JP2008243664A - 有機el素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 62
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】基板上に第1の電極、画素領域を画定する絶縁膜、発光を行う有機膜、第2の電極、封止膜を順次形成してなる有機EL素子の製造方法において、絶縁膜および有機膜においてそれぞれマスクとの接触による異物の付着やキズの発生を防止する。
【解決手段】有機膜40の形成工程では、有機膜形成用マスク100が絶縁膜30と接触せず離れた状態にて、有機膜形成用マスク100を基板10上に配置して、有機膜40の成膜を行い、第2の電極50の形成工程では、第2の電極形成用マスク200が絶縁膜30および有機膜40と接触せず離れた状態にて、第2の電極形成用マスク200を基板10上に配置して、第2の電極50の成膜を行う。
【選択図】図2
【解決手段】有機膜40の形成工程では、有機膜形成用マスク100が絶縁膜30と接触せず離れた状態にて、有機膜形成用マスク100を基板10上に配置して、有機膜40の成膜を行い、第2の電極50の形成工程では、第2の電極形成用マスク200が絶縁膜30および有機膜40と接触せず離れた状態にて、第2の電極形成用マスク200を基板10上に配置して、第2の電極50の成膜を行う。
【選択図】図2
Description
本発明は、基板上に第1の電極、絶縁膜、発光を行う有機膜、第2の電極、封止膜を順次形成してなる有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子の製造方法に関する。
一般に、有機EL素子は、ガラスなどの絶縁性の基板上に、第1の電極、画素領域を画定する絶縁膜、発光層としての有機材料よりなる有機膜、第2の電極を順次形成してなる。ここで、絶縁膜は、樹脂などよりなるもので、画素の間に存在し隣り合う画素同士を分離するものである。
このような有機EL素子は水分に弱く、従来では、有機膜に水分がふれないようにするため、掘り込みガラス等の掘り込み部に吸湿材シールを貼り付けた封止部材を、基板に貼り合せ、この封止部材の内部に上記各電極や有機膜などを封止するという、中空封止構造が主流であった。
しかし、この中空封止構造においては、大型化の際たわみ等の影響から中空状態を保つのが困難であったり、封止部材が割れやすくなったりするという課題があった。また、さらなる薄型化や、フレキシブル化およびアクティブ基板を用いることによるトップエミッション構造の要望から、上記した中空封止構造から膜封止構造への研究が盛んに行われている。
この膜封止構造を有する有機EL素子は、基板上に、第1の電極、絶縁膜を形成し、その上に有機膜、第2の電極を順次、マスクを用いた蒸着によって成膜し、さらに、これら各電極、絶縁膜および有機膜を被覆するように、窒化珪素などよりなる封止膜を、CVDなどにより成膜するものである。
しかしながら、このような膜封止構造において当該封止膜は、数十nmから数μmと非常に薄い単層膜または積層膜からなるため、封止膜の形成前において下地に異物やキズがあると、その部分がピンホールとなりやすく、そこから水分が浸入して素子の特性に悪影響を及ぼす。
特に有機EL素子の場合、発光領域以外であっても画素領域を画定するための絶縁膜に、上記の異物やキズによるピンホールがある場合、水分が当該絶縁膜を伝って有機膜まで到達してしまい、発光しなくなる恐れがある。
従来では、特許文献1において、自己修復層によりピンホールを塞ぎ、水分の浸入を抑制する方法が挙げられているが、この自己修復部分はバリアとしての性能が完全ではない。そのため、封止膜による対策だけでなく、封止膜の成膜前におけるピンホールの原因、つまり上記した下地への異物付着やキズ発生を低減することが必要である。
特開2006−4781号公報
ここで、本発明者は、この種の有機EL素子においては、封止膜の下地への異物付着やキズ発生は、有機膜だけでなく、画素領域を画定する絶縁膜にも発生しやすいことに着目した。図7は、本発明者の試作した有機EL素子における有機膜の形成工程を示す工程図である。
図7では、基板10上に、第1の電極20、画素領域を画定する絶縁膜30が形成されており、有機膜の形成は、開口部101を有する有機膜形成用マスクJ1を用いて蒸着により行われる。有機材料の蒸着源300から出てくる有機材料は、有機膜形成用マスクJ1の開口部101を介して第1の電極20および絶縁膜30の上に供給され、有機膜となって成膜される。
このとき、絶縁膜30は、画素領域を区画するために基板10上の他の部位よりも突出しており、この絶縁膜30の頂部にも有機膜が成膜されるが、実際には、絶縁膜30の間にて第1の電極20の上に成膜された有機膜が、画素として構成される。
そして、絶縁膜30は、上記のように突出しているが故に、図7に示されるように、発光領域以外の部位にて、絶縁膜30と当該マスクJ1とが接触しやすく、この状態で有機膜の成膜が行われる。このため、絶縁膜30には、当該マスクJ1からの異物が付着したり、マスクJ1との接触によるキズが発生したりしやすくなる。
