エッチングでメッキ通電用回路部２３の除去を容易に
行なうことができるものである。

【００７９】また図１５の実施の形態では、上記のよう
にして電気メッキを行なって基板１の各平面部４に回路
部５を形成した後、基板１の端部を鎖線に沿って切断、
あるいは研磨、切削し、少なくともメッキ通電用回路部
２３とこれを形成した凸部２４ａの少なくとも一部分を
基板１から切り離すことによって、各平面部４に形成さ
れる回路部５を独立させるようにしてある。

【００８０】図１６は本発明の実施の形態の他の一例を
示すものであり、基板１の表面に複数段に形成される平
面部４のうち、高さの低い平面部４に設けた回路部５を
電気絶縁性の被覆材１３で被覆するようにしてあり、高
さの高い平面部４に設けた回路部５をこの被覆材１３の
表面に露出させるようにしてある。例えば低い平面部４
に設けた回路部５はグランド回路層やパワー回路層とし
て用いることができ、高い平面部４に設けた回路部５は
信号線として用いることができる。このように低い平面
部４に設けた回路部５を被覆材１３で被覆することによ
って、部品実装や検査等に必要な回路部５のみを露出さ
せて、他の回路部５は被覆材１３で保護することがで
き、回路の信頼性を向上させることができるものであ
る。

【００８１】図１７は本発明の実施の形態の他の一例を
示すものである。上記のように基板１の表面にＰＶＤ法
で導体を付着させて導体膜４９を被覆した後、導体膜４
９に電気メッキして厚付けすることによって回路部５を
形成するにあたって、基板１の表面に突設した凸部２４
の頂面の平面部４の角部が断面直角であると、図１７
（ｃ）のように凸部２４の平面部４に導体膜４９を被覆
した後に、導体膜４９に通電して電気メッキを行なって
メッキ膜５１を付着させる際に、平面部４の角部の部分
において導体膜４９に電界集中が起こり易く、図１７
（ｄ）のように電気メッキの際に金属イオンがこの部分
に多く引き寄せられてメッキ膜５１の膜厚が部分的に厚
くなり、隣接する回路部５との間で短絡が発生するおそ
れがある。

【００８２】そこで図１７（ａ）の実施の形態では、凸
部２４の頂面の角部をテーパ面５２に形成するようにし
てあり、図１７（ｂ）の実施の形態では凸部２４の頂面
の角部をアール面５３に形成してある。このように凸部
２４の頂面の平面部４の角部をテーパ面５２あるいはア
ール面５３に形成することによって、電気メッキを行な
う際に平面部４の角部の部分において電界集中が起こる
ことを防止することができ、メッキ膜５１の膜厚が部分
的に厚くなって隣接する回路部５との間で短絡が発生す
ることを防ぐことができるものである。

【００８３】図１８は本発明の実施の形態の他の一例を
示すものである。既述のように基板１の表面にＰＶＤ法
で導体を付着させるにあたって、基板１の表面の凹凸の
側面である段差側面部２には導体が付着し難いが、実際
には各種の要因でこの段差側面部２にも導体が薄く付着
してしまう。そこで、図１８の実施の形態では、基板１
の表面に突設した凸部２４の側面である段差側面部２の
基部にアンダーカット部２５を形成するようにしてあ
る。図１８（ａ）の実施の形態では、凸部２４の断面形
状を逆台形に形成して段差側面部２を傾斜面に形成する
ことによって、段差側面部２の基部にアンダーカット部
２５を設けるようにしてあり、図１８（ｂ）の実施の形
態では、凸部２４の上部の両側面を突出させることによ
って、段差側面部２の基部にアンダーカット部２５を設
けるようにしてある。このように段差側面部２の基部に
アンダーカット部２５を形成することによって、ＰＶＤ
法で基板１の表面に導体を付着させる際に、このアンダ
ーカット部２５の部分は飛翔する導体粒子にとって陰に
なるので、飛翔する導体粒子がこの部分に到達して導体
が付着することを防ぐことができるものである。

【００８４】図１９は本発明の実施の形態の他の一例を
示すものであり、基板１の表面に突設した凸部２４の頂
面の平面部４にバンプ用凸部２６が突設してある。そし
て基板１の表面に導体を被覆して各平面部４に回路部５
を形成する際に、バンプ用凸部２６の頂面にも導体を被
覆してバンプ端子２７を形成するようにしてある。この
ようにして回路部５を形成する際にバンプ端子２７を形
成することができるものであり、このバンプ端子２７を
利用してＩＣなどの電子部品を実装することができるも
のである。また図の実施の形態のように、基板１の表面
から突設した凸部２４の頂面に設けたバンプ用凸部２６
にバンプ端子２７を形成することによって、凸部２４と
バンプ用凸部２６の弾性によって基板１の熱変形に対し
てクッション作用を得ることができ、バンプ端子２７へ
の電子部品の実装の信頼性が向上するものであり、また
基板１の表面と電子部品との間に空隙を確保して、この
間に充填する接着剤の量を増大することができ、基板１
に対する電子部品の接着強度を確保することができるも
のである。尚、バンプ端子２６と回路部５との導通接続
は、前述と同様に傾斜面６で行なうことができる。

【００８５】図２０は本発明の実施の形態の他の一例を
示すものであり、基板１の表面をエッチング処理等する
ことによって、基板１の表面を粗面に形成するようにし
てある。このように基板１の表面を粗面に形成すると、
凹凸の側面の段差側面部２も粗面に形成されるものであ
る。そして、ＰＶＤ法で基板１の表面に導体を付着させ
る際に、段差側面部２に形成される粗面の微細な凹凸に
おいて、飛翔する導体粒子にとって微細な凹は微細な凸
の陰になるので、飛翔する導体粒子がこの陰になる微細
な凹の部分に到達し難くなり、この部分に導体が付着す
ることを防ぐことができるものである。また基板１の表
面の平面部４に形成される粗面は、回路部５の密着性を
高める作用をなすものである。

【００８６】上記の各実施の形態にあって、基板１とし
ては、樹脂またはセラミックを材料として用い、これを
射出成形などで成形して得られるものを用いることがで
きる。このように基板１を樹脂やセラミックの成形で得
ることによって、基板１の表面に任意の凹凸を設けた立
体形状に容易に形成することができるものであり、基板
１をコスト安価に形成することができるものである。
尚、セラミックの場合は、射出成形後に燒結されて形状
が固定されるものである。

【００８７】また、金属材２９を用いて基板１を形成す
ることもできる。金属材２９を鋳造、鍛造、機械加工し
て表面に凹凸を成形した後、図２１に示すように、金属
材１の表面に有機材料や無機材料をコーティングして電
気絶縁性の絶縁層３０を形成することによって、基板１
を作製することができるものである。絶縁層３０は基板
１の表面の全面、あるいは回路部５を形成する平面部４
の表面に形成されるものである。このように基板１を金
属材２９で形成することによって、金属材２９で放熱効
果や、電気的シールド効果を得ることができ、また基板
１の強度を高くすることができるものである。

【００８８】次に、基板１の表面にスパッタリングなど
のＰＶＤ法で導体を付着させるにあたって、基板１の表
面の凹凸の側面である段差側面部２に導体が付着し難い
方法で、基板１の表面に導体を付着させる技術について
説明する。

