JP3395302B2 - パターン化用マスク - Google Patents
パターン化用マスクInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板にパターンを形成
するためのパターン化用マスクに関する。本発明のマス
クは例えば、液晶表示素子（ＬＣＤ）などに利用される
導電膜をパターン化して成膜するために用いられる。
するためのパターン化用マスクに関する。本発明のマス
クは例えば、液晶表示素子（ＬＣＤ）などに利用される
導電膜をパターン化して成膜するために用いられる。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電膜をパターン化する方法とし
ては、成膜後に印刷マスクやフォトリソ加工などに代表
されるエッチング法および成膜時にパターン化した金属
マスクを使用して膜形成する方法が知られている（特開
昭６２−４４７８８号公報）。
ては、成膜後に印刷マスクやフォトリソ加工などに代表
されるエッチング法および成膜時にパターン化した金属
マスクを使用して膜形成する方法が知られている（特開
昭６２−４４７８８号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】−しかし、従来の導電
膜をパターン化する方法は、エッチング法ではフォトリ
ソ工程を必要とするため工程が長く、コストが高くなる
欠点があるためＴＦＴ用のカラーフィルタには使用しづ
らい欠点があった。また、金属マスクを使用するマスク
成膜では基板とマスク材質の熱膨脹係数の違いにより成
膜時の基板加熱でパターン境界にキズが発生する欠点が
あった。また、基板と金属マスクの密着が悪いとパター
ン境界部がニジム欠点があった。また、基板と金属マス
クが密着していると導電膜をスパッタリングで成膜する
場合、導電膜と金属マスク間で電荷の移動が起り、その
時スパークが発生する欠点があり、限られた用途にしか
用いられないか、あるいは使用上特別の配慮を要するな
ど工業的に実用化する際に問題があった。
膜をパターン化する方法は、エッチング法ではフォトリ
ソ工程を必要とするため工程が長く、コストが高くなる
欠点があるためＴＦＴ用のカラーフィルタには使用しづ
らい欠点があった。また、金属マスクを使用するマスク
成膜では基板とマスク材質の熱膨脹係数の違いにより成
膜時の基板加熱でパターン境界にキズが発生する欠点が
あった。また、基板と金属マスクの密着が悪いとパター
ン境界部がニジム欠点があった。また、基板と金属マス
クが密着していると導電膜をスパッタリングで成膜する
場合、導電膜と金属マスク間で電荷の移動が起り、その
時スパークが発生する欠点があり、限られた用途にしか
用いられないか、あるいは使用上特別の配慮を要するな
ど工業的に実用化する際に問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、上記欠
点を解消し、工程を短くでき、キズ・ニジミ・スパーク
跡などの外観欠点がなく、生産性が著しく優れ、したが
って後工程での使い易さや、使用時の耐久性を著しく改
良したマスクを提供するものである。
点を解消し、工程を短くでき、キズ・ニジミ・スパーク
跡などの外観欠点がなく、生産性が著しく優れ、したが
って後工程での使い易さや、使用時の耐久性を著しく改
良したマスクを提供するものである。
【０００５】すなわち、本発明は、基板にパターンを形
成するためのマスクであって、パターン化される部分が
基板と接触しない隙間のある形状を有することを特徴と
するパターン化用マスクである。
成するためのマスクであって、パターン化される部分が
基板と接触しない隙間のある形状を有することを特徴と
するパターン化用マスクである。
【０００６】本発明で使用する基板は、特に限定され
ず、光線透過率が高く、機械的強度、寸法安定性が優れ
たガラスが最適であるが、他にポリイミド樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリエステル樹脂などのプラスチック板も使用
できる。また、カラーフィルタなどに使用される場合、
ガラスまたはプラスチックの上にカラーフィルタの要求
特性を満足させる種々のプラスチック系および無機系の
薄膜がパターン化され積層複合されたものが使用され
る。
ず、光線透過率が高く、機械的強度、寸法安定性が優れ
たガラスが最適であるが、他にポリイミド樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリエステル樹脂などのプラスチック板も使用
できる。また、カラーフィルタなどに使用される場合、
ガラスまたはプラスチックの上にカラーフィルタの要求
特性を満足させる種々のプラスチック系および無機系の
薄膜がパターン化され積層複合されたものが使用され
