JP2000119841A - 導電膜パターン化用マスク - Google Patents
導電膜パターン化用マスクInfo
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- JP2000119841A JP2000119841A JP10289568A JP28956898A JP2000119841A JP 2000119841 A JP2000119841 A JP 2000119841A JP 10289568 A JP10289568 A JP 10289568A JP 28956898 A JP28956898 A JP 28956898A JP 2000119841 A JP2000119841 A JP 2000119841A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】工程を短かくでき、キズ、滲み、スパーク跡な
どの外観欠点がなく、生産性が著しく優れ、したがって
後工程での使い易さや、使用時の耐久性を著しく改良し
た導電膜パターン化用マスクを提供する。 【解決手段】基板にパターンを形成するためのマスクで
あって、パターンを形成する基板と接触する側のマスク
部分の一部が基板と接触しない隙間のある形状を有して
いることを特徴とする導電膜パターン化用マスク。
どの外観欠点がなく、生産性が著しく優れ、したがって
後工程での使い易さや、使用時の耐久性を著しく改良し
た導電膜パターン化用マスクを提供する。 【解決手段】基板にパターンを形成するためのマスクで
あって、パターンを形成する基板と接触する側のマスク
部分の一部が基板と接触しない隙間のある形状を有して
いることを特徴とする導電膜パターン化用マスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板にパターンを
形成するための導電膜パターン化用マスクに関する。本
発明のマスクは、例えば、液晶表示素子（ＬＣＤ）など
に利用される導電膜をパターン化して成膜するために用
いられる。
形成するための導電膜パターン化用マスクに関する。本
発明のマスクは、例えば、液晶表示素子（ＬＣＤ）など
に利用される導電膜をパターン化して成膜するために用
いられる。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電膜をパターン化する方法とし
ては、成膜後に印刷マスクやフォトリソ加工などに代表
されるエッチング法、および成膜時にパターン化したマ
スクを使用して膜形成する方法が知られている（例えば
特開昭６２−４４７８８号公報）。
ては、成膜後に印刷マスクやフォトリソ加工などに代表
されるエッチング法、および成膜時にパターン化したマ
スクを使用して膜形成する方法が知られている（例えば
特開昭６２−４４７８８号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の導電膜
をパターン化する方法は、エッチング法ではフォトリソ
工程を必要とするため、工程が長く、コストが高くなる
欠点があり、ＴＦＴ用のカラーフィルターには使用しづ
らいという問題があった。また、マスクを使用するマス
ク成膜では、基板とマスク材質の熱膨張係数の若干の違
いにより、成膜時の基板加熱でパターン境界にキズが発
生する欠点があった。さらに、マスクの桟部分（細い部
分）があると、マスクの変形が起こりやすく、基板との
密着が悪くなり、パターン境界部に滲みが発生する欠点
があった。さらにまた、マスクの桟部分（細い部分）が
あると、マスクの板厚を厚くして変形が起こりにくくす
るため、パターン境界部の膜厚分布が悪くなり、滲みが
発生する欠点があった。また、基板とマスクが密着して
いると導電膜をスパッタリングで成膜する場合、導電膜
とマスク間で電荷の移動が起こり、その時スパークが発
生する欠点があり、限られた用途にしか用いられない
か、あるいは使用上特別の配慮を要するなど工業的に実
用化する際に問題があった。
をパターン化する方法は、エッチング法ではフォトリソ
工程を必要とするため、工程が長く、コストが高くなる
欠点があり、ＴＦＴ用のカラーフィルターには使用しづ
らいという問題があった。また、マスクを使用するマス
ク成膜では、基板とマスク材質の熱膨張係数の若干の違
いにより、成膜時の基板加熱でパターン境界にキズが発
生する欠点があった。さらに、マスクの桟部分（細い部
分）があると、マスクの変形が起こりやすく、基板との
密着が悪くなり、パターン境界部に滲みが発生する欠点
があった。さらにまた、マスクの桟部分（細い部分）が
あると、マスクの板厚を厚くして変形が起こりにくくす