また、この有機膜の形成と同じことが、次に行われる第2の電極の形成においても言える。第2の電極の形成も、開口部を有する第2の電極形成用マスクの当該開口部を介して有機膜の上に第2の電極を蒸着して成膜するものである。そのため、発光領域以外の部位にて、第2の電極形成用のマスクは、有機膜に加えて、上記同様に突出する絶縁膜にも接触しやすくなる。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板上に第1の電極、絶縁膜、発光を行う有機膜、第2の電極、封止膜を順次形成してなる有機EL素子の製造方法において、絶縁膜および有機膜においてそれぞれマスクとの接触による異物の付着やキズの発生を防止することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、有機膜(40)の形成工程では、有機膜形成用マスク(100)が絶縁膜(30)と接触せず離れた状態にて、有機膜形成用マスク(100)を基板(10)上に配置して、有機膜(40)の成膜を行い、第2の電極(50)の形成工程では、第2の電極形成用マスク(200)が絶縁膜(30)および有機膜(40)と接触せず離れた状態にて、第2の電極形成用マスク(200)を基板(10)上に配置して、第2の電極(50)の成膜を行うことを特徴とする。
それによれば、有機膜(40)および第2の電極(50)を成膜するときに各マスク(100、200)と絶縁膜(30)および有機膜(40)とが接触しないため、これら絶縁膜(30)および有機膜(40)において、それぞれマスク(100、200)との接触による異物の付着やキズの発生を防止することができる。
ここで、有機膜(40)の形成工程では、有機膜形成用マスク(100)における開口部(101)の外周部を、絶縁膜(30)と離間しつつ重なった状態とし、第2の電極(50)の形成工程では、第2の電極形成用マスク(200)における開口部(201)の外周部を、絶縁膜(30)および有機膜(40)と離間しつつ重なった状態とすることが好ましい(後述の図2、図3、図5、図6参照)。
それによれば、基板(10)のサイズおよび各マスク(100、200)のサイズの増大化を抑制するうえで好ましい。
また、この場合、有機膜形成用マスク(100)における開口部(101)の外周部のうち絶縁膜(30)と対向する部位に凹部(102)を形成することにより、当該外周部を絶縁膜(30)と離間させるとともに、第2の電極形成用マスク(200)における開口部(201)の外周部のうち絶縁膜(30)および有機膜(40)と対向する部位に凹部(202)を形成することにより、当該外周部を絶縁膜(30)および有機膜(40)と離間させてもよい。
また、有機膜形成用マスク(100)については、当該有機膜形成用マスク(100)における開口部(101)の外周部のうち、絶縁膜(30)以外の基板(10)の部位と対向する部位に凸部(103)を設け、この凸部(103)にて当該外周部を基板(10)に支持させることにより、当該外周部を絶縁膜(30)と離間させてもよい。
そして、この場合、第2の電極形成用マスク(200)についても、当該第2の電極形成用マスク(200)における開口部(201)の外周部のうち、絶縁膜(30)および有機膜(40)以外の基板(10)の部位と対向する部位に凸部(203)を設け、この凸部(203)にて当該外周部を基板(100)に支持させることにより、当該外周部を絶縁膜(30)および有機膜(40)と離間させてもよい。
また、有機膜形成用マスク(100)に上記凹部(102)を形成することにより、上記外周部と絶縁膜(30)との離間を行うとともに、第2の電極形成用マスク(200)に上記凸部(203)を設けることにより、上記外周部と絶縁膜(30)および有機膜(40)との離間を行ってもよい。
さらに、有機膜形成用マスク(100)に上記凸部(103)を設けることにより、上記外周部と絶縁膜(30)との離間を行うとともに、第2の電極形成用マスク(200)に上記凹部(202)を形成することにより、上記外周部と絶縁膜(30)および前記有機膜(40)との離間を行ってもよい。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る有機EL素子S1の概略断面図である。有機EL素子S1は、可視光に対して透明な基板10を備え、この基板10の上には、第1の電極20、画素60の領域を画定する絶縁膜30、有機EL材料からなる発光層を含む有機膜40、第2の電極50を順次形成してなる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る有機EL素子S1の概略断面図である。有機EL素子S1は、可視光に対して透明な基板10を備え、この基板10の上には、第1の電極20、画素60の領域を画定する絶縁膜30、有機EL材料からなる発光層を含む有機膜40、第2の電極50を順次形成してなる。
基板10は、ガラスや樹脂などからなる透明な電気絶縁性を有する基板である。基板10の上に形成された第1の電極20は、インジウム−錫の酸化物(ITO)膜やインジウム−亜鉛の酸化物膜等の透明導電膜からなる。