【００８９】図２２は請求項２７の発明の実施の形態の
一例を示すものであり、チャンバー４３内には銅などの
金属からなるターゲット３１と基板ホルダー４５が配置
してあり、基板ホルダー４５のターゲット３１と対向す
る面には上記の基板１が保持してある。またチャンバー
４３内にはイオンガン５５が設けてある。さらにターゲ
ット３１と基板ホルダー４５の間には前処理用に発生さ
せるＲＦプラズマ用のＲＦなどの高周波電源が接続して
あり、ターゲット３１と基板ホルダー４５の間に高周波
電圧を印加するようにしてある。

【００９０】そしてチャンバー４３内を減圧すると共に
ターゲット３１と基板ホルダー４５の間に電圧を印加
し、表面改質を行なった後に、イオンガン５５を作動さ
せて、イオン生成室（図示省略）からアルゴンビームな
どのイオンビームを引き出し、イオンガン５５からイオ
ンビームＩをターゲット３１に照射すると、ターゲット
６から銅金属などの導体粒子が叩き出される。このよう
に叩き出された導体粒子は矢印のように基板１に向けて
飛翔し、基板１の表面に付着して導体膜４９を形成する
ことができるものである。

【００９１】このようなイオンビームスパッタリング法
では、イオンの生成とスパッタリングを別の場所で行な
うので、チャンバー４３内にプラズマを発生させる通常
のスパッタリングよりもチャンバー４３内を高真空にす
ることができる。例えば、チャンバー４３内にプラズマ
を発生させる通常のスパッタリングでは、チャンバー４
３内にプラズマ生成ガスを導入させてチャンバー４３内
は０．５Ｐａ程度であるが、イオンビームスパッタリン
グ法ではチャンバー４３内を１０^-1〜１０^-2Ｐａ程度の
高真空下にしてスパッタリングを行なうことができる。
従って、ターゲット３１から叩き出された導体粒子がチ
ャンバー４３内のガス粒子などに衝突して散乱されるこ
とを低減することができ、導体粒子が散乱して基板１の
凹凸の側面に形成される段差側面部２に付着することを
防止することができるものである。

【００９２】図２３は請求項２８の発明の実施の形態の
一例を示すものであり、図２２の場合と同様にチャンバ
ー４３内には基板１を保持した基板ホルダー４５とター
ゲット３１が配置してあり、さらに基板１とターゲット
３１との間にシャッター５６が配置してある。基板１は
その表面（凸部２４や凹部３９の平面部４）がターゲッ
ト６とほぼ平行になり、側面の段差側面部２がターゲッ
ト３１とほぼ垂直になるように配置されるものである。
そしてセルフスパッタリング法でターゲット３１の銅な
どの導体を基板１の表面に付着させるようにしたもので
ある。

【００９３】すなわち図２３（ａ）のようにシャッター
５６を閉じた状態で、まずチャンバー４３内を減圧し、
チャンバー４３内にアルゴンガスなどのプラズマ生成ガ
スを導入して通しながら、ターゲット３１とチャンバー
４３の間に電圧を印加すると、チャンバー４３とシャッ
ター５６は電気的に導通しているため、ターゲット３１
とシャッター５６の間でプラズマＰが発生する。このプ
ラズマＰ中のイオンがターゲット３１に衝突することに
よって、ターゲット３１から銅原子などの導体粒子が叩
き出される。このときにはシャッター５６でターゲット
３１と基板１の間を仕切っているので、ターゲット３１
から叩き出された導体粒子が基板１に付着することはな
い。次にある程度このスパッタリングが安定した状態
で、チャンバー４３内へのプラズマ生成ガスの導入を徐
々に絞っていき、最終的にプラズマ生成ガスの導入を止
めると、ターゲット３１から叩き出された銅金属などの
導体粒子の一部がイオン化されてプラズマＰ′が生成さ
れ、このプラズマＰ′中のイオン化された導体粒子がタ
ーゲット３１に衝突して、ターゲット３１から導体粒子
を叩き出すセルフスパッタリングが開始される。このよ
うにセルフスパッタリングが開始された後、図２３
（ｂ）のようにシャッター５６を開くと、セルフスパッ
タリングで生成された導体粒子は矢印のように基板１に
向けて飛翔し、基板１の表面に付着して導体膜４９を形
成することができるものである。

【００９４】このようなセルフスパッタリング法では、
チャンバー４３内にプラズマ生成ガスを導入しない状態
でスパッタリングを行なうことができるので、通常のス
パッタリングよりもチャンバー４３内を高真空にするこ
とができる。例えば、チャンバー４３内にプラズマを発
生させる通常のスパッタリングでは、チャンバー４３内
にプラズマ生成ガスを導入してチャンバー４３内は０．
５Ｐａ程度であるが、セルフスパッタリング法ではチャ
ンバー４３内を１０^-2〜１０^-4Ｐａ程度の高真空にして
スパッタリングを行なうことができる。従って、ターゲ
ット３１から叩き出された導体粒子がチャンバー４３内
のプラズマのガス粒子などに衝突して散乱されることが
なくなり、導体粒子が散乱して基板１の凹凸の側面に形
成される段差側面部２に付着することを防止することが
できるものである。

【００９５】図２４は請求項２９の発明の実施の形態の
一例を示すものであり、図２２の場合と同様にチャンバ
ー４３内には基板１を保持した基板ホルダー４５とター
ゲット３１が配置してあり、さらに基板１とターゲット
３１の間にシャッター５６が配置してある。基板１はそ
の表面（凸部２４や凹部３９の平面部４）がターゲット
３１とほぼ平行になり、側面の段差側面部２がターゲッ
ト３１とほぼ垂直になるように配置されるものである。

【００９６】そして図２４（ａ）のようにシャッター５
６を閉じた状態で、まずチャンバー４３内を減圧し、チ
ャンバー４３内にアルゴンガスなどのプラズマ生成ガス
を導入して通しながら、ターゲット３１とチャンバー４
３の間に電圧を印加すると、ターゲット３１とシャッタ
ー５６の間でプラズマＰが発生する。このとき、プラズ
マ生成ガスのガス圧が低い状態では十分な電離が行なわ
れずプラズマＰが発生し難いので、プラズマＰを発生さ
せる当初は０．５〜１Ｐａ程度の高いガス圧でプラズマ
生成ガスをチャンバー４３に導入する。このように発生
したプラズマＰ中のイオンがターゲット３１に衝突する
ことによって、ターゲット３１から銅原子などの導体粒
子が叩き出される。このときにはシャッター５６でター
ゲット３１と基板１の間を仕切っているので、ターゲッ
ト３１から叩き出された導体粒子が基板１に付着するこ
とはない。次にこのスパッタリングが安定した状態で、
チャンバー４３内に導入するプラズマ生成ガスのガス圧
を１０^-2〜１０^-1Ｐａ程度の低いガス圧に低下させた
後、図２４（ｂ）のようにシャッター５６を開くと、ス
パッタリングで生成された導体粒子は矢印のように基板
１に向けて飛翔し、基板１の表面に付着して導体膜４９
を形成することができるものである。

【００９７】このように低いガス圧のプラズマＰでスパ
ッタリングするので、ターゲット３１から叩き出された
導体粒子がチャンバー４３内のガス粒子などに衝突して
散乱されることを低減することができ、導体粒子が散乱
して基板１の凹凸の側面に形成される段差側面部２に付
着することを防止することができるものである。尚、上
記の実施の形態では、プラズマＰを発生させる当初は高
いガス圧でプラズマ生成ガスをチャンバー４３に導入
し、高いガス圧によるトリガー作用でプラズマＰが発生
し易くなるようにしているが、これと併用して、あるい
はこれに代えて、ターゲット３１とシャッター２６の間
にスパッタリングの電源とは別に高電圧を発生する電極
を設けたり、チャンバー４３内に電子線（ＥＢ）発生器
やフィラメントを設けて電子を放出させることによるト
リガー作用で、プラズマＰが発生し易くなるようにして
もよい。