るため、パターン境界部の膜厚分布が悪くなり、滲みが
発生する欠点があった。また、基板とマスクが密着して
いると導電膜をスパッタリングで成膜する場合、導電膜
とマスク間で電荷の移動が起こり、その時スパークが発
生する欠点があり、限られた用途にしか用いられない
か、あるいは使用上特別の配慮を要するなど工業的に実
用化する際に問題があった。
【０００４】本発明の目的は、上記の従来技術の欠点を
解消し、工程を短かくでき、キズ、滲み、スパーク跡な
どの外観欠点がなく、生産性が著しく優れ、したがって
後工程での使い易さや、使用時の耐久性を著しく改良し
た導電膜パターン化用マスクを提供するものである。
解消し、工程を短かくでき、キズ、滲み、スパーク跡な
どの外観欠点がなく、生産性が著しく優れ、したがって
後工程での使い易さや、使用時の耐久性を著しく改良し
た導電膜パターン化用マスクを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の導電膜パターン化用マスクは、基板にパターンを
形成するためのマスクであって、パターン化される部分
が基板と接触しない隙間のある形状を有し、マスクの桟
部（細い部分）の形状を変形を少なくするため板厚をあ
る程度厚くして、なおかつテーパー角度を最適化するこ
とを特徴とする。
発明の導電膜パターン化用マスクは、基板にパターンを
形成するためのマスクであって、パターン化される部分
が基板と接触しない隙間のある形状を有し、マスクの桟
部（細い部分）の形状を変形を少なくするため板厚をあ
る程度厚くして、なおかつテーパー角度を最適化するこ
とを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で使用する基板は、特に限
定されず、光線透過率が高く、機械的強度、寸法安定性
が優れたガラスが最適であるが、他にポリイミド樹脂、
アクリル樹脂、ポリエステル樹脂などのプラスチック板
も使用できる。また、カラーフィルターなどに使用され
る場合、ガラスまたはプラスチックの上にカラーフィル
ターの要求特性を満足させる種々のプラスチック系およ
び無機系の薄膜がパターン化され積層複合されたものが
使用される。
定されず、光線透過率が高く、機械的強度、寸法安定性
が優れたガラスが最適であるが、他にポリイミド樹脂、
アクリル樹脂、ポリエステル樹脂などのプラスチック板
も使用できる。また、カラーフィルターなどに使用され
る場合、ガラスまたはプラスチックの上にカラーフィル
ターの要求特性を満足させる種々のプラスチック系およ
び無機系の薄膜がパターン化され積層複合されたものが
使用される。
【０００７】本発明で使用するマスクの材質は、特に限
定されないが、基板と同一材質、すなわちガラスやプラ
スチック板が好ましい。また、取扱性、耐久性、加工性
および熱膨張係数を配慮した金属も好ましく、タングス
テン、モリブデン、鉄、クロム、ニッケル、ステンレ
ス、４２アロイなどの多くの金属もしくは合金の板から
選定することができる。
定されないが、基板と同一材質、すなわちガラスやプラ
スチック板が好ましい。また、取扱性、耐久性、加工性
および熱膨張係数を配慮した金属も好ましく、タングス
テン、モリブデン、鉄、クロム、ニッケル、ステンレ
ス、４２アロイなどの多くの金属もしくは合金の板から
選定することができる。
【０００８】マスクを基板と接触させると、基板との熱
膨張係数の違いによりパターン境界にキズが発生する欠
点があるため、本発明においては、図６、図７のｔに示
すようにパターン化される部分が基板と接触しない隙間
のある形状にするものである。隙間が大きすぎると、滲
みが発生する欠点があり、また、隙間が小さすぎると、
キズ、スパーク跡などの外観欠点が解消されないため、
隙間は０．０５〜０．３ｍｍであることが好ましく、よ
り好ましくは０．０８〜０．２５ｍｍの範囲である。
膨張係数の違いによりパターン境界にキズが発生する欠
点があるため、本発明においては、図６、図７のｔに示
すようにパターン化される部分が基板と接触しない隙間
のある形状にするものである。隙間が大きすぎると、滲
みが発生する欠点があり、また、隙間が小さすぎると、
キズ、スパーク跡などの外観欠点が解消されないため、
隙間は０．０５〜０．３ｍｍであることが好ましく、よ
り好ましくは０．０８〜０．２５ｍｍの範囲である。
【０００９】また、マスクの厚みは０．２〜５．０ｍｍ
の範囲のものが好ましく、より好ましくは０．２５〜
４．０ｍｍの範囲のものである。
の範囲のものが好ましく、より好ましくは０．２５〜
４．０ｍｍの範囲のものである。
【００１０】マスクの厚みが０．５ｍｍ以上ではパター