また、有機膜40は、真空蒸着法にて成膜されたもので、有機EL素子の有機膜として一般的に用いられる有機材料よりなる。図示しないが、有機膜40は、たとえば、第1の電極20側から順に、正孔注入性有機材料からなる正孔注入層、正孔輸送性有機材料からなる正孔輸送層、正孔輸送性有機材料や電子輸送性有機材料に蛍光色素をドープした有機EL材料からなる発光層、電子輸送性有機材料からなる電子輸送層が積層されてなるものである。
有機膜40の上に形成された第2の電極50は、通常の有機EL素子に採用可能な電極材料、たとえばアルミニウムなどよりなる。この第2の電極50は、スパッタや蒸着などにより成膜されたものである。
ここで、本実施形態における画素60の配置形態は、次のようである。第1の電極20および第2の電極陰極40はそれぞれ複数本設けられ、複数本の第1の電極20と複数本の第2の電極50とは互いに直交する方向へ延びるストライプ状に配置されている。また、両電極20、50の間に挟まれた有機膜40は、第2の電極50と同一のストライプ形状にパターニングされている。
そして、第1の電極20と第2の電極50とが交差し有機膜40を挟んで重なり合う部分が、発光部としての画素60を構成している。本例では、複数個の画素60が格子状に配列された形となっている。
そして、上記絶縁膜30は、図1に示されるように、基板10上にて各々の画素60の間に配置されており、画素分離層として構成されている。具体的には、絶縁膜30は、有機膜40および第2の電極50により構成されるストライプの間に位置する部分に位置している。この絶縁膜30は、電気絶縁性の樹脂材料、たとえばネガ型の感光性樹脂レジスト材料などからなる。
この絶縁膜30の高さは、第2の電極50よりも高く、各画素60の領域を区画しているが、図1に示されるように、絶縁膜30の頂部には、有機膜40および第2の電極50の一部が積層されている。
さらに、有機EL素子S1においては、上記各電極20、50、絶縁膜30および有機膜40を覆うように封止膜70が形成されており、膜封止構造となっている。この封止膜70は、電気絶縁性の無機材料などよりなる膜であり、たとえばCVDなどにより成膜された窒化珪素の膜などにより構成されている。
また、各電極20、50の取り出し部では、封止膜70は除去されている。図1では、第1の電極20の取り出し部20aが示されており、この取り出し部20aは封止膜70から露出して、外部の配線部材などと電気的に接続できるようになっている。
そして、このような有機EL素子S1においては、外部の駆動回路から両電極20、50の上記取り出し部を介して両電極20、50間に電圧を印加することにより、画素60における有機膜40が発光するようになっている。
次に、本有機EL素子S1の製造方法について、述べる。まず、基板10の上に、ITO膜などをスパッタ法により形成し、これを、フォトリソグラフ技術を用いてパターニングすることにより、第1の電極20を形成する。
次に、画素60の間となる部分において基板10の上および第1の電極20の上に、絶縁膜30をフォトリソグラフィ法で形成する。たとえば、基板10の全面上に絶縁膜30となるネガ型の感光性樹脂レジストをスピンコートし、これを焼成した後、露光、現像することにより、絶縁膜30を形成する。
その後、これら第1の電極20および絶縁膜30の上に有機膜40を真空蒸着法にて成膜する。図2は、この有機EL素子S1の製造方法における有機膜40の形成工程を示す工程図である。
図2に示されるように、有機膜40の形成工程は、基板10のうち発光領域に対応した開口部101を有する有機膜形成用マスク100を用いる。そして、このマスク100の開口部101を介して、第1の電極20および絶縁膜30の上に有機膜40を蒸着することにより、行われる。この有機膜形成用マスク100は、この種の一般のものと同様、たとえばステンレスなどにより形成されたものである。
蒸着源300は、この種の蒸着法に一般に備えられるものと同様であり、有機膜40を構成する有機材料よりなる。有機膜40が複数層よりなる場合には、この蒸着源300を替えて順次蒸着を行う。
そして、この蒸着源300から出てくる有機材料は、有機膜形成用マスク100の開口部101を介して、第1の電極20および絶縁膜30の上に供給され、有機膜40となって成膜される。
ここで、本実施形態では、有機膜形成用マスク100が絶縁膜30と接触せず離れた状態にて、有機膜形成用マスク100を基板10上に配置して、有機膜40の成膜を行うようにする。
具体的には、有機膜形成用マスク100における開口部101の外周部のうち絶縁膜30と対向する部位に、ハーフエッチングやプレスなどにより凹部102が形成されている。そして、この凹部102を介して、当該外周部を絶縁膜30と離間させ、マスク100と絶縁膜30との接触を回避している。
これにより、図2に示されるように、基板10上に配置された有機膜形成用マスク100における開口部101の外周部が、絶縁膜30と離間しつつ絶縁膜30と重なった状態となっている。そして、この状態で当該外周部が基板10に支持されている。つまり、有機膜形成用マスク100における開口部101の外周部を基板10に投影したとき、当該投影された領域が絶縁膜30と重なっている。