【００９８】また請求項３０の発明は、強磁場を発生さ
せたマグネトロンスパッタリング法でターゲット３１か
らスパッタリングした導体粒子を基板１の表面に付着さ
せるようにしたものである。強磁場を発生させたマグネ
トロンスパッタリング法は、ターゲット３１の裏側にそ
の中心と外周部に沿って磁石を設置するようにしたもの
であり、電場と磁場からの力を受けて電子がＮ極とＳ極
の間に捕捉されたまま、ターゲット３１の直上を周回す
るような運動を行なうので、電子がプラズマ生成ガスと
衝突する回数が増え、プラズマＰ中のイオンの量が増加
し、１０^-2〜１０^-1Ｐａ程度の低いガス圧でスパッタリ
ングを行うことができる。従って、ターゲット３１から
叩き出された導体粒子が導入ガス粒子などに衝突して散
乱されることを低減することができ、導体粒子が散乱し
て基板１の凹凸の側面に形成される段差側面部２に付着
することを防止することができるものである。尚、マグ
ネトロンスパッタリング法では磁石として一般にフェラ
イト磁石が用いられるが、本実施の形態では磁石として
サマリウム系等の希土類磁石を用いて強磁場を発生させ
ており、これによって、電子のトラップ性が向上し、低
ガス圧下で安定したプラズマＰを得ることができ、スパ
ッタリングを安定して行なうことができるものである。

【００９９】図２５は請求項３１の発明の実施の形態の
一例を示すものである。チャンバー４３内には銅などの
金属からなるターゲット３１と基板ホルダー４５が配置
してあり、基板ホルダー４５のターゲット３１と対向す
る面には上記の基板１が保持してある。基板１はその表
面（凸部２４や凹部３９の平面部４）がターゲット３１
とほぼ平行になり、側面の段差側面部２がターゲット３
１とほぼ垂直になるように配置されるものである。この
ターゲット３１と基板ホルダー２３の間にはＲＦなどの
高周波電源が接続してあり、ターゲット３１と基板ホル
ダー２３の間に高周波電圧を印加するようにしてある。
尚、図示はしていないが、前処理（表面改質）用にＲＦ
等の高周波電源やスパッタリング用のＤＣ電源も接続さ
れている。

【０１００】そして基板１とターゲット３１の間には多
孔板３２が配置してある。多孔板３２は基板１とターゲ
ット３１の方向に開口する多数の孔３３を設けて図２５
（ｂ）に示すようなコリメータ形状に形成されるもので
あり、この孔３３は基板１とターゲット３１に対して垂
直な方向で連通している。

【０１０１】そしてスパッタリング法で基板１の表面に
導体を付着させるにあたっては、まずチャンバー４３内
を減圧し、チャンバー４３内にアルゴンガスなどのプラ
ズマ生成ガスを通しながら、ターゲット３１と基板１の
間に電圧を印加すると、ターゲット３１と基板１の間で
プラズマＰが発生する。このプラズマＰ中のイオンがタ
ーゲット３１に衝突することによって、ターゲット３１
から銅原子などの導体粒子５７が叩き出され、この導体
粒子５７は基板１へ向かって飛翔する。ここで、図２５
（ｂ）に示すように、飛翔する導体粒子５７のうち、基
板１に対して垂直な方向に飛翔しない導体粒子５７は多
孔板３２の孔３３を通過することができず、孔３３の内
周に付着し、基板１に対して垂直な方向に飛翔する導体
粒子５７のみが多孔板３２の孔３３を通過することがで
きる。従って基板１に対して斜めの方向に飛翔する導体
粒子５７が基板１に到達することを防ぐことができ、導
体粒子５７が基板１の凹凸の側面に形成される段差側面
部２に付着することを防止することができるものであ
る。

【０１０２】上記の多孔板３２において、基板１に対し
て垂直な方向に飛翔する導体粒子５７のみが孔３３を通
過するように、特に限定する趣旨ではないが、孔３３の
内径は０．１〜５ｍｍ、孔３３の長さ（多孔板３２の厚
み）は１０〜３０ｍｍの範囲に設定するのが好ましい。

【０１０３】また、請求項３２の発明では、上記の多孔
板３２として、表面（孔３３の内周を含む）にブラスト
処理などして粗面化したものを用いるようにしている。
このように多孔板３２の表面を粗面に形成することによ
って、多孔板３２の孔３３を通過することができない導
体粒子５７が多孔板３２の表面に付着し易くなり、基板
１の表面に対して斜めの方向に飛翔する導体粒子５７を
多孔板３２で確実に捕捉して、基板１の凹凸の側面の段
差側面部２に導体が付着することを確実に防ぐことがで
きるものである。また多孔板３２の表面が粗面である
と、多孔板３２に付着した導体の密着性が高くなり、多
孔板３２の表面から導体膜の剥がれをなくして、例えば
剥がれた導体膜が装置の絶縁部分に落ちて悪影響を及ぼ
したりするようなことを防ぐことができるものである。

【０１０４】図２６は請求項３３の発明の実施の形態の
一例を示すものであり、上記の各実施の形態のように、
ターゲット３１から導体粒子をスパッタリングして基板
１の表面に付着させるにあたって、基板１を冷却するよ
うにしたものである。図２６の実施の形態では、基板ホ
ルダー４５を中空に形成して内部にジャケット部５８を
設け、ジャケット部５８に流入口５９と流出口６０が接
続してある。そして冷却水などの冷媒を流入口５９から
ジャケット部５８に供給すると共に流出口６０から排出
することによって、基板ホルダー４５に保持した基板１
をジャケット部５８によって冷却するようにしてある。

【０１０５】このように基板ホルダ−４５を利用して基
板１を冷却しながら、上記の各実施の形態のようにター
ゲット３１から導体粒子をスパッタリングして基板１の
表面に付着させるものである。ここで、基板１の表面に
付着させた導体粒子の一部が再蒸発し、この蒸発した導
体粒子が凹凸の側面の段差側面部２に付着するおそれが
あるが、上記のように基板１を冷却することによって、
基板１に付着した導体粒子のエネルギーを吸収して、導
体粒子が再蒸発することを防ぐことができるものであ
り、導体粒子が基板１の凹凸の側面に形成される段差側
面部２に付着することを防止することができるものであ
る。