ン境界部の膜厚分布が悪く滲み易くなるため、マスクの
パターン化される部分であって基板と接触する側とは反
対側の部分に図６、図７のｈに示すように水平方向から
５〜４５°の角度のテーパーを設け、滲みを少なくする
ことが好ましい。０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ未満では滲
みの発生は比較的少ない。
ン境界部の膜厚分布が悪く滲み易くなるため、マスクの
パターン化される部分であって基板と接触する側とは反
対側の部分に図６、図７のｈに示すように水平方向から
５〜４５°の角度のテーパーを設け、滲みを少なくする
ことが好ましい。０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ未満では滲
みの発生は比較的少ない。
【００１１】上記したテーパーを設けないとマスクの角
が直角（９０゜）のため、その影の影響が大きく滲みや
すくなるが、テーパーを設けるとその影響を受けにくく
なる。
が直角（９０゜）のため、その影の影響が大きく滲みや
すくなるが、テーパーを設けるとその影響を受けにくく
なる。
【００１２】また、図２、図６、図７のｌに示すように
隙間の奥行きはａに示すようにパターン化される開口部
の端部より１〜１００ｍｍが好ましく、より好ましくは
３ｍｍ〜５０ｍｍであり、製品の総合的な設計により決
定される接触から発生する外観欠点を生じさせない範囲
とすることが好ましい。
隙間の奥行きはａに示すようにパターン化される開口部
の端部より１〜１００ｍｍが好ましく、より好ましくは
３ｍｍ〜５０ｍｍであり、製品の総合的な設計により決
定される接触から発生する外観欠点を生じさせない範囲
とすることが好ましい。
【００１３】また、隙間の保持を確実にするため、図７
のｂに示すように隙間の一部に隙間とほぼ同じ厚みの小
さい面積のスペーサーｂを設けることが好ましい。スペ
ーサーｂの厚みは隙間の間隔±０．０５ｍｍ程度が好ま
しく、直径は０．５〜５ｍｍ程度が好ましい。
のｂに示すように隙間の一部に隙間とほぼ同じ厚みの小
さい面積のスペーサーｂを設けることが好ましい。スペ
ーサーｂの厚みは隙間の間隔±０．０５ｍｍ程度が好ま
しく、直径は０．５〜５ｍｍ程度が好ましい。
【００１４】また、図２、図４、図６、図７のｆに示す
ようにマスクの基板と接触する部分はＲを付けることが
好ましい。Ｒの半径は通常、０．０５〜３．０ｍｍであ
ることが好ましい。
ようにマスクの基板と接触する部分はＲを付けることが
好ましい。Ｒの半径は通常、０．０５〜３．０ｍｍであ
ることが好ましい。
【００１５】また、マスクは２面、もしくは４面、もし
くは多面取りが可能な分割構造をもつ中央に桟部分（細
い部分）のある場合が多い。そのマスクの桟部分（細い
部分）の幅が１０ｍｍ以下の狭いものについては，桟部
分の変形が起こりやすく、基板との密着が悪くなり、パ
ターン境界部が滲む欠点があった。また、マスクの桟部
分（細い部分）があると、マスクの板厚を厚くして変形
が起こりにくくするため、パターン境界部の膜厚分布が
悪くなり、滲む欠点があった。この桟部分（細い部分）
の幅が１０ｍｍ以下の狭いものについては、図６、図７
のｇに示すように、桟部分両端からのテーパーの幅を板
厚の１／３〜１とし、残りの桟中央部分はそれより大き
い任意のテーパー角度を設けることが好ましい。もちろ
ん、これらの構成を組み合わせて使用することもでき
る。
くは多面取りが可能な分割構造をもつ中央に桟部分（細
い部分）のある場合が多い。そのマスクの桟部分（細い
部分）の幅が１０ｍｍ以下の狭いものについては，桟部
分の変形が起こりやすく、基板との密着が悪くなり、パ
ターン境界部が滲む欠点があった。また、マスクの桟部
分（細い部分）があると、マスクの板厚を厚くして変形
が起こりにくくするため、パターン境界部の膜厚分布が
悪くなり、滲む欠点があった。この桟部分（細い部分）
の幅が１０ｍｍ以下の狭いものについては、図６、図７
のｇに示すように、桟部分両端からのテーパーの幅を板
厚の１／３〜１とし、残りの桟中央部分はそれより大き
い任意のテーパー角度を設けることが好ましい。もちろ
ん、これらの構成を組み合わせて使用することもでき
る。
【００１６】本発明のマスクは、導電性の薄膜をパター
ン化して成膜するためのマスクとして使用できる。導電
性の薄膜は、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化イ
ンジウムと酸化スズの混合物（以下、ＩＴＯと称す
る）、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、白金な
どの単体もしくは混合物、もしくは積層体からなり、厚