このようにして、本実施形態では、有機膜40を蒸着により形成する。本実施形態では、上記したように有機膜形成用マスク100の配置形態が従来と異なるものであるが、それ以外のところは、従来の蒸着法と同様である。
こうして、有機膜40を形成した後、その上に、第2の電極50をスパッタや蒸着により形成する。図3は、この有機EL素子S1の製造方法における第2の電極50の形成工程を示す工程図である。
図3に示されるように、第2の電極50の形成工程は、基板10のうち発光領域に対応した開口部201を有する第2の電極形成用マスク200を用い、このマスク200の開口部201を介して、絶縁膜30および有機膜40の上に第2の電極50を蒸着することにより、行われる、この第2の電極形成用マスク200も、この種の一般のものと同様、たとえばステンレスなどにより形成されたものである。
ここで、材料源400は、この種のスパッタ法または蒸着法に一般に備えられるものと同様であり、第2の電極50を構成する材料よりなる。この材料源400から出てくる電極材料は、第2の電極形成用マスク200の開口部201を介して、絶縁膜30および有機膜40の上に供給され、第2の電極50となって成膜される。
ここで、本実施形態では、第2の電極形成用マスク200が絶縁膜30および有機膜40と接触せず離れた状態にて、第2の電極形成用マスク200を基板10上に配置して、第2の電極50の成膜を行う。
具体的には、第2の電極形成用マスク200における開口部201の外周部のうち絶縁膜30および有機膜40と対向する部位に、ハーフエッチングやプレスなどにより凹部202が形成されている。そして、この凹部202を介して、当該外周部を絶縁膜30および有機膜40と離間させ、マスク200と絶縁膜30および有機膜40との接触を回避している。
これにより、図3に示されるように、基板10上に配置された第2の電極形成用マスク200における開口部201の外周部が、絶縁膜30および有機膜40と離間しつつ、これら絶縁膜30および有機膜40と重なった状態となっている。そして、この状態で当該外周部が基板10に支持されている。つまり、第2の電極形成用マスク200における開口部201の外周部を基板10に投影したとき、当該投影された領域が絶縁膜30および有機膜40と重なっている。
このようにして、本実施形態では、第2の電極50をスパッタ法または蒸着法により形成する。本実施形態では、上記したように第2の電極形成用マスク200の構成や配置形態が従来と異なるものであるが、それ以外のところは、従来のスパッタ法や蒸着法と同様である。
こうして、第2の電極50を形成した後、その上に、CVDなどにより封止膜70を形成する。このとき、マスキングなどにより、上記した各電極20、50の取り出し部については封止膜70を形成しないようにする。そして、この封止膜70の形成が完了すれば、上記図1に示される本実施形態の有機EL素子S1が完成する。
ところで、上記製造方法によれば、有機膜40および第2の電極50を成膜するときに各マスク100、200と絶縁膜30および有機膜40とが接触しない。そのため、封止膜70の下地であるこれら絶縁膜30および有機膜40において、それぞれマスク100、200との接触による異物の付着やキズの発生を防止できる。
基板10において、絶縁膜30および有機膜40の形成領域以外であれば、封止膜70の形成領域でマスク100、200が接触して異物やキズがつき封止膜70にピンホールができたとしても、水分は絶縁膜30および有機膜40まで到達しない。その結果、本実施形態によれば、封止膜70による膜封止構造においてダークスポットの発生を極力低減し、信頼性に優れた有機EL素子S1が提供される。
また、上記製造方法では、有機膜40の形成工程では、有機膜形成用マスク100における開口部101の外周部のうち凹部102の部分が、絶縁膜30と離間しつつ重なった状態となっている。一方、第2の電極50の形成工程では、第2の電極形成用マスク200における開口部201の外周部のうち凹部202の部分が、絶縁膜30および有機膜40と離間しつつ重なった状態となっている。
ここで、本実施形態では、各マスク100、200に上記凹部102、202をハーフエッチングやプレスで形成することで、上記状態を実現している。一例を述べると、当該凹部102、202の形成は、0.5mm厚のSUSよりなるマスク100、200を約0.2mmハーフエッチすることで実現できる。
また、例えば0.2mm以下の薄い板材を2枚用意し、凹部102、202以外の部分では当該2枚の板材を重ねた構成とすることで、当該板材の厚さによる段差を構成し、この段差によって凹部102、202を形成してもよい。
なお、本実施形態では、図4に示されるように、有機膜40の形成工程において、有機膜形成用マスク100における開口部101の外周部を、絶縁膜30の形成領域の外側に位置させ、当該外周部と絶縁膜30とが重ならない状態としてもよい。この場合も、マスク100と絶縁膜30との接触を回避できる。
しかし、この図4に示される例の場合には、有機膜形成用マスク100の開口部101が上記図2の場合よりも大きくなり、それだけ、有機膜40の形成領域も広くなる。その分、上記した電極20、50の取り出し部のマージンを見込んで基板10のサイズを大きくする必要があり、有機EL素子の体格が増大してしまう。