【０１０６】図２７は請求項３４の発明の実施の形態の
一例を示すものであり、まず図２７（ａ）のように基板
１の凹凸を有する表面に樹脂層３４を形成する。この樹
脂層３４としては基板１の平面部４に付着して設ける回
路部５の導体と密着性が悪いものを用いるものであり、
例えばポリテトラフルオロエチレンなどを用いることが
できる。樹脂層３４は湿式法で基板１の表面の全面に形
成されるものであり、凹凸の側面の段差側面部２にも形
成されている。次に図２７（ｂ）のように、酸素をプラ
ズマ生成ガスとして用いて発生させたプラズマＰによっ
て、基板１の表面をエッチングする。プラズマＰは基板
１のうち、プラズマＰの側を向く平面部４に主として作
用し、側面の段差側面部２には作用し難いので、図２７
（ｂ）に示すように基板１の表面に成膜された樹脂層３
４のうち、平面部４の樹脂層３４はエッチング除去され
るが、段差側面部２の樹脂層３４は完全にはエッチング
されずに残る。そしてこのように段差側面部２に樹脂層
３４を被覆した状態で、上記のようにＰＶＤ法で基板１
の表面に導体を付着させ、図２７（ｃ）のように基板１
の表面の平面部４に回路部５を形成するものである。こ
のとき、段差側面部２の表面には導体との密着性が悪い
樹脂層３４が被覆されているので、ＰＶＤの際に段差側
面部２に導体が付着しても、基板１の表面を高圧水洗等
を行なうことによって、段差側面部２から導体は簡単に
剥がれ、段差側面部２から導体を簡単に且つ確実に除去
することができるものである。

【０１０７】図２７の実施の形態では、基板１の表面に
成膜した樹脂層３４をプラズマエッチングするようにし
たが、請求項３５の発明では、酸素イオンビームで基板
１の表面の樹脂層３４をエッチングするようにしてい
る。酸素イオンビームＢは低ガス圧下で基板１に照射す
ることができ、図２８に示すように直進性が高いので、
基板１を平面部４が酸素イオンビームＢの照射方向と垂
直になるように配置することによって、酸素イオンビー
ムＢは平面部４に主として作用し、酸素イオンビームＢ
の照射方向と平行な側面の段差側面部２には殆ど作用し
ないので、基板１の表面に成膜された樹脂層３４のう
ち、平面部４の樹脂層３４は完全にエッチング除去され
るが、段差側面部２の樹脂層３４は殆どエッチングされ
ないで残すようにすることができるものである。また酸
素イオンビームエッチングはプラズマエッチングよりも
制御性にも優れるものである。

【０１０８】図２９は本発明の実施の形態の他の一例を
示すものであり、基板１を図２１の実施の形態のように
金属材２９で作製するにあたって、基板１の表面の凹凸
を放電加工により形成し、この放電加工の際に、凹凸の
側面の段差側面部２にアンダーカット部２５を形成する
ようにしてある。図２９（ａ）の実施の形態では、凸部
２４の断面形状が逆台形になるように段差側面部２を傾
斜面に加工することによって、段差側面部２の基部にア
ンダーカット部２５を形成するようにしてあり、図２９
（ｂ）の実施の形態では、凸部２４の上部の両側面を突
出させるように段差側面部２を加工することによって、
段差側面部２の基部にアンダーカット部２５を形成する
ようにしてある。この金属材２９の表面に、図２１の場
合と同様に、電気絶縁性の絶縁層３０を被覆して、基板
１として用いることができるものである。そしてこのよ
うに段差側面部２の基部にアンダーカット部２５を形成
することによって、基板１の表面にＰＶＤ法で導体を付
着させる際に、このアンダーカット部２５の部分は陰に
なるので、飛翔する導体粒子がこの部分に到達して導体
が付着することを防ぐことができるものである。

【０１０９】請求項３７の発明では、上記のように金属
材２９で基板１を作製するにあたって、段差側面部２に
アンダーカット部２５を加工した後に、金属材２９の表
面を絶縁層３０で被覆するにあたって、化学蒸着法（Ｃ
ＶＤ法）で絶縁層３０の被覆を行なうようにしている。
液状の塗料に金属材２９をディッピングするなど、湿式
工法で金属材２９の表面に絶縁層３０を付着させる場
合、アンダーカット部２５に塗料の液溜まり６２が図３
０（ｂ）のように発生し、アンダーカット部２５が絶縁
層３０によって埋められてしまい、アンダーカット部２
５を設けることによって段差側面部２に導体が付着し難
くする効果が低減される。そこで請求項３７の発明で
は、ＣＶＤ法で金属材２９の表面を絶縁層３０で被覆す
ることによって、液溜まりなどが発生することを防止
し、図３０（ａ）のように金属材２９の表面に絶縁層３
０を均一な厚みで付着させてアンダーカット部２５が埋
められないようにしたものである。ＣＶＤ法としては、
熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤなど任意の方法を採用するこ
とができる。

【０１１０】図３１は本発明の実施の形態の他の一例を
示すものであり、基板１を熱可塑性樹脂の成形品で製造
するようにしたものである。そして図３１（ａ）のよう
に基板１の表面に形成した凹凸のうち凸部２４の頂面を
ヒーター６３で押圧して加熱・加圧することによって、
凸部２４の頂部を熱可塑性変形させ、図３１（ｂ）のよ
うに凸部２４の頂部の両側に鍔部３５を張り出させるよ
うにしてある。このように凸部２４の頂部の側面に鍔部
３５を張り出させることによって、鍔部３５の下側にお
いて段差側面部２にアンダーカット部２５を形成するこ
とができるものである。

【０１１１】請求項３９の発明では、基板１を樹脂成形
品で作製するにあたって、ＬＩＧＡプロセスで基板１の
製造を行なうようにしてある。すなわち、ＬＩＧＡ（LI
thographie Gavanoformung und Abformung：lithograph
y gavanotorming and molding）は、リソグラフィ技術
を用いた微細構造の金型を製造する技術であり、この金
型を用いて基板１を製造するＬＩＧＡプロセスによっ
て、凹部３９のアスペクト比が高く、また各段の平面部
４のピッチが狭い基板１を安価に大量に製造することが
可能になり、回路の配置密度が高い立体回路板を得るこ
とができるものである。

【０１１２】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る立
体回路板は、基板の表面に段差側面部を介して複数の高
さに層別される複数段の平面部を設け、段差側面部を導
体が被覆されない非回路部として形成すると共に、平面
部に導体を被覆して回路部を形成してあるので、段差側
面部に形成される非回路部は基板の表面において面方向
において面積として表われないものであり、基板の全面
を利用して回路部を形成することが可能になり、回路配
置密度が高い立体回路板を形成することができるもので
ある。

【０１１３】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、平面部を高さが異なる３段以上に形成したので、回
路部を多段に配置することができて、回路のパターンニ
ングの自由度を向上することができるものである。

【０１１４】また請求項３の発明は、請求項１又は２に
おいて、複数段の平面部のうち一部の平面部を導体が被
覆されない非回路部として形成してあるので、段差側面
部と共に平面部においても非回路部を形成することがで
き、回路部間の絶縁距離を大きくして絶縁性を高く得る
ことができるものである。

【０１１５】また請求項４の発明は、請求項１乃至３の
いずれかにおいて、基板の表面に高さの異なる平面部間
を連絡する傾斜面を設け、傾斜面に導体を被覆して高さ
の異なる平面部の回路部を電気的に接続する接続回路部
を形成してあるので、高さの異なる平面部の回路部を接
続することができ、自由度の高い立体配線をすることが
できるものである。

【０１１６】また請求項５の発明は、請求項１乃至４の
いずれかにおいて、端部同士が対向する平面部の端部間
に、これらの平面部より低い平面部を配置し、上記端部
同士が対向する平面部に形成した回路部の端部間を電気
的に接続するようにしたので、高さの異なる回路部を立
体的に交差させて配線することができ、自由度の高い立
体配線をすることができるものである。

