JP2007134243A - 表示装置の製造方法およびマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11上にマスク140を配置し、マスク140の枠部142で電極パッド領域20を覆うと共に開口部141内に表示領域30を露出させ、プラズマCVD法により表示領域30に窒化ケイ素などよりなる保護膜を形成する。枠部142の開口部141側に、傾斜面を有するガス案内部143を設ける。枠部142と基板11との接点近傍でガスの流れが変わってしまうことがなく、マスク140近傍で保護膜の厚みが不均一になってしまうことがなくなる。ガス案内部143の下端143Aと上端143Bとを結ぶ直線が、枠部142の基板対向面144に対してなす傾斜角θは、10度以上15度以下であることが好ましい。
【選択図】図8
Description
Claims (8)
- 基板に、表示素子を有する表示領域および前記表示領域と外部との接続を行うための電極パッド領域を形成する工程と、前記表示領域に保護膜を形成する工程とを含み、
前記保護膜の形成工程において、枠部および開口部を有するマスクを用い、前記マスクの枠部で前記電極パッド領域を被覆すると共に前記開口部内に前記表示領域を露出させたのち、前記基板を加熱しつつ原料ガスを供給し、前記原料ガスの反応生成物質を前記開口部内に堆積させる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記マスクは、前記枠部の前記開口部側に、厚みが前記開口部に向かって薄くなる傾斜面または湾曲面を有するガス案内部を備えた
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記ガス案内部の下端と上端とを結ぶ直線が前記枠部の基板対向面に対してなす傾斜角は、10度以上15度以下である
ことを特徴とする請求項2記載の表示装置の製造方法。 - 前記保護膜はケイ素(Si)を含む化合物により構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記保護膜は窒化ケイ素(SiNx )または二酸化ケイ素(SiO2 )のうち少なくとも一方により構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記表示素子は、第1電極および第2電極の間に有機層を備えた有機発光素子である
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 基板上に配置され、前記基板を加熱しつつ供給された原料ガスによる反応生成物質を前記基板上に選択的に堆積させるために用いられるマスクであって、
反応生成物質が通過可能な開口部を有する枠部と、
前記枠部の前記開口部側に設けられると共に、厚みが前記開口部に向かって薄くなる傾斜面または湾曲面を有するガス案内部と
を備えたことを特徴とするマスク。 - 前記ガス案内部の下端と上端とを結ぶ直線が前記枠部の基板対向面に対してなす傾斜角は、10度以上15度以下である
ことを特徴とする請求項7記載のマスク。
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