その点、上記図2のように、有機膜形成用マスク100の外周部と絶縁膜30とが離間しつつ重なるようにすれば、基板10のサイズの増大化を抑制できるとともに、マスク100のサイズの増大化も抑制することができる。なお、これら図2の有機膜形成用マスク100と図4の有機膜形成用マスク100との比較において述べたのと同じことが、第2の電極形成用マスク200に関しても言える。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態では、上記図1に示される有機EL素子S1を製造するにあたって上記第1実施形態とは異なる製造方法を提供する。本実施形態の製造方法は、有機膜40の形成工程、第2の電極50の形成工程において使用する各マスク100、200の構成を変形したものである。
本発明の第2実施形態では、上記図1に示される有機EL素子S1を製造するにあたって上記第1実施形態とは異なる製造方法を提供する。本実施形態の製造方法は、有機膜40の形成工程、第2の電極50の形成工程において使用する各マスク100、200の構成を変形したものである。
本実施形態の製造方法では、基板10の上に、第1の電極20、絶縁膜30を形成するところまでは、上記第1実施形態と同様である。その後、これら第1の電極20および絶縁膜30の上に有機膜40を真空蒸着法にて成膜する。図5は、本実施形態の製造方法における有機膜40の形成工程を示す工程図である。
図5に示されるように、本実施形態では、有機膜形成用マスク100における開口部101の外周部のうち絶縁膜30以外の基板10の部位と対向する部位に、凸部103が設けられている。ここで、絶縁膜30以外の基板10の部位とは、基板10のうち絶縁膜30が配置されている領域を除く部位であり、基板10の表面そのものでもよいし、第1の電極20の表面でもよい。
そして、この凸部103を、絶縁膜30以外の基板10の部位に接触させて、当該外周部を基板10に支持させる。それにより、当該凸部103を介して、当該外周部を絶縁膜30と離間させ、マスク100と絶縁膜30との接触を回避している。
この凸部103は、樹脂、セラミック、金属などを接着などにより、マスク100に取り付けたものであり、たとえば厚み約0.1mm程度のものである。また、凸部103の平面パターンは、マスク100を基板10上に支持させることができれば、連続した環状でも、非連続的な配置でもよい。なお、凸部103を樹脂よりなるものとした場合には、当該樹脂をスクリーン印刷により形成したものであってもよい。
これにより、上記第1実施形態と同様に、有機膜形成用マスク100における開口部101の外周部が、絶縁膜30と離間しつつ絶縁膜30と重なった状態となっており、この状態で当該外周部が基板10に支持されている。こうして、本実施形態においても、有機膜形成用マスク100が絶縁膜30と接触せず離れた状態にて、当該マスク100を基板10上に配置して有機膜40の蒸着を行う。
本実施形態においても、有機膜40を形成した後、その上に、第2の電極50をスパッタや蒸着により形成する。図6は、本実施形態の製造方法における第2の電極50の形成工程を示す工程図である。
図6に示されるように、本実施形態では、第2の電極形成用マスク200における開口部201の外周部のうち絶縁膜30および有機膜40以外の部位と対向する部位に、凸部203が設けられている。この凸部203の材質や形状、配置パターンは、上記図5に示される凸部103と同様もしくは準じたものにできる。
ここで、絶縁膜30および有機膜40以外の基板10の部位とは、基板10のうち絶縁膜30が配置されている領域を除く部位および有機膜40が配置されている領域を除く部位であり、基板10の表面そのものでもよいし、第1の電極20の表面でもよい。
そして、この凸部203を絶縁膜30および有機膜40以外の基板10の部位に接触させて、当該外周部を基板10に支持させる。それにより、当該凸部203を介して、当該外周部を絶縁膜30および有機膜40と離間させ、マスク200と絶縁膜30および有機膜40との接触を回避している。
これにより、上記第1実施形態と同様に、第2の電極形成用マスク200における開口部201の外周部が、絶縁膜30および有機膜40と離間しつつ絶縁膜30および有機膜40と重なった状態となっており、この状態で当該外周部が基板10に支持されている。こうして、本実施形態においても、第2の電極形成用マスク200が絶縁膜30および有機膜40と接触せず離れた状態にて、当該マスク200を基板10上に配置して第2の電極50の蒸着を行う。
その後は、本実施形態においても、封止膜70の形成を行えば、上記図1に示される有機EL素子S1が完成する。
本実施形態の製造方法によっても、上記第1実施形態と同様、絶縁膜30および有機膜40において、それぞれマスク100、200との接触による異物の付着やキズの発生を防止できる。そして、封止膜70による膜封止構造においてダークスポットの発生を極力低減し、信頼性に優れた有機EL素子S1が提供される。