みは１０オングストローム〜５０００オングストローム
が好ましい。
ン化して成膜するためのマスクとして使用できる。導電
性の薄膜は、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化イ
ンジウムと酸化スズの混合物（以下、ＩＴＯと称す
る）、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、白金な
どの単体もしくは混合物、もしくは積層体からなり、厚
みは１０オングストローム〜５０００オングストローム
が好ましい。
【００１７】パターン化の際に基板とマスクを密着させ
る方法は限定されず、クリップ、磁石による方法など任
意の方法が採用できる。
る方法は限定されず、クリップ、磁石による方法など任
意の方法が採用できる。
【００１８】
【実施例】次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００１９】比較例１ 厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス基板（コーニング社
製 ７０５９）に樹脂系遮光剤によるブラックマトリッ
クス加工をし、その上にレッド、グリーン、ブルーの３
色のペーストをパターン化して積層した上に保護膜をつ
けカラーフィルター機能をもった積層複合基板（４００
ｍｍ×５００ｍｍ）にスパッタリングにてＩＴＯ透明導
電膜をパターン形成するマスク成膜で図３、図４に示す
ステンレスマスク（ＳＵＳ４３０、４００ｍｍ×５００
ｍｍ×厚み３．０ｍｍｔ）を用いた。このマスクを基板
の表面に重ね合わせてクリップで止め、基板温度２４０
℃、膜厚１４００オングストロームのＩＴＯスパッタリ
ングを行った。このようにして得た透明導電膜は透過率
（λ＝４００〜７００ｎｍのＹ値）９６％、表面電気抵
抗値１５Ω／□であった。この膜の外観検査の結果、マ
スク境界部にキズ、スパーク、による欠点が多発した。
また、マスクの厚みが３．０ｍｍと厚いために境界が約
４．５ｍｍの幅で滲む（膜厚分布が悪い）欠点の発生が
あった。
製 ７０５９）に樹脂系遮光剤によるブラックマトリッ
クス加工をし、その上にレッド、グリーン、ブルーの３
色のペーストをパターン化して積層した上に保護膜をつ
けカラーフィルター機能をもった積層複合基板（４００
ｍｍ×５００ｍｍ）にスパッタリングにてＩＴＯ透明導
電膜をパターン形成するマスク成膜で図３、図４に示す
ステンレスマスク（ＳＵＳ４３０、４００ｍｍ×５００
ｍｍ×厚み３．０ｍｍｔ）を用いた。このマスクを基板
の表面に重ね合わせてクリップで止め、基板温度２４０
℃、膜厚１４００オングストロームのＩＴＯスパッタリ
ングを行った。このようにして得た透明導電膜は透過率
（λ＝４００〜７００ｎｍのＹ値）９６％、表面電気抵
抗値１５Ω／□であった。この膜の外観検査の結果、マ
スク境界部にキズ、スパーク、による欠点が多発した。
また、マスクの厚みが３．０ｍｍと厚いために境界が約
４．５ｍｍの幅で滲む（膜厚分布が悪い）欠点の発生が
あった。
【００２０】一方、素材と厚みを変えた以外は図３、図
４に示すのと同じ０．５ｍｍ厚みのニッケル・鉄合金板
（４２アロイ）で製作したマスクを使用して上記と同様
の方法で成膜したＩＴＯ導電膜の外観検査の結果、マス
ク中央の桟部分（細い部分）の変形により、基板との密
着が悪くなりマスク境界部が一部滲む欠点の発生があっ
た。また、キズ、スパークによる欠点が多発した。
４に示すのと同じ０．５ｍｍ厚みのニッケル・鉄合金板
（４２アロイ）で製作したマスクを使用して上記と同様
の方法で成膜したＩＴＯ導電膜の外観検査の結果、マス
ク中央の桟部分（細い部分）の変形により、基板との密
着が悪くなりマスク境界部が一部滲む欠点の発生があっ
た。また、キズ、スパークによる欠点が多発した。
【００２１】実施例１ 比較例１と同様、カラーフィルター機能をもった積層複
合基板にスパッタリングにてＩＴＯ透明導電膜をパター
ン形成するマスク成膜で０．７５ｍｍ厚みのステンレス
板（ＳＵＳ４３０）で、図１、図２に示すように基板と
接触するパターン境界部に隙間をとるため０．１ｍｍの
段差を奥行き外周部５ｍｍ、中央の桟部分（細い部分）
は３ｍｍまで設けたマスクを表面に重ね合わせてクリッ
プと磁石を併用して止め、基板温度１４０℃、ＩＴＯの
膜厚１４００オングストロームでスパッタリングを行っ
た。このようにして得た透明導電膜は透過率（λ＝４０
０〜７００ｎｍのＹ値）９５％、表面電気抵抗値１８Ω
／□であった。この膜の外観検査の結果、マスク境界部
にキズの発生はなかった。しかし、マスク中央の桟部分
（細い部分）の変形による一部滲む欠点の発生があっ