【０１１７】また請求項６の発明は、請求項５におい
て、接続用部材によって、上記端部同士が対向する平面
部に形成した回路部の端部間を電気的に接続するように
したので、無理な回路の引き回しなどの必要なく、接続
用部材を用いて回路部の端部間の接続を行なうことがで
きるものである。

【０１１８】また請求項７の発明は、請求項６におい
て、接続用部材として、ワイヤーとジャンパー部品の少
なくとも一方を用いるようにしたので、ワイヤーボンダ
ーやジャンパー部品実装装置などを用いて、自動化工程
で接続を行なうことが可能になるものである。

【０１１９】また請求項８の発明は、請求項６におい
て、上記端部同士が対向する平面部の各端部を基板の表
面側へ下り傾斜する端部傾斜面として形成すると共に端
部傾斜面に導体を被覆して平面部の回路部と電気的に接
続された端部回路部を形成し、接続用部材として、両端
面にこの各端部傾斜面と平行に傾斜する接合用傾斜面を
設けると共に各接合用傾斜面及び表面に導通用回路部を
形成したものを用い、上記端部同士が対向する平面部の
端部間に接続用部材を配置すると共に端部傾斜面の端部
回路部と接続用傾斜面の導通用回路部を接合させるよう
にしたので、端部傾斜面の端部回路部と接続用傾斜面の
導通用回路部を面同士で接合した状態で、接続用部材に
よって回路路間の接続を行なうことができるものであ
り、接続信頼性を高く得ることができるものである。

【０１２０】また請求項９の発明は、請求項６におい
て、上記端部同士が対向する平面部の端部間に配置され
る高さの低い平面部を電気絶縁性の被覆材で被覆し、接
続用部材として導電材料を用いると共に被覆材の表面に
導電材料を設けることによって、上記端部同士が対向す
る平面部に形成した回路部の端部間を電気的に接続する
ようにしたので、接続用部材として接着性接着剤や半田
などの安価なものを用いることができ、コスト安価に回
路部の接続を行なうことができるものである。

【０１２１】また請求項１０の発明は、請求項１乃至４
のいずれかにおいて、端部同士を対向させた平面部の端
部間に、これらの平面部より低い平面部を配置し、上記
端部同士を対向させた平面部に形成した回路部の各端部
を電子部品実装端子部として、この端部同士を対向させ
た平面部の端部上に配置される電子部品を実装するよう
にしたので、回路部と電子部品を立体的に配置すること
ができ、回路の配置密度を高くすることができるもので
ある。

【０１２２】また請求項１１の発明は、請求項１０にお
いて、上記電子部品実装端子部が形成された平面部より
低い平面部の回路部に、他の電子部品実装端子部を形成
し、上記実装された電子部品の下方に他の電子部品が重
なるように、他の電子部品実装端子部に他の電子部品を
実装するようにしたので、他の機構や部品を特に必要と
せずに、立体回路の構造を利用して、異なる高さの平面
部の回路部にそれぞれ電子部品実装端子部を設けるだけ
で、電子部品を上下に重ねた立体的な実装が簡単に行な
えるものであり、実装の高密度化が容易となるととも
に、実装端子部への回路配線の自由度が向上して回路配
線のスペース削減の効果にもつながり、この立体回路板
を用いた電子機器のより一層の小型化が低コストで実現
できるものである。

【０１２３】また請求項１２の発明は、請求項１乃至１
１のいずれかにおいて、基板に基板の表裏に貫通するス
ルーホールを形成し、基板の表面側の平面部に形成した
回路部と電気的に接続されるスルーホール回路部をスル
ーホールの内周に設け、基板の裏面に形成した裏面回路
部とスルーホール回路部とを電気的に接続してあるの
で、基板の表面の回路部を基板の裏面の裏面回路部と接
続することができ、基板の裏面回路部を介して基板の表
面の回路部間の接続をすることが可能になるものであ
る。

【０１２４】また請求項１３の発明は、請求項１２にお
いて、回路部を形成した平面部の端部と、スルーホール
を形成した基板の表面との間に、つづら折り状あるいは
螺旋状に傾斜する屈曲傾斜面を形成し、回路部とスルー
ホール回路部とを電気的に接続する連絡用回路部を屈曲
傾斜面に形成するようにしたので、回路部を形成した平
面部とスルーホールとの間に高低差があっても、回路部
とスルーホールの位置を接近して設けることができ、高
密度な配置で配線することが容易になるものである。

【０１２５】また請求項１４の発明は、請求項１２又は
１３において、スルーホール回路部と裏面回路部との接
続部分に導電ペーストを塗布するようにしたので、スル
ーホール回路部と裏面回路部の間に隙間があっても導電
ペーストで埋めて電気的な接続を確保することができ、
導通不良が発生することを防ぐことができるものであ
る。

【０１２６】また請求項１５の発明は、請求項１乃至１
４のいずれかにおいて、複数段の各平面部をメッキ用傾
斜面を介してこれらの平面部より少なくとも高い段の平
面部に連絡させ、この高い平面部及びメッキ用傾斜面
に、上記の複数段の平面部に電気メッキをする際に通電
を行なうためのメッキ通電用回路部を形成したので、メ
ッキ通電用回路部への電源の接続で独立した各平面部の
導体膜に一括して通電して、電気メッキを容易に行なう
ことができるものであり、しかもメッキ用の電源の接続
は最も高い平面部のメッキ通電用回路部に行なうことが
でき、通電治具の接続が容易になるものである。

【０１２７】また請求項１６の発明は、請求項１５にお
いて、メッキ通電用回路部は、電気メッキの後にエッチ
ングして除去されるようにしてあるので、基板を研削等
してメッキ通電用回路部を除去する場合に比べて、下地
の基板にダメージを与えるようなことなく、メッキ通電
用回路部の除去を行なうことができるものである。また
請求項１７の発明は、請求項１５において、基板のうち
メッキ通電用回路部のより高い段の平面部に設けた部分
は、電気メッキの後に研磨や切削などにより、少なくと
も基板の一部とともに切除されるようにしたので、より
低い位置の基板を研削等してメッキ通電用回路部を除去
する場合に比べて、下地の基板にダメージを与えるよう
なことなく、メッキ通電用回路部の除去を簡単に行なう
ことができるものである。

【０１２８】また請求項１８の発明は、請求項１乃至１
７のいずれかにおいて、複数段の平面部のうち、高さの
低い平面部に形成した回路部を電気絶縁性の被覆材で被
覆すると共に高さの高い平面部に形成した回路部をこの
被覆材の表面に露出させるようにしたので、部品実装や
検査等に必要な回路部のみを露出させて、他の回路部は
被覆材で保護することができ、回路の信頼性を向上させ
ることができるものである。

【０１２９】また請求項１９の発明は、請求項１乃至１
８のいずれかにおいて、基板の表面の凹凸の凸部の頂面
に平面部を形成し、凸部の頂面の角部をテーパ面あるい
はアール面に形成したので、導体膜を被覆した後に電気
メッキをして厚付けするにあたって、電気メッキを行な
う際に平面部の角部の部分において電界集中が起こるこ
とを防止することができ、メッキの膜厚が部分的に厚く
なって隣接する回路部との間で短絡が発生することを防
ぐことができるものである。

【０１３０】また請求項２０の発明は、請求項１乃至１
９のいずれかにおいて、基板の表面の凹凸の凸部の頂面
に平面部を形成すると共に凸部の側面に段差側面部を形
成し、凸部の側面にアンダーカット部を形成するように
したので、基板にＰＶＤ法で導体を付着させるにあたっ
て、アンダーカット部の部分は陰になって導体が付着す
ることを防ぐことができ、段差側面部への導体の付着で
回路部間の絶縁不良が発生することを防止することがで
きるものである。