また、本実施形態においても、有機膜形成用マスク100における開口部101の外周部を、絶縁膜30と離間しつつ重なった状態とし、第2の電極形成用マスク200における開口部201の外周部を、絶縁膜30および有機膜40と離間しつつ重なった状態としているため、基板10のサイズの増大化を抑制できるとともに、マスク100、200のサイズの増大化も抑制することができる。
(他の実施形態)
なお、上記第2実施形態では、マスク100、200側に凸部103、203を設けたが、これとは逆に、基板10側に凸部を設けても同様の効果が期待できる。ただし、基板10側に凸部を設ける場合、基板加工プロセスが増えることを考慮すれば、マスク100、200側に設ける方が望ましい。
なお、上記第2実施形態では、マスク100、200側に凸部103、203を設けたが、これとは逆に、基板10側に凸部を設けても同様の効果が期待できる。ただし、基板10側に凸部を設ける場合、基板加工プロセスが増えることを考慮すれば、マスク100、200側に設ける方が望ましい。
また、上記第1実施形態において、上記図4に示される有機膜形成用マスク100で有機膜40の形成を行い、次に、上記図3に示される第2の電極形成用マスク200で第2の電極50の形成を行ってもよい。つまり、有機膜40の形成と第2の電極50の形成とで、マスクの開口部の大きさを変えて成膜を行ってもよい。
また、上記第1実施形態に示したマスクと上記第2実施形態に示したマスクとを組み合わせて、有機膜40の形成、第2の電極50の形成を行ってもよい。たとえば、有機膜40の形成は、上記凹部102を有する有機膜形成用マスク100(上記図2参照)で行い、第2の電極50の形成は、上記凸部203を有する第2の電極形成用マスク200(上記図6参照)で行ってもよい。
また、有機膜40の形成は、上記凸部103を有する有機膜形成用マスク100(上記図5参照)で行い、第2の電極50の形成は、上記凹部202を有する第2の電極形成用マスク200(上記図4参照)で行ってもよい。そして、これらによっても、絶縁膜30および有機膜40において、それぞれマスク100、200との接触による異物の付着やキズの発生を防止できる。
また、有機EL素子としては、基板上に、第1の電極、画素領域を画定する絶縁膜を形成し、続いて、発光層としての有機材料よりなる有機膜および第2の電極を順次、マスク成膜により形成し、その後、封止膜を形成するものであればよく、上記図1に示される素子構成に限定されるものではない。
10…基板、20…第1の電極、30…絶縁膜、40…有機膜、
50…第2の電極、60…画素、70…封止膜、
100…有機膜形成用マスク、101…有機膜形成用マスクの開口部、
102…有機膜形成用マスクの凹部、103…有機膜形成用マスクの凸部、
200…第2の電極形成用マスク、201…第2の電極形成用マスクの開口部、
202…第2の電極形成用マスクの凹部、203…第2の電極形成用マスクの凸部、
300…蒸着源、400…材料源。
50…第2の電極、60…画素、70…封止膜、
100…有機膜形成用マスク、101…有機膜形成用マスクの開口部、
102…有機膜形成用マスクの凹部、103…有機膜形成用マスクの凸部、
200…第2の電極形成用マスク、201…第2の電極形成用マスクの開口部、
202…第2の電極形成用マスクの凹部、203…第2の電極形成用マスクの凸部、
300…蒸着源、400…材料源。
Claims (7)
- 基板(10)上に、第1の電極(20)、画素領域を画定する絶縁膜(30)、発光層としての有機材料よりなる有機膜(40)、第2の電極(50)、封止膜(70)を順次形成してなり、
前記有機膜(40)の形成工程は、開口部(101)を有する有機膜形成用マスク(100)の当該開口部(101)を介して前記第1の電極(20)および前記絶縁膜(30)の上に前記有機膜(40)を蒸着して成膜するものであり、
前記第2の電極(50)の形成工程は、開口部(201)を有する第2の電極形成用マスク(200)の当該開口部(201)を介して前記有機膜(40)の上に前記第2の電極(50)を蒸着して成膜するものである有機EL素子の製造方法において、
前記有機膜(40)の形成工程では、前記有機膜形成用マスク(100)が前記絶縁膜(30)と接触せず離れた状態にて、前記有機膜形成用マスク(100)を前記基板(10)上に配置して、前記有機膜(40)の成膜を行い、
前記第2の電極(50)の形成工程では、前記第2の電極形成用マスク(200)が前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)と接触せず離れた状態にて、前記第2の電極形成用マスク(200)を前記基板(10)上に配置して、前記第2の電極(50)の成膜を行うことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記有機膜(40)の形成工程では、前記基板(10)上に配置された前記有機膜形成用マスク(100)における前記開口部(101)の外周部が、前記絶縁膜(30)と離間しつつ重なった状態となっており、