る。
【０００７】すなわち、本発明は、基板に導電性の薄膜
パターンを形成するためのマスクであって、パターン化
される部分が基板と接触しない隙間のある形状を有し、
隙間の間隔が０．０５〜０．３ｍｍであることを特徴と
するパターン化用マスクである。
パターンを形成するためのマスクであって、パターン化
される部分が基板と接触しない隙間のある形状を有し、
隙間の間隔が０．０５〜０．３ｍｍであることを特徴と
するパターン化用マスクである。
【０００８】本発明のマスクは、導電性の薄膜をパター
ン化して成膜するためのマスクとして使用できる。導電
性の薄膜は、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化イ
ンジウムと酸化スズの混合物（以下、ＩＴＯと称す
る）、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、白金な
どの単体もしくは混合物、もしくは積層体からなり、厚
みは１０Ａ〜５０００Ａが好ましい。
ン化して成膜するためのマスクとして使用できる。導電
性の薄膜は、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化イ
ンジウムと酸化スズの混合物（以下、ＩＴＯと称す
る）、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、白金な
どの単体もしくは混合物、もしくは積層体からなり、厚
みは１０Ａ〜５０００Ａが好ましい。
【０００９】パターン化の際に基板とマスクを密着させ
る方法は特に限定されず、クリップ、磁石による方法な
ど任意の方法が採用できる。
る方法は特に限定されず、クリップ、磁石による方法な
ど任意の方法が採用できる。
【００１０】
【実施例】次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００１１】比較例１
厚み１．１ｍｍの無アルカリガラス基板（コーニング社
製７０５９）にクロムによるブラックマトリックス加工
をし、その上にレッド・グリーン・ブルーと３色のペー
ストをパターン化して積層した上に保護膜をつけカラー
フィルター機能をもった積層複合基板（３００ｍｍ×３
５０ｍｍ）にスパッタリングにてＩＴＯ透明電導膜をパ
ターン形成するマスク成膜で上述の無アルカリガラス基
板と同一材料である図２に示す無アルカリガラス性ガラ
スマスク（３００ｍｍ×３５０ｍｍ×厚さ１．１ｍｍ）
を用いた。このマスクを基板の表面に重ね合わせてクリ
ップで止め、基板温度２５０℃、膜厚１３００ＡのＩＴ
Ｏスパッタリングを行った。この様にして得た透明導電
膜は透過率（λ５５０ｎｍ）９６％、表面電気抵抗値２
０Ω／ｓｑであった。この膜の外観検査の結果、マスク
境界部にキズの発生はなかった。また、スパークによる
欠点の発生もなかった。しかし、マククの厚みが１．１
ｍｍと厚いために境界が約０．３ｍｍの幅でニジム欠点
の発生はあった。
製７０５９）にクロムによるブラックマトリックス加工
をし、その上にレッド・グリーン・ブルーと３色のペー
ストをパターン化して積層した上に保護膜をつけカラー
フィルター機能をもった積層複合基板（３００ｍｍ×３
５０ｍｍ）にスパッタリングにてＩＴＯ透明電導膜をパ
ターン形成するマスク成膜で上述の無アルカリガラス基
板と同一材料である図２に示す無アルカリガラス性ガラ
スマスク（３００ｍｍ×３５０ｍｍ×厚さ１．１ｍｍ）
を用いた。このマスクを基板の表面に重ね合わせてクリ
ップで止め、基板温度２５０℃、膜厚１３００ＡのＩＴ
Ｏスパッタリングを行った。この様にして得た透明導電
膜は透過率（λ５５０ｎｍ）９６％、表面電気抵抗値２
０Ω／ｓｑであった。この膜の外観検査の結果、マスク
境界部にキズの発生はなかった。また、スパークによる
欠点の発生もなかった。しかし、マククの厚みが１．１
ｍｍと厚いために境界が約０．３ｍｍの幅でニジム欠点
の発生はあった。
【００１２】一方、素材と厚みを変えた以外は図２に示
すのと同じ０．７ｍｍ厚みのステンレス板（ＳＵＳ３０
４）で製作したマスクを使用して上記と同様の方法で成
膜したＩＴＯ導電膜の外観検査の結果、マスク境界部が
ニジム欠点の発生はなかったが、キズ、スパークによる
欠点が多発した。
すのと同じ０．７ｍｍ厚みのステンレス板（ＳＵＳ３０
４）で製作したマスクを使用して上記と同様の方法で成
膜したＩＴＯ導電膜の外観検査の結果、マスク境界部が
ニジム欠点の発生はなかったが、キズ、スパークによる
欠点が多発した。
【００１３】実施例１
比較例１と同様、カラフィルタ機能をもった積層複合基
板にスパッタリングにてＩＴＯ透明導電膜をパターン形
成するマスク成膜で０．７ｍｍ厚みのステンレス板（Ｓ
ＵＳ４３０）で、図１に示すように基板と接触するパタ
ーン境界部に隙間をとるため０．１ｍｍの段差を奥行５