【０１３１】また請求項２１の発明は、請求項１乃至２
０のいずれかにおいて、平面部にバンプ用凸部を突設
し、バンプ用凸部に導体を被覆して電子部品実装用のバ
ンプ端子を形成するようにしたので、このバンプ端子に
よって電子部品を実装することができるものである。

【０１３２】また請求項２２の発明は、請求項１乃至２
１のいずれかにおいて、段差側面部の表面を粗面に形成
したので、段差側面部に形成される粗面の微細な凹凸に
おいて、微細な凹は微細な凸の陰になって、基板の表面
にＰＶＤ法で導体を付着させる際に、導体が付着するこ
とを防ぐことができ、段差側面部への導体の付着で回路
部間の絶縁不良が発生することを防止することができる
ものである。

【０１３３】また請求項２３の発明は、請求項１乃至２
２のいずれかにおいて、基板の表面に物理蒸着法で導体
を付着させることによって、導体が付着し難い段差側面
部に非回路部を形成すると共に、導体が付着し易い平面
部に回路部を形成するようにしたので、基板の表面に形
成した平面部の形状に沿って回路部を形成することがで
き、レーザー照射などの必要なく、回路のパターンニン
グを容易に行なうことができるものである。

【０１３４】また請求項２４の発明は、請求項２３にお
いて、段差側面部に付着した導体をエッチング除去する
ようにしたので、段差側面部に付着した導体によって回
路部間の絶縁不良が発生することを防止することができ
るものである。

【０１３５】また請求項２５の発明は、請求項１乃至２
４のいずれかにおいて、基板は、樹脂又はセラミックス
材料を成形して形成されたものであるので、基板の表面
に任意の凹凸を設けた立体形状に容易に形成することが
でき、また基板をコスト安価に形成することができるも
のである。

【０１３６】また請求項２６の発明は、請求項１乃至２
４のいずれかにおいて、基板は、金属材の表面に絶縁層
をコーティングして形成されたものであるので、金属材
で基板を形成することができ、金属材によって放熱効果
や電気的シールド効果を得ることができると共に、強度
の高い基板を得ることができるものである。

【０１３７】また請求項２７の発明は、請求項１乃至２
６のいずれかに記載の立体回路板を製造するにあたっ
て、基板の表面に段差側面部を介して複数の高さに層別
される複数段の平面部を設け、基板の表面に物理蒸着法
で導体を付着させた後、段差側面部に付着した導体をエ
ッチング除去することによって、段差側面部に導体が被
覆されない非回路部を形成すると共に、導体が被覆され
た平面部に回路部を形成するようにしたので、基板の表
面に形成した平面部の形状に沿って回路部を形成するこ
とができ、レーザー照射などの必要なく、回路のパター
ンニングを容易に行なうことができるものである。

【０１３８】また請求項２８の発明は、請求項２７にお
いて、イオンビームスパッタリング法でターゲットから
導体粒子をスパッタリングして基板の表面に付着させる
ようにしたので、イオンビームスパッタリング法では高
真空雰囲気でスパッタリングを行なうことができるもの
であり、導体粒子がガス粒子などに衝突して散乱される
ことを低減することができ、導体粒子が散乱して基板の
段差側面部に付着することを防止することができるもの
である。

【０１３９】また請求項２９の発明は、請求項２７にお
いて、ターゲットからスパッタリングされた導体粒子に
よってこのターゲットをスパッタリングするセルフスパ
ッタリング法で、ターゲットからスパッタリングされた
導体粒子を基板の表面に付着させるようにしたので、セ
ルフスパッタリング法では高真空雰囲気でスパッタリン
グを行なうことができるものであり、導体粒子がガス粒
子などに衝突して散乱されることを低減することがで
き、導体粒子が散乱して基板の段差側面部に付着するこ
とを防止することができるものである。

【０１４０】また請求項３０の発明は、請求項２７にお
いて、プラズマ生成ガスの雰囲気下でプラズマを発生さ
せてスパッタリングを開始し、プラズマが発生した後に
プラズマ生成ガスのガス圧を低くした状態で、ターゲッ
トからスパッタリングされた導体粒子を基板の表面に付
着させるようにしたので、導体粒子がガス粒子などに衝
突して散乱されることを低減することができ、導体粒子
が散乱して基板の段差面に付着することを防止すること
ができるものである。

【０１４１】また請求項３１の発明は、請求項２７にお
いて、強磁場を発生させたマグネトロンスパッタリング
法でターゲットからスパッタリングされた導体粒子を基
板の表面に付着させるようにしたので、強磁場を発生さ
せたマグネトロンスパッタリング法では低いガス圧でス
パッタリングを行なうことができるものであり、導体粒
子がガス粒子などに衝突して散乱されることを低減する
ことができ、導体粒子が散乱して基板の段差側面部に付
着することを防止することができるものである。

【０１４２】また請求項３２の発明は、請求項２７にお
いて、ターゲットから導体粒子をスパッタリングして立
体基板の表面に付着させるにあたって、ターゲットと基
板の間に、ターゲットと基板の方向に開口する多数の孔
を有する多孔板を配置し、ターゲットから叩き出された
導体粒子を多孔板の孔を通して基板に飛翔させて付着さ
せるようにしたので、基板に対して垂直な方向に飛翔し
ない導体粒子は多孔板の孔を通過することができず、基
板に対して垂直な方向に飛翔する導体粒子のみが多孔板
の孔を通過するようにすることができ、基板に対して斜
めの方向に飛翔する導体粒子が基板に付着することを防
いで、導体粒子が基板の段差側面部に付着することを防
止することができるものである。

【０１４３】また請求項３３の発明は、請求項３２にお
いて、表面を粗化した多孔板を用いる用いるようにした
ので、多孔板の孔を通過することができない導体粒子が
多孔板の表面に付着し易くなり、基板に対して斜めの方
向に飛翔する導体粒子を多孔板で確実に捕捉して、基板
の凹凸の側面に導体が付着することを確実に防ぐことが
できるものである。

【０１４４】また請求項３４の発明は、請求項２７乃至
３３の発明は、ターゲットから導体粒子をスパッタリン
グして基板の表面に付着させるにあたって、基板を冷却
するようにしたので、基板に付着した導体粒子のエネル
ギーを冷却によって吸収し、導体粒子が再蒸発すること
を防ぐことができるものであり、蒸発した導体粒子が基
板の段差面に付着することを防止することができるもの
である。

【０１４５】また請求項３５の発明は、請求項２７乃至
３４のいずれかにおいて、基板の表面に導体との密着性
が悪い樹脂層を設け、これをプラズマエッチングして平
面部の樹脂層を除去した後、基板の表面に物理蒸着法で
導体を付着させるようにしたので、物理蒸着法で基板の
表面に導体が付着させる際に段差側面部に導体が付着し
ても、樹脂層が被覆されている段差側面部から導体を簡
単に剥がすことができ、段差側面部から導体を簡単に且
つ確実に除去することができるものである。