前記第2の電極(50)の形成工程では、前記基板(10)上に配置された前記第2の電極形成用マスク(200)における前記開口部(201)の外周部が、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)と離間しつつ重なった状態となっていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記有機膜形成用マスク(100)における前記開口部(101)の外周部のうち、前記絶縁膜(30)と対向する部位に凹部(102)を形成することにより、当該外周部は、前記絶縁膜(30)と離間しており、
前記第2の電極形成用マスク(200)における前記開口部(201)の外周部のうち、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)と対向する部位に凹部(202)を形成することにより、当該外周部は、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)と離間していることを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記有機膜形成用マスク(100)における前記開口部(101)の外周部のうち、前記絶縁膜(30)以外の前記基板(10)の部位と対向する部位に凸部(103)を設け、この凸部(103)にて当該外周部を前記基板(10)に支持させることにより、当該外周部は、前記絶縁膜(30)と離間しており、
前記第2の電極形成用マスク(200)における前記開口部(201)の外周部のうち、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)以外の前記基板(10)の部位と対向する部位に凸部(203)を設け、この凸部(203)にて当該外周部を前記基板(100)に支持させることにより、当該外周部は、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)と離間していることを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記有機膜形成用マスク(100)における前記開口部(101)の外周部のうち、前記絶縁膜(30)と対向する部位に凹部(102)を形成することにより、当該外周部は、前記絶縁膜(30)と離間しており、
前記第2の電極形成用マスク(200)における前記開口部(201)の外周部のうち、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)以外の前記基板(10)の部位と対向する部位に凸部(203)を設け、この凸部(203)にて当該外周部を前記基板(100)に支持させることにより、当該外周部は、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)と離間していることを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記有機膜形成用マスク(100)における前記開口部(101)の外周部のうち、前記絶縁膜(30)以外の前記基板(10)の部位と対向する部位に凸部(103)を設け、この凸部(103)にて当該外周部を前記基板(10)に支持させることにより、当該外周部は、前記絶縁膜(30)と離間しており、
前記第2の電極形成用マスク(200)における前記開口部(201)の外周部のうち、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)と対向する部位に凹部(202)を形成することにより、当該外周部は、前記絶縁膜(30)および前記有機膜(40)と離間していることを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記基板(10)はガラスもしくは樹脂よりなるものであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の有機EL素子の製造方法。
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JP2008243664A true JP2008243664A (ja) | 2008-10-09 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007083818A Pending JP2008243664A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 有機el素子の製造方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016003384A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 株式会社Joled | マスク及び有機発光デバイスの製造方法 |
CN107123743A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-09-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光器件及其制作方法、显示面板和显示装置 |