ｍｍまで設けたマスクを表面に重ね合わせてクリップと
磁石を併用して止め、基板温度で８０℃、ＳｉＯ２の膜
厚２００Ａ、ＩＴＯの膜厚１３００Ａで２層スパッタリ
ングを行った。このようにして得た透明導電膜は透過率
（λ５５０ｎｍ）９６％、表面電気抵抗値１８Ω／ｓｑ
であった。この膜の外観検査の結果、マスク境界部にキ
ズの発生はなかった。また、ニジミもほとんどなかっ
た。また、隙間により基板の導電膜とマスク間が絶縁さ
れるためスパークによる欠点の発生はなかった。
板にスパッタリングにてＩＴＯ透明導電膜をパターン形
成するマスク成膜で０．７ｍｍ厚みのステンレス板（Ｓ
ＵＳ４３０）で、図１に示すように基板と接触するパタ
ーン境界部に隙間をとるため０．１ｍｍの段差を奥行５
ｍｍまで設けたマスクを表面に重ね合わせてクリップと
磁石を併用して止め、基板温度で８０℃、ＳｉＯ２の膜
厚２００Ａ、ＩＴＯの膜厚１３００Ａで２層スパッタリ
ングを行った。このようにして得た透明導電膜は透過率
（λ５５０ｎｍ）９６％、表面電気抵抗値１８Ω／ｓｑ
であった。この膜の外観検査の結果、マスク境界部にキ
ズの発生はなかった。また、ニジミもほとんどなかっ
た。また、隙間により基板の導電膜とマスク間が絶縁さ
れるためスパークによる欠点の発生はなかった。
【００１４】一方、上記と同様のマスクで隙間を取るた
め０．４ｍｍの段差を奥行５ｍｍまで設けたマスクを使
用して上記と同様の方法で成膜したＩＴＯ導電膜の外観
検査の結果、マスク境界部にキズ、スパークによる欠点
の発生はなかったが、境界が約０．４ｍｍの幅でニジム
欠点の発生があった。
め０．４ｍｍの段差を奥行５ｍｍまで設けたマスクを使
用して上記と同様の方法で成膜したＩＴＯ導電膜の外観
検査の結果、マスク境界部にキズ、スパークによる欠点
の発生はなかったが、境界が約０．４ｍｍの幅でニジム
欠点の発生があった。
【００１５】実施例２
比較例１と同様、カラーフィルタ機能をもった積層複合
基板にスパッタリングにてＩＴＯ透明導電膜をパターン
形成するマスク成膜で図３に示すように２．０ｍｍ厚み
のステンレス板（ＳＵＳ４３０）で、基板と接触させな
い隙間を広くとるため０．１ｍｍの段差をマスクエッジ
から５ｍｍまで設け、隙間の保持を確実にするため、一
部に隙間と同じ厚みのスペーサ（φ２ｍｍ×厚み０．１
ｍｍ）を設け、パターン化される部分のニジミをなくす
ため垂直方向から１５°の角度のテーパを設けたマスク
を表面に重ね合わせてクリップと磁石を併用して止め、
基板温度で２８０℃、ＳｉＯ２の膜厚２００Ａ、ＩＴＯ
の膜厚１３００Ａで２層積層スパッタリングを行った。
この様にして得た透明導電膜は透過率（λ５５０ｎｍ）
９６％、表面電気抵抗値１８Ω／ｓｑであった。この膜
の外観検査の結果、マスク境界部にキズの発生はなかっ
た。また、ニジム欠点の発生もなかった。また、スパー
クによる欠点の発生もなかった。
基板にスパッタリングにてＩＴＯ透明導電膜をパターン
形成するマスク成膜で図３に示すように２．０ｍｍ厚み
のステンレス板（ＳＵＳ４３０）で、基板と接触させな
い隙間を広くとるため０．１ｍｍの段差をマスクエッジ
から５ｍｍまで設け、隙間の保持を確実にするため、一
部に隙間と同じ厚みのスペーサ（φ２ｍｍ×厚み０．１
ｍｍ）を設け、パターン化される部分のニジミをなくす
ため垂直方向から１５°の角度のテーパを設けたマスク
を表面に重ね合わせてクリップと磁石を併用して止め、
基板温度で２８０℃、ＳｉＯ２の膜厚２００Ａ、ＩＴＯ
の膜厚１３００Ａで２層積層スパッタリングを行った。
この様にして得た透明導電膜は透過率（λ５５０ｎｍ）
９６％、表面電気抵抗値１８Ω／ｓｑであった。この膜
の外観検査の結果、マスク境界部にキズの発生はなかっ
た。また、ニジム欠点の発生もなかった。また、スパー
クによる欠点の発生もなかった。
【００１６】このマスクを使用して、長期使用による熱
歪みの問題などの耐久性を調べるため１００回の繰返し
使用を行なったが全く問題の発生もなく良好な結果を得
た。
歪みの問題などの耐久性を調べるため１００回の繰返し
使用を行なったが全く問題の発生もなく良好な結果を得
た。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、次の優れた効果を得る
ことができる。 （１）基板とマスク材質の熱膨脹係数の違いによるパタ
ーン化時の基板加熱でパターン境界にキズが発生する欠
点がなくなる。 （２）隙間を設けるため基板とマスク間が絶縁されるた
め、電荷の移動によるスパークが発生する欠点がなくな
る。 （３）基板とマスクの保持を確実にでき、パターンがニ
ジム欠点もなくなる。
ことができる。 （１）基板とマスク材質の熱膨脹係数の違いによるパタ
ーン化時の基板加熱でパターン境界にキズが発生する欠
点がなくなる。 （２）隙間を設けるため基板とマスク間が絶縁されるた