【０１４６】また請求項３６の発明は、請求項２７乃至
３４のいずれかにおいて、基板の表面に導体との密着性
が悪い樹脂層を設け、これを酸素イオンビームエッチン
グして平面部の樹脂層を除去した後、基板の表面に物理
蒸着法で導体を付着させるようにしたので、酸素イオン
ビームは直進性が高く、基板の表面に被覆された樹脂層
のうち、平面部の樹脂層は完全にエッチング除去できる
と共に、段差側面部の樹脂層は殆どエッチングされない
で残すようにすることができるものである。

【０１４７】また請求項３７の発明は、請求項２７乃至
３６のいずれかにおいて、金属材を放電加工して表面に
凹凸を形成すると共に凸部の側面にアンダーカット部を
形成し、この金属材の表面を絶縁層で被覆して作製した
基板を用いるようにしたので、段差側面部にアンダーカ
ット部を形成する加工を容易に行なうことができるもの
である。

【０１４８】また請求項３８の発明は、請求項３７にお
いて、金属材の表面に化学蒸着法で絶縁層を形成するよ
うにしたので、アンダーカット部が埋められないようい
に絶縁層を形成することができるものである。

【０１４９】また請求項３９の発明は、請求項２７乃至
３６のいずれかにおいて、樹脂製の基板に設けられる凸
部の頂部を加熱加圧することによって、凸部の頂部の側
面に鍔部を張り出させると共にその下側にアンダーカッ
ト部を形成するようにしたので、段差側面部にアンダー
カット部を形成する加工を容易に行なうことができるも
のである。

【０１５０】また請求項４０の発明は、樹脂成形品で表
面に凹凸を有する基板を製造するにあたって、ＬＩＧＡ
プロセスで基板の製造を行なうようにしたので、各段の
平面部のピッチが狭い基板を安価に大量に製造すること
が可能になり、回路の配置密度が高い立体回路板を得る
ことができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【図２】ＰＶＤ法による導体の形成を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ概略図である。

【図３】（ａ）は段差被覆率を説明する正面図、（ｂ）
は凹部のアスペクト比を説明する正面図である。

【図４】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【図５】本発明の実施の形態の一例を示す正面図であ
る。

【図６】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【図７】本発明の実施の形態の一例を示す斜視図であ
る。

【図８】本発明の実施の形態の一例を示す正面図であ
る。

【図９】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【図１０】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図である。

【図１１】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。

【図１２】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は一部の
斜視図である。

【図１３】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。

【図１４】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ斜視図である。

【図１５】本発明の実施の形態の一例を示す斜視図であ
る。

【図１６】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。

【図１７】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ正面図である。

【図１８】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【図１９】本発明の実施の形態の一例を示す正面図であ
る。

【図２０】本発明の実施の形態の一例を示す正面図であ
る。

【図２１】本発明の実施の形態の一例を示す正面図であ
る。

【図２２】本発明の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。

【図２３】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ概略図である。

【図２４】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ概略図である。

【図２５】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ概略図である。

【図２６】本発明の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。

【図２７】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ正面図である。

【図２８】本発明の実施の形態の一例を示す正面図であ
る。

【図２９】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【図３０】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【図３１】本発明の実施の形態の一例を示すものであ
り、（ａ），（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【図３２】従来の導体回路の形成を示すものであり、
（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ斜視図である。