CN112420966A (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-26 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板的制造方法以及掩模板 |
CN113659097A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-11-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07159982A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Toray Ind Inc | パターン化用マスク |
JPH1039289A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示装置用電極基板の製造方法 |
JP2002038254A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Toray Ind Inc | 導電膜パターン化用マスク |
JP2002212721A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-31 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタ用メタルマスク |
JP2004227979A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Denso Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-28 JP JP2007083818A patent/JP2008243664A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07159982A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Toray Ind Inc | パターン化用マスク |
JPH1039289A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示装置用電極基板の製造方法 |
JP2002038254A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Toray Ind Inc | 導電膜パターン化用マスク |
JP2002212721A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-31 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタ用メタルマスク |
JP2004227979A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Denso Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016003384A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 株式会社Joled | マスク及び有機発光デバイスの製造方法 |
CN107123743A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-09-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光器件及其制作方法、显示面板和显示装置 |
CN107123743B (zh) * | 2017-05-26 | 2019-02-12 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光器件及其制作方法、显示面板和显示装置 |
CN112420966A (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-26 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板的制造方法以及掩模板 |
CN112420966B (zh) * | 2019-08-20 | 2024-03-19 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种显示面板的制造方法以及掩模板 |
CN113659097A (zh) * | 2021-09-13 | 2021-11-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
CN113659097B (zh) * | 2021-09-13 | 2024-02-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
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