め、電荷の移動によるスパークが発生する欠点がなくな
る。 （３）基板とマスクの保持を確実にでき、パターンがニ
ジム欠点もなくなる。
【図１】 実施例１で用いられる本発明のパターン化用
マスクの平面図（ａ）およびＡ−Ａ断面図（ｂ）
マスクの平面図（ａ）およびＡ−Ａ断面図（ｂ）
【図２】 比較例１で用いられる従来のパターン化用マ
スクの平面図（ａ）およびＡ−Ａ断面図（ｂ）
スクの平面図（ａ）およびＡ−Ａ断面図（ｂ）
【図３】 実施例２で用いられる本発明のパターン化用
マスクの平面図（ａ）およびＡ−Ａ断面図（ｂ）
マスクの平面図（ａ）およびＡ−Ａ断面図（ｂ）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/14
B05B 15/04 102
B05C 17/06
H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に導電性の薄膜パターンを形成する
ためのマスクであって、パターン化される部分が基板と
接触しない隙間のある形状を有し、隙間の間隔が０．０
５〜０．３ｍｍであることを特徴とするパターン化用マ
スク。 - 【請求項２】 隙間の奥行きがパターン化される開口部
の端部から１〜１００ｍｍである請求項１記載のパター
ン化用マスク。 - 【請求項３】 隙間の部分にスペーサーを設けた請求項
１記載のパターン化用マスク。 - 【請求項４】 マスクの板厚が０．３〜５．０ｍｍであ
る請求項１記載のパターン化用マスク。 - 【請求項５】 マスクの板厚が０．５ｍｍ以上でかつ、
マスクのパターン化される部分であって隙間を設けた側
とは反対の部分に垂直方向から５〜６５°の角度のテー
パーを設けた請求項１記載のパターン化用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30828193A JP3395302B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | パターン化用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30828193A JP3395302B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | パターン化用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159982A JPH07159982A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3395302B2 true JP3395302B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=17979150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30828193A Expired - Fee Related JP3395302B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | パターン化用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395302B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008226689A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Konica Minolta Holdings Inc | 可撓性基板への透明導電膜の形成装置、マスク部材、及び有機エレクトロルミネッセンス素子用透明導電膜樹脂基板 |
| JP2008243664A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| GB2497540B (en) * | 2011-12-13 | 2016-06-22 | Pexa Ltd | Masking apparatus |
| JP5977684B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2016-08-24 | 東レエンジニアリング株式会社 | 薄膜形成装置 |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP30828193A patent/JP3395302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07159982A (ja) | 1995-06-23 |
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