た。また、隙間により基板の導電膜とマスク間が絶縁さ
れるためスパークによる欠点の発生はなかった。
合基板にスパッタリングにてＩＴＯ透明導電膜をパター
ン形成するマスク成膜で０．７５ｍｍ厚みのステンレス
板（ＳＵＳ４３０）で、図１、図２に示すように基板と
接触するパターン境界部に隙間をとるため０．１ｍｍの
段差を奥行き外周部５ｍｍ、中央の桟部分（細い部分）
は３ｍｍまで設けたマスクを表面に重ね合わせてクリッ
プと磁石を併用して止め、基板温度１４０℃、ＩＴＯの
膜厚１４００オングストロームでスパッタリングを行っ
た。このようにして得た透明導電膜は透過率（λ＝４０
０〜７００ｎｍのＹ値）９５％、表面電気抵抗値１８Ω
／□であった。この膜の外観検査の結果、マスク境界部
にキズの発生はなかった。しかし、マスク中央の桟部分
（細い部分）の変形による一部滲む欠点の発生があっ
た。また、隙間により基板の導電膜とマスク間が絶縁さ
れるためスパークによる欠点の発生はなかった。
【００２２】一方、上記と同様のマスクで隙間を取るた
め０．４ｍｍの段差を奥行き５ｍｍまで設けたマスクを
使用して上記と同様の方法で成膜したＩＴＯ導電膜の外
観検査の結果、マスク境界部にキズ、スパークによる欠
点の発生はなかったが、境界全体が約０．４ｍｍの幅で
滲む欠点の発生があった。また、マスク中央の桟部分
（細い部分）の変形による部分的な滲みの大きい欠点の
発生があった。
め０．４ｍｍの段差を奥行き５ｍｍまで設けたマスクを
使用して上記と同様の方法で成膜したＩＴＯ導電膜の外
観検査の結果、マスク境界部にキズ、スパークによる欠
点の発生はなかったが、境界全体が約０．４ｍｍの幅で
滲む欠点の発生があった。また、マスク中央の桟部分
（細い部分）の変形による部分的な滲みの大きい欠点の
発生があった。
【００２３】実施例２ 比較例１と同様、カラーフィルター機能をもった積層複
合基板にスパッタリングにてＩＴＯ透明導電膜をパター
ン形成するマスク成膜で図５〜図６に示すように、３．
０ｍｍ厚みのステンレス板（ＳＵＳ４３０）で、基板と
接触させない隙間を０．１ｍｍの段差を奥行き外周部は
５ｍｍ、中央の桟部分（細い部分）は３ｍｍまで設け、
隙間の保持を確実にするため、一部に隙間と同じ厚みの
スペーサー（Φ２ｍｍ×厚み０．１ｍｍｔ）を設け、パ
ターン化される部分の滲みをなくすため水平方向から１
５°の角度のテーパーを設けたマスクで、マスク中央の
桟部分（細い部分）は変形による部分的な滲みをなくす
ため１５°の角度のテーパーの長さを３ｍｍとし、残り
部分はそれより大きい約６３°のテーパーを設けたマス
クを表面に重ね合わせてクリップと磁石を併用して止
め、基板温度１４０℃、ＩＴＯの膜厚１４００オングス
トロームでスパッタリングを行った。この様にして得た
透明導電膜は透過率（λ＝４００〜７００ｎｍのＹ値）
９５％、表面電気抵抗値１８Ω／□であった。この膜の
外観検査の結果、マスク境界部にキズの発生はなかっ
た。また、滲む欠点の発生もなかった。また、スパーク
による欠点の発生もなかった。
合基板にスパッタリングにてＩＴＯ透明導電膜をパター
ン形成するマスク成膜で図５〜図６に示すように、３．
０ｍｍ厚みのステンレス板（ＳＵＳ４３０）で、基板と
接触させない隙間を０．１ｍｍの段差を奥行き外周部は
５ｍｍ、中央の桟部分（細い部分）は３ｍｍまで設け、
隙間の保持を確実にするため、一部に隙間と同じ厚みの
スペーサー（Φ２ｍｍ×厚み０．１ｍｍｔ）を設け、パ
ターン化される部分の滲みをなくすため水平方向から１
５°の角度のテーパーを設けたマスクで、マスク中央の
桟部分（細い部分）は変形による部分的な滲みをなくす
ため１５°の角度のテーパーの長さを３ｍｍとし、残り
部分はそれより大きい約６３°のテーパーを設けたマス
クを表面に重ね合わせてクリップと磁石を併用して止
め、基板温度１４０℃、ＩＴＯの膜厚１４００オングス
トロームでスパッタリングを行った。この様にして得た
透明導電膜は透過率（λ＝４００〜７００ｎｍのＹ値）
９５％、表面電気抵抗値１８Ω／□であった。この膜の
外観検査の結果、マスク境界部にキズの発生はなかっ
た。また、滲む欠点の発生もなかった。また、スパーク
による欠点の発生もなかった。
【００２４】このマスクを使用して、長期使用による熱
歪みの問題などの耐久性を調べるため１００回の繰り返
し使用を行ったが全く問題の発生もなく良好な結果を得
た。
歪みの問題などの耐久性を調べるため１００回の繰り返
し使用を行ったが全く問題の発生もなく良好な結果を得
た。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、次の優れた効果を得る