【図３３】従来の立体基板への導体回路の形成の一工程
を示す一部破断した斜視図である。

【図３４】従来の問題を示す正面図である。

【図３５】他の従来例を示すものであり、（ａ），
（ｂ）はそれぞれ正面図である。

【符号の説明】

１基板２段差側面部３非回路部４平面部５回路部６傾斜面７接続回路部８接続用部材９端部傾斜面１０端部回路部１１接合用傾斜面１２導通用回路部１３被覆材１４電子部品実装端子部１５電子部品１６スルーホール１７スルーホール回路部１８裏面回路部１９屈曲傾斜面２０連絡用回路部２１導電ペースト２２メッキ用傾斜面２３メッキ通電用回路部２４凸部２５アンダーカット部２６バンプ用凸部２７バンプ端子２８粗面２９金属材３０絶縁層３１ターゲット３２多孔板３３孔３４樹脂層３５鍔部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｇ 3/38 3/38 Ａ 3/40 3/40 ＫＦターム(参考） 5E317 BB12 BB13 BB15 CC25 CC33 CD34 GG14 5E336 AA04 BB01 BB05 BC26 CC31 GG30 5E338 AA01 AA05 AA16 AA18 BB19 BB61 BB63 CC01 CD01 EE32 5E343 BB14 BB23 BB24 BB44 DD23 DD24 DD25 DD43 DD76 GG08 GG11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に段差側面部を介して複数の
高さに層別される複数段の平面部を設け、段差側面部を
導体が被覆されない非回路部として形成すると共に、平
面部に導体を被覆して回路部を形成して成ることを特徴
とする立体回路板。
【請求項２】平面部を高さが異なる３段以上に形成し
て成ることを特徴とする請求項１に記載の立体回路板
【請求項３】複数段の平面部のうち一部の平面部を導
体が被覆されない非回路部として形成して成ることを特
徴とする請求項１又は２に記載の立体回路板。
【請求項４】基板の表面に高さの異なる平面部間を連
絡する傾斜面を設け、傾斜面に導体を被覆して高さの異
なる平面部の回路部を電気的に接続する接続回路部を形
成して成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
に記載の立体回路板。
【請求項５】端部同士が対向する平面部の端部間に、
これらの平面部より低い平面部を配置し、上記端部同士
が対向する平面部に形成した回路部の端部間を電気的に
接続して成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
かに記載の立体回路板。
【請求項６】接続用部材によって、上記端部同士が対
向する平面部に形成した回路部の端部間を電気的に接続
して成ることを特徴とする請求項５に記載の立体回路
板。
【請求項７】接続用部材として、ワイヤーとジャンパ
ー部品の少なくとも一方を用いて成ることを特徴とする
請求項６に記載の立体回路板。
【請求項８】上記端部同士が対向する平面部の各端部
を基板の表面側へ下り傾斜する端部傾斜面として形成す
ると共に端部傾斜面に導体を被覆して平面部の回路部と
電気的に接続された端部回路部を形成し、接続用部材と
して、両端面にこの各端部傾斜面と平行に傾斜する接合
用傾斜面を設けると共に各接合用傾斜面及び表面に導通
用回路部を形成したものを用い、上記端部同士が対向す
る平面部の端部間に接続用部材を配置すると共に端部傾
斜面の端部回路部と接続用傾斜面の導通用回路部を接合
させて成ることを特徴とする請求項６に記載の立体回路
板。
【請求項９】上記端部同士が対向する平面部の端部間
に配置される高さの低い平面部を電気絶縁性の被覆材で
被覆し、接続用部材として導電材料を用いると共に被覆
材の表面に導電材料を設けることによって、上記端部同
士が対向する平面部に形成した回路部の端部間を電気的
に接続することを特徴とする請求項６に記載の立体回路
板。
【請求項１０】端部同士を対向させた平面部の端部間
に、これらの平面部より低い平面部を配置し、上記端部
同士を対向させた平面部に形成した回路部の各端部を電
子部品実装端子部として、この端部同士を対向させた平
面部の端部上に配置される電子部品を実装して成ること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の立体回
路板。
【請求項１１】上記電子部品実装端子部が形成された
平面部より低い平面部の回路部に、他の電子部品実装端
子部を形成し、上記実装された電子部品の下方に他の電
子部品が重なるように、他の電子部品実装端子部に他の
電子部品を実装して成ることを特徴とする請求項１０に
記載の立体回路板。
【請求項１２】基板に基板の表裏に貫通するスルーホ
ールを形成し、基板の表面側の平面部に形成した回路部
と電気的に接続されるスルーホール回路部をスルーホー
ルの内周に設け、基板の裏面に形成した裏面回路部とス
ルーホール回路部とを電気的に接続して成ることを特徴
とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の立体回路
板。
【請求項１３】回路部を形成した平面部の端部と、ス
ルーホールを形成した基板の表面との間に、つづら折り
状あるいは螺旋状に傾斜する屈曲傾斜面を形成し、回路
部とスルーホール回路部とを電気的に接続する連絡用回
路部を屈曲傾斜面に形成して成ることを特徴とする請求
項１２に記載の立体回路板。
【請求項１４】スルーホール回路部と裏面回路部との
接続部分に導電ペーストを塗布して成ることを特徴とす
る請求項１２又は１３に記載の立体回路板。
【請求項１５】複数段の各平面部をメッキ用傾斜面を
介してこれらの平面部より少なくとも高い段の平面部に
連絡させ、この高い平面部及びメッキ用傾斜面に、上記
の複数段の平面部に電気メッキをする際に通電を行なう
ためのメッキ通電用回路部を形成して成ることを特徴と
する請求項１乃至１４のいずれかに記載の立体回路板。
【請求項１６】メッキ通電用回路部は、電気メッキの
後にエッチングして除去されるものであることを特徴と
する請求項１５に記載の立体回路板。
【請求項１７】基板のうちメッキ通電用回路部を形成
した平面部を設けた部分は、電気メッキの後に少なくと
も基板の一部とともに切除されるものであることを特徴
とする請求項１５に記載の立体回路板。
【請求項１８】複数段の平面部のうち、高さの低い平
面部に形成した回路部を電気絶縁性の被覆材で被覆する
と共に高さの高い平面部に形成した回路部をこの被覆材
の表面に露出させて成ることを特徴とする請求項１乃至
１７のいずれかに記載の立体回路板。
【請求項１９】基板の表面の凹凸の凸部の頂面に平面
部を形成し、凸部の頂面の角部をテーパ面あるいはアー
ル面に形成して成ることを特徴とする請求項１乃至１８
のいずれかに記載の立体回路板。
【請求項２０】基板の表面の凹凸の凸部の頂面に平面
部を形成し、凸部の側面に段差側面部を形成すると共
に、凸部の側面にアンダーカット部を形成して成ること
を特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の立体
回路板。
【請求項２１】平面部にバンプ用凸部を突設し、バン
プ用凸部に導体を被覆して電子部品実装用のバンプ端子
を形成して成ることを特徴とする請求項１乃至２０のい
ずれかに記載の立体回路板。
【請求項２２】段差側面部の表面を粗面に形成して成
ることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれかに記載
の立体回路板。
【請求項２３】基板の表面に物理蒸着法で導体を付着
させることによって、導体が付着し難い段差側面部に非
回路部を形成すると共に、導体が付着し易い平面部に回
路部を形成して成ることを特徴とする請求項１乃至２２
のいずれかに記載の立体回路板。
【請求項２４】段差側面部に付着した導体はエッチン
グ除去されていることを特徴とする請求項２３に記載の
立体回路板。
【請求項２５】基板は、樹脂又はセラミックス材料を
成形して形成されたものであることを特徴とする請求項
１乃至２４のいずれかに記載の立体回路板。
【請求項２６】基板は、金属材の表面に絶縁層をコー
ティングして形成されたものであることを特徴とする請
求項１乃至２４のいずれかに記載の立体回路板。
【請求項２７】請求項１乃至２６のいずれかに記載の
立体回路板を製造するにあたって、基板の表面に段差側
面部を介して複数の高さに層別される複数段の平面部を
設け、基板の表面に物理蒸着法で導体を付着させた後、
段差側面部に付着した導体をエッチング除去することに
よって、段差側面部に導体が被覆されない非回路部を形
成すると共に、導体が被覆された平面部に回路部を形成
することを特徴とする立体回路板の製造方法。
【請求項２８】イオンビームスパッタリング法でター
ゲットから導体粒子をスパッタリングして基板の表面に
付着させることを特徴とする請求項２７に記載の立体回
路板の製造方法。
【請求項２９】ターゲットからスパッタリングされた
導体粒子によってこのターゲットをスパッタリングする
セルフスパッタリング法で、ターゲットからスパッタリ
ングされた導体粒子を基板の表面に付着させることを特
徴とする請求項２７に記載の立体回路板の製造方法。
【請求項３０】プラズマ生成ガスの雰囲気下でプラズ
マを発生させてスパッタリングを開始し、プラズマが発
生した後にプラズマ生成ガスのガス圧を低くした状態
で、ターゲットからスパッタリングされた導体粒子を基
板の表面に付着させることを特徴とする請求項２７に記
載の立体回路板の製造方法。
【請求項３１】強磁場を発生させたマグネトロンスパ
ッタリング法でターゲットからスパッタリングされた導
体粒子を基板の表面に付着させることを特徴とする請求
項２７に記載の立体回路板の製造方法。
【請求項３２】ターゲットから導体粒子をスパッタリ
ングして立体基板の表面に付着させるにあたって、ター
ゲットと基板の間に、ターゲットと基板の方向に開口す
る多数の孔を有する多孔板を配置し、ターゲットから叩
き出された導体粒子を多孔板の孔を通して基板に飛翔さ
せて付着させることを特徴とする請求項２７に記載の立
体回路板の製造方法。
【請求項３３】表面を粗化した多孔板を用いることを
特徴とする請求項３２に記載の立体回路板の製造方法。
【請求項３４】ターゲットから導体粒子をスパッタリ
ングして基板の表面に付着させるにあたって、基板を冷
却することを特徴とする請求項２７乃至３３のいずれか
に記載の立体回路板の製造方法。
【請求項３５】基板の表面に導体との密着性が悪い樹
脂層を設け、これをプラズマエッチングして平面部の樹
脂層を除去した後、基板の表面に物理蒸着法で導体を付
着させることを特徴とする請求項２７乃至３４のいずれ
かに記載の立体回路板の製造方法。
【請求項３６】基板の表面に導体との密着性が悪い樹
脂層を設け、これを酸素イオンビームエッチングして平
面部の樹脂層を除去した後、基板の表面に物理蒸着法で
導体を付着させることを特徴とする請求項２７乃至３４
のいずれかに記載の立体回路板の製造方法。
【請求項３７】金属材を放電加工して表面に凹凸を形
成すると共に凸部の側面にアンダーカット部を形成し、
この金属材の表面を絶縁層で被覆して作製した基板を用
いることを特徴とする請求項２７乃至３６のいずれかに
記載の立体回路板の製造方法。
【請求項３８】金属材の表面に化学蒸着法で絶縁層を
形成することを特徴とする請求項３７に記載の立体回路
板の製造方法。
【請求項３９】樹脂製の基板に設けられる凸部の頂部
を加熱加圧することによって、凸部の頂部の側面に鍔部
を張り出させると共にその下側にアンダーカット部を形
成することを特徴とする請求項２７乃至３６のいずれか
に記載の立体回路板の製造方法。
【請求項４０】樹脂成形品で表面に凹凸を有する基板
を製造するにあたって、ＬＩＧＡプロセスで基板の製造
を行なうことを特徴とする請求項２７乃至３６のいずれ
かに記載の立体回路板の製造方法。