ことができる。
ことができる。
【００２６】（１）基板とマスク材質の熱膨張係数の違
いによるパターン化時の基板加熱でパターン境界にキズ
が発生する欠点がなくなる。
いによるパターン化時の基板加熱でパターン境界にキズ
が発生する欠点がなくなる。
【００２７】（２）隙間を設けるため基板とマスク間が
絶縁されるため、電荷の移動によるスパークが発生する
欠点がなくなる。
絶縁されるため、電荷の移動によるスパークが発生する
欠点がなくなる。
【００２８】（３）基板とマスクの保持を確実にでき、
パターンが滲む欠点もなくなる。
パターンが滲む欠点もなくなる。
【００２９】（４）マスクの桟部分（細い部分）があっ
ても、テーパー部の角度と長さを最適化することにより
パターンが滲む欠点がなくなる。
ても、テーパー部の角度と長さを最適化することにより
パターンが滲む欠点がなくなる。
【図１】実施例１で用いられる本発明のパターン化用マ
スクの一例を示す平面図である。
スクの一例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】比較例１で用いられる従来のパターン化用マス
クの平面図である。
クの平面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図５】実施例２で用いられる本発明のパターン化用マ
スクの一例を示す平面図である。
スクの一例を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ断面図である。
ａ：マスク開口部の端部 ｂ：マスクと基板の隙間を保持するためのスペーサー ｄ：マスクの厚み ｆ：マスクの基板と接触する部分 ｇ：マスク端テーパーの幅 ｈ：マスク端テーパーの角度 ｌ：マスク隙間の奥行き ｔ：マスク隙間の高さ
Claims (5)
- 【請求項１】基板にパターンを形成するためのマスクで
あって、パターンを形成する基板と接触する側のマスク
部分の一部が基板と接触しない隙間のある形状を有して
いることを特徴とする導電膜パターン化用マスク。 - 【請求項２】マスクの板厚が０．２ｍｍ以上で、かつ基
板と接触する側とは反対側の部分に水平方向から５〜４
５°の角度のテーパーを設けたことを特徴とする請求項
１に記載の導電膜パターン化用マスク。 - 【請求項３】マスクが、２面、または４面、もしくは多
面取りが可能な分割構造をもつ中央に桟部分を有するも
のであることを特徴とする請求項１または２に記載の導
電膜パターン化用マスク。 - 【請求項４】マスクの桟部分の幅が１０ｍｍ以下であ
り、該桟部分の両端からのテーパーの幅を板厚の１／３
〜１とし、残りの桟中央部分はそれより大きい任意のテ
ーパー角度を設けたことを特徴とする請求項３に記載の
導電膜パターン化用マスク。 - 【請求項５】１０〜５０００オングストロームの導電性
の薄膜をパターン化して成膜するためのマスクであるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜
パターン化用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10289568A JP2000119841A (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 導電膜パターン化用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10289568A JP2000119841A (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 導電膜パターン化用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000119841A true JP2000119841A (ja) | 2000-04-25 |
Family
ID=17744923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10289568A Pending JP2000119841A (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 導電膜パターン化用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000119